一种提高水稻抗性的培育方法与流程

文档序号:17148463发布日期:2019-03-19 23:12阅读:230来源:国知局

本发明涉及现代农业种植技术领域,尤其涉及一种提高水稻抗逆性的育苗方法。



背景技术:

我国是一个农业大国,近年来全球气候、土壤和水体环境的逐渐恶化,干旱、高低温胁迫、盐胁迫等问题也日趋严重。

对水稻在不同逆境中的生理机制及应用进行研究,可为水稻生产提供抗逆的理论和技术指导,同时对于培育筛选抗旱、抗寒、抗盐等优良品种具有十分重要的意义。

随着分子生物学研究的发展,通过转基因工程技术直接、快速、高效地研究培育抗逆性优良新品种将日趋活跃。

水稻对各种胁迫(或称逆境)因子如抗寒、抗旱、抗盐、抗病虫害等抗御能力称为水稻抗逆性。

近年来,全球自然灾害发生次数多、影响大。同时人口增加、社会经济发展变化、水资源短缺、土壤盐碱荒漠化的趋势和农业劳动力短缺等日益加剧,由此带来的各种胁迫直接影响到水稻的生产、水稻面积和单产。

干旱、高温、洪涝、低温和病虫害等已成为我国等产稻国水稻产量损失的主要原因。

近十几年来,研究者在已有研究的基础上从水稻品种抗性育种、抗性遗传、生理生化学、抗性基因等方面对水稻抗逆性机制及抗性作了大量研究,并取得实质性进展。但仍有一定问题存在。



技术实现要素:

本发明所要解决的技术问题在于,针对现有技术中存在的技术问题,本发明提出了一种提高水稻抗逆性的幼苗培育方法,通过优化水稻育种工艺,提高水稻种子出苗率及出苗指数,得到水稻幼苗在后期生长发育过程中表现出良好的抗逆性,同时增加水稻的产量,提高了水稻种植的经济效益。

为解决上述技术问题,本发明提供了一种提高水稻抗性的培育方法,包括以下步骤:

g1、旋耕;

g2、施肥;

g3、晒种;

g4、浸种;

g5、播种;

g6、覆盖。

优选地,所述方法进一步包括:g1、旋耕:选取疏松肥沃、透水性好的土壤进行旋耕,旋耕深度控制在15-25cm。

优选地,所述方法进一步包括:g2、施肥:根据秧田面积,每亩地施加18-24kg底肥。

优选地,所述方法进一步包括:g3、晒种:选取优质的水稻种子进行晒种处理,晒种后水稻种子中的含水量控制在8-12%。

优选地,所述方法进一步包括:g4、浸种:将经晒种处理后的水稻种子浸泡,干燥,然后与去离子水、壳聚糖、复硝酚钠、聚乙二醇混合,静置、过滤,干操,得到预处理水稻种子。

优选地,所述方法进一步包括:g5、播种:将预处理水稻种子进行播种,且播撒不要过密。

优选地,所述方法进一步包括:g6、覆盖:播种后,覆盖薄土保温,如播种区域温度较低可搭建小拱棚以提高温度,切记出苗后保持秧苗通风。

优选地,所述底肥原料进一步包括以下组份的一种或多种:甘蔗渣、海水稻秸秆、海水稻谷壳、菌菇渣、鸡粪。

优选地,所述底肥原料进一步包括以下组份的一种或多种:草木灰、花生渣、沼气池沉淀渣。

优选地,所述底肥原料进一步包括以下组份的一种或多种:滑石粉、微生物菌种、腐质酸钙。

本发明有益效果包括:本发明提高水稻抗逆性的幼苗培育方法,通过优化水稻育种工艺,提高水稻种子出苗率及出苗指数,得到水稻幼苗在后期生长发育过程中表现出良好的抗逆性,同时增加水稻的产量,提高了水稻种植的经济效益。

具体实施方式

下面结合实施例详述本发明。为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚、明确,以下对本发明进一步详细说明,但本发明并不局限于这些实施例。

本发明提高水稻抗逆性的育苗方法,具体实施如下:

实施例1:空白对照

具体步骤如下:

1、旋耕:旋耕土壤;

2、施肥:施加普通底肥;

3、晒种:选取优质的水稻种子进行晒种处理,晒种后水稻种子中的含水量控制在8-12%之间;

4、浸种:将经晒种处理后的水稻种子浸泡处理,干燥,得到预处理的水稻种子;

5、播种:将预处理好的水稻种子进行均匀播种,切不可播的过密;

6、覆盖:播种后,覆盖薄土保温,如播种区域温度较低可搭建小拱棚以提高温度,切记出苗后保持秧苗通风。

实施例2:

具体步骤如下:

1、旋耕:选择疏松肥沃、透水性好的土壤进行旋耕,旋耕深度为15cm;

2、施肥:每亩稻田施加24kg底肥,其中,本发明底肥的原料包括(以下均为重量份):

甘蔗渣120份、海水稻秸秆70份、海水稻谷壳8份、菌菇渣35份、鸡粪45份、草木灰12份、花生渣3份、沼气池沉淀渣10份、石膏10份、杨树叶20份、硫酸亚铁3份、滑石粉8份、微生物菌种4份、腐质酸钙11份、碳酸钠6份、硫酸锌3份。

微生物菌种包括:乳酸菌和/或酵母菌。

有机肥制作包括:

d1原料处理,将海水稻秸秆、海水稻谷壳、花生渣、杨树叶、甘蔗渣混合粉碎,混合细粉,备用;

d2将前述混合细粉与其余原料混合均匀,收拢成堆,加入2-3份养鱼池塘水,堆高为60-75cm,用料膜覆盖,每隔2-3天翻堆一次,在52-58℃的环境中发酵7-9天,得到本发明底肥。

将秧田旋耕整平底肥需施加,且需施加均匀。

3、晒种:选取优质的水稻种子进行晒种处理,晒种后水稻种子中的含水量控制在10%左右;

4、浸种:将经晒种处理后的水稻种子浸泡、干燥,得到预处理的水稻种子;

5、播种:将预处理好的水稻种子进行均匀播种,切不可播的过于密;

6、覆盖:播种后,覆盖薄土保温,如播种区域温度较低可搭建小拱棚以提高温度,切记出苗后保持秧苗通风。

实施例3:

具体步骤如下:

1、旋耕:选择疏松肥沃、透水性好的土壤进行旋耕处理,旋耕深度为18cm;

2、施肥:每亩稻田施加19kg底肥:甘蔗渣150份、海水稻秸秆50份、海水稻谷壳8份、菌菇渣34份、鸡粪40份、草木灰12份、花生渣3-4份、沼气池沉淀渣10-15份、石膏10份、杨树叶10份、硫酸亚铁2份、滑石粉5份、微生物菌种3-5份、腐质酸钙10份、碳酸钠5份、硫酸锌2-3份。

微生物菌种包括:乳酸菌和/或酵母菌。

有机肥制作包括:

d1原料处理,将海水稻秸秆、海水稻谷壳、花生渣、杨树叶、甘蔗渣混合粉碎,混合细粉,备用;

d2将前述混合细粉与其余原料混合均匀,收拢成堆,加入2-3份养鱼池塘水,堆高为60-75cm,用料膜覆盖,每隔2-3天翻堆一次,在52-58℃的环境中发酵7-9天,得到本发明底肥。

将秧田旋耕整平底肥需施加,且需施加均匀。

3、晒种:选取优质的水稻种子进行晒种处理,晒种后水稻种子中的含水量控制在11%左右;

4、浸种:将经晒种处理后的水稻种子浸泡、干燥,得到预处理的水稻种子;

5、播种:将预处理好的水稻种子进行均匀播种,切不可播的过于密;

6、覆盖:播种后,覆盖薄土保温,如播种区域温度较低可搭建小拱棚以提高温度,切记出苗后保持秧苗通风。

实施例4:

具体步骤如下:

1、旋耕:选择疏松肥沃、透水性好的土壤进行旋耕处理,旋耕深度为20cm;

2、施肥:每亩稻田施加22kg底肥,其中,底肥的原料按重量份包括:甘蔗渣130份、海水稻秸秆70份、海水稻谷壳8~10份、菌菇渣30~40份、鸡粪50份、草木灰12~15份、花生渣3-4份、沼气池沉淀渣15份、石膏10-12份、杨树叶10-20份、硫酸亚铁4份、滑石粉5-10份、微生物菌种3-5份、腐质酸钙10-12份、碳酸钠9份、硫酸锌2-3份。

微生物菌种包括:乳酸菌和/或酵母菌。

有机肥制作包括:

d1原料处理,将海水稻秸秆、海水稻谷壳、花生渣、杨树叶、甘蔗渣混合粉碎,混合细粉,备用;

d2将前述混合细粉与其余原料混合均匀,收拢成堆,加入2-3份养鱼池塘水,堆高为60-75cm,用料膜覆盖,每隔2-3天翻堆一次,在52-58℃的环境中发酵7-9天,得到本发明底肥。

将秧田旋耕整平底肥需施加,且需施加均匀。3、晒种:选取优质的水稻种子进行晒种处理,晒种后水稻种子中的含水量控制在10%左右;

4、浸种:将经晒种处理后的水稻种子浸泡、干燥,得到预处理的水稻种子;

5、播种:将预处理好的水稻种子进行均匀播种,切不可播的过于密;

6、覆盖:播种后,覆盖薄土保温,如播种区域温度较低可搭建小拱棚以提高温度,切记出苗后保持秧苗通风。

实施例5:

具体步骤如下:

1、旋耕:选择疏松肥沃、透水性好的土壤进行旋耕处理,旋耕深度为23cm;

2、施肥:每亩稻田施加20kg底肥,其中,底肥的原料按重量份包括:甘蔗渣140份、海水稻秸秆65份、海水稻谷壳8~10份、菌菇渣30~40份、鸡粪40~50份、草木灰15份、花生渣3-4份、沼气池沉淀渣10-15份、石膏10-12份、杨树叶10-20份、硫酸亚铁4份、滑石粉10份、微生物菌种3-5份、腐质酸钙10-12份、碳酸钠5-9份、硫酸锌2-3份。

微生物菌种包括:乳酸菌和/或酵母菌。

有机肥制作包括:

d1原料处理,将海水稻秸秆、海水稻谷壳、花生渣、杨树叶、甘蔗渣混合粉碎,混合细粉,备用;

d2将前述混合细粉与其余原料混合均匀,收拢成堆,加入2-3份养鱼池塘水,堆高为60-75cm,用料膜覆盖,每隔2-3天翻堆一次,在52-58℃的环境中发酵7-9天,得到本发明底肥。

将秧田旋耕整平底肥需施加,且需施加均匀。

3、晒种:选取优质的水稻种子进行晒种处理,晒种后水稻种子中的含水量控制在10%左右;

4、浸种:将经晒种处理后的水稻种子浸泡、干燥,得到预处理的水稻种子;

5、播种:将预处理好的水稻种子进行均匀播种,切不可播的过于密;

6、覆盖:播种后,覆盖薄土保温,如播种区域温度较低可搭建小拱棚以提高温度,切记出苗后保持秧苗通风。

实施例6:

具体步骤如下:

1、旋耕:选择疏松肥沃、透水性好的土壤进行旋耕处理,旋耕深度为25cm;

2、施肥:每亩稻田施加21kg底肥,其中,底肥的原料按重量份包括:甘蔗渣135份、海水稻秸秆68份、海水稻谷壳8~10份、菌菇渣30~40份、鸡粪40~50份、草木灰13份、花生渣3.5份、沼气池沉淀渣10-15份、石膏10份、杨树叶18份、硫酸亚铁2-4份、滑石粉7份、微生物菌种3-5份、腐质酸钙10-12份、碳酸钠5-9份、硫酸锌2-3份。

微生物菌种包括:乳酸菌和/或酵母菌。

有机肥制作包括:

d1原料处理,将海水稻秸秆、海水稻谷壳、花生渣、杨树叶、甘蔗渣混合粉碎,混合细粉,备用;

d2将前述混合细粉与其余原料混合均匀,收拢成堆,加入2-3份养鱼池塘水,堆高为60-75cm,用料膜覆盖,每隔2-3天翻堆一次,在52-58℃的环境中发酵7-9天,得到本发明底肥。

将秧田旋耕整平底肥需施加,且需施加均匀。

3、晒种:选取优质的水稻种子进行晒种处理,晒种后水稻种子中的含水量控制在10%左右;

4、浸种:将经晒种处理后的水稻种子浸泡、干燥,得到预处理的水稻种子;

5、播种:将预处理好的水稻种子进行均匀播种,切不可播的过于密;

6、覆盖:播种后,覆盖薄土保温,如播种区域温度较低可搭建小拱棚以提高温度,切记出苗后保持秧苗通风。

实施例7:胁迫实验

淹涝胁迫:在水稻幼穗分化初期(播种后35-40天)进行。淹涝胁迫时间为3d(72h)。测定项目:通过本发明实验组和对照组,研究淹涝胁迫前后水稻的生理指标、叶片抗逆指标、根系抗逆指标和营养指标等的变化。

其中,各处理下水稻指标测定的具体项目如下:

叶片光合速率(pn值),根系乙醇脱氢酶(adh)活性。

样品分析

(1)叶片pn值:采用美国原装进口的手持式光合作用测量系统ci-340,在开放气路下每箱分别选取一片固定成熟叶进行测定,每个叶片重复测定3次取平均值,作为该叶片的净光合速率pn值。

(2)根系adh活性的测定:

水稻淹涝时造成的缺氧环境使根系和地上部分有氧呼吸受到抑制和无氧呼吸加强,作为植物对淹涝胁迫的一种反应常显示其体内adh活性的显著上升。adh是以乙醇为底物、以nad+为电子受体的氧化还原酶。

反应后nad+还原为nadh,其还原速度与酶活性成正比,因此可根据340nm处光吸收变化进行测定。

酶液制备:2g淹水的水稻根系,加5ml预冷的酶抽提缓冲液(50mmol/l磷酸缓冲液,ph7.5;5mmol/lmgc12;1mmol/l苯甲基磺酰氟),于冰浴中研磨,匀浆后过滤,滤液于4℃下以11000r/min离心20min,上清液用于酶活性的测定。

酶活性测定:酶反应液含2.85ml酶活性缓冲液(15ml的tris1.0mol/l,ph8.0;3ml的0.01mol/lnad+;82ml蒸馏水)和100μl95%乙醇启动反应,于340nm处测定od值变化,以每分钟δa340增加0.001为一个酶活性单位(u),酶活性用u/mg蛋白表示。

表1淹涝胁迫对不同处理组水稻叶片pn的影响

淹涝前0d、解除淹涝后0d、3d三个时段内,各处理淹涝前水稻叶片光合速率均为最大值,经3d淹涝胁迫后各处理叶片光合速率均显著降低,解除时达到最低值,随后均逐渐上升。

其中对照组处理淹涝后3d时叶片光合速率较解除后0d显著上升,但仍显著低于淹涝前0d(p<0.05);本发明组处理解除后3d时叶片光合速率较解除后0d上升至与淹涝前无显著差异水平。

结果表明,淹涝胁迫对叶片光合速率有明显的影响,显著降低了叶片光合速率。其中对照组处理降幅较大,而本发明组降幅较小,说明本发明组处理对淹涝胁迫有较好的抗逆性。解除淹涝胁迫后各处理组叶片均在逐渐恢复其光合速率,其中本发明处理组叶片光合功能恢复较快,叶片光合速率达到淹涝胁迫前的95.71%,叶片光合功能与淹涝前无显著差异,表明本发明组处理有利于淹涝胁迫后水稻叶片光合功能的恢复。

表2淹涝胁迫对不同处理组水稻根系adh活性的影响

实施例8:水稻发芽率实验

按标准发芽方法进行种子发芽试验,即浸种,每个处理随机数取种子粒,分四次重复,每重复粒种子,置于发芽厢中,在湿润条件下进行纸上发芽。发芽试验开始后,每天统计萌发种子粒数(以胚根长度不短于种子长度且胚芽长度不短于种子长度的一半视为种子萌发)、正常幼苗数,试验结束时将幼苗剪根烘干称重,计算发芽率、发芽指数和活力指数:

发芽率(g%)=100×正常幼苗数/供试种子数

发芽指数(gi)=∑(gt/dt)

活力指数(vi)=gi×发芽末期幼苗干重。

表3水稻发芽率统计

本发明提高水稻抗逆性的幼苗培育方法,通过优化水稻育种工艺,提高水稻种子出苗率及出苗指数,得到水稻幼苗在后期生长发育过程中表现出良好的抗逆性,同时增加水稻的产量,提高了水稻种植的经济效益。

以上所述,仅是本发明的几个实施例,并非对本发明做任何形式的限制,虽然本发明以较佳实施例揭示如上,然而并非用以限制本发明,任何熟悉本专业的技术人员,在不脱离本发明技术方案的范围内,利用上述揭示的技术内容做出些许的变动或修饰均等同于等效实施案例,均属于本发明技术方案保护范围内。

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