一种蒸镀坩埚的制作方法
【技术领域】
[0001 ]本实用新型涉及一种蒸镀坩祸。
【背景技术】
[0002]OLED(Organic Light-Emitting D1de，有机发光二级管，简称0LED)显示屏由于具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、能耗小、驱动电压低、工作温度范围宽、生产工艺简单、发光效率高及可柔性显示等优点，已被列为极具发展前景的下一代显示技术。
[0003]在基板上形成OLED器件通常采用蒸镀工艺，其是指在一定的真空条件下加热蒸镀材料，使蒸镀材料熔化(或升华)成原子、分子或原子团组成的蒸气，然后凝结在基板表面成膜，从而形成OLED器件的功能层。蒸镀工艺按照蒸镀源(蒸镀材料的加热装置)的类型可分为点源蒸镀和线源蒸镀，其中点源蒸镀技术发展较为成熟，已经在生产线实现了量产。
[0004]参考图1，提供了传统的蒸镀坩祸。在蒸镀过程中，由于坩祸的侧壁和底部分别与冷却水通过的腔壁完全接触，造成坩祸的散热面积非常大，保温性很差。这就使得需要加大电子枪的加热功率才能够使得蒸镀材料的蒸发速率达到蒸镀的要求，大大增加了贵金属的用量。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型的所要解决的主要技术问题是提供一种蒸镀坩祸，其保温性能较好，无需增加电子枪的加热功率也可以使蒸镀材料的蒸发速率满足蒸镀的要求，降低了贵金属材料的损耗。
[0006]为了解决上述的技术问题，本实用新型提供了一种蒸镀坩祸，包括坩祸本体，其具有一放置蒸镀材料的容纳腔;所述坩祸本体的侧壁和底部远离所述容纳腔的一侧分别具有第一凹陷部和第二凹陷部;所述第一凹陷部和第二凹陷部的内壁与冷却水通过的腔壁未直接接触。
[0007]在一较佳实施例中:所述坩祸本体为倒置的圆锥台，所述容纳腔由所述坩祸本体的上底面向下底面延伸。
[0008]在一较佳实施例中:所述容纳腔也为倒置的圆锥台。
[0009]在一较佳实施例中:所述第一凹陷部为一扇环形凹陷带，其连续分布于所述坩祸本体的侧面，并使所述坩祸本体的侧面在靠近上底面和下底面的一端分别形成第一凸台。
[0010]在一较佳实施例中:所述第二凹陷部为一圆柱形凹陷带，其与所述坩祸本体的下底面同心设置，并使所述坩祸本体的下底面外周形成第二凸台。
[0011]在一较佳实施例中:所述第一凸台和第二凸台分别与所述冷却水通过的腔壁直接接触。
[0012]相较于现有技术，本实用新型具备以下有益效果:
[0013]本实用新型提供的一种蒸镀坩祸，其通过在坩祸本体的侧壁和底部分别设置第一凹陷部和第二凹陷部，从而使得坩祸本体的侧壁和底部只有部分与冷却水通过的腔壁直接接触，从而有效减小了坩祸本体的散热面积，增加了坩祸本体的保温性能，因此，无需增加电子枪的加热功率也可以使蒸镀材料的蒸发速率满足蒸镀的要求，降低了贵金属材料的损耗。
【附图说明】
[0014]图1为传统坩祸的结构剖视图；
[0015]图2为本实用新型优选实施例中坩祸本体的结构剖视图。
【具体实施方式】
[0016]下文通过附图和具体实施例对本实用新型做进一步说明。
[0017]参考图2，一种蒸镀坩祸，包括倒置的圆锥台形状的坩祸本体1，其具有一放置蒸镀材料的容纳腔11，所述容纳腔也为倒置的圆锥台。所述容纳腔11由所述坩祸本体I的上底面向下底面延伸使得坩祸本体I的上底面形成容纳腔11的开口。
[0018]所述坩祸本体I的侧壁12和底部13远离所述容纳腔11的一侧分别具有第一凹陷部14和第二凹陷部15;所述第一凹陷部14为一扇环形凹陷带，其连续分布于所述坩祸本体I的侧面，并使所述坩祸本体I的侧面在靠近上底面和下底面的一端分别形成第一凸台16。所述第二凹陷部15为一圆柱形凹陷带，其与所述坩祸本体I的下底面同心设置，并使所述坩祸本体15的下底面外周形成第二凸台17。
[0019]所述第一凸台16和第二凸台17分别与所述冷却水通过的腔壁直接接触。从而使得所述第一凹陷部14和第二凹陷部15的内壁与冷却水通过的腔壁未直接接触。因此，有效减小了坩祸本体的散热面积，增加了坩祸本体的保温性能，因此，无需增加电子枪的加热功率也可以使蒸镀材料的蒸发速率满足蒸镀的要求，降低了贵金属材料的损耗。
[0020]以上所述，仅为本实用新型较佳的【具体实施方式】，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。
【主权项】
1.一种蒸镀坩祸，其特征在于:包括坩祸本体，其具有一放置蒸镀材料的容纳腔;所述坩祸本体的侧壁和底部远离所述容纳腔的一侧分别具有第一凹陷部和第二凹陷部;所述第一凹陷部和第二凹陷部的内壁与冷却水通过的腔壁未直接接触。2.根据权利要求1所述的一种蒸镀坩祸，其特征在于:所述坩祸本体为倒置的圆锥台，所述容纳腔由所述坩祸本体的上底面向下底面延伸。3.根据权利要求2所述的一种蒸镀坩祸，其特征在于:所述容纳腔也为倒置的圆锥台。4.根据权利要求2所述的一种蒸镀坩祸，其特征在于:所述第一凹陷部为一扇环形凹陷带，其连续分布于所述坩祸本体的侧面，并使所述坩祸本体的侧面在靠近上底面和下底面的一端分别形成第一凸台。5.根据权利要求4所述的一种蒸镀坩祸，其特征在于:所述第二凹陷部为一圆柱形凹陷带，其与所述坩祸本体的下底面同心设置，并使所述坩祸本体的下底面外周形成第二凸台。6.根据权利要求5所述的一种蒸镀坩祸，其特征在于:所述第一凸台和第二凸台分别与所述冷却水通过的腔壁直接接触。
【专利摘要】本实用新型公开了一种蒸镀坩埚，包括坩埚本体，其具有一放置蒸镀材料的容纳腔；所述坩埚本体的侧壁和底部远离所述容纳腔的一侧分别具有第一凹陷部和第二凹陷部；所述第一凹陷部和第二凹陷部的内壁与冷却水通过的腔壁未直接接触。本实用新型的提供了一种蒸镀坩埚，其保温性能较好，无需增加电子枪的加热功率也可以使蒸镀材料的蒸发速率满足蒸镀的要求，降低了贵金属材料的损耗。
【IPC分类】C23C14/24
【公开号】CN205347563
【申请号】CN201620093640
【发明人】侯汉成
【申请人】厦门市三安集成电路有限公司
【公开日】2016年6月29日
【申请日】2016年1月29日