一种适用于七叶一枝花田间种植的整畦结构的制作方法

文档序号:24700694发布日期:2021-04-16 12:28阅读:123来源:国知局
一种适用于七叶一枝花田间种植的整畦结构的制作方法

1.本实用新型涉及七叶一枝花种植领域,尤其是指一种适用于七叶一枝花田间种植的整畦结构。


背景技术:

2.七叶一枝花属于百合科多年生草本植物,又有重楼、铁灯台、草河车等别称。是一种很高药用价值的中药材,是云南白药、抗病毒颗粒、季德胜蛇药片等的主要成分,也是我国重要的医药、大健康产业的药材原料。其味苦、微寒、有小毒,具有消肿止痛、清热解毒、凉肝定惊等作用。七叶一枝花喜温暖、湿润、隐蔽的环境。七叶一枝花的种植选地最为重要。挑选太阳照射较短的背荫缓破田或没有凹凸的土地和质地疏松,保水性、透水性都比较强的夜潮地、灰泡土、腐殖土地种植最为理想。
3.现有七叶一枝花的田地一般由若干个畦地和相邻地两个畦地之间的中间田沟组成,整个田地相对排水蓄水能力有限,而且每个畦地的土壤一般为单一土层堆积而成,土壤的蓄肥保湿性能差,而且难以实现区域化集中管理。


技术实现要素:

4.本实用新型提供一种适用于七叶一枝花田间种植的整畦结构,其主要目的在于克服现有田地较为传统,整个田地相对排水蓄水能力有限,土壤的蓄肥保湿性能差等缺陷。
5.为解决上述技术问题,本实用新型采用如下技术方案:
6.一种适用于七叶一枝花田间种植的整畦结构,包括若干个畦地和相邻两个畦地之间的中间田沟,还包括围设在若干个畦地四周的深沟,每个畦地从下至上依次包括基土层、土工布层、陶粒疏水层、隔根层、回填土层、腐殖土层。
7.每个畦地的四周插设竖直布置的围板,并且该围板的底部延伸至所述隔根层处。
8.一种适用于七叶一枝花田间种植的整畦结构,还包括灌溉系统,该灌溉系统包括位于每个畦地中心线处并呈n形的多个支架、与水源相连通的总管、与总管相连通并一一对应地固定在多个支架上的多个支管,每个支管上设有沿畦地长度方向依次间隔布置的多个喷头。
9.所述围板上设有左右横穿的多个溢流通孔,该多个溢流通孔形成一排地分布在围板的上半段。
10.所述深沟的深度为35

45cm、其宽度为40

50cm;每个中间田沟的深度为15

25cm、其宽度为25

35cm;每个畦地的畦面宽度为1.0

1.5米。
11.和现有技术相比,本实用新型产生的有益效果在于:本整畦结构采用四面深沟结合中间小沟的设计,使得若干个畦地被分割开来,开沟更加的合理而紧凑,整个田地相对排水蓄水能力强,便于田间管理。每个畦地采用从下至上多层结构设计,使得土壤的蓄肥保湿性能强,便于实现区域化集中管理。
附图说明
12.图1为本实用新型的示意图。
13.图2为本实用新型的示意图,其中灌溉系统未画出。
14.图3为本实用新型中灌溉系统的示意图。
15.图4为本实用新型的示意图,其中回填土层和腐殖土层未画出。
16.图5为本实用新型截面的示意图。
具体实施方式
17.下面参照附图说明本实用新型的具体实施方式。
18.参照附图1和图2。一种适用于七叶一枝花田间种植的整畦结构,包括若干个畦地1和相邻两个畦地1之间的中间田沟2,还包括围设在若干个畦地四周的深沟3。所述深沟3的深度为35

45cm(最佳深度为40cm)、其宽度为40

50cm(最佳宽度为45cm);每个中间田沟2的深度为15

25cm(最佳深度为20cm)、其宽度为25

35cm(最佳宽度为30cm);每个畦地1的畦面宽度为1.0

1.5米(最佳宽度为1米)。采用四面深沟结合中间小沟的设计,使得若干个畦地1被分割开来,开沟更加的合理而紧凑,整个田地相对排水蓄水能力强,便于田间管理。
19.参照附图2、图4和图5。每个畦地1从下至上依次包括基土层11、土工布层10、陶粒疏水层13、隔根层12(如采用土工布制成)、回填土层14、腐殖土层15。每个畦地1采用从下至上多层结构设计,使得土壤的蓄肥保湿性能强。每个畦地1的四周插设竖直布置的围板16,并且该围板16的底部延伸至所述隔根层12处。采用围板16的设计,使得每个畦地1的边沿不易塌陷,使得沟和畦之间界限分明,便于田间管理。所述围板16上设有左右横穿的多个溢流通孔17,该多个溢流通孔17形成一排地分布在围板16的上半段,每个溢流通孔17从内向外呈倾斜向下布置,采用多个溢流通孔17的设计,倘若遇到恶劣天气(如大暴雨),便于畦地1积水顺畅地排入到沟内后而排出,进一步地提高田间管理水平。
20.参照附图1、图2和图3。一种适用于七叶一枝花田间种植的整畦结构,还包括灌溉系统,该灌溉系统包括位于每个畦地1中心线处并呈n形的多个支架4、与水源相连通的总管5、与总管5相连通并一一对应地固定在多个支架4上的多个支管6,每个支管上设有沿畦地1长度方向依次间隔布置的多个喷头7。
21.上述仅为本实用新型的具体实施方式,但本实用新型的设计构思并不局限于此,凡利用此构思对本实用新型进行非实质性的改动,均应属于侵犯本实用新型保护范围的行为。
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