中，RF功率的返回路径由真空腔室的部件或源的部件(例如，保持器)所提供，即，未定义至匹配箱的返回路径。根据本文中所描述的实施例，提供RF电流的定义的返回路径。如图4中还示出的，通常经由匹配箱而从电源提供RF功率的“热” RF路径由接合桥及数个连接器124所提供。典型地，连接器被连接至目标的背板或目标的支撑件，以用于向目标20提供RF功率。匹配箱功率连接器由热路径薄板金属222所提供。根据本文中所描述的实施例，所定义的返回路径由一个或多个导体棒110所提供。根据又进一步的实现方式，导体棒可被连接至返回路径RF功率收集薄板金属112。根据可与本文中所描述的其他实施例结合的又进一步的实现方式，返回路径RF功率收集薄板金属112可被提供至电源薄板金属，以便提供RF电流至匹配箱和/或电源的返回路径。
[0038]图5示出了溅射沉积源的又进一步的示例。图5中所示的溅射沉积源包括可旋转的目标620 ο可旋转的目标620被支撑件602所支撑。典型地，支撑件602还可包括用于使可旋转的目标620旋转的装置。例如，用于旋转的装置可包括致动器、驱动带、动力传动系统或配置用于使目标旋转的电机。支撑件602通常还包括用于将功率从匹配箱230提供至目标620的连接器。在图5中所示的实施例中，导体棒110、收集薄板112和薄板金属612及212被示为在支撑件602外。然而，尤其由穿过壁部分102延伸的导体棒所提供的RF电流的返回路径也可被集成在支撑件602的外壳中。
[0039]图6示出了一种用于在真空腔室中溅射沉积的组装方法及设备。藉此，在步骤702中，穿过设备的壁部分和/或溅射沉积的源插入导体棒。在步骤704中，至少一个部件被连接至真空腔室内部的导体棒，并且导体棒被连接至真空腔室外部的匹配箱和/或电源。
[0040]鉴于上述，利用RF溅射或RF溅射与另一种溅射法(例如，DC溅射、脉冲溅射或中频溅射)的组合的应用可利用本文中所描述的实施例。因此，可通过提供RF功率的定义的返回路径来减少或甚至避免电弧及寄生等离子体，利用该RF功率溅射目标。
[0041]根据一个实施例，提供用于在真空腔室中溅射沉积的溅射沉积源。该源包括真空腔室的壁部分；目标，在溅射沉积期间提供待沉积的材料;RF电源，用于向目标提供RF功率；功率连接器，用于将目标与RF电源连接；以及导体棒，穿过壁部分从真空腔室的内部延伸至真空腔室的外部，其中导体棒被连接至真空腔室内部的一个或多个部件，并且其中导体棒被连接至真空腔室外部的RF电源，以生成穿过导体棒的定义的RF返回路径。导体棒例如与一个或多个薄板金属结合提供返回路径的一部分。根据可附加地或替代地提供至彼此的典型修改，导体棒可具有在真空腔室的外部和/或真空腔室的内部处的至少螺纹;和/或导体棒可被连接至返回路径RF功率收集薄板金属;导体棒可具有头部，该头部具有一宽度，该宽度比配置成穿过壁部分突出的进一步的部分的宽度更宽，具体地其中导体棒的最小宽度为5mm或以上，典型地I Omm或以上。根据可与本文中所描述的其他实施例结合的又进一步的实施例，导体棒可包括配置用于O型环的至少一个凹槽，使得为至壁部分的连接提供真空密封，例如，设置于头部中的至少一个凹槽;RF电源经由匹配箱连接至功率连接器和导体棒；和/或功率连接器进一步包括接合桥和连接至接合桥，具体地用螺丝拧紧至接合桥的热路径薄板金属。例如，返回路径RF功率收集薄板金属被连接至电源薄板金属，并且具体地被用螺丝拧紧至电源薄板金属。根据又进一步可选的修改，导体棒可在壁部分的内表面上突出至少0.8mm，典型地突出Imm至3mm，使得间隙形成于壁部分的内表面与一个或多个部件之间。
[0042]根据另一实施例，提供一种用于在真空腔室中溅射沉积的设备。该设备包括根据本文中所描述的实施例中的任一个并且用于在真空腔室中溅射沉积的溅射沉积源；以及真空腔室。例如，壁部分可以是连接至真空腔室的源的门。
[0043]根据又一实施例，提供一种组装用于在真空腔室中溅射沉积的设备的方法。该方法包括穿过设备的壁部分插入导体棒;将真空腔室内部的至少一个部件连接至导体棒；以及将导体棒连接至RF电源的返回路径。例如，该方法进一步包括将热路径薄板金属用螺丝拧紧至连接至目标的接合桥;并且其中将导体棒连接至RF电源的返回路径包括:将电源薄板金属用螺丝拧紧至返回路径RF功率收集薄板金属。
[0044]虽然前文针对本发明的实施例，但可设计本发明的其他及进一步的实施例而不背离本发明的基本范围，并且本发明的范围由以下的权利要求书所决定。
【主权项】
1.一种用于在真空腔室中溅射沉积的溅射沉积源，包括: 所述真空腔室的壁部分； 目标，所述目标在所述溅射沉积期间提供待沉积的材料； RF电源，用于向所述目标提供RF功率； 功率连接器，用于将所述目标与所述RF电源连接；以及 导体棒，穿过所述壁部分从所述真空腔室内部延伸至所述真空腔室外部，其中所述导体棒被连接至所述真空腔室内部的一个或多个部件，并且其中所述导体棒被连接至所述真空腔室外部的RF电源，以生成穿过所述导体棒的定义的RF返回路径。2.如权利要求1所述的溅射沉积源，其特征在于，所述导体棒具有在所述真空腔室的外部和/或所述真空腔室的内部处的至少螺纹。3.如权利要求1至2中任一项所述的溅射沉积源，其特征在于，所述导体棒被连接至返回路径RF功率收集薄板金属。4.如权利要求1至3中任一项所述的溅射沉积源，其特征在于，所述导体棒具有头部，所述头部具有一宽度，所述宽度比配置成穿过所述壁部分突出的进一步的部分的宽度更宽，具体地其中所述导体棒的最小宽度为5mm或以上，典型地，I Omm或以上。5.如权利要求1至4中任一项所述的溅射沉积源，其特征在于，所述导体棒包括配置用于O型环的至少一个凹槽，使得为至所述壁部分的连接提供真空密封。6.如权利要求5所述的溅射沉积源，其特征在于，所述导体棒包括设置于所述头部中的至少一个凹槽。7.如权利要求1至6中任一项所述的溅射沉积源，其特征在于，所述RF电源经由匹配箱连接至所述功率连接器和所述导体棒。8.如权利要求1至7中任一项所述的溅射沉积源，其特征在于，所述功率连接器进一步包括: 接合桥和连接至所述接合桥，具体地用螺丝拧紧至所述接合桥的热路径薄板金属。9.如权利要求3至8中任一项所述的溅射沉积源，其特征在于，所述返回路径RF功率收集薄板金属被连接至电源薄板金属，并且具体地被用螺丝拧紧至所述电源薄板金属。10.如权利要求1至9中任一项所述的溅射沉积源，其特征在于，所述导体棒在所述壁部分的内表面上突出至少0.8_，典型地Imm至3_，使得间隙形成于所述壁部分的内表面与所述一个或多个部件之间。11.如权利要求1至10中任一项所述的溅射沉积源，其特征在于，所述一个或多个部件包括至少屏蔽盒。12.一种用于在真空腔室中溅射沉积的设备，包括: 如权利要求1至11中任一项所述并且用于在所述真空腔室中溅射沉积的溅射沉积源；以及 所述真空腔室。13.如权利要求12所述的设备，其特征在于，所述壁部分为连接至所述真空腔室的源的门。14.一种组装用于在真空腔室中溅射沉积的设备的方法，包括: 穿过所述设备的壁部分插入导体棒；将所述真空腔室内部的至少一个部件连接至所述导体棒；以及将所述导体棒连接至RF电源，以生成穿过所述导体棒的定义的RF返回路径。15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括:将热路径薄板金属用螺丝拧紧至连接至目标的接合桥;并且其中，将所述导体棒连接至RF电源的返回路径包括:将电源薄板金属用螺丝拧紧至返回路径RF功率收集薄板金属。
【专利摘要】描述了一种用于在真空腔室中溅射沉积的溅射沉积源。该源包括：真空腔室的壁部分；目标，在溅射沉积期间提供待沉积的材料；RF电源，用于向目标提供RF功率；功率连接器，用于将目标与RF电源连接；以及导体棒，穿过壁部分从真空腔室内部延伸至真空腔室外部，其中导体棒被连接至真空腔室内部的一个或多个部件，并且其中导体棒被连接至真空腔室外部的RF电源以生成穿过导体棒的定义的RF返回路径。
【IPC分类】H01J37/32, H01J37/34
【公开号】CN105706212
【申请号】
【发明人】S·凯勒, U·舒斯勒, D·哈斯, S·邦格特
【申请人】应用材料公司
【公开日】2016年6月22日
【申请日】2013年11月5日