专利名称：一种避免甜樱桃花期遭受低温冻害的栽培方法
技术领域：
本发明涉及甜樱桃的栽培方法，具体是一种避免甜樱桃花期遭受低温冻害的栽培 方法。
背景技术：
大田露地栽培的甜樱桃一般在3月下旬_4月上旬开花，花期较早。此时气温很不 稳定，甜樱桃的花期容易遭受低温冻害零落或发育不良，导致严重减产或绝产。目前甜樱桃 生产上主要采用增强树势、喷施延迟开花剂、花期喷水、花期熏烟、喷施防冻剂、果园架设帷 帐、树冠下架设蜂窝煤炉增温等方法来防止甜樱桃花期遭受低温冻害。其缺点是1、延迟开 花剂仅能延迟开花2-4日，不能完全躲避低温；2、花期喷水、花期熏烟对防止花期遭受霜害 有效，但对防止甜樱桃花期遭受低温冻害无效；3、果园架设帷帐工作量大，并且封闭的帷帐 会影响昆虫授粉，导致坐果率下降；4、树冠下架设蜂窝煤炉增温法程序繁杂，点火时间难以 准确确定和把控，果园面积较大时，很难保证点火时间的一致性；5、喷施防冻剂、果园架设 帷帐、树冠下架设蜂窝煤炉增温法一般仅对高于_3°C的低温有效。
发明内容
本发明提供一种简单易行的甜樱桃栽培方法，是一种避免甜樱桃花期遭受低温冻 害的新方法。从而避免甜樱桃花期受冻，实现甜樱桃连年丰产、稳产。本发明的技术方案如下本方法的流程由1、营养钵大苗培育；2、低温冷藏；3、大 田假植；4、更新复壮四部分组成。春季萌芽前，将樱桃苗用营养土栽植于大营养钵内，然后 将营养钵放入苗圃地上按3m的行距挖好的栽植沟内，用土回填营养钵间的缝隙，回土高度 与营养钵上沿齐平或稍低于营养钵上沿。樱桃萌芽后，通过施肥、灌水、整形、修剪等措施精 心管理。在苗圃内培育3-4年，促其进入初丰产期。这样就完成了营养钵大苗培育。樱桃 植株在苗圃内生长3-4年后，待樱桃落叶休眠后，将营养钵挖出，移至低温设施内，一个挨 一个成行高密度摆放进行低温冷藏。低温设施包括果窖、菜窖、地下库、恒温库等。保持低 温设施内相对湿度在70%以下，温度在-5至7°C之间，如营养钵内土壤过干，应及时浇灌。 翌年4月上旬，完成冬剪、待外界温度稳定后，及时将营养钵移出低温设施，带钵栽植于大 田内。通过施肥、灌水、修剪等措施精心管理，让樱桃正常萌芽、开花、结果，这样就完成了大 田假植。果实采收后，将营养钵挖出，脱下营养钵，刮除土坨外层5cm厚的营养土，剪除裸露 于土坨外的根系。在营养钵(营养钵如有破损需更换)底部重新灌入5cm厚的新配制的营 养土后，重新将土坨放入钵内。扶直植株，用新配制的营养土填充土坨与营养钵间的间隙， 并在土坨上表面也添加5cm厚的新配制的营养土。完成上述工作后，将营养钵重新栽植于 原处。这样就完成了更新复壮。待樱桃落叶休眠后，再将其重新移入低温设施，按2-3所述 方法循环生产。每隔2-3年，应按4所述方法更新复壮一次，或年年培育3-8年生的樱桃大 苗按2-3所述方法循环生产。施用的肥料应以腐熟的人、畜、禽粪便或沼液、沼渣为主，营养 钵中营养土的配比是沙壤土 肥料辅料=1:1:2。肥料是指腐熟的人、畜、禽粪便、商品有机肥、沼渣、豆渣等。辅料是指蛭石、珍珠岩、粉碎的秸杆等轻质疏松的材料。本发明有效益果如下1、能够彻底避免甜樱桃花期遭受低温冻害或霜害，实现甜樱桃连年丰产、稳产；2、扩大了甜樱桃的适栽范围。即使是在甜樱桃无法直立越冬的高寒地 区，应用本法，冬季不埋土，也可栽植成功；3、适用于我国大部分北方地区；4、简便易行，易 于推广。实施方式本发明的实施方式如下春季萌芽前，将苗栽植于大营养钵内。营养钵的规格为 上口直径0. 6m,高0. 5m。把配好的营养土分两次装入营养钵内，第一次装至钵高的1/3处， 并将营养土整理成中间高、四周低的“馒头状”，压实。选择优良品种的一级嫁接苗，嫁接苗 的砧木为矮化砧。栽植时，将苗木根系适当修剪后充分展开，放在营养钵内的营养土上，扶 正苗木，边往钵内继续装土，边提苗，边压实，直至装满，但应低于营养钵上沿4-5cm，以便于 灌水。按3m的行距在田地挖栽植沟，沟宽0.6m、深0.4m。栽植沟挖好后，按2. 5m的株距将 营养钵放入沟内。用土回填营养钵间的缝隙，回土高度与营养钵上沿齐平或稍低于营养钵 上沿。浇透水。在苗木上距土面0.5-0. 8m处选择3个芽，用锯条在芽上方0.5cm处进行刻 芽。芽间的高度差约为0.1m，且芽的朝向应不同(例如一个芽位于中心干的北侧，则另外 两个芽应分别位于中心干的西南侧和东南侧)。樱桃萌芽后，按细长纺锤形树形整形和修 剪。生长季追施复合肥3-4次，前期以氮、磷肥为主，中后期以磷、钾肥为主。灌水3-4次。 病虫害防治应选择硫制剂、铜制剂、印楝素、苦参碱、苦皮藤素等符合AA级绿色食品生产标 准的矿物源或植物源农药。在苗圃内培育3-4年，保持树高2. 5m以下，冠幅2. 5m以内。待 樱桃落叶休眠后，将营养钵挖出，移至低温设施内，一个挨一个成行高密度摆放进行低温冷 藏。保持低温设施内相对湿度在70%以下，温度在-5至7°C之间，如营养钵内土壤过干， 应及时浇灌。翌年4月上旬，完成冬剪，待外界温度稳定后，及时将营养钵移出低温设施，按 3X4m的株行距带钵栽植于大田内。通过施肥、灌水、修剪等措施精心管理，让樱桃正常萌 芽、开花、结果。果实采收后，将营养钵挖出，脱下营养钵，刮除土坨外层5cm厚的营养土，剪 除裸露于土坨外的根系。在营养钵(营养钵如有破损需更换)底部重新灌入5cm厚的新配 制的营养土后，重新将土坨放入钵内。扶直植株，用新配制的营养土填充土坨与营养钵间的 间隙，并在土坨上表面也添加5cm厚的新配制的营养土。完成上述工作后，将营养钵重新栽 植于原处。浇透水。待樱桃落叶休眠后，再将其重新移入低温设施，进行低温冷藏。翌年4 月上旬，完成冬剪、待外界温度稳定后，及时将营养钵移出低温设施，带钵栽植于大田内。按 上述方法循环生产。每隔2-3年，更新复壮一次，或年年培育3-8年生的樱桃大苗按上述方 法循环生产。
权利要求
一种避免甜樱桃花期遭受低温冻害的栽培方法。其特征在于栽培流程由四部分组成(1)营养钵大苗培育、(2)低温冷藏、(3)大田假植、(4)更新复壮，春季萌芽前，将葡萄苗栽植于大营养钵内，按3m的行距在田地挖栽植沟，将营养钵放入沟内，用土回填营养钵间的缝隙，葡萄萌芽后，进行施肥、灌水、整形、修剪等田间管理，在苗圃内培育3-4年，促其进入初丰产期，完成营养钵大苗培育阶段；樱桃植株在苗圃内生长3-4年后，待樱桃落叶休眠后，将营养钵挖出，移至低温设施内，进行低温冷藏，保持相对湿度在70％以下，温度为-5至7℃之间；翌年4月上旬，完成冬剪，待外界温度稳定后，及时将营养钵移出低温设施，带钵栽植于大田内，通过施肥、灌水、修剪等措施精心管理，让樱桃正常萌芽、开花、结果，这样就完成了大田假植；果实采收后，将营养钵挖出，脱下营养钵，刮除土坨外层5cm厚的营养土，剪除裸露于土坨外的根系，在营养钵(营养钵如有破损需更换)底部重新灌入5cm厚的新配制的营养土后，重新将土坨放入钵内。扶直植株，用新配制的营养土填充土坨与营养钵间的间隙，并在土坨上表面也添加5cm厚的新配制的营养土，完成上述工作后，将营养钵重新栽植于原处，这样就完成了更新复壮，待樱桃落叶休眠后，再将其重新移入低温设施，按(2)-(3)所述方法循环生产，每隔2-3年，应按(4)所述方法更新复壮一次。
2.根据权利要求1所述的栽培方法，其特征在于低温设施包括果窖、菜窖、地下库、恒 温库。
3.根据权利要求1所述的栽培方法，其特征在于可年年培育3-8年生的樱桃大苗循环生产。
4.根据权利要求1所述的栽培方法，其特征在于营养钵中营养土的配比是沙壤土肥 料辅料=1:1:2。
5.根据权利要求1所述的栽培方法，其特征在于辅料是蛭石、珍珠岩、粉碎的秸杆。
全文摘要
本发明公开一种避免甜樱桃花期遭受低温冻害的栽培方法。其目的是避免甜樱桃花期遭受低温冻害。本发明的技术方案由四部分组成营养钵大苗培育、低温冷藏、大田假植和更新复壮。春季，将樱桃苗栽植于大营养钵内，放入已挖好的沟内，通过施肥、灌水、整形等措施，在苗圃内培育3-4年，完成营养钵大苗培育阶段；樱桃休眠后，将营养钵挖出，移入低温设施内进行低温冷藏；翌年4月上旬，冬剪后，将营养钵移出低温设施，进行大田假植，通过施肥、灌水等措施，让葡萄正常萌芽、开花、结果；果实采收后，挖出营养钵，刮除土坨外层营养土，用营养土填充土坨与营养钵间的间隙后，将营养钵重新栽植于原处，完成更新复壮。循环生产，完成全过程。
文档编号A01G17/00GK101803548SQ20101017349
公开日2010年8月18日 申请日期2010年4月26日 优先权日2010年4月26日
发明者雷雅斌, 顾军 申请人:顾军;雷雅斌