本发明涉及水稻种植技术领域，特别是涉及一种水稻大棚暗控技术提高出芽率的育苗方法。
背景技术：
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油水稻大棚育苗技术是实现早育壮秧，早插秧，战胜低温冷害，夺取高产的一项先进实用技术，水稻大棚育苗与常规育苗相比，具有投资成本低，操作简单，管理方便，使用范围广等特点，是目前北方比较理想的育苗方式，现有技术中水稻的育苗方法比较简单，存在以下缺点，1、水稻的种子较硬，仅仅通过普通的温水浸泡催芽的方式催芽的效果较差，导致发芽率较低，秧苗比较纤细；2、普通育苗时需要施加较多的肥料，成本高。
技术实现要素：
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本发明所要解决的技术问题在于提供一种催芽效果好，发芽率高，秧苗粗壮，成活率高，成本低的水稻大棚暗控技术提高出芽率的育苗方法。
为解决上述技术问题，本发明采用以下的技术方案：
一种水稻大棚暗控技术提高出芽率的育苗方法，其特征在于：包括以下步骤，
大棚建造，3月上旬清除苗床地积雪、杂物，下旬扣棚，播种前10天做床；
适时播种，选择当地移栽期前35～40天进行播种；
种子处理
播种前先要水选法选种，浸种并催芽，催芽后的种子漏出胚芽为止；
播种方法
播种时田间持水量50～60％，播底土2cm，浇水，播种，然后覆土3～5cm，最后封草盖膜，每盘芽谷重120-150克，隔离层育苗每平方米播芽谷350-450克，在播种的苗床上铺设遮荫网进行遮阴，遮阴率在80％以上，每天遮阴的时间为16～20个小时，温度控制在13～15℃之间；有利于提高发芽率，培育出比较粗壮的水稻秧苗。
田间管理
播种后种子萌动生根，幼芽萌发陆续出土，幼苗叶片展开，出苗80％以上揭去地膜，苗齐至1叶1心，白天棚内温度不高于25℃，1叶1心至2叶1心控制在22℃，2叶1心以后控制在20℃，夜间温度在10℃以上时可昼夜通风。
用15～20℃的质量浓度为1～5％焦磷酸钾和二异丙基氨基锂混合液浸种2～3天，其中焦磷酸钾和二异丙基氨基锂质量比例为3～4﹕1，观察谷壳半透明，腹白分明，胚部膨大，经消毒处理后即可，然后使用包衣剂进行包衣，晒干到不粘手为止，然后用于播种。
所述的覆土按重量份包括以下组分，干燥淤泥土90～110份、多菌灵3～5重量份、膨润土5～10份、植金石5～10份、芸苔素内酯0.2～0.6份和赤霉素0.004～0.006。
所述的覆土后，用封闭药按说明书进行封闭除草，然后床面覆盖地膜或薄无纺布，以保湿、保温防止水滴浇露种子。
本发明使用焦磷酸钾和二异丙基氨基锂混合容易浸泡种子，溶液呈碱性，可以更好的软化种壳，起到更好的催芽效果，本身种子附焦磷酸钾和二异丙基氨基锂可以增强种子的吸水能力，增加种皮的通透性，因此具有很好的催芽效果。
本发明在覆土是选用了干燥淤泥土、多菌灵、膨润土、植金石、芸苔素内酯和赤霉素，不仅有利于催芽，而且能够给发芽后的种子提供充分的营养物质和生长必不可少的微量元素，本发明的覆土具有保湿性，而且通透性高，因此可以增加土壤的湿润度和氧气含量，从而更有利于水稻种子的萌发。
本发明的有益效果是：本发明催芽效果好，发芽率高，成活率高，操作简单方便，秧苗粗壮，成本低。
具体实施方式：
为了发明本领域技术人员更好的了解本发明的技术方案的要点并实施本发明，下面通过实施例来进一步说明本发明。
一种水稻大棚暗控技术提高出芽率的育苗方法，包括以下步骤，
大棚建造，3月上旬清除苗床地积雪、杂物，下旬扣棚，播种前10天做床；
适时播种，选择当地移栽期前35～40天进行播种；
种子处理
播种前先要水选法选种，浸种并催芽，催芽后的种子漏出胚芽为止；
播种方法
播种时田间持水量50～60％，播底土2cm，浇水，播种，然后覆土3～5cm，最后封草盖膜，每盘芽谷重120-150克，隔离层育苗每平方米播芽谷350-450克，在播种的苗床上铺设遮荫网进行遮阴，遮阴率在80％以上，每天遮阴的时间为16～20个小时，温度控制在13～15℃之间；
田间管理
播种后种子萌动生根，幼芽萌发陆续出土，幼苗叶片展开，出苗80％以上揭去地膜，苗齐至1叶1心，白天棚内温度不高于25℃，1叶1心至2叶1心控制在22℃，2叶1心以后控制在20℃，夜间温度在10℃以上时可昼夜通风。
用15～20℃的质量浓度为1～5％焦磷酸钾和二异丙基氨基锂混合液浸种2～3天，其中焦磷酸钾和二异丙基氨基锂质量比例为3～4﹕1，观察谷壳半透明，腹白分明，胚部膨大，经消毒处理后即可，然后使用包衣剂进行包衣，晒干到不粘手为止，然后用于播种。
覆土按重量份包括以下组分，干燥淤泥土90～110份、多菌灵3～5重量份、膨润土5～10份、植金石5～10份、芸苔素内酯0.2～0.6份和赤霉素0.004～0.006。
覆土后，用封闭药按说明书进行封闭除草，然后床面覆盖地膜或薄无纺布，以保湿、保温防止水滴浇露种子。
本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。