一种mim结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体技术领域，特别是涉及一种MD!结构。
【背景技术】
[0002]电容器是在超大规模集成电路中常用的无源元件，其主要包括多晶硅-绝缘体-多晶娃(PIP，Polysilicon-1nsulator-Polysilicon)、金属-绝缘体-娃(MIS，Metal-1nsulator-Silicon)和金属-绝缘体-金属(MIM，Metal-1nsulator-Metal)等。其中，由于MIM电容器对晶体管造成的干扰最小，且可以提供较好的线性度(Linearity)和对称度(Symmetry)，因此得到了更加广泛的应用，特别是混合信号(Mixed-signal)和射频(RF，Rad1 Frequency)领域。
[0003]目前，不同电容值的电容器需要不同的MM工艺制作。如图1所示为一个单位MM结构示意图，该MIM结构包括:第一金属层11;第一介质层12，形成于所述第一金属层11表面；第一上极板13，形成于所述第一介质层12表面;第一顶层金属层31，通过第一通孔41与所述第一金属层11相连;第二顶层金属层32，通过第二通孔42与第一上极板13相连。
[0004]如图2为堆叠MM结构示意图，该MM结构包括:第一M頂结构I和第二MM结构2、顶层金属层;所述第一 MIM结构I包括:第一金属层11、形成于所述第一金属层11表面的第一介质层12、以及形成于所述第一介质层12表面的第一上极板13;所述第二 M頂结构2包括:第二金属层21、形成于所述第二金属层21表面的第二介质层22、以及形成于所述第二介质层22表面的第二上极板23;所述顶层金属层包括:第一顶层金属层31和第二顶层金属层32;所述第二金属层21通过第一通孔41与所述第一上极板13电连;所述第一顶层金属层31通过第二通孔42与所述第二金属层21电连;所述第二顶层金属层32通过第三通孔43与所述第二上极板23电连，所述第二顶层金属层32还通过第四通孔44与所述第一金属层11电连。
[0005]以上两种不同电容的MM结构需要不同的工艺制作，而不同的工艺需要花费大量的人力和物力来维护，这将给生产带来许多困难，生产成本增加。
[0006]因此，提供一种能够满足不同电容要求的MD!结构实属必要。
【实用新型内容】
[0007]鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种MM结构，用于解决现有技术中不同的电容器需要不同的制作工艺的问题。
[0008]为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种MM结构，所述MM结构至少包括:第一 M頂结构和第二 M頂结构、顶层金属层以及保险丝；
[0009]所述第一MIM结构包括:第一金属层、形成于所述第一金属层表面的第一介质层、以及形成于所述第一介质层表面的第一上极板；
[0010]所述第二MM结构包括:第二金属层、形成于所述第二金属层表面的第二介质层、以及形成于所述第二介质层表面的第二上极板；
[0011 ]所述顶层金属层包括:第一顶层金属层、第二顶层金属层和第三顶层金属层；
[0012]所述第二金属层通过第一通孔与所述第一上极板电连;所述第一顶层金属层通过第二通孔与所述第二金属层电连;所述第二顶层金属层通过第三通孔与所述第二上极板电连，所述第三顶层金属层通过第四通孔与所述第一金属层电连；
[0013]所述保险丝形成于所述第二顶层金属层和第三顶层金属层之间。
[0014]作为本实用新型MM结构的一种优化的方案，所述第一顶层金属层通过第一焊垫连接外界信号，所述第二顶层金属层通过第二焊垫连接外界信号，所述第三顶层金属层通过第三焊垫连接外界信号。
[0015]作为本实用新型MM结构的一种优化的方案，所述保险丝未熔断，在所述第一焊垫上施加电压，第二焊垫和第三焊垫均接地的情况下，所述M頂结构的电容等于所述第一MM结构和第二 MIM结构的并联电容。
[0016]作为本实用新型MM结构的一种优化的方案，所述保险丝熔断，在所述第一焊垫悬空，所述第二焊垫施加电压，所述第三焊垫接地的情况下，所述MIM结构的电容等于所述第一 MIM结构和第二 MIM结构的串联电容。
[0017]作为本实用新型MM结构的一种优化的方案，所述保险丝熔断，在所述第一焊垫施加电压，所述第二焊垫悬空，所述第三焊垫接地的情况下，所述MIM结构的电容等于所述第一MIM结构的电容。
[0018]作为本实用新型MM结构的一种优化的方案，所述保险丝熔断，在所述第一焊垫施加电压，所述第二焊垫接地，所述第三焊垫悬空的情况下，所述MIM结构的电容等于所述第二MIM结构的电容。
[0019]作为本实用新型MM结构的一种优化的方案，所述第四通孔包括上通孔和下通孔，在所述上通孔和下通孔之间形成有与所述第二金属层位于同一布线层的金属连线。
[0020]如上所述，本实用新型的M頂结构，包括:第一 M頂结构和第二 M頂结构、顶层金属层以及保险丝;所述第一 MM结构包括:第一金属层、形成于所述第一金属层表面的第一介质层、以及形成于所述第一介质层表面的第一上极板;所述第二MM结构包括:第二金属层、形成于所述第二金属层表面的第二介质层、以及形成于所述第二介质层表面的第二上极板;所述顶层金属层包括:第一顶层金属层、第二顶层金属层和第三顶层金属层;所述第二金属层通过第一通孔与所述第一上极板连接;所述第一顶层金属层通过第二通孔与所述第二金属层相连;所述第二顶层金属层通过第三通孔与所述第二上极板相连，所述第三顶层金属层通过第四通孔与所述第一金属层相连;所述保险丝形成于所述第二顶层金属层和第三顶层金属层之间。本实用新型通过在第二顶层金属层和第三顶层金属层之间设置一保险丝，通过保险丝是否熔断，并使第一焊垫、第二焊垫和第三焊垫处于不同的电性状态，从而获得具有不同电容值的MIM结构。
【附图说明】
[0021]图1显示为现有技术中的一个单位MIM结构示意图。
[0022]图2显不为现有技术中的堆置MIM结构不意图。
[0023]图3显不为本实用新型的MIM结构不意图。
[0024]图4显不为本实用新型的MIM结构的电路不意图。
[0025]图5显示为本实用新型的保险丝的一种结构示意图。
[0026]元件标号说明
[0027]I第一 MIM 结构
[0028]11第一金属层
[0029]12第一介质层
[0030]13第一上极板[0031 ]2第二 MIM 结构
[0032]21第二金属层
[0033]22第二介质层
[0034]23第二上极板
[0035]31第一顶层金属层
[0036]32第二顶层金属层
[0037]33第三顶层金属层
[0038]41第一通孔
[0039]42第二通孔
[0040]43第三通孔
[0041]44第四通孔
[0042]441上通孔
[0043]442下通孔
[0044]443金属连线
[0045]5保险丝
[0046]61第一焊垫
[0047]62第二焊垫
[0048]63第三焊垫
【具体实施方式】
[0049]以下由特定的具体实施例说明本实用新型的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点及功效。
[0050]请参阅图3至图5。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本实用新型可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本实用新型所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本实用新型所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本实用新型可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本实用新型可实施的范畴。
[0051 ] 如图3所示，本实用新型提供一种MM结构，所述MM结构至少包括:第一MM结构I和第二M頂结构2、顶层金属层以及保险丝5(Metal Fuse)。
[0052]所述第一 M頂结构I包括:第一金属层11、第一介质层12和第一上极板13。所述第一介质层12形成于所述第一金属层11表面，所述第一上极板13形成于所述第一介质层12表面，其中第一金属层11是作为第一 M頂结构I的下极板。所述第一金属层11、第一介质层12和第一上极板13形成第一 M頂电容叠层结构。
[0053]在所述第一M頂结构I中，所述第一介质层12和第一上极板13仅覆盖部分第一金属层11表面，未覆盖的第一金属层11表面用于制作通孔。