本发明涉及大葱种植，属于蔬菜种植领域，更具体地说，本发明涉及一种大葱的种植方法。
背景技术：
大葱，为百合科葱属多年生草本植物。鳞茎单生，圆柱状，稀为基部膨大的卵状圆柱形；鳞茎外皮白色，稀淡红褐色，膜质至薄革质，不破裂。叶圆筒状，中空；花葶圆柱状，中空，中部以下膨大，向顶端渐狭；总苞膜质，伞形花序球状，多花，较疏散；花被片长6-8.5毫米，近卵形；花丝为花被片长度的1.5-2倍，锥形；子房倒卵状，腹缝线基部具不明显的蜜穴；花柱细长，伸出花被外。花果期4-7月。葱起源于半寒地带，喜冷凉不耐炎热。原产自中国，中国各地广泛栽培，国外也有栽培。作蔬菜食用，鳞茎和种子亦入药。
而目前大葱的种植过程中，由于管理不够科学，导致大葱的种植成本高，种植过程中施肥单一，所以大葱的成活率低，大葱的产量受限，且大葱的葱叶老、黄、质量差。
技术实现要素：
基于以上技术问题，本发明提供了一种大葱的种植方法，从而解决了以往大葱成活率低、产量有限，葱苗老、黄、质量差的技术问题。
为解决以上技术问题，本发明采用的技术方案如下：
一种大葱的种植方法，包括以下步骤：
1)整地：将土地进行深耕处理，深耕深度为15-30cm，将底土翻上来，在底层施加农家肥等，再将表土埋下去，整平，在表层施肥，每亩施加农家肥100-150kg，将农家肥用泥土覆盖，闲置10-15天；
2)整畦：将闲置后的土地整为畦宽1-1.5cm，梗宽10-15cm；
3)种子选择：选择完整无病虫害的葱头作为种子；
4)播种：将种子播种到地中，播种后浇水，达到土壤湿度为60％，然后在种子上覆盖0.5cm厚的细干土；
5)覆膜：播种后覆盖大棚膜，保证膜内温度为18℃，60％的种子出苗后揭去膜；
6)浇水：
a、幼苗伸腰期：浇水一次；
b、幼苗中后期：根据土地情况浇水1-2次，控制浇水，水分不能过多；
7)施肥：整个苗期施肥3-4次，有机肥与化肥交替使用；
8)除草：在播种后葱苗出苗前喷施除草剂，葱苗出苗后根据苗间杂草情况进行人工将草拔出；
9)大葱采收：播种后6-7个月可以进行大葱采收；
10)葱叶处理：大葱采收后，干黄、较老的葱叶留在土中，采收完成后用泥土覆盖。
在以上技术方案基础上：所述播种时间为每年4月；
在以上技术方案基础上：每间隔一年对大葱种植所在土地进行一次翻土施肥。
在以上技术方案基础上：浇水时保证土壤的湿润度为60％-70％。
综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是：
1、本发明中，种植前对土地进行深耕施肥处理可以改良土质，改善大葱的生长环境，从而提高大葱的成活率，促进大葱的成长；
2、本发明中，，每间隔一年对土地进行翻土施肥可以改善土地的质量，提高土壤的肥力，从而提供给葱苗更好的生长环境，促进葱苗的生长。
具体实施方式
下面对本发明作进一步的说明。本发明的实施方式包括但不限于下列实施例。
具体实施例
一种大葱的种植方法，包括以下步骤：
1)整地：将土地进行深耕处理，深耕深度为15-30cm，将底土翻上来，在底层施加农家肥等，再将表土埋下去，整平，在表层施肥，每亩施加农家肥100-150kg，将农家肥用泥土覆盖，闲置10-15天；
2)整畦：将闲置后的土地整为畦宽1-1.5cm，梗宽10-15cm；
3)种子选择：选择完整无病虫害的葱头作为种子；
4)播种：将种子播种到地中，播种后浇水，达到土壤湿度为60％，然后在种子上覆盖0.5cm厚的细干土，播种时间为每年4月；
5)覆膜：播种后覆盖大棚膜，保证膜内温度为18℃，60％的种子出苗后揭去膜；
6)浇水：浇水时保证土壤的湿润度为60％-70％，
a、幼苗伸腰期：浇水一次；
b、幼苗中后期：根据土地情况浇水1-2次，控制浇水，水分不能过多；
7)施肥：整个苗期施肥3-4次，有机肥与化肥交替使用；
8)除草：在播种后葱苗出苗前喷施除草剂，葱苗出苗后根据苗间杂草情况进行人工将草拔出；
9)大葱采收：播种后6-7个月可以进行大葱采收；
10)葱叶处理：大葱采收后，干黄、较老的葱叶留在土中，采收完成后用泥土覆盖。
本实施例使用时，种植前对土地进行深耕施肥闲置处理可以改良土质，增加土地肥力，改善葱苗的生长环境，从而提高葱苗的成活率，促进葱叶的成长；采收后将无用的葱叶留下土中可以利葱叶的腐烂来增强土壤肥力，有利于下一种作物的生长。
作为上述实施例的进一步描述：每间隔一年对葱苗种植所在土地进行一次翻土施肥；
本实施例使用时，间隔一年翻土施肥可以起到深耕作用，从而改善土壤的结构，增强土壤的透气性、保水性及保肥性，为作物的生长创造良好的条件。
实施例1
一种大葱的种植方法，包括以下步骤：
1)整地：将土地进行深耕处理，深耕深度为15cm，将底土翻上来，在底层施加农家肥等，再将表土埋下去，整平，在表层施肥，每亩施加农家肥100kg，将农家肥用泥土覆盖，闲置10天；
2)整畦：将闲置后的土地整为畦宽1cm，梗宽10cm；
3)种子选择：选择完整无病虫害的葱头作为种子；
4)播种：将种子播种到地中，播种后浇水，达到土壤湿度为60％，然后在种子上覆盖0.5cm厚的细干土，播种时间为每年4月；
5)覆膜：播种后覆盖大棚膜，保证膜内温度为18℃，60％的种子出苗后揭去膜；
6)浇水：浇水时保证土壤的湿润度为60％，
a、幼苗伸腰期：浇水一次；
b、幼苗中后期：根据土地情况浇水1次，控制浇水，水分不能过多；
7)施肥：整个苗期施肥3次，有机肥与化肥交替使用；
8)除草：在播种后葱苗出苗前喷施除草剂，葱苗出苗后根据苗间杂草情况进行人工将草拔出；
9)大葱采收：播种后6个月可以进行大葱采收；
10)葱叶处理：大葱采收后，干黄、较老的葱叶留在土中，采收完成后用泥土覆盖。
本实施例使用时，种植前对土地进行深耕施肥闲置处理可以改良土质，增加土地肥力，改善葱苗的生长环境，从而提高葱苗的成活率，促进葱叶的成长；采收后将无用的葱叶留下土中可以利葱叶的腐烂来增强土壤肥力，有利于下一种作物的生长。
作为上述实施例的进一步描述：每间隔一年对葱苗种植所在土地进行一次翻土施肥；
本实施例使用时，间隔一年翻土施肥可以起到深耕作用，从而改善土壤的结构，增强土壤的透气性、保水性及保肥性，为作物的生长创造良好的条件
实施例2
一种大葱的种植方法，包括以下步骤：
1)整地：将土地进行深耕处理，深耕深度为22cm，将底土翻上来，在底层施加农家肥等，再将表土埋下去，整平，在表层施肥，每亩施加农家肥125kg，将农家肥用泥土覆盖，闲置13天；
2)整畦：将闲置后的土地整为畦宽1.3cm，梗宽13cm；
3)种子选择：选择完整无病虫害的葱头作为种子；
4)播种：将种子播种到地中，播种后浇水，达到土壤湿度为60％，然后在种子上覆盖0.5cm厚的细干土，播种时间为每年4月；
5)覆膜：播种后覆盖大棚膜，保证膜内温度为18℃，60％的种子出苗后揭去膜；
6)浇水：浇水时保证土壤的湿润度为65％，
a、幼苗伸腰期：浇水一次；
b、幼苗中后期：根据土地情况浇水1次，控制浇水，水分不能过多；
7)施肥：整个苗期施肥3次，有机肥与化肥交替使用；
8)除草：在播种后葱苗出苗前喷施除草剂，葱苗出苗后根据苗间杂草情况进行人工将草拔出；
9)大葱采收：播种后6个月可以进行大葱采收；
10)葱叶处理：大葱采收后，干黄、较老的葱叶留在土中，采收完成后用泥土覆盖。
本实施例使用时，种植前对土地进行深耕施肥闲置处理可以改良土质，增加土地肥力，改善葱苗的生长环境，从而提高葱苗的成活率，促进葱叶的成长；采收后将无用的葱叶留下土中可以利葱叶的腐烂来增强土壤肥力，有利于下一种作物的生长。
作为上述实施例的进一步描述：每间隔一年对葱苗种植所在土地进行一次翻土施肥；
本实施例使用时，间隔一年翻土施肥可以起到深耕作用，从而改善土壤的结构，增强土壤的透气性、保水性及保肥性，为作物的生长创造良好的条件。
实施例3
一种大葱的种植方法，包括以下步骤：
1)整地：将土地进行深耕处理，深耕深度为30cm，将底土翻上来，在底层施加农家肥等，再将表土埋下去，整平，在表层施肥，每亩施加农家肥150kg，将农家肥用泥土覆盖，闲置15天；
2)整畦：将闲置后的土地整为畦宽1.5cm，梗宽15cm；
3)种子选择：选择完整无病虫害的葱头作为种子；
4)播种：将种子播种到地中，播种后浇水，达到土壤湿度为60％，然后在种子上覆盖0.5cm厚的细干土，播种时间为每年4月；
5)覆膜：播种后覆盖大棚膜，保证膜内温度为18℃，60％的种子出苗后揭去膜；
6)浇水：浇水时保证土壤的湿润度为70％，
a、幼苗伸腰期：浇水一次；
b、幼苗中后期：根据土地情况浇水2次，控制浇水，水分不能过多；
7)施肥：整个苗期施肥4次，有机肥与化肥交替使用；
8)除草：在播种后葱苗出苗前喷施除草剂，葱苗出苗后根据苗间杂草情况进行人工将草拔出；
9)大葱采收：播种后7个月可以进行大葱采收；
10)葱叶处理：大葱采收后，干黄、较老的葱叶留在土中，采收完成后用泥土覆盖。
本实施例使用时，种植前对土地进行深耕施肥闲置处理可以改良土质，增加土地肥力，改善葱苗的生长环境，从而提高葱苗的成活率，促进葱叶的成长；采收后将无用的葱叶留下土中可以利葱叶的腐烂来增强土壤肥力，有利于下一种作物的生长。
作为上述实施例的进一步描述：每间隔一年对葱苗种植所在土地进行一次翻土施肥；
本实施例使用时，间隔一年翻土施肥可以起到深耕作用，从而改善土壤的结构，增强土壤的透气性、保水性及保肥性，为作物的生长创造良好的条件。
如上所述即为本发明的实施例。前文所述为本发明的各个优选实施例，各个优选实施例中的优选实施方式如果不是明显自相矛盾或以某一优选实施方式为前提，各个优选实施方式都可以任意叠加组合使用，所述实施例以及实施例中的具体参数仅是为了清楚表述发明人的发明验证过程，并非用以限制本发明的专利保护范围，本发明的专利保护范围仍然以其权利要求书为准，凡是运用本发明的说明书内容所作的等同结构变化，同理均应包含在本发明的保护范围内。