参考图10，是本实施例的S220至S240步骤的示意图。提供第二淹模板902a，将第五半成品500a的混合物涂层曝光，显影，用纯净水清洗，至此，牺牲层103上只留下多个单位防伪材料000，成为第六半成品600a供下一步骤加工;再说明一下不同的稀土氧化物模块子模块可以设置成不同的颜色的方法，先用一个子模块稀土氧化物粉和光固胶的混合物501在无定形硅表面涂布，第二淹模板902a只有这一个子模块对应的镂空区域曝光，显影，用纯净水清洗，再用另一子模块稀土氧化物粉和光固胶的混合物501在无定形硅表面涂布，第二淹模板902a只有这一个子模块对应的镂空区域曝光，显影，用纯净水清洗，直到完所有子模块设置，这样，不同的子模块就可以用不同稀土氧化物粉，以实现不同子模块在红外线照射下就呈现出不同的确良色彩;再次参考图13，是本实施例的S250步骤的示意图，提供牺牲层蚀刻液，刻蚀牺牲层，至此，一组多个单位防伪材料000就制备出来，提供清洗过滤装备及纯净水，清洗，过滤，就可以应用于工业中了。
[0048]图14是本实用新型第三实施例的流程图。
[0049]参考图4至图8、图11至图13，是本实用新型第四个实施例，是制备本实用新型第二个实施例是防伪材料方法，即制备稀土氧化物模块002底面与无定形硅模块001底面位于同一平面上，所述稀土氧化物模块002比无定形硅模块001厚度大的防伪材料，该方法包括以下步骤:SI 10，提供玻璃基底;S120，在玻璃基底上面镀附着层;S130，在附着层上面镀牺牲层；S140，在牺牲层上面镀无定形硅层;S150，在无定形硅层上面涂布光固胶;S160，提供紫外线光源，提供第一淹模板，将S150步骤涂布的光固胶涂层曝光;S170，提供显影液，显影；S180，提供纯净水，清洗;S190，提供等离子刻蚀装备，刻蚀没有光固胶保护的无定形硅层，即镂空区域及各个单位防伪材料之外的周边区域;S200，提供清洗液，清洗，就是清洗掉用于保护无定硅层的光固胶；S210，在无定形硅表面涂布稀土氧化物粉和光固胶的混合物；S220，提供第二淹模板，将S200步骤涂布的混合物涂层曝光；S230，显影;S240，用纯净水清洗;S250，提供牺牲层蚀刻液，刻蚀牺牲层;S260，提供清洗过滤装备及纯净水，清洗，过滤；其中，S120步骤，所述附着层是Cr或Ni或不锈钢，所述镀是指真空镀;S130步骤，所述牺牲层是Al或Cu，所述镀是指真空镀；S170步骤，所述提供显影液，显影液是四甲基加水;所述显影，用显影液固化部分光固胶;S180步骤，清洗，用纯净水清洗掉S170显影步骤未固化部分光固胶。
[0050]所述S150步骤，还包括提供悬涂装备步骤，用悬涂方法涂布。所述S210步骤，还包括提供喷涂装备步骤，用喷涂方法涂布。所述S215步骤，刮胶，还包括提供刮胶装备，将无定形硅表面的S210步骤喷涂的混合物刮去。刮胶装备可以外购;也可以SMT刮锡机刮胶，工作时不装丝网，送料轨道下设置废胶回收装置即可完成。
[0051]所述光固胶可以选择正光固胶和负光固胶其中的一种，所述S170步骤提到的固化部分光固胶是指，曝光或未曝光的部分光固胶，具体地，对于正光固胶曝光的部分光固胶不固化，未曝光的部分光固胶固化;对应地，对于负光固胶曝光的部分光固胶固化，未曝光的部分光固胶不固化。
[0052]所述SllO提供玻璃基底，还包括把玻璃片切成方形或长方形，以及倒角、抛光、清洗、干燥步骤，供玻璃基底的厚度介于0.3至0.5毫米之间。
[0053]所述S200步骤所述提供清洗液，清洗液是丙酮。
[0054]所述S190步骤刻蚀无定形硅层，所用气体是CF6，当然也可以增加辅助气体。
[0055]所述S250步骤，提供牺牲层蚀刻液，对于S130步骤所镀的牺牲层是Al的话，提供蚀刻液是盐酸、氢氧化钠中的一种;对于S130步骤所镀的牺牲层是Cu的话，提供蚀刻液是盐酸和三氯化铁的水溶液。
[0056]再次参考图4，是本实施例的SllO至S150步骤的示意图，在玻璃基底101上面镀附着层102，在附着层102上面镀牺牲层103，在牺牲层103上面镀无定形硅层104，在无定形硅层104上面涂布光固胶105，成为第一半成品100供下一步骤加工;再次参考图5，是本实施例的S160至S180步骤的示意图，提供紫外线光源999，提供第一淹模板901，将第一半成品100的光固胶涂层曝光，提供显影液，显影，提供纯净水，清洗，第一半成品100的光固胶105只留下用保护无定形硅层104的部分已经固化的光固胶201，成为第二半成品200供下一步骤加工;再次参考图6，是本实施例的S190步骤的示意图，S190，提供等离子刻蚀装备，刻蚀没有光固胶保护的无定形硅层，即刻蚀掉镂空区域301及各个单位防伪材料之外的周边区域，露出部分牺牲层103，成为第三半成品300供下一步骤加工;再次参考图7，是本实施例的S200步骤的示意图，提供清洗液，清洗掉第三半成品300用保护无定形硅层104的部分已经固化的光固胶201，在牺牲层103上只留下无定形模块001，成为第四半成品400供下一步骤加工；再次参考图8，是本实施例的S210步骤的示意图，在无定形硅表面涂布稀土氧化物粉和光固胶的混合物501，实际上牺牲层的表面也必须一起涂布工艺上才能实施，本实施例采用喷涂方式，在无定形硅层很薄的情况下，也可以采用悬涂，镂空区域也可以涂满，选择悬涂与喷涂只是等同替换没有实质区别，只要将镂空区域填满，没有什么区别，成为第五半成品500供下一步骤加工;再次参考图12，是本实施例的S220至S240步骤的示意图，是本实施例的S220至S240步骤的示意图，提供第二淹模板902，将第五半成品500的混合物涂层曝光，显影，用纯净水清洗，至此，牺牲层103上只留下多个单位防伪材料000，成为第六半成品600供下一步骤加工;再次参考图13，是本实施例的S250步骤的示意图，提供牺牲层蚀刻液，刻蚀牺牲层，至此，一组多个单位防伪材料000就制备出来，提供清洗过滤装备及纯净水，清洗，过滤，就可以应用于工业中了。
[0057]本实施例未设置流程图，可以参考图14，只是没有刮胶步骤。
【主权项】
1.一种防伪材料，其特征在于:该防伪材料包括片状的无定形硅模块，无定形硅模块具有镂空区域，该防伪材料还包括稀土氧化物模块，稀土氧化物模块镶嵌于所述镂空区域。2.根据权利要求1所述的防伪材料，其特征在于:所述稀土氧化物模块底面与无定形硅模块底面位于同一平面上，所述稀土氧化物模块与无定形硅模块厚度一致。3.根据权利要求1所述的防伪材料，其特征在于:所述稀土氧化物模块底面与无定形硅模块底面位于同一平面上，所述稀土氧化物模块比无定形硅模块厚度大。4.根据权利要求1所述的防伪材料，其特征在于:所述片状结构的厚度为2至10微米之间。
【专利摘要】本实用新型涉及防伪技术，尤其涉及一种防伪材料，该防伪材料，其特征在于：该防伪材料包括片状的无定形硅模块，无定形硅模块具有镂空区域，该防伪材料还包括稀土氧化物模块，稀土氧化物模块镶嵌于所述镂空区域；本实用新型提供一种具有多材质、双重防伪的防伪材料。
【IPC分类】B42D25/36, G09F3/02
【公开号】CN205291991
【申请号】
【发明人】翟兴
【申请人】深圳市天兴诚科技有限公司
【公开日】2016年6月8日
【申请日】2015年12月5日