1.一种繁育泰和竹篙薯种薯的方法,其特征在于,包括:
从泰和竹篙薯藤蔓选取待扦插材料;
将所述待扦插材料中的茎节插入基质中,浇水并做保湿处理,然后依次进行遮阴避光培养、光照培养和无保湿培养,得到种薯。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,选取距离地面高度50-80cm的上部藤蔓作为所述待扦插材料;
优选地,所述待扦插材料按照一个叶片带一个茎节进行剪切,茎节两端均保留茎段;
优选地,选取所述泰和竹篙薯藤蔓的时间为每年5月-8月;
优选地,每株所述泰和竹篙薯选取所述待扦插材料50-120个。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述茎段的长度为1-3cm。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述茎节插入基质中的深度为2-4cm;
优选地,所述保湿处理保证培养环境的相对湿度不小于90%。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述遮阴避光培养的时间为3-5天;
优选地,所述遮阴避光培养的光照强度为20-40μmol·m-2·s-1。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述光照培养的光照强度为60-200μmol·m-2·s-1,光照周期为14-16h/8-10h,白天温度为25-28℃,夜间温度为20-23℃;
优选地,所述光照培养进行5-7天之后,进行通风处理;
优选地,所述通风处理后培养环境内的相对湿度为75-90%。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述无保湿培养包括:
去除保湿处理措施并进行补水和施肥;
优选地,所述茎节插入基质中后30-45天,进行所述无保湿培养;
优选地,所述施肥包括:施用1wt‰-1.5wt‰的硫酸钾型复合肥1-2次。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述茎节插入基质中60-80天之后,取出所述种薯。
9.根据权利要求1-8任一项所述的方法,其特征在于,所述基质包括草炭、珍珠岩和蛭石;
优选地,所述草炭、所述珍珠岩和所述蛭石的体积比为(3-5):1:(0.5-1);
优选地,所述基质中加入消毒剂进行消毒;
优选地,所述消毒剂包括多菌灵和/或代森锰锌;
优选地,每立方米所述基质中加入50-100g所述消毒剂;
优选地,所述基质的含水量为50wt%-60wt%。
10.一种泰和竹篙薯的育苗方法,其特征在于,包括:
使用权利要求1-9任一项所述的繁育泰和竹篙薯种薯的方法得到种薯,然后将所述种薯培养得到泰和竹篙薯苗。