一种春作高产高粱的种植方法与流程

文档序号:12291882阅读:794来源:国知局
发明属于农业种植
技术领域
,具体涉及一种春作高产高粱的种植方法。
背景技术
:高粱属一年生草本植物。又称木稷、蜀秫、芦粟、荻粱。我国各地均有栽培。秋季采收成熟的果实,晒干除去皮壳用。高粱的种类甚多,按高粱穗的外观色泽,一般随种皮中单宁含量的增加,粒色由浅变深,可以分为白高粱、红高粱、黄高粱等。胚乳按结构分为粉质、角质、蜡质、爆粒等类型。高粱按性状及用途可分为食用高粱、糖用高粱、帚用高粱。高粱脱壳后即为高粱米,子粒呈椭圆形、倒卵形或圆形。其中每100g红高粱米含水分11.4g,蛋白质8.4g,脂肪2.7g,碳水化合物75.6g,粗纤维0.6g,灰分1.3g,钙7㎎,磷188㎎,铁4.1㎎,硫胺素2.26㎎,核黄素0.09㎎,尼克酸1.5㎎。高粱有一定的药效,温中,利气,止泄,涩肠胃,止霍乱。适用于下痢及小便湿热不利。现有的高粱种植技术一般是在快要耕种的时候直接翻土,整地了就种植,虽然上面喷洒除草剂,但是不能杀死土地里面的害虫,高粱主要就是害虫比较严重,同时对水分要求很高。技术实现要素:针对上述存在的不足,本发明提供了一种春作高产高粱的种植方法,本发明的本发明主要的是利用自然环境,在冬季比较寒冷的月份通过翻土操作,让害虫和虫卵冻死,减少了后期农药的使用,非常的环保,大棚育种保证了大田种植的存活率,提高成活率保障产量,具有较高的推广价值。为了实现上述目的,本发明采用的技术方案如下:一种春作高产高粱的种植方法,其特征在于,所述的种植方法包括以下步骤:(1)精细整地:在第一年12月对土地进行翻土处理,在第二年3月对土地深耕20—25cm,耕后要连续进行耙地、整地将田地整平覆盖上透光性强可降解薄膜,覆膜前用25%绿麦隆可湿性粉剂,每667㎡用150g,加乳油兑水45kg~50kg,喷洒土表;(2)浸种:首先将粒大饱满高粱种子用煮沸过的白开水冷却到30℃后对种子淘洗3次,把种子放置在35℃含有1%浓度的生根剂溶液中浸种30min;(3)育苗:将生根种子种植在温室大棚,所述温室大棚中温度为18-25℃,通过加湿器使土壤的含水量控制在18%,待苗芽生长至15cm后进行移栽;(4)移栽:15cm长小苗每亩6300株进行栽种,栽种后给小苗浇一次水,待苗长到30cm追加氮肥一次,待苗长到100cm再次追加氮肥一次。作为优选的,步骤(1)中所述透光性强可降解薄膜为PE薄膜。作为优选的,步骤(1)中所述翻土处理具体为:第一年12月翻土深度为30cm,到第二年2月对土地进行第二次翻土,翻土深度为30cm。作为优选的,步骤(1)所述乳油为:杀草丹乳油或丁草胺乳油任意一种。作为优选的,所述乳油含量为:50%杀草丹乳油150mL或60%丁草胺乳油50mL。综上所述,本发明由于采用了上述方案,本发明具有以下优点:本发明提出的一种高粱的种植技术,利用自然环境,在冬季比较寒冷的月份通过翻土操作,让害虫和虫卵冻死,减少了后期农药的使用,非常的环保,极大节省了劳动力,降低了高粱种植成本,提高了高粱成活率,增强了种植高粱的效益,使高粱的抗病性和抗虫害能力增强,达到高产优质的目的,大棚育种保证了大田种植的存活率,提高成活率保障产量,具有较高的推广价值。具体实施方式下面结合实施例对本发明一种春作高产高粱的种植方法,作进一步说明。实施例1:一种春作高产高粱的种植方法,包括以下步骤:(1)精细整地:在第一年12月对土地进行翻土处理,翻土处理具体为:第一年12月翻土深度为30cm,到第二年2月对土地进行第二次翻土,翻土深度为30cm;在第二年3月对土地深耕20—25cm,耕后要连续进行耙地、整地将田地整平覆盖上透光性强可降解PE薄膜,覆膜前用25%绿麦隆可湿性粉剂,每667㎡用150g,加50%杀草丹乳油150mL,兑水45kg~50kg,喷洒土表;(2)浸种:首先将粒大饱满高粱种子用煮沸过的白开水冷却到30℃后对种子淘洗3次,把种子放置在35℃含有1%浓度的生根剂溶液中浸种30min;(3)育苗:将生根种子种植在温室大棚,所述温室大棚中温度为18-25℃,通过加湿器使土壤的含水量控制在18%,待苗芽生长至15cm后进行移栽;(4)移栽:15cm长小苗每亩6300株进行栽种,栽种后给小苗浇一次水,待苗长到30cm追加氮肥一次,待苗长到100cm再次追加氮肥一次。通过本发明种植方式与现有技术种植方式,存活数量、健康植株、产量相对比,如下表所示:种植方法存活数量比例健康植株数量比例产量每亩现有普通种植75%60%400斤本发明种植方法96%90%800斤综上对比可看出,本发明一种春作高产高粱的种植技术经过验证,其效果明确显著,可明显改善春作高产高粱成活率,提高了产量和质量。以上所述仅为发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。当前第1页1 2 3 
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