半导体低阻值纳米电子烟加热器制作工艺的制作方法

本申请涉及纳米工艺，特别涉及为一种半导体低阻值纳米电子烟加热器制作工艺。

背景技术：

1、目前，纳米加工技术已成为国家科学技术发展水平的重要标志，随着各种新型功能陶瓷材料的不断研制成功，以及用这些材料作为关键元件的各类装置的高性能化，要求功能陶瓷元件的加工精度达到纳米级甚至更高，这些都有力地促进了纳米加工技术的进步；近年来，纳米技术的出现促使纳米加工向其极限加工精度—原子级加工进行挑战；

2、而在电子烟加热器上，通常不可以在金属基材上加工生产，且基材只能选用级璃或附高温陶瓷，要在高温设备上加工镀膜。

技术实现思路

1、本申请旨在解决在电子烟加热器上，通常不可以在金属基材上加工生产，且基材只能选用级璃或附高温陶瓷，要在高温设备上加工镀膜的技术问题，提供一种半导体低阻值纳米电子烟加热器制作工艺。

2、本申请为解决技术问题采用如下技术手段：一种半导体低阻值纳米电子烟加热器制作工艺，

3、一种半导体低阻值纳米电子烟加热器制作工艺，所述工艺包括：

4、s1、制作基材，在基材表面制作沙面处理；

5、s2、高温加热活化基材；

6、s3、在高温加热活化后的基材表面进行喷涂镀膜；

7、s4、再经过高温加热重复镀膜，该层镀膜为纳米电热膜涂层；

8、s5、在电热膜上再加电极层；

9、s6、得到电子烟加热器的外壳结构。

10、进一步地，在所述制作基材，在基材表面制作沙面处理的步骤之后，

11、用超声波作表面清洁和处理毛糙面，并低温烘干表面残留的液体。

12、进一步地，在所述高温加热活化基材的步骤之中，

13、高温的温度为700摄氏度。

14、进一步地，在所述在高温加热活化后的基材表面进行喷涂镀膜的步骤之前，

15、所述喷涂镀膜的组成材料为：四氧化锡0.4份，氯化镍0.55～0.59份，氯化锑0.03～0.07份。

16、进一步地，所述电热膜为通过加热溶解掺杂氯化锑。

17、进一步地，在所述在高温加热活化后的基材表面进行喷涂镀膜的步骤之中，

18、采用自动喷涂装置将一种纳米远红外电热膜液高温镀覆在基材的表面，同时将整个原面镀上膜层。

19、进一步地，在所述再经过高温加热重复镀膜，该层镀膜为纳米电热膜涂层的步骤之中，

20、再经过710摄氏度高温加热。

21、进一步地，在电热膜上再加电极层的步骤之中，

22、电极层采用丝网印刷方式将银浆自动刮涂在电热膜表面。

23、进一步地，在电热膜上再加电极层的步骤之后，

24、经过低温100摄氏度～150摄氏度十分钟烘干银浆里面的水分。

25、本申请提供了半导体低阻值纳米电子烟加热器制作工艺，具有以下有益效果：

26、1、使用寿命长；

27、2、加热时温度均匀度好；

28、3、能效高,电热转换率高达98％。

技术特征：

1.一种半导体低阻值纳米电子烟加热器制作工艺，其特征在于，所述工艺包括：

2.根据权利要求1所述的半导体低阻值纳米电子烟加热器制作工艺，其特征在于，在所述制作基材，在基材表面制作沙面处理的步骤之后，

3.根据权利要求1所述的半导体低阻值纳米电子烟加热器制作工艺，其特征在于，在所述高温加热活化基材的步骤之中，

4.根据权利要求1所述的半导体低阻值纳米电子烟加热器制作工艺，其特征在于，在所述在高温加热活化后的基材表面进行喷涂镀膜的步骤之前，

5.根据权利要求4所述的半导体低阻值纳米电子烟加热器制作工艺，其特征在于，所述电热膜为通过加热溶解掺杂氯化锑。

6.根据权利要求1所述的半导体低阻值纳米电子烟加热器制作工艺，其特征在于，在所述在高温加热活化后的基材表面进行喷涂镀膜的步骤之中，

7.根据权利要求1所述的半导体低阻值纳米电子烟加热器制作工艺，其特征在于，在所述再经过高温加热重复镀膜，该层镀膜为纳米电热膜涂层的步骤之中，

8.根据权利要求1所述的半导体低阻值纳米电子烟加热器制作工艺，其特征在于，在电热膜上再加电极层的步骤之中，

9.根据权利要求1所述的半导体低阻值纳米电子烟加热器制作工艺，其特征在于，在电热膜上再加电极层的步骤之后，

技术总结
本申请提供了一种半导体低阻值纳米电子烟加热器制作工艺，运用于纳米工艺技术领域，制作基材，在基材表面制作沙面处理；高温加热活化基材；在高温加热活化后的基材表面进行喷涂镀膜；再经过高温加热重复镀膜，该层镀膜为纳米电热膜涂层；在电热膜上再加电极层；得到电子烟加热器的外壳结构；具备解决目前的在电子烟加热器上，通常不可以在金属基材上加工生产，且基材只能选用级璃或附高温陶瓷，要在高温设备上加工镀膜的技术问题。

技术研发人员：周德平
受保护的技术使用者：中和纳米科技（广东）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/17