一种藤本植物耐盐碱筛选实验装置的制作方法

本实用新型涉及盐碱地育苗技术领域，特别是涉及一种藤本植物耐盐碱筛选实验装置。

背景技术：

盐碱地是盐类集积的土地，是指土壤里面所含的盐分影响到作物的正常生长的一种类型的土地。由于盐碱地的盐分含量较高，导致作物不宜生长。

藤本植物为茎干细长，自身不能直立生长，必须依附他物而向上攀缘的植物。为了提高盐碱地的利用率，可在盐碱地中种植藤本植物，但是由于不同藤本植物对盐碱地的盐分的适应程度不同，因此，对于不适合种植在盐碱地的藤本植物如果直接种植在盐碱地中，将会导致植物的死亡。因此，需要对藤本植物的耐盐碱度测试，以筛选出能够种植在相应盐碱度的盐碱地的藤本植物。

技术实现要素：

基于此，有必要提供一种藤本植物耐盐碱筛选实验装置。

一种藤本植物耐盐碱筛选实验装置，包括：底座、育苗盘、支撑架和攀缘架；

所述支撑架固定设置于所述底座上，所述育苗盘与所述支撑架连接；

所述育苗盘的内部设置有育苗腔，所述育苗盘开设有与所述育苗腔连通的的种植口、第一浇灌口和第二浇灌口，所述育苗盘的底部开设有滴漏孔，所述滴漏孔与所述育苗腔连通；

所述攀缘架包括两个竖直架和至少一个横架，两个所述竖直架与所述底座连接，且两个所述竖直架分别设置于所述育苗盘的两侧，各所述横架的两端分别与两个所述竖直架连接，且所述横架设置于育苗盘的上方，所述横架与所述育苗盘间隔设置。

在一个实施例中，所述育苗盘包括盘体和盘盖，所述育苗腔开设于所述盘体，所述育苗腔具有腔口，所述盘盖与所述盘体的腔口的外侧边缘连接，所述盘盖密封所述腔口，所述第一浇灌口和所述第二浇灌口均开设于所述盘盖，所述滴漏孔开设于所述盘体的底部，所述盘盖的中部还开设有种植口，所述盘体与所述支撑架连接。

在一个实施例中，所述横架的数量为多个，多个所述横架间隔设置。

在一个实施例中，多个所述横架等距设置。

在一个实施例中，多个所述横架之间间距由靠近所述育苗盘的位置向远离所述育苗盘的位置的方向逐渐增大。

在一个实施例中，所述竖直架为圆柱体。

本实用新型的有益效果是：通过在底座上设置攀缘架，使得育苗盘内培育的藤本植物能够沿着攀缘架生长，使得育苗盘能够很好地培育藤本植物，而通过在育苗盘上开设第一浇灌口和第二浇灌口，第一浇灌口用于浇灌淡水，第二浇灌口用于浇灌盐碱溶液，以使得育苗腔内的土壤形成预设盐碱度的盐碱土壤，从而实验不同的藤本植物能否在预设盐碱度的盐碱土壤生长，从而筛选出能够种植在相应盐碱度的盐碱地的藤本植物。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为一实施例的藤本植物耐盐碱筛选实验装置的局部剖面结构示意图；

图2为一实施例的育苗盘的一方向结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。

如图1和图2所示，其为本实用新型一实施例的藤本植物耐盐碱筛选实验装置10，包括：底座100、育苗盘200、支撑架300和攀缘架400；所述支撑架300固定设置于所述底座100上，所述育苗盘200与所述支撑架300连接；所述育苗盘200的内部设置有育苗腔201，所述育苗盘200开设有与所述育苗腔201连通的种植口205、第一浇灌口202和第二浇灌口203，所述育苗盘200的底部开设有滴漏孔204，所述滴漏孔204与所述育苗腔201连通；所述攀缘架400包括两个竖直架410和至少一个横架420，两个所述竖直架410与所述底座100连接，且两个所述竖直架410分别设置于所述育苗盘200的两侧，各所述横架420的两端分别与两个所述竖直架410连接，且所述横架420设置于育苗盘200的上方，所述横架420与所述育苗盘200间隔设置。

具体地，底座100用于支撑该支撑架300和攀缘架400，支撑架300用于支撑育苗盘200，攀缘架400用于支撑藤本植物，使得藤本植物能够攀缘在该攀缘架400上，沿着攀缘架400向上生长。本实施例中，攀缘架400包括竖直设置的竖直架410以及水平设置的横架420，竖直架410使得藤本植物向上攀缘，而横架420能够支撑藤本植物横向攀缘。由于横架420与育苗盘200间隔设置，且设置于育苗盘200的上方，使得攀缘架400能够沿着竖直架410攀缘至横架420，并在横架420上横向生长。本实施例中，一竖直架410设置于育苗盘200的一侧，另一竖直架410设置于育苗盘200的另一侧，横架420的一端与一所述竖直架410连接，横架420的另一端与另一所述竖直架410连接。

育苗腔201用于容置土壤，并且培育幼苗，第一浇灌口202用于浇灌淡水，第二浇灌口203用于浇灌盐碱溶液，以使得育苗腔201内的土壤形成预设盐碱度的盐碱土壤，具体地，该盐碱溶液为预先配置的具有预设浓度的盐碱溶液，通过多次向第二浇灌口203倒入预设浓度的盐碱溶液，使得育苗腔201内的土壤形成具有不同盐碱浓度的盐碱土壤，并且观测藤本植物的生长状态，以实验不同的藤本植物能否在预设盐碱度的盐碱土壤生长，从而筛选出能够种植在相应盐碱度的盐碱地的藤本植物。

本实施例中，请结合图1和图2，所述育苗盘200包括盘体210和盘盖220，所述育苗腔201开设于所述盘体210，所述育苗腔201具有腔口，具体地，腔口开设于盘体210的顶部，所述盘盖220与所述盘体210的腔口的外侧边缘连接，所述盘盖220密封所述腔口，所述第一浇灌口202和所述第二浇灌口203均开设于所述盘盖220，所述滴漏孔204开设于所述盘体210的底部，所述盘盖220的中部还开设有所述种植口205，所述盘体210与所述支撑架300连接。

具体地，盘盖220开设的种植口205用于让培育的藤本植物穿过，使得藤本植物能够穿过种植口205伸出育苗腔201的外部。滴漏孔204用于滴漏育苗腔201内的土壤中多余的水分，使得育苗腔201内的水能够排出。盘盖220抵接于盘体210的外侧边缘，盘盖220可拆卸地与盘体210连接，使得盘盖220能够拆卸，当盘盖220打开时，可对育苗腔201内的土壤进行更换或者将藤本植物的根部取出。

上述实施例中，通过在底座100上设置攀缘架400，使得育苗盘200内培育的藤本植物能够沿着攀缘架400生长，使得育苗盘200能够很好地培育藤本植物，而通过在育苗盘200上开设第一浇灌口202和第二浇灌口203，第一浇灌口202用于浇灌淡水，第二浇灌口203用于浇灌盐碱溶液，以使得育苗腔201内的土壤形成预设盐碱度的盐碱土壤，从而实验不同的藤本植物能否在预设盐碱度的盐碱土壤生长，从而筛选出能够种植在相应盐碱度的盐碱地的藤本植物。

为了使得藤本植物能够沿着攀缘架400更好地生长，更好地支撑藤本植物，在一个实施例中，所述横架420的数量为多个，多个所述横架420间隔设置。每一横架420的一端与一所述竖直架410连接，一端与另一所述竖直架410连接，这样，通过设置多个横架420，使得藤本植物能够在横向上得到更多的支撑，进而使得藤本植物能够沿着攀缘架400更好地生长。

为了支撑藤本植物的攀缘生长，在一个实施例中，多个所述横架420等距设置。多个横架420等距设置，有利于藤本植物在横向上的等距间隔，使得藤本植物在不同的高度上得到均匀地支撑。

为了支撑藤本植物的攀缘生长，在一个实施例中，如图1所示，多个所述横架420之间间距由靠近所述育苗盘200的位置向远离所述育苗盘200的位置的方向逐渐增大。本实施例中，横架420之间的间距由下至上逐渐增大，这样，随着藤本植物的向上生长，横架420之间的间隔变大，有利于引导藤本植物进一步向上攀岩，并且使得上方的横架420上的藤本植物在竖直方向上的间隔变大，有利于藤本植物的生长。

为了使得藤本植物的更好攀缘，在一个实施例中，所述竖直架410为圆柱体。本实施例中，竖直架410为圆柱体结构，使得藤本植物能够绕竖直架410攀缘，使得藤本植物的攀缘生长效果更佳。

为了避免藤本植物攀缘至支撑架300上，并且使得藤本植物能够顺利攀缘至攀缘架400，在一个实施例中，如图1所示，盘体210的顶部的高度大于支撑架300的高度，盘体210的顶部即盘体210开设腔口的位置，本实施例中，盘体210的上端的高度大于支撑架300的最大高度，支撑架300连接于盘体210的靠近底部的两侧的位置，这样，当藤本植物向上攀缘时，将不会沿着位于下方的支撑架300进行攀缘，此外，本实施例中，盘体210的腔口的外侧边缘通过一引导杆250与竖直架410连接，盘体210的两侧分别设置引导杆250，每一引导杆250与一竖直架410连接，这样，培育腔内生长出来的藤本植物从种植口205伸出后，将沿着引导杆250攀缘至竖直架410，进而向上生长攀缘，有效避免藤本植物攀缘至支撑架300上。

为了进一步避免藤本植物攀缘至支撑架300上，在一个实施例中，盘体210的腔口的外侧边缘凸伸至支撑架300的外侧，即盘体210的顶部的宽度大于支撑架300的宽度，这样，能够进一步避免藤本植物攀缘至支撑架300上。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。