冬玉米的高产种植方法
【技术领域】
[0001]本发明属于种植技术领域，尤其涉及冬玉米的培养技术。
【背景技术】
[0002]冬玉米属反季作物，根系发育较差，吸收水肥能力较弱，生长发育不如夏播玉米旺盛，同一品种，冬播比夏播植株矮小，生育期延长。另外，冬玉米怕霜冻，如生长期遇霜冻，轻则减产，重则颗粒无收。
[0003]冬玉米低产原因分析；低温灾害是影响冬玉米产量的主要因素玉米是一种喜温作物，全生育期都需要较高的温度，其生物学下限温度为6°C，冻害温度为-2V?3V。德宏终年日照时间长，温度高，四季不分明，气温仍然会随着四季的变化而呈现规律性的变化。但是现有的冬玉米种植方法还不完善，对于冬玉米易于出现的发芽率低、怕霜冻、吸水吸肥能力弱的问题还没有完全解决。
【发明内容】
[0004]本发明就是针对上述问题，提供一种发芽率高、抗霜冻能力强、吸水吸肥能力强的一种冬玉米的高产种植方法。
[0005]为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案。
[0006]冬玉米的高产种植方法，其特征在于:包括以下步骤。
[0007]一、播种时期；种植冬玉米必须选择无霜的地区，同时了解当地最低气温出现时期，来安排好播种期。为使冬玉米少受或不受冻害，播种节令一般为10月下旬至11月。
[0008]二、播种规格和密度；冬玉米高产栽培，播种规格为宽窄行规范栽培，而宽窄行复合带视单作还是间作来定。单作，窄行为50厘米，窄行上种2行玉米，行距为40厘米，株距13?17厘米，宽行为90?93厘米，每亩育苗5580?7140株；间作，窄行42厘米，种2行玉米，行距33厘米，株距13?17厘米，宽行133厘米，宽行间种3行大豆或2行马铃薯，玉米每亩苗有5700株。
[0009]三、选择适宜种植冬玉米的田块；选择有排灌条件、土壤疏松的田块种植，并经常保持土壤湿润，促进植株健壮生长。但不能选择地势低凹、地下水位高、排水不良的地块种植，否则会使根系发育不良，植株瘦小，叶子发黄，使雌雄穗发育不良而不能授粉，导致空秕、低产或无收。
[0010]四、盖膜；冬玉米因气温比较低，土壤田间持水量随着雨季结束、降雨少、风多而减少。为此，通过盖膜增温保湿显得非常重要。有关试验资料表明，冬玉米盖膜与不盖膜产量悬殊两倍以上。盖膜的田块要求土块要细，田块要整平，盖膜时膜要崩紧，薄膜四周的盖土要压紧但不宜盖得过多。播种方式有两种:一是播种后盖膜，这种播式可以定向，可以把种子压到生土上，出苗率高，定向率可达90%以上。但要注意播后5天左右进行破膜，否则会造成烧苗。二是先开沟施肥盖土，然后盖膜，盖膜后用尖桩破膜打洞播种，播后用细土把洞口盖好，这种播式可减少破膜工时，可避免烧苗，可确保全苗，但定向率比较低。
[0011]进一步地，补苗间苗。玉米苗长到3?4片叶时，要移密补缺，带土移植，烧足定根水；间苗要去弱留壮，大小均匀，每穴留壮苗1株。
[0012]再进一步地，保苗方法为，苗期的保苗工作包括防虫、防旱、防涝及鸟兽危害等。
[0013]再进一步地，施苗肥。齐苗后要锄掉杂草，促进根系深扎。施壮苗肥要结合中耕进行，每亩施尿素5 — 10kg，对弱苗补施1次速效液氮肥。此时如土壤干旱应结合灌水，但是灌水不宜过多，苗期忌积水，土壤湿润即可。
[0014]本发明有益效果。
[0015]本发明为了达到冬玉米高产的目的，综合运用各项技术措施。首先，品种是实现冬玉米高产的重要因素；其次，播种节令、土壤肥力、施肥技术、水分条件、劳动者素质、耕作水平等对冬玉米产量都有很大影响，形成合理的栽培模式。使冬玉米的种植发芽率高、抗霜冻能力强、吸水吸肥能力强。从而提高农户经济收入。
【具体实施方式】
[0016]本发明冬玉米的高产种植方法，其特征在于:包括以下步骤。
[0017]一、播种时期；种植冬玉米必须选择无霜的地区，同时了解当地最低气温出现时期，来安排好播种期。为使冬玉米少受或不受冻害，播种节令一般为10月下旬至11月。
[0018]二、播种规格和密度；冬玉米高产栽培，播种规格为宽窄行规范栽培，而宽窄行复合带视单作还是间作来定。单作，窄行为50厘米，窄行上种2行玉米，行距为40厘米，株距13?17厘米，宽行为90?93厘米，每亩育苗5580?7140株；间作，窄行42厘米，种2行玉米，行距33厘米，株距13?17厘米，宽行133厘米，宽行间种3行大豆或2行马铃薯，玉米每亩苗有5700株。
[0019]三、选择适宜种植冬玉米的田块；选择有排灌条件、土壤疏松的田块种植，并经常保持土壤湿润，促进植株健壮生长。但不能选择地势低凹、地下水位高、排水不良的地块种植，否则会使根系发育不良，植株瘦小，叶子发黄，使雌雄穗发育不良而不能授粉，导致空秕、低产或无收。
[0020]四、盖膜；冬玉米因气温比较低，土壤田间持水量随着雨季结束、降雨少、风多而减少。为此，通过盖膜增温保湿显得非常重要。有关试验资料表明，冬玉米盖膜与不盖膜产量悬殊两倍以上。盖膜的田块要求土块要细，田块要整平，盖膜时膜要崩紧，薄膜四周的盖土要压紧但不宜盖得过多。播种方式有两种:一是播种后盖膜，这种播式可以定向，可以把种子压到生土上，出苗率高，定向率可达90%以上。但要注意播后5天左右进行破膜，否则会造成烧苗。二是先开沟施肥盖土，然后盖膜，盖膜后用尖桩破膜打洞播种，播后用细土把洞口盖好，这种播式可减少破膜工时，可避免烧苗，可确保全苗，但定向率比较低。
[0021]进一步地，补苗间苗。玉米苗长到3?4片叶时，要移密补缺，带土移植，烧足定根水；间苗要去弱留壮，大小均匀，每穴留壮苗1株。
[0022]再进一步地，保苗方法为，苗期的保苗工作包括防虫、防旱、防涝及鸟兽危害等。
[0023]再进一步地，施苗肥。齐苗后要锄掉杂草，促进根系深扎。施壮苗肥要结合中耕进行，每亩施尿素5 — 10kg，对弱苗补施1次速效液氮肥。此时如土壤干旱应结合灌水，但是灌水不宜过多，苗期忌积水，土壤湿润即可。
【主权项】
1.冬玉米的高产种植方法，其特征在于:包括以下步骤； 一、播种时期；种植冬玉米必须选择无霜的地区，同时了解当地最低气温出现时期，来安排好播种期；为使冬玉米少受或不受冻害，播种节令一般为10月下旬至11月； 二、播种规格和密度；冬玉米高产栽培，播种规格为宽窄行规范栽培，而宽窄行复合带视单作还是间作来定；单作，窄行为50厘米，窄行上种2行玉米，行距为40厘米，株距13?17厘米，宽行为90?93厘米，每亩育苗5580?7140株；间作，窄行42厘米，种2行玉米，行距33厘米，株距13?17厘米，宽行133厘米，宽行间种3行大豆或2行马铃薯，玉米每亩苗有5700株； 三、选择适宜种植冬玉米的田块；选择有排灌条件、土壤疏松的田块种植，并经常保持土壤湿润，促进植株健壮生长；但不能选择地势低凹、地下水位高、排水不良的地块种植，否则会使根系发育不良，植株瘦小，叶子发黄，使雌雄穗发育不良而不能授粉，导致空秕、低产或无收； 四、盖膜；冬玉米因气温比较低，土壤田间持水量随着雨季结束、降雨少、风多而减少；为此，通过盖膜增温保湿显得非常重要；有关试验资料表明，冬玉米盖膜与不盖膜产量悬殊两倍以上；盖膜的田块要求土块要细，田块要整平，盖膜时膜要崩紧，薄膜四周的盖土要压紧但不宜盖得过多；播种方式有两种:一是播种后盖膜，这种播式可以定向，可以把种子压到生土上，出苗率高，定向率可达90%以上；但要注意播后5天左右进行破膜，否则会造成烧苗；二是先开沟施肥盖土，然后盖膜，盖膜后用尖桩破膜打洞播种，播后用细土把洞口盖好，这种播式可减少破膜工时，可避免烧苗，可确保全苗，但定向率比较低。2.根据权利要求1所述冬玉米的高产种植方法，其特征在于:补苗间苗；玉米苗长到3?4片叶时，要移密补缺，带土移植，浇足定根水；间苗要去弱留壮，大小均匀，每穴留壮苗1株。3.根据权利要求1所述冬玉米的高产种植方法，其特征在于:保苗方法为，苗期的保苗工作包括防虫、防旱、防涝及鸟兽危害等。4.根据权利要求1所述冬玉米的高产种植方法，其特征在于:施苗肥；齐苗后要锄掉杂草，促进根系深扎；施壮苗肥要结合中耕进行，每亩施尿素5 — 10kg，对弱苗补施1次速效液氮肥；此时如土壤干旱应结合灌水，但是灌水不宜过多，苗期忌积水，土壤湿润即可。
【专利摘要】冬玉米的高产种植方法属于种植技术领域，尤其涉及冬玉米的培养技术。本发明提供一种发芽率高、抗霜冻能力强、吸水吸肥能力强的一种冬玉米的高产种植方法。冬玉米的高产种植方法，其特征在于：包括以下步骤。一、播种时期；种植冬玉米必须选择无霜的地区。二、播种规格和密度；冬玉米高产栽培，播种规格为宽窄行规范栽培，而宽窄行复合带视单作还是间作来定。三、选择适宜种植冬玉米的田块；选择有排灌条件、土壤疏松的田块种植，并经常保持土壤湿润，促进植株健壮生长。四、盖膜；冬玉米因气温比较低，土壤田间持水量随着雨季结束、降雨少、风多而减少。
【IPC分类】A01G1/00
【公开号】CN105474933
【申请号】CN201410496982
【发明人】申茂军
【申请人】申茂军
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2014年9月25日