一种西兰花日光温室无公害育苗的方法

文档序号:9830513阅读:324来源:国知局
一种西兰花日光温室无公害育苗的方法
【技术领域】
[0001 ]本发明属于农业养殖技术领域,具体涉及一种西兰花日光温室无公害育苗的方法。
【背景技术】
[0002]西兰花的营养丰富,不仅含量较高,而且含有营养十分全面,主要包括蛋白质、碳水化合物、脂肪、矿物质、维生素C和胡萝卜素等,能够杀菌和防治感染的功效,还能够防癌抗癌,随着人们生活水平的提高,现在逐渐开始关注健康饮食,西兰花种植方法相对简单,因此现在已经以大棚等方式进行规模性种植,但现在的种植方法只是注重增加西兰花的产量,大规模低成本的种植往往容易导致西兰花营养下降,同时,为了有效防治西兰花生长过程中的病虫害,通常在栽培过程中施用大量的抗性药物,不仅会污染环境,还会影响西兰花的品质,到不到健康标准。

【发明内容】

[0003]本发明的目的是针对现有的问题,提供了一种西兰花日光温室无公害育苗的方法。
[0004]本发明是通过以下技术方案实现的:一种西兰花日光温室无公害育苗的方法,包括以下步骤:
(I)育苗床准备:育苗基质包括以下重量份的原料:椰糠35-40份,珍珠岩10-15份,细炉渣10-15份,蚕砂8-15份,粪肥20-25份,苦参碱1_2份;将上述原料按比例混合后,在28_32°C的条件下密封腐熟60-70天,完成后在强光下摊晒至全干,然后在播种前拌入2%氟硼酸钠稀释液,稀释密度为1500倍,将育苗基质铺设在日光温室的育苗床上即可;
在播种前拌入氟硼酸钠的稀释液,通过改善育苗基质的性能有助种子发芽出苗,还起到预防虫害的作用。
[0005](2)种子处理及播种:将种子用100w的微波设备处理20分钟,然后用45-50°C的热水浸泡,搅拌20-30分钟,冲洗掉粘液和杂质,然后放入25-30°C的温水中浸泡8-10小时,在28 0C的催芽箱中催芽,70%的种子露白后播种;
(3)育苗管理:在种子出苗前,将保温卷帘放下,保持温度为20-300C,⑶2浓度为800-1200 ppm,湿度为80-90%;播种后5-15天,将光照时间由每日2小时逐渐增加到每日8小时,保持温度为18-26°C,C02浓度为600-800 ppm,湿度为70-80%;播种后,16-25天,播种后5_15天,将光照时间由每日2小时逐渐增加到每日8小时,保持温度为14-24°C,C02浓度为600-1000 ppm,湿度为65-75%;
在不同阶段调节适当的CO2浓度,不仅可以促进苗株早熟,还能提高幼苗的壮苗率。
[0006](4)栽培土管理及定植:当幼苗成熟后在栽培田中定植,在定植前,按每立方米Ikg的比例拌入硫磺粉、草炭灰和笞藓混合物拌入栽培土中,并以行距60cm,株距35cm定植;
(5)栽培管理:控制日光温室内温度为24-28°C、晚上16-20°C,空气湿度为60-65%;每隔7天施肥一次,每亩施肥量为粪肥I OOkg、经发酵的中药渣I OOkg、复合肥20kg、尿素8kg、硼砂5kg、钼肥2kg、磷酸二氢钾5kg、亚砸酸钠2kg,将上述原料混合怄制2天后,加水2000kg即可使用;每隔15天,喷施0.2%的高效有机硅复合剂的1200倍稀释液,喷施量为I Okg/亩;在播种前1天,只喷施相应量的水,保持土地半湿即可;
(6)采收:在西兰花成熟后,在清晨进行采摘,采摘后随即放入遮阳箱中储存。
[0007]其中,所述硫磺粉、草炭灰和苔藓的重量比为4:2:1,用该混合物拌入栽培土中,不仅可以改善栽培土的营养,促进幼苗对营养的适应和营养的吸收,还能对病虫害起到一定的抵抗作用。
[0008]本发明的原料配比如无特别说明,以重量计配比。
[0009]本发明相比现有技术具有以下优点:本发明中育苗基质各原料均为绿色无公害原料,来源广泛,能有效提供营养物质,同时也不会由于营养过剩引起烧苗等现象,在栽培管理中添加硼肥、钼肥和砸肥等,促进植株的生长和西兰花品质的提高,增加西兰花中营养元素的含量,严格控制育苗和栽培阶段的生长条件,使西兰花壮苗率高,产量提高,延长花球形成的时间,有助于其营养的吸收,减少抗性药物的使用量,实现无公害种植。
【具体实施方式】
实施例
[0010]—种西兰花日光温室无公害育苗的方法,包括以下步骤:
(1)育苗床准备:育苗基质包括以下重量份的原料:椰糠35-40份,珍珠岩10-15份,细炉渣10-15份,蚕砂8-15份,粪肥20-25份,苦参碱1_2份;将上述原料按比例混合后,在28_32°C的条件下密封腐熟60-70天,完成后在强光下摊晒至全干,然后在播种前拌入2%氟硼酸钠稀释液,稀释密度为1500倍,将育苗基质铺设在日光温室的育苗床上即可;
(2)种子处理及播种:将种子用100w的微波设备处理20分钟,然后用45-50°C的热水浸泡,搅拌20-30分钟,冲洗掉粘液和杂质,然后放入25-30°C的温水中浸泡8-10小时,在28°C的催芽箱中催芽,70%的种子露白后播种;
(3)育苗管理:在种子出苗前,将保温卷帘放下,保持温度为20-300C,⑶2浓度为800-1200 ppm,湿度为80-90%;播种后5-15天,将光照时间由每日2小时逐渐增加到每日8小时,保持温度为18-260C,⑶2浓度为600-800 ppm,湿度为70-80%;播种后16-25天,播种后5_15天,将光照时间由每日2小时逐渐增加到每日8小时,保持温度为14-24°C,C02浓度为600-1000 ppm,湿度为65-75%;
(4)栽培土管理及定植:当幼苗成熟后在栽培田中定植,在定植前,按每立方米Ikg的比例拌入硫磺粉、草炭灰和笞藓混合物拌入栽培土中,并以行距60cm,株距35cm定植,其中,所述硫磺粉、草炭灰和苔藓的重量比为4:2:1;
(5)栽培管理:控制日光温室内温度为24-28°C、晚上16-20°C,空气湿度为60-65%;每隔7天施肥一次,每亩施肥量为粪肥I OOkg、经发酵的中药渣I OOkg、复合肥20kg、尿素8kg、硼砂5kg、钼肥2kg、磷酸二氢钾5kg、亚砸酸钠2kg,将上述原料混合怄制2天后,加水2000kg即可使用;每隔15天,喷施0.2%的高效有机硅复合剂的1200倍稀释液,喷施量为I Okg/亩;在播种前1天,只喷施相应量的水,保持土地半湿即可; (6)采收:在西兰花成熟后,在清晨进行采摘,采摘后随即放入遮阳箱中储存。
[0011 ] 本实施例中种植的西兰花,花球直径为14-20cm,花球连柄均值达到18.3cm,重量为450-600g,花球紧实,苗期无病虫害,生长期病虫害小于1.5%,检测各项指标均符合国家无公害食品标准。
【主权项】
1.一种西兰花日光温室无公害育苗的方法,其特征在于,包括以下步骤: (1)育苗床准备:育苗基质包括以下重量份的原料:椰糠35-40份,珍珠岩IO-15份,细炉渣10-15份,蚕砂8-15份,粪肥20-25份,苦参碱1_2份;将上述原料按比例混合后,在28_32°C的条件下密封腐熟60-70天,完成后在强光下摊晒至全干,然后在播种前拌入2%氟硼酸钠稀释液,稀释密度为1500倍,将育苗基质铺设在日光温室的育苗床上即可; (2)种子处理及播种:将种子用100w的微波设备处理20分钟,然后用45-50°C的热水浸泡,搅拌20-30分钟,冲洗掉粘液和杂质,然后放入25-30°C的温水中浸泡8-10小时,在28°C的催芽箱中催芽,70%的种子露白后播种; (3)育苗管理:在种子出苗前,将保温卷帘放下,保持温度为20-30°C,C02浓度为800-1200 ppm,湿度为80-90%;播种后5-15天,将光照时间由每日2小时逐渐增加到每日8小时,保持温度为18-260C,⑶2浓度为600-800 ppm,湿度为70-80%;播种后16-25天,播种后5_15天,将光照时间由每日2小时逐渐增加到每日8小时,保持温度为14-24°C,C02浓度为600-1000 ppm,湿度为65-75%; (4)栽培土管理及定植:当幼苗成熟后在栽培田中定植,在定植前,按每立方米Ikg的比例拌入硫磺粉、草炭灰和笞藓混合物拌入栽培土中,并以行距60cm,株距35cm定植; (5)栽培管理:控制日光温室内温度为24-28°C、晚上16-20°C,空气湿度为60-65%;每隔7天施肥一次,每亩施肥量为粪肥I OOkg、经发酵的中药渣I OOkg、复合肥20kg、尿素8kg、硼砂5kg、钼肥2kg、磷酸二氢钾5kg、亚砸酸钠2kg,将上述原料混合怄制2天后,加水2000kg即可使用;每隔15天,喷施0.2%的高效有机硅复合剂的1200倍稀释液,喷施量为I Okg/亩;在播种前1天,只喷施相应量的水,保持土地半湿即可; (6)采收:在西兰花成熟后,在清晨进行采摘,采摘后随即放入遮阳箱中储存。2.如权利要求1所述一种西兰花日光温室无公害育苗的方法,其特征在于,所述硫磺粉、草炭灰和苔藓的重量比为4:2:1。
【专利摘要】本发明公开了一种西兰花日光温室无公害育苗的方法,包括育苗床准备、种子处理及播种、育苗管理、栽培土管理及定植、栽培管理和采收几个步骤。本发明相比现有技术具有以下优点:本发明中育苗基质各原料均为绿色无公害原料,来源广泛,能有效提供营养物质,同时也不会由于营养过剩引起烧苗等现象,在栽培管理中添加硼肥、钼肥和硒肥等,促进植株的生长和西兰花品质的提高,增加西兰花中营养元素的含量,严格控制育苗和栽培阶段的生长条件,使西兰花壮苗率高,产量提高,减少抗性药物的使用量,实现无公害种植。
【IPC分类】A01G31/00, C05F17/00, C05G1/00
【公开号】CN105594570
【申请号】CN201511002101
【发明人】金勇
【申请人】安徽有机良庄农业科技发展有限公司
【公开日】2016年5月25日
【申请日】2015年12月29日
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