光模块在紫外线照射状态下呈现不同的颜色组合，构成该防伪结构的第二防伪信息。所述的紫外荧光，是将稀土金属进氧化还原处理，形成稳定的氧化物。所述紫外荧光模块102、103、104，是紫外荧光粉与已经固化的光固胶组成的混合物。所述单晶硅是透明的。所述功能层厚度是6微米，所述基材层的是I微米；应当理解，所述功能层介于2至10微米之间，所述基材层厚度介于I至2微米之间；也可以实施本实施例。
[0031]参考图4至图10，本实用新型第二个实施例是一种防伪结构的制备方法，即本实用新型第一个实施例的制备方法，包括以下步骤:SI 10，提供玻璃基底;S120，在玻璃基底上面镀附着层;S130，在附着层上面镀牺牲层；S140，在牺牲层上面镀基材层；S150，在基材层上面涂布第一次紫外荧光粉与光固胶的混合物;S160，提供紫外线光源，提供第一次淹模板，将S150步骤涂布的混合物涂层曝光；S170，提供显影液，显影；S180，提供纯净水，清洗；S190，在基材层上面涂布第N次紫外荧光粉与光固胶的混合物，涂布层的厚度与S150步骤的涂布层一致;S200，提供第N次淹模板，将S190步骤制备混合物涂层曝光;S210，显影;S220，清洗;S230，判断是否完成所有紫外荧光模块设置，若否，将N设定为N加I，转S190步骤，当然，本实施例总计设置3次紫外荧光模块，N只要完到3就可退出执行S240步骤了；S240，提供等离子刻蚀装备，刻蚀基材层;S250，提供牺牲层蚀刻液，刻蚀牺牲层;S260，提供清洗过滤装备及纯净水，清洗，过滤。
[0032]在第二个实施例中，S120步骤，所述附着层是Cr，所述镀是指真空镀;S130步骤，所述牺牲层是Al，所述镀是指真空镀;S140步骤，所述基材层是单晶硅，所述镀是指真空镀；S170步骤，所述显影，用显影液固化部分混合物涂层;S180步骤，清洗，用纯净水清洗掉S170显影步骤未固化部分混合物涂层;3190步骤及3200步骤、3230步骤，所述的N，初始值为2。
[0033]在第二个实施例中，所述S150及S190步骤，所提到的光固胶，是单一紫外线光谱固化的光固胶。
[0034]在第二个实施例中，所述SI50步骤，还包括提供悬涂装备步骤，用悬涂方法涂布。所述光固胶可以选择正光固胶和负光固胶其中的一种，所述S170步骤提到的固化部分混合物涂层是指，曝光或未曝光的部分混合物涂层，具体地，对于正光固胶曝光的部分混合物涂层不固化，未曝光的部分混合物涂层固化;对应地，对于负光固胶曝光的部分混合物涂层固化，未曝光的部分混合物涂层不固化。所述光固胶可以选择正光固胶和负光固胶其中的一种，所述S210步骤提到的显影，是指固化部分混合物涂层，即曝光或未曝光的部分混合物涂层，具体地，对于正光固胶曝光的部分混合物涂层不固化，未曝光的部分混合物涂层固化；对应地，对于负光固胶曝光的部分混合物涂层固化，未曝光的部分混合物涂层不固化。
[0035]所述SllO提供玻璃基底，还包括把玻璃片切成方形或长方形，以及倒角、抛光、清洗、干燥步骤，供玻璃基底的厚度是0.35，可以理解，玻璃基底的厚度介于0.3至0.5毫米之间都能够实施本实施例。
[0036]所述S170步骤所述提供显影液，显影液是四甲基加水;所述S240步骤刻蚀基材层，所用气体是CF6，当然也可以增加辅助气体。
[0037]所述S250步骤，提供牺牲层蚀刻液，对于S130步骤所镀的牺牲层是Al的话，提供蚀刻液是盐酸，应当理解用氢氧化钠作蚀刻液也可以实现;对于S130步骤所镀的牺牲层是Cu的话，提供蚀刻液是双氧水。
[0038]所述S150、S160步骤及S190、S200步骤，本实施例选用最常用的正光固胶，选择阳淹模板，所述阳淹模板就是需要的图案遮光，不需要的部分透光，所述正光胶就是经显影和清洗后，照光的部分去掉，不照光的部分留下;具体选择时，根据正光固胶或负光固胶的选择，决定选择阳淹模板与阴淹模板。
[0039]参考图4，是本实用新型第二个实施例SllO至S140步骤的示意图，提供玻璃基底211上，首先镀附着层212，即镀Cr，进一步镀牺牲层213，即镀Al，再镀基材层214，即镀Si，所制备的半成本品210供S150步骤使用。
[0040]参考图5，是本实用新型第二个实施例S150至S180步骤的示意图，在半成品210的基材层214涂布第一次紫外荧光与光固胶的混合物301，采用悬涂方法，厚度控制在6微米，所谓悬涂法，就是把第一次紫外荧光与光固胶的混合物滴在半成品210的中心部位，利用悬涂装备高速旋转半成品210，使混合物铺平，转速可以控制涂层的厚度;悬涂装备可以外购，也可以用旋转马达自制，设置一带夹具平台，将半成品210装夹在平台上，平台水平设置，设置相应轴承以使平台稳定，利用旋转马达带动平台转动，旋转马达可以选用调速马达;提供紫外线光源999，提供第一次淹模板302，将S150步骤涂布的混合物涂层301曝光，通过显影、清洗，在半成品210上留下紫外荧光模块102，紫外荧光模块102加上半成品210构成第二半成品310，第二半成品310供S190步骤使用。
[0041]参考图6，是本实用新型第二个实施例S190至S220步骤的第I次循环示意图，在第二半成品310的基材层214涂布第二次紫外荧光与光固胶的混合物401，采用悬涂方法，厚度控制在6微米，提供紫外线光源999，提供第二次淹模板402，将S190步骤涂布的混合物涂层401曝光，通过显影、清洗，在第二半成品310上留下紫外荧光模块103，紫外荧光模块103加上第二半成品310构成第三半成品410，第三半成品410供S190至S220步骤的第2次循环使用。
[0042]参考图7，是本实用新型第二个实施例S190至S220步骤的第2次循环示意图，在第三半成品410的基材层214涂布第三次紫外荧光与光固胶的混合物501，采用悬涂方法，厚度控制在6微米，提供紫外线光源999，提供第三次淹模板502，将S190步骤涂布的混合物涂层501曝光，通过显影、清洗，在第三半成品410上留下紫外荧光模块104，紫外荧光模块104加上第三半成品410构成第四半成品510，第四半成品510供S240步骤使用。
[0043]参考图8，是本实用新型第二个实施例S240步骤的示意图，提供等离子刻蚀装备，刻蚀基材层214，将第四半成品510置于等离子刻蚀装备，通过CF6气体将第四半成品510没有覆盖紫外荧光模块102、103、104的暴露之处基材层214刻蚀掉，留下基材层101连接紫外荧光模块102、103、104与牺牲层213。
[0044]参考图8，是本实用新型第二个实施例S250步骤的示意图，把S240步骤产成品置于盐酸溶液中，蚀刻牺牲层，使本实用新型第一个实施例所述材料，从玻璃基底上分离出来，应当理解，用氢氧化钠作蚀刻液也可以实现本实施例。
[0045]参考图10，是本实用新型第二个实施例的流程图，为了更具通用性，提供了二种以上紫外荧光模块的通用流程，本实用新型第二个实施例是三种紫外荧光模块，所以S190至S220步骤循环2次。
【主权项】
1.一种防伪结构，其特征在于:该防伪结构具有双层结构，顶层为功能层，底层为基材层;所述功能层由二种以上紫外荧光模块连接而成，所述基材层是单晶硅结构。2.根据权利要求1所述的防伪结构，其特征在于:所述单晶硅是无色透明的。3.根据权利要求1所述的防伪结构，其特征在于:所述功能层厚度介于2至10微米之间，所述基材层厚度介于I至2微米之间。
【专利摘要】本实用新型涉及防伪技术，尤其涉及一种防伪材料。该防伪材料具有双层结构，顶层为功能层，底层为基材层；所述功能层由二种以上紫外荧光模块组合而成，所述基材层是单晶硅结构，具有双重防伪信息，安全性高。
【IPC分类】B32B9/04, B41M5/42, B41M3/14
【公开号】CN205291971
【申请号】
【发明人】翟兴
【申请人】深圳市天兴诚科技有限公司
【公开日】2016年6月8日
【申请日】2015年12月5日