一种快速促进牙种植体与牙槽骨结合的牙种植体处理方法与流程

本发明涉及种植体表面即刻活化技术领域，具体为一种快速促进牙种植体与牙槽骨结合的牙种植体处理方法。

背景技术

口腔种植体又称为牙种植体，还称为人工牙根。是通过外科手术的方式将其植入人体缺牙部位的上下颌骨内，待种植牙和周围骨形成骨结合后，在其上部安装修复体的装置。骨结合的关键在于“骨生长”，即种植体周围新骨的生成。在整个骨结合过程中，种植体周围骨再生相对比较慢，骨愈合初期种植体周围新形成骨的骨密度比较低。宿主成骨相关细胞对种植体表面的反应速度决定了骨结合的速度。为了加快宿主对植入物的反应，缩短种植体骨结合的时间,提高治疗的效率,常见的方法是种植体表面的改性。钛种植体表面即使经过各个表面改性后短时间内具有生物活性，但在空气中暴露之后，钛种植体表面形成了一层保护层，使其发生“生物老化”，生物活性将大大降低，影响了种植体周围组织细胞对种植体的反应。由于种植体无法实现快速与牙槽骨相结合，种植体表面生物相容性降低，牙槽骨的成骨细胞粘附、增殖及分化能力较弱，所以牙种植术缺少一种能在种植体植入前即时的活化种植体表面并使其保持原来较高的生物学活性的方法，即缺少一种快速、简便、安全的新型种植体表面活化技术，为此我们设计了一款新型的一种快速促进牙种植体与牙槽骨结合的牙种植体处理方法。

本

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种快速促进牙种植体与牙槽骨结合的牙种植体处理方法，以解决现有的技术缺陷和不能达到的技术要求。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种快速促进牙种植体与牙槽骨结合的牙种植体处理方法，包括以下步骤：

a.将纯钛置入低温等离子体反应器中，进行表面活化试验；

b.表面活化试验完成后，将未经低温等离子体处理的纯钛和经低温等离子体处理的纯钛进行接触角检测；

c.接触角检测完成后，进行体内实验；将低温等离子体处理的纯钛植入到大鼠股骨髓腔中，然后采用x线片、micro-ct观察低温等离子体生物活化对种植体早期骨结合的影响，为后续实验的实施提供了动物技术保障；

d.体内实验完成后，进行体外实验；培育大鼠原代成骨细胞，用显微镜观察大鼠原代成骨细胞成长形态；

e.体外实验完成后，进行反应观察试验；然后使用扫描电镜观察大鼠原代成骨细胞与低温等离子体处理的纯钛反应。

优选的，所述步骤a中，反应器设计为同轴式结构，由中空结构的阴极和阴极内中空的阳极组成，两极之间有一薄层厚度(小于1mm)的陶瓷管作为绝缘介质，实验利用高压直流电源，反应时外面的阴极接地，接地极接高压电源负极，高压电源和电极之间有一个5kω的稳流电阻器和一个100ω检测电阻，两极之间的区域为反应的有效区域，中空结构上方设有带阀门进气口，下方为出气口，实验气体从进气口通入，控制气体流量后，接通高压直流电源，在发生装置的末端，气体被击穿产生的等离子体流从一个直径为0.5mm或0.8mm的小孔被吹出。

优选的，所述步骤a中，将处理组的纯钛置入低温等离子体反应器中，先通氩气用氩离子材料表面清洁和轰击5min，然后使用ar+5％o2进行气体处理，处理功率300～400w，ar+5％o2气体流量选择范围为ar：207ml/min；o2：11ml/min；气体处理时间为10min。

优选的，所述步骤b中，等离子体处理前后接触角变化明显，未经过处理的对照组接触角基本在75°左右，属于疏水性的表面，经过等离子体活化之后，接触角下降明显，测量结果接近于8°(p<0.001)，属于亲水性表面。

优选的，所述步骤c中，拍摄牙科x线片观察可见种植体纯钛植入方向与股骨骨髓腔长轴方向一致，植体完全位于髓腔内，骨髓腔完整无侧穿，种植体上端与关节面平齐或者略低于关节面。

优选的，所述步骤d中，高倍镜下可见细胞折光性强，有细长的突起，并且有的突起相互连接在起，细胞呈短梭形或圆三角形，胞核较清晰，核浆分界明显，有1至3个核仁，细胞密度随培养时间增加明显增多，成熟的成骨细胞可见到集落状生长，细胞形态稳定，无明显老化。

优选的，所述步骤e中,从成骨细胞复合钛片后扫描电镜可以看出成骨细胞对于低温等离子体活化材料前后的反应速度改变，等离子体处理的pureti+p(纯钛)钛片表面，细胞与材料的粘附面积明显大于对照组，表现出极佳的粘附和伸展性能，细胞明显扁平，均匀贴附在材料表面，细胞最边缘呈丝状锚定在材料表面。

与现有技术相比，本发明的有益效果如下：

1.一种快速促进牙种植体与牙槽骨结合的牙种植体处理方法通过利用ar+5％o2产生低温等离子体，对种植体纯钛表面进行活化处理后，活化表面可以促进种植体早期骨结合，促进成骨细胞粘附、增殖及分化能力，增加种植体表面生物相容性，低温等离子体可作为种植体表面材料活化的新途径，通过低温等离子体的众多优点能开发一种适用于口腔种植术前的快速、简便、安全的新型种植体表面活化技术。

附图说明

图1为本发明一种快速促进牙种植体与牙槽骨结合的牙种植体处理方法等离子体处理前后样本接触角变化示意图；

图2为本发明一种快速促进牙种植体与牙槽骨结合的牙种植体处理方法x线片示意图；

图3为本发明一种快速促进牙种植体与牙槽骨结合的牙种植体处理方法micro-ct分析示意图；

图4为本发明一种快速促进牙种植体与牙槽骨结合的牙种植体处理方法成骨细胞的形态观察示意图；

图5为本发明一种快速促进牙种植体与牙槽骨结合的牙种植体处理方法成骨细胞复合钛片培养12h扫描电镜观察示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。请参阅图1-5，本发明提供一种技术方案：一种快速促进牙种植体与牙槽骨结合的牙种植体处理方法，包括以下步骤：

a.将纯钛置入低温等离子体反应器中，进行表面活化试验；

b.表面活化试验完成后，将未经低温等离子体处理的纯钛和经低温等离子体处理的纯钛进行接触角检测；

c.接触角检测完成后，进行体内实验；将低温等离子体处理的纯钛植入到大鼠股骨髓腔中，然后采用x线片、micro-ct观察低温等离子体生物活化对种植体早期骨结合的影响，为后续实验的实施提供了动物技术保障；

d.体内实验完成后，进行体外实验；培育大鼠原代成骨细胞，用显微镜观察大鼠原代成骨细胞成长形态；

e.体外实验完成后，进行反应观察试验；然后使用扫描电镜观察大鼠原代成骨细胞与低温等离子体处理的纯钛反应。

请参阅图1，所述步骤a中，反应器设计为同轴式结构，由中空结构的阴极和阴极内中空的阳极组成，两极之间有一薄层厚度(小于1mm)的陶瓷管作为绝缘介质，实验利用高压直流电源，反应时外面的阴极接地，接地极接高压电源负极，高压电源和电极之间有一个5kω的稳流电阻器和一个100ω检测电阻，两极之间的区域为反应的有效区域，中空结构上方设有带阀门进气口，下方为出气口，实验气体从进气口通入，控制气体流量后，接通高压直流电源，在发生装置的末端，气体被击穿产生的等离子体流从一个直径为0.5mm或0.8mm的小孔被吹出。

所述步骤a中，将处理组的纯钛置入低温等离子体反应器中，先通氩气用氩离子材料表面清洁和轰击5min，然后使用ar+5％o2进行气体处理，处理功率300～400w，ar+5％o2气体流量选择范围为ar：207ml/min；o2：11ml/min；气体处理时间为10min。

请参阅图1，所述步骤b中，等离子体处理前后接触角变化明显，未经过处理的对照组接触角基本在75°左右，属于疏水性的表面，经过等离子体活化之后，接触角下降明显，测量结果接近于8°(p<0.001)，属于亲水性表面。

请参阅图2和图3，所述步骤c中，拍摄牙科x线片观察可见种植体纯钛植入方向与股骨骨髓腔长轴方向一致，植体完全位于髓腔内，骨髓腔完整无侧穿，种植体上端与关节面平齐或者略低于关节面。

请参阅图4，所述步骤d中，高倍镜下可见细胞折光性强，有细长的突起，并且有的突起相互连接在起，细胞呈短梭形或圆三角形，胞核较清晰，核浆分界明显，有1至3个核仁，细胞密度随培养时间增加明显增多，成熟的成骨细胞可见到集落状生长，细胞形态稳定，无明显老化。

请参阅图5，所述步骤e中,从成骨细胞复合钛片后扫描电镜可以看出成骨细胞对于低温等离子体活化材料前后的反应速度改变，等离子体处理的pureti+p(纯钛)钛片表面，细胞与材料的粘附面积明显大于对照组，表现出极佳的粘附和伸展性能，细胞明显扁平，均匀贴附在材料表面，细胞最边缘呈丝状锚定在材料表面。

一种快速促进牙种植体与牙槽骨结合的牙种植体处理方法，将纯钛放入反应器内，先通氩气用氩离子材料对纯钛表面清洁和轰击5min，然后用ar+5％o2产生低温等离子体，对种植体纯钛表面进行活化处理后，活化表面可以促进种植体早期骨结合，促进成骨细胞粘附、增殖及分化能力，增加种植体表面生物相容性，低温等离子体可作为种植体表面材料活化的新途径。

以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点，对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。