技术编号：14680790
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种利用工艺及设计手段实现单阈值CMOS器件六管结构的静态存储器(SRAM)单元的上电初始化输出为稳定值的设计。更具体的说，本发明涉及利用CMOS电路的加工工艺，调整NMOS器件和PMOS器件的阈值电压，使其在电路上电过程中，通过器件之间的开关竞争，实现SRAM单元上电初值输出为定值，提高带有SRAM单元结构的整体电路内部信号的一致性、稳定性、可靠性。背景技术静态存储器SRAM的结构有很多种，常用的有CMOS工艺的五管SRAM和六管SRAM，统一的结构是都包含一个由锁存环结构，该结构伴...
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