一种减少半导体监控片缺陷的退火装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及退火装置，尤其是一种减少半导体监控片缺陷的退火装置。
【背景技术】
[0002]现有半导体产品在生产过程中，为了控制产品质量需要进行监控。由于对产品的检测是具有破坏性的，因此通常设置有监控片代替产品进行检测。监控片的硅基板经过离子高剂量轰击过后，表面呈现晶体非晶化;再经过高温，使硅基板的晶体重结晶，高温重结晶过程即为退火工序。为了使重结晶效率提高且晶体方向均匀，通常采用激光退火装置。由于激光束能量高，硅基板被照射处迅速升温，硅晶体高温时性能活跃且裸露在环境中，硅基板易产生各种缺陷。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于提出一种减少半导体监控片缺陷的退火装置，能够在硅基板退火的过程中，阻隔高温下硅基板与杂质的反应，避免硅基板表面产生缺陷，且结构简单。
[0004]为达此目的，本实用新型采用以下技术方案:
[0005]—种减少半导体监控片缺陷的退火装置，包括提供激光束的激光光源和放置有待处理硅基板的支撑基板，其中，所述硅基板和支撑基板设置于退火室内，所述退火室开设有透明窗，所述激光束可穿过所述透明窗照射于所述硅基板，所述退火室内设置有气体喷嘴，所述气体喷嘴向所述硅基板的表面喷射惰性气体并向所述退火室充入惰性气体，所述气体喷嘴可调节气流方向。
[0006]其中，所述惰性气体为氩气。
[0007]其中，所述气体喷嘴可调节气流大小。
[0008]其中，还包括用于处理所述激光束使所述激光束均匀照射到所述硅基板上的光学单元。
[0009]其中，所述支撑基板下方设置有移动装置，所述移动装置带动所述支撑基板反复移动。
[0010]其中，所述支撑基板反复移动的距离不小于所述支撑基板与移动方向平行侧边的边长
[0011]本实用新型所述的一种减少半导体监控片缺陷的退火装置，监控片的硅基板和支撑基板设置于退火室内，退火室内设置有气体喷嘴，气体喷嘴向硅基板的表面喷射惰性气体并向退火室充入惰性气体，对硅基板表面喷射惰性气体进行杂质清洗，去除吸附于硅基板的颗粒污染物，恢复表面的清洁，避免退火过程中因颗粒污染物引起缺陷;对硅基板表面进行杂质清理的同时向退火室内充入惰性气体作为工艺气体，避免在退火过程中，硅基板高温下性质活跃与环境中的其他物质发生反应产生缺陷，影响监控结果。
【附图说明】
[0012]图1是本实用新型的实施例所述的一种减少半导体监控片缺陷的退火装置的结构示意图。
[0013]附图标记:
[0014]1、激光光源；11、激光束;2、支撑基板;3、硅基板;4、退火室;41、透明窗；5、气体喷嘴;6、光学单元;7、移动装置。
【具体实施方式】
[0015]下面结合附图并通过【具体实施方式】来进一步说明本实用新型的技术方案。
[0016]如图1所示，本实施例所述一种减少半导体监控片缺陷的退火装置，包括提供激光束11的激光光源I和放置有待处理硅基板3的支撑基板2，其中，所述硅基板3和支撑基板2设置于退火室4内，所述退火室4开设有透明窗41，所述激光束11可穿过所述透明窗41照射于所述硅基板3，所述退火室4内设置有气体喷嘴5，所述气体喷嘴5向所述硅基板3的表面喷射氩气并向所述退火室4充入氩气，所述气体喷嘴5可调节气流方向和气流大小。
[0017]还包括用于处理所述激光束11使所述激光束11均匀照射到所述硅基板3上的光学单元6;所述激光束11经过所述光学单元6后均匀的照射到所述硅基板3的表面，使所述硅基板3均匀升温。
[0018]所述支撑基板2下方设置有移动装置7，所述移动装置7带动所述支撑基板2反复移动;所述支撑基板2反复移动的距离不小于所述支撑基板2与移动方向平行侧边的边长;所述激光束11均匀扫过放置于所述支撑基板2上的所述硅基板3，对所述硅基板3由一端向另一端依次进行热处理，所述硅基板3重结晶后晶体方向均匀。
[0019]本实施例所述的减少半导体监控片缺陷的退火装置在使用过程中，将硅基板3放置于退火室4中的支撑基板2上，打开气体喷嘴5使氩气向硅基板3的表面喷射，去除吸附于硅基板3的颗粒污染物，恢复表面的清洁，避免退火过程中因颗粒污染物引起缺陷；对硅基板3表面进行杂质清理的同时，气体喷嘴5也在向退火室4内充入氩气作为工艺气体，避免在退火过程中，硅基板3高温下性质活跃与环境中的其他物质发生反应产生缺陷；退火室4中充入足够的氩气后，打开激光光源1，激光束11通过光学单元6处理后，穿过透明窗41均匀照射到硅基板3的一端;此时，移动装置7带动硅基板3移动，使激光束11由硅基板3的一端依次照射至另一端，完成退火工序;待硅基板3冷却后取出。本实施例所述的退火装置结构简单，在监控片的硅基板退火的过程中，清理颗粒污染物并阻隔高温下硅基板与杂质的反应，避免娃基板表面产生缺陷。
[0020]以上结合具体实施例描述了本实用新型的技术原理。这些描述只是为了解释本实用新型的原理，而不能以任何方式解释为对本实用新型保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本实用新型的其它【具体实施方式】，这些方式都将落入本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种减少半导体监控片缺陷的退火装置，包括提供激光束(11)的激光光源(I)和放置有待处理硅基板(3)的支撑基板(2)，其特征在于:所述硅基板(3)和支撑基板(2)设置于退火室(4)内，所述退火室(4)开设有透明窗(41)，所述激光束(11)可穿过所述透明窗(41)照射于所述硅基板(3)，所述退火室(4)内设置有气体喷嘴(5)，所述气体喷嘴(5)向所述硅基板(3)的表面喷射惰性气体并向所述退火室(4)充入惰性气体，所述气体喷嘴(5)可调节气流方向。2.根据权利要求1所述的一种减少半导体监控片缺陷的退火装置，其特征在于:所述惰性气体为氩气。3.根据权利要求1所述的一种减少半导体监控片缺陷的退火装置，其特征在于:所述气体喷嘴(5)可调节气流大小。4.根据权利要求1所述的一种减少半导体监控片缺陷的退火装置，其特征在于:还包括用于处理所述激光束(11)使所述激光束(11)均匀照射到所述硅基板(3)上的光学单元(6)。5.根据权利要求1所述的一种减少半导体监控片缺陷的退火装置，其特征在于:所述支撑基板(2)下方设置有移动装置(7)，所述移动装置(7)带动所述支撑基板(2)反复移动。6.根据权利要求5所述的一种减少半导体监控片缺陷的退火装置，其特征在于:所述支撑基板(2)反复移动的距离不小于所述支撑基板(2)与移动方向平行侧边的边长。
【专利摘要】本实用新型公开了一种减少半导体监控片缺陷的退火装置，包括提供激光束的激光光源和放置有待处理硅基板的支撑基板，其中，所述硅基板和支撑基板设置于退火室内，所述退火室开设有透明窗，所述激光束可穿过所述透明窗照射于所述硅基板，所述退火室内设置有气体喷嘴，所述气体喷嘴向所述硅基板的表面喷射惰性气体并向所述退火室充入惰性气体，所述气体喷嘴可调节气流方向。上述减少半导体监控片缺陷的退火装置，结构简单，在监控片的硅基板退火的过程中，清理颗粒污染物并阻隔高温下硅基板与杂质的反应，避免硅基板表面产生缺陷。
【IPC分类】H01L21/67
【公开号】CN205355016
【申请号】CN201521138397
【发明人】吕耀安, 翟继鑫
【申请人】无锡宏纳科技有限公司
【公开日】2016年6月29日
【申请日】2015年12月31日