一种苦菊的栽培方法与流程

文档序号:17372903发布日期:2019-04-12 22:59阅读:513来源:国知局

本发明涉及蔬菜栽培领域,具体涉及一种苦菊的栽培方法。



背景技术:

苦菊是一种菊科、菊苣属的一年生或两年生草本植物,性喜冷凉气候,初夏抽花茎,嫩叶可食,可生食凉拌,适生食、煮食或作汤。苦菊味感甘中略带苦,颜色碧绿,可炒食或凉拌,是清热去火的美食佳品,也有抗菌、解热、消炎、明目等作用。因其有清热解暑之功效,受到广泛的好评。苦菊中含蛋白质,膳食纤维较高,钙、磷、锌、铜、铁、锰等微量元素较全,以及维生素b1、b2、c、胡萝卜素、烟酸等。此外,还含有腊醇、胆碱、酒石酸、苦味素等化学物质。苦菜中含有维生素c,胡萝卜素,分别是菠菜中含量的2.1和2.3倍。目前的苦菊栽培方法周期长,出芽率低,且因苦菊根系弱,导致苦菊成活率低。



技术实现要素:

本发明的目的在于提供一种苦菊的栽培方法,其缩短栽培周期,发芽率高,成活率高。

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:

一种苦菊的栽培方法,所述方法包括以下步骤:

(1)选地:选择土质疏松、有机质含量丰富、保水保肥力较好的沙土壤,将土壤深翻后暴晒2-3天,然后施足基肥,再次深翻,做畦,畦宽0.8-1m,畦面开8-10cm深的沟,沟距12cm;

(2)育苗:在土壤上搭建大棚,在畦上挖培养坑,保留挖出的土壤,两个相邻培养坑之间的距离为8-12cm,培养坑的直径为15-18cm,培养坑的深度为15-25cm,在培养坑底部铺设一层晒干的玉米叶,在玉米叶上浇水,然后在培养坑内放入与之相适配的育苗盆,育苗盆的底部为敞口状,准备营养土,将1/5的营养土与同质量的挖出的土壤混合均匀铺设在育苗盆底部,再取1/5的营养土,将与该营养土质量比为180:7的肥料混合均匀铺设在育苗盆内,然后继续铺设剩余营养土,播入种子,覆盖一层0.5cm厚的细土,浇透水,调节大棚温度在15-17℃;

(3)管理:当种子出芽后,调节大棚温度到12-20℃,然后将育苗盆内的土进行松动,当幼苗长至3-5cm时,将育苗盆外周的土壤进行疏松,浇水保持土壤湿润,然后取出育苗盆,将之前放置育苗盆的地方填平,当植株长至10cm时,将大棚温度调节至10-20℃,进行追肥,在茎叶生长旺盛期,要保持土壤湿润。

优选地,所述步骤(1)中,深翻的深度大于35cm。

优选地,所述步骤(1)中,基肥为腐熟的农家肥,且亩施基肥1000-2000kg。

优选地,所述步骤(2)中,在育苗盆外壁上设置多个通孔,在通孔处涂抹驱虫液。

优选地,所述驱虫液由石竹、苦楝素、薄荷、艾草组成,所述石竹、苦楝素、薄荷、艾草的质量比为3:7:8:15。

优选地,所述步骤(2)中,营养土包括蛭石土、赤玉土、硅藻土、腐殖土,所述蛭石土、赤玉土、硅藻土、腐殖土的质量比为2:13:5:11。

优选地,所述步骤(3)中,育苗盆内的土松动的方法如下,将细杆插入距离育苗盆中心10-12cm处,然后保持细杆底端不动,在前后左右四个方向进行晃动,且晃动角度小于20°。

优选地,所述步骤(3)中,追施的肥料为腐熟的粪肥,亩追1000-1200kg。

与现有技术相比,本发明的有益效果是:

1)营养土土质疏松多孔,保水、保肥能力强,为种子发芽提高了优质的环境,提高了种子的发芽率。

2)本发明直接将育苗盆放入土壤内,且育苗盆底部敞口,可以在不影响种子发芽的情况下,省去移植的步骤,且避免了对苦菊根系的破坏,提高了苦菊的成活率。

3)育苗盆底部为营养土和沙土壤的混合土,可以使根系更好的适应新的土壤,加快生长周期。

4)本发明的松土方法可以将育苗盆内的土壤进行松动,且不会破坏苦菊的根系。

5)在育苗盆上设置通孔,可以使育苗盆内的土壤与育苗盆外的沙土壤更好的融合,在通孔上涂抹驱虫液,可以防止虫对苦菊根系的破坏。

6)本发明采用大棚,方便调节温度,使苦菊生长的每个阶段都处于最适温度,缩短了苦菊的生长周期。

具体实施方式

下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

实施例1

一种苦菊的栽培方法,所述方法包括以下步骤:

(1)选地:选择土质疏松、有机质含量丰富、保水保肥力较好的沙土壤,将土壤深翻后暴晒2天,然后施足基肥,基肥为腐熟的农家肥,且亩施基肥1000kg,再次深翻,深翻的深度大于35cm,做畦,畦宽0.8m,畦面开8cm深的沟,沟距12cm;

(2)育苗:在土壤上搭建大棚,在畦上挖培养坑,保留挖出的土壤,两个相邻培养坑之间的距离为8cm,培养坑的直径为15cm,培养坑的深度为15cm,在培养坑底部铺设一层晒干的玉米叶,在玉米叶上浇水,然后在培养坑内放入与之相适配的育苗盆,育苗盆的底部为敞口状,在育苗盆外壁上设置多个通孔,在通孔处涂抹驱虫液,所述驱虫液由石竹、苦楝素、薄荷、艾草组成,所述石竹、苦楝素、薄荷、艾草的质量比为3:7:8:15,准备营养土,营养土包括蛭石土、赤玉土、硅藻土、腐殖土,所述蛭石土、赤玉土、硅藻土、腐殖土的质量比为2:13:5:11,将1/5的营养土与同质量的挖出的土壤混合均匀铺设在育苗盆底部,再取1/5的营养土,将与该营养土质量比为180:7的肥料混合均匀铺设在育苗盆内,然后继续铺设剩余营养土,播入种子,覆盖一层0.5cm厚的细土,浇透水,调节大棚温度在15℃;

(3)管理:当种子出芽后,调节大棚温度到12℃,然后将育苗盆内的土进行松动,育苗盆内的土松动的方法如下,将细杆插入距离育苗盆中心10cm处,然后保持细杆底端不动,在前后左右四个方向进行晃动,且晃动角度小于20°,当幼苗长至3cm时,将育苗盆外周的土壤进行疏松,浇水保持土壤湿润,然后取出育苗盆,将之前放置育苗盆的地方填平,当植株长至10cm时,将大棚温度调节至10℃,进行追肥,追施的肥料为腐熟的粪肥,亩追1000kg,在茎叶生长旺盛期,要保持土壤湿润。

实施例2

一种苦菊的栽培方法,所述方法包括以下步骤:

(1)选地:选择土质疏松、有机质含量丰富、保水保肥力较好的沙土壤,将土壤深翻后暴晒2-3天,然后施足基肥,基肥为腐熟的农家肥,且亩施基肥1500kg,再次深翻,深翻的深度大于35cm,做畦,畦宽0.9m,畦面开9cm深的沟,沟距12cm;

(2)育苗:在土壤上搭建大棚,在畦上挖培养坑,保留挖出的土壤,两个相邻培养坑之间的距离为10cm,培养坑的直径为17cm,培养坑的深度为20cm,在培养坑底部铺设一层晒干的玉米叶,在玉米叶上浇水,然后在培养坑内放入与之相适配的育苗盆,育苗盆的底部为敞口状,在育苗盆外壁上设置多个通孔,在通孔处涂抹驱虫液,所述驱虫液由石竹、苦楝素、薄荷、艾草组成,所述石竹、苦楝素、薄荷、艾草的质量比为3:7:8:15,准备营养土,营养土包括蛭石土、赤玉土、硅藻土、腐殖土,所述蛭石土、赤玉土、硅藻土、腐殖土的质量比为2:13:5:11,将1/5的营养土与同质量的挖出的土壤混合均匀铺设在育苗盆底部,再取1/5的营养土,将与该营养土质量比为180:7的肥料混合均匀铺设在育苗盆内,然后继续铺设剩余营养土,播入种子,覆盖一层0.5cm厚的细土,浇透水,调节大棚温度在16℃;

(3)管理:当种子出芽后,调节大棚温度到16℃,然后将育苗盆内的土进行松动,育苗盆内的土松动的方法如下,将细杆插入距离育苗盆中心11cm处,然后保持细杆底端不动,在前后左右四个方向进行晃动,且晃动角度小于20°,当幼苗长至4cm时,将育苗盆外周的土壤进行疏松,浇水保持土壤湿润,然后取出育苗盆,将之前放置育苗盆的地方填平,当植株长至10cm时,将大棚温度调节至15℃,进行追肥,追施的肥料为腐熟的粪肥,亩追1500kg,在茎叶生长旺盛期,要保持土壤湿润。

实施例3

一种苦菊的栽培方法,所述方法包括以下步骤:

(1)选地:选择土质疏松、有机质含量丰富、保水保肥力较好的沙土壤,将土壤深翻后暴晒3天,然后施足基肥,基肥为腐熟的农家肥,且亩施基肥2000kg,再次深翻,深翻的深度大于35cm,做畦,畦宽1m,畦面开10cm深的沟,沟距12cm;

(2)育苗:在土壤上搭建大棚,在畦上挖培养坑,保留挖出的土壤,两个相邻培养坑之间的距离为12cm,培养坑的直径为18cm,培养坑的深度为25cm,在培养坑底部铺设一层晒干的玉米叶,在玉米叶上浇水,然后在培养坑内放入与之相适配的育苗盆,育苗盆的底部为敞口状,在育苗盆外壁上设置多个通孔,在通孔处涂抹驱虫液,所述驱虫液由石竹、苦楝素、薄荷、艾草组成,所述石竹、苦楝素、薄荷、艾草的质量比为3:7:8:15,准备营养土,营养土包括蛭石土、赤玉土、硅藻土、腐殖土,所述蛭石土、赤玉土、硅藻土、腐殖土的质量比为2:13:5:11,将1/5的营养土与同质量的挖出的土壤混合均匀铺设在育苗盆底部,再取1/5的营养土,将与该营养土质量比为180:7的肥料混合均匀铺设在育苗盆内,然后继续铺设剩余营养土,播入种子,覆盖一层0.5cm厚的细土,浇透水,调节大棚温度在17℃;

(3)管理:当种子出芽后,调节大棚温度到20℃,然后将育苗盆内的土进行松动,育苗盆内的土松动的方法如下,将细杆插入距离育苗盆中心12cm处,然后保持细杆底端不动,在前后左右四个方向进行晃动,且晃动角度小于20°,当幼苗长至5cm时,将育苗盆外周的土壤进行疏松,浇水保持土壤湿润,然后取出育苗盆,将之前放置育苗盆的地方填平,当植株长至10cm时,将大棚温度调节至20℃,进行追肥,追施的肥料为腐熟的粪肥,亩追1200kg,在茎叶生长旺盛期,要保持土壤湿润。

以上内容仅仅是对本发明结构所作的举例和说明,所属本技术领域的技术人员对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代,只要不偏离本发明的结构或者超越本权利要求书所定义的范围,均应属于本发明的保护范围。

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