本发明涉及植物培育领域，特别是一种培育栀子花的土壤组合物。
背景技术：
栀栀子花又名栀子，黄栀子，为茜草目、茜草科、栀子属的常绿灌木，原产中国，是常见的观赏型植物。
栀子花喜温暖湿润和阳光充足环境，较耐寒，耐半阴，怕积水，要求疏松、肥沃和酸性的沙壤土。在现有技术中，对栀子花的栽培所用的土壤通常为普通园林土壤，在后续的培育过程中添加各种营养成分。
传统方法的缺点在于需要经常定期施肥，土壤自身调节能力较弱，不能够适应规模化培育。
糠醛渣是玉米芯或者棉花壳粉碎后在浓硫酸中制备糠醛后剩余的碳化残渣，其中含有机质约70％左右。目前主要用于锅炉燃料和蘑菇培养基。不过由于糠醛渣疏松多孔且残留硫酸的特性，用于锅炉燃料和蘑菇培养基时均需要进行除酸脱硫处理。脱酸除硫的成本限制了糠醛渣的应用。
技术实现要素：
本发明所要解决的技术问题是提供一种培育栀子花的土壤组合物，提供增添缓释调解组分，能够在苗木生长的不同阶段提供相对较均衡的营养，并且保证土壤的湿度、酸碱度的相对稳定和平衡。
本发明公开了一种培育栀子花的土壤组合物，包括土壤基质、糠醛渣、高吸水性树脂、豆粨、氯化亚铁、；
各组分按如下重量分数混合：
土壤基质30-50份、糠醛渣30-40份、高吸水性树脂2-5份、豆粨8-12份、；
所述短效组分采用煤渣、草炭灰以及食用菌下脚料中至少一种；
所述长效组分采用动物粪便、植物根茎、稻谷外壳中至少一种；
所述缓释调节组分包括离子交换树脂，所述离子交换树脂吸附钙离子、镁离子、钠离子、铵离子、氢离子中至少一种；所述离子交换树脂采用强酸性离子交换树脂；所述离子交换树脂能够长时间维持土壤内的氮、钙、镁元素的浓度，同时长时间保证土壤处于酸性或中性环境。
进一步的，所述缓释调节组还包括吸水树脂，所述吸水树脂采用淀粉接枝丙烯酸盐聚合交联物、丙烯酰胺-丙烯酸盐共聚交联物中至少一种。
优选的，培育栀子花的土壤组合物，各组分按如下重量分数混合：
土壤基质70％、糠醛渣20％、高吸水性树脂10％。
进一步的，所述土壤基质采用森林腐殖土。
进一步的，所述动物粪便采用羊粪。
进一步的，所述植物根茎采用秸秆。
进一步的，所述稻谷外壳采用莜麦壳。
本发明的有益效果在于能够在苗木生长的不同阶段提供相对较均衡的营养，并且保证土壤的湿度、酸碱度的相对稳定和平衡。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明的具体实施方式作进一步描述，以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
实施例1
本发明具体技术方案如下：
本发明公开了一种培育栀子花的土壤组合物，各组分按如下重量分数混合：
森林腐殖土65％、煤渣15％、羊粪10％、缓释调解组分10％。
实施例2
本发明具体技术方案如下：
本发明公开了一种培育栀子花的土壤组合物，各组分按如下重量分数混合：
森林腐殖土65％、煤渣15％、秸秆10％、缓释调解组分10％。
实施例3
本发明具体技术方案如下：
本发明公开了一种培育栀子花的土壤组合物，各组分按如下重量分数混合：
森林腐殖土65％、煤渣15％、莜麦壳10％、缓释调解组分10％。
实施例4
本发明具体技术方案如下：
本发明公开了一种培育栀子花的土壤组合物，各组分按如下重量分数混合：
森林腐殖土60％、草炭灰20％、羊粪8％、缓释调解组分12％。
实施例5
本发明具体技术方案如下：
本发明公开了一种培育栀子花的土壤组合物，各组分按如下重量分数混合：
森林腐殖土60％、草炭灰20％、秸秆8％、缓释调解组分12％。
实施例6
本发明具体技术方案如下：
本发明公开了一种培育栀子花的土壤组合物，各组分按如下重量分数混合：
森林腐殖土60％、草炭灰20％、莜麦壳8％、缓释调解组分12％。
实施例7
本发明具体技术方案如下：
本发明公开了一种培育栀子花的土壤组合物，各组分按如下重量分数混合：
森林腐殖土80％、食用菌下脚料10％、羊粪4％、缓释调解组分6％。
实施例8
本发明具体技术方案如下：
本发明公开了一种培育栀子花的土壤组合物，各组分按如下重量分数混合：
森林腐殖土80％、食用菌下脚料10％、秸秆4％、缓释调解组分6％。
实施例9
本发明具体技术方案如下：
本发明公开了一种培育栀子花的土壤组合物，各组分按如下重量分数混合：
森林腐殖土80％、食用菌下脚料10％、莜麦壳4％、缓释调解组分6％。
针对实施例1-9，以单纯森林腐殖土作为对照组进行了对比试验，具体实验过程如下：
本试验选用的树种为华北地区具有代表性的主要造林树种油松，油松种子来源于山西省林业厅种苗站。
试验布置前做好油松种子购买及供试基质的收集及灭菌工作，每次播种前5～7天用0.3％的高锰酸钾溶液浸泡种子，消毒15～30min后冲洗干净，用水浸泡两天(每天换水)，之后放在25℃发芽箱里催芽，每天冲洗一次，有1/3种子露白时播种。
以上所述仅是本发明的优先实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。