1)Inheritance and Transition继承与嬗变
2)Inheritance and degradation传承与嬗变
英文短句/例句
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2.The Heritage and Change of Traditional Idea of Lineage:Research on the Custom of Adopting Sons from Different Clans in Taiwan during the Qing Dynasty传统宗族观念的传承与嬗变——清代台湾社会螟蛉子风俗之探析
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4.Three Major Constitutive Modes of Shandong Culture Image and Its Modern Succession and Changes;山东文化形象的三大建构模式及其现代传承与嬗变
5.The Stories of Shanghai (1976-2004): The Follow and Evolvement of Secular Spirit;小说上海（1976-2004）：世俗精神的承传与嬗变
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7.Change with Continuity--On Guo Songtao s Historical Thinking;嬗变中的传承——论郭嵩焘的史学思想
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10.On Cultural Continuity and Evolution of the Theme of Revenge in the Chinese and the West Literature;论中西文学复仇主题的文化传承及嬗变
11.The Evolution of the Heroes of the Outlaws of the Marsh from Yuan Za JU;水浒英雄在元杂剧与《水浒传》中的嬗变
12.Traditional Structure of Western Political Thoughts and Its Era Transformations;西方政治思潮的传统结构与时代嬗变
13.Integration and Chang: Discussi on The Music Propagation in Digital Age;交融与嬗变:数字化时代音乐传播刍议
14.On the Evolution of the Patriarchal Religion in Zhou Dynasty from The Book of Songs;《诗经》与周代宗法性传统宗教的嬗变
15.Changing of Traditional Culture and Forming of New Culture Spirit;传统文化的嬗变与新文化精神的建构
16.ON THE EXPANSION AND EVOLUTION OF TRADITIONAL WRITING THEORY (1900-1919);传统写作理论的集成与嬗变(1900—1919年)
17.Traditional Development and Changes to the Poetry:Discusses Ji Kang’Si Yan Poem;《诗经》传统的开拓与嬗变——论嵇康四言诗
18.1936-1976 the Formation and Evolution of "Lu Xun's Tradition"1936-1976“鲁迅传统”的形成与嬗变
相关短句/例句
Inheritance and degradation传承与嬗变
3)Inheritance and Evolution传承嬗变
4)inheritance and change承继与变化
5)transmutation and development嬗变与发展
6)inditing and evolvement创作与嬗变
延伸阅读
半导体核嬗变掺杂 用一定能量的中子、带电粒子或γ射线等照射材料，通过选择的核反应在基体中生成原来不存在的新元素，达到半导体材料的掺杂目的。目前，只有中子嬗变掺杂(NDT)得到了实际应用。此方法的原理是K.拉克－霍罗维茨于1951年提出的。1974年成功地用核反应堆热中子对区熔硅进行核嬗变掺杂，首次生产了商品的中子嬗变掺杂硅。目前中子掺杂硅单晶已成为工业产品，产量逐年增加。 超纯硅在反应堆内主要同热中子发生如下核反应。此反应生成的稳定31P就是N型硅希望掺入的施主元素,经照射后达到的31P浓度N1（单位：厘米-3）可用公式 计算。式中N2为硅核30Si的数密度（厘米-3）;σ为30Si的热中子辐射俘获截面(0.11靶恩);嗞为热中子注量率（厘米-2·秒-1）；t为照射时间（秒）。 核嬗变掺杂的突出优点是掺杂精度高和引入的杂质分布均匀。但反应堆的快中子和γ射线还会同时在硅中造成许多辐照缺陷，使硅的物理性能发生显著变化。研究表明，为恢复硅的电学性能，需经800～900℃的退火处理。 半导体核嬗变掺杂的主要限制之一是残余放射性，对于中子掺杂区熔硅,这主要来源于放射性同位素32P(半衰期为14.3天) 。因此，照射后的样品需经一定时间的辐射冷却，方可作为非放射性材料操作。 目前，对核嬗变掺杂的研究主要集中在辐照技术、辐照缺陷的本质和退火行为以及扩大应用的可能性等问题。
