X射线源扫描参数调节方法、装置、计算机设备及可读存储介质与流程

本发明涉及医学成像技术领域，尤其涉及一种x射线源扫描参数调节方法、装置、计算机设备及可读存储介质。

背景技术：

双能量电子计算机断层扫描(computedtomography，ct)能够利用物质对处于不同能量水平的x射线的不同吸收特性来分析物质成分，从而提高了自身对软组织的显影能力，具有非常高的临床应用价值。单源ct的快速千伏切换作为双能量ct的一种，其相对于传统的双源ct具有同时、同源、同向等优点，是性能优良的双能成像方法。

x射线源主要通过加热阴极灯丝来产生热电子，利用热电子对阳极靶盘的轰击来产生x射线。由于高压发生器的输出功率高达上百千瓦，再加上热电子只有不到1％的能量能够转化为x射线发出，余下的超过99％的能量将以热能的方式堆积在阳极靶盘上。为了避免因阳极靶盘过热而导致x射线源报废，往往通过旋转阳极靶盘来增大阳极靶盘的等效散热面积。阳极靶盘的不断旋转，能够使得自身以不同的位置均匀承受x射线源热电子的轰击，从而提高散热能力。

当单源ct内部的x射线源在进行快速千伏切换时，x射线源需要在高能量(如140kv)与低能量(如80kv)之间快速切换，由于此时管电流难以快速调节，这将导致电子束以高功率和低功率这两种不同功率状态持续轰击阳极靶盘。与此同时，阳极靶盘的不断旋转，使得阳极靶盘的不同位置承受高功率或者低功率的能量轰击。

但是，阳极靶盘在以某些速度进行转动时，阳极靶盘盘面上的一部分盘面将始终承受高能量投影的轰击，另一部分盘面将始终承受低能量投影的轰击(本申请将之称为“阳极靶盘能量拍频现象”)。如图1所示，阳极靶盘上交替出现10个始终承受高功率(ph)能量轰击的18°扇形区域以及10个始终承受低功率(pl)能量轰击的18°扇形区域。“阳极靶盘能量拍频现象”不仅将导致高低功率区域的受热形变产生差点，影响高低能时的焦点，还会降低阳极靶盘的寿命。

技术实现要素：

有鉴于此，有必要提供一种x射线源扫描参数调节方法、装置、计算机设备及可读存储介质，该x射线源扫描参数调节方法可以避免“阳极靶盘能量拍频现象”的出现，提高了阳极靶盘稳定性和寿命。

本发明提供一种x射线源扫描参数调节方法，所述方法包括：

获取x射线源扫描参数，所述x射线源扫描参数包括靶盘的旋转周期及x射线源的能量周期；

确定所述旋转周期与能量周期的比值；

若所述比值不满足预设条件，则调节所述x射线源扫描参数，以使所述比值满足所述预设条件；所述预设条件为第一预设条件或第二预设条件，所述第一预设条件为所述旋转周期与能量周期的比值不等于整数，所述第二预设条件为所述旋转周期与能量周期的比值等于半整数。

进一步地，所述若所述比值不满足预设条件，则调节所述x射线源扫描参数，以使所述比值满足所述预设条件包括：所述预设条件为第一预设条件；

若所述比值不满足第一预设条件，则调节所述x射线源扫描参数，以使所述比值满足所述第一预设条件。

进一步地，所述若所述比值不满足第一预设条件，则调节所述x射线源扫描参数，以使所述比值满足所述第一预设条件包括：

若所述比值不满足第一预设条件，则调节所述靶盘的旋转周期及/或x射线源的能量周期，以使所述比值满足所述第一预设条件。

进一步地，所述若所述比值不满足预设条件，则调节所述x射线源扫描参数，以使所述比值满足所述预设条件包括：所述预设条件为第二预设条件；

若所述比值不满足第二预设条件，则调节所述x射线源扫描参数，以使所述比值满足所述第二预设条件。

进一步地，所述若所述比值不满足第二预设条件，则调节所述x射线源扫描参数，以使所述比值满足所述第二预设条件：

若所述比值不满足第二预设条件，则调节所述靶盘的旋转周期及/或x射线源的能量周期，以使所述比值满足所述第二预设条件。

进一步地，所述方法还包括：

根据调节后的旋转周期及能量周期进行成像扫描。

进一步地，所述方法包括：

若所述比值满足预设条件，则根据当前的x射线源扫描参数进行成像扫描。

本发明还提供一种x射线源参数调节装置，所述装置包括：

获取模块，用于获取x射线源扫描参数；

确定模块，用于确定所述旋转周期与能量周期的比值关系式；

调节模块，用于在所述比值关系式不满足预设条件时，调节所述x射线源扫描参数，以使所述比值关系式满足所述预设条件。

本发明还提供一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述任一项所述方法的步骤。

本发明还提供一种一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求上述任一项所述的方法的步骤。

本发明提供的x射线源扫描参数调节方法，通过调节阳极靶盘旋转周期与x射线源能量周期，使得阳极靶盘旋转周期不为x射线源能量周期的整数倍，从而避免“阳极靶盘能量拍频现象”的出现，降低阳极靶盘的热致变形，提升阳极靶盘的寿命。进一步的，本发明提供的x射线源扫描参数调节方法，通过将阳极靶盘旋转周期调节为x射线源能量周期的半整数倍，使得阳极靶盘上的热量分布相对均匀，进一步提升了阳极靶盘的寿命。

附图说明

图1为传统ct机在进行快速千伏切换时的阳极靶盘表面的能量分布；

图2为发明一个实施方式中x射线源扫描参数调节方法的流程示意图；

图3为阳极靶盘的旋转周期与x射线源的能量周期的比值满足第一预设条件时的阳极靶盘表面的能量分布；

图4为阳极靶盘的旋转周期与x射线源的能量周期的比值满足第二预设条件时的阳极靶盘表面的能量分布；

图5为本发明一个实施方式中x射线源参数调节装置的结构框图；

图6为本发明一个实施方式中计算机设备的内部结构图。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

请参阅图2，本发明提供一种x射线源扫描参数调节方法，该方法用于调节x射线源的扫描参数(旋转周期与能量周期)，从而使得x射线源能够避免“阳极靶盘能量拍频现象”的出现，提升x射线源的运行稳定性与使用寿命。

本实施方式中，本发明提供的x射线源扫描参数调节方法应用于双能量电子计算机断层扫描(computedtomography，ct)中的x射线源参数调节，从而调节ct机的能量成像扫描方式，使得ct机在进行快速千伏切换时能够避免“阳极靶盘能量拍频现象”的出现，进而保证ct机在分析物质对不同能量水平的x射线的不同吸收特性时的成像稳定性，具有非常高的临床应用价值。

需要说明的是，本文所称的x射线源指的是能够辐射出x射线的设备；在本实施方式中，x射线源可为球管以及高压发生装置。

可以理解，在其他的实施方式中，本发明提供的x射线源扫描参数调节方法还可以应用于pet—ct等除ct之外的其他医疗器械中；当然，本发明提供的x射线源扫描参数调节方法应用于x射线衍射测量分析等科研测量设备中；只要这些设备中的x射线源能够使用本发明提供的x射线源扫描参数调节方法即可。

在传统的ct扫描技术中，单源ct的快速千伏切换所具备的同时、同源、同向等优点，使得单源ct的快速千伏切换技术成为应用广泛的的双能量扫描成像方式。但是当单源ct在进行快速千伏切换时，x射线源需要在高能量(如140kv)与低能量(如80kv)之间快速切换，并以高功率和低功率这两种不同功率状态持续轰击阳极靶盘。与此同时，阳极靶盘的不断旋转，使得阳极靶盘的不同位置承受高功率或者低功率的能量轰击。

阳极靶盘在以某些速度进行转动时，阳极靶盘盘面上的一部分盘面将始终承受高能量投影的轰击，另一部分盘面将始终承受低能量投影的轰击(也即本申请前文所称的“阳极靶盘能量拍频现象”)。

请再参阅图1，此时阳极靶盘旋转一周所需时间trot约为7700us，x射线源的能量周期tview为1100us，也即阳极靶盘旋转一周的同时，x射线源会在阳极靶盘的盘面上形成十个能量分布。内外侧两圈的能量分布图示意了在阳极靶盘旋转两周，x射线源在阳极靶盘的盘面上所形成的不同时间节点上的能量分布，x射线源在阳极靶盘第一个旋转周期trot上形成的能量分布为round1，x射线源在阳极靶盘第二个旋转周期trot上形成的能量分布为round2。

可以看到，不论是round1还是round2，阳极靶盘上的能量分布是相同的，也即阳极靶盘上会交替出现10个始终承受高功率(ph)能量轰击的18°扇形区域以及10个始终承受低功率(pl)能量轰击的18°扇形区域。

而当trot为7700us，能量周期tview为1100us时，阳极靶盘上交替出现7个始终承受高功率(ph)能量轰击的25.7°扇形区域以及7个始终承受低功率(pl)能量轰击的25.7°扇形区域。

经过大量的实验分析和理论分析，“阳极靶盘能量拍频现象”的出现是由于阳极靶盘的旋转周期trot恰好是x射线源能量周期tview的整数倍。也即虽然阳极靶盘在持续转动，但是x射线源阳极靶盘的盘面上所形成的能量分布与阳极靶盘静止时的分布相同，扫描能量以频闪的方式定格在阳极靶盘的盘面上，也即发生了前文所称的“阳极靶盘能量拍频现象”。

请再参阅图2，本发明提供的x射线源扫描参数调节方法包括：

步骤s21：获取x射线源扫描参数，所述x射线源扫描参数包括阳极靶盘的旋转周期及x射线源的能量周期。

具体地，阳极靶盘的旋转周期trot以及x射线源的能量周期tview的参数获取，既可以通过对用户的输入值进行记录得到，也可以通过对阳极靶盘以及x射线源参数的传感测量得到。其中，阳极靶盘的旋转周期trot由高压发生器决定，x射线源的能量周期tview在本实施方式中由ct机系统以及高压发生器共同决定。

考虑到传感测量对整机系统的负担，在实际的参数获取步骤中，阳极靶盘的旋转周期trot以及x射线源的能量周期tview的数值获取往往通过记录用户的输入值得到。

步骤s22：确定所述旋转周期与能量周期的比值。

具体地，利用处理器等器件计算阳极靶盘的旋转周期trot与x射线源的能量周期tview的比值α，也即α＝trot/tview。

步骤s23：若所述比值不满足预设条件，则调节所述x射线源扫描参数，以使所述比值满足所述预设条件；所述预设条件为第一预设条件或第二预设条件，所述第一预设条件为所述旋转周期与能量周期的比值不等于整数，所述第二预设条件为所述旋转周期与能量周期的比值等于半整数。

具体地，第一预设条件ξ1为阳极靶盘的旋转周期trot与x射线源的能量周期tview的比值α不等于整数，第二预设条件ξ2为阳极靶盘的旋转周期trot与x射线源的能量周期tview的比值α等于半整数。

需要说明的是，“α等于半整数”中的“半整数”即是数学含义上的半整数，其在数学上的集合表示为z+1/2(z表示整数)，例如半整数可为4又1/2、7/2等数字。

通过调节x射线源扫描参数，使得利用处理器等器件计算阳极靶盘的旋转周期trot与x射线源的能量周期tview的比值α满足第一预设条件ξ1或者第二预设条件ξ2。

请一并参阅图3，图3为阳极靶盘的旋转周期trot与x射线源的能量周期tview的比值α满足第一预设条件ξ1时的阳极靶盘表面的能量分布。

当阳极靶盘的旋转周期trot与x射线源的能量周期tview的比值α满足第一预设条件ξ1，也即α不等于整数时，x射线源扫描能量在阳极靶盘上的分布将随着阳极靶盘的不断旋转而发生变化，阳极靶盘上不会有固定区域始终承受高功率(ph)的能量轰击或者低功率(pl)的能量轰击，也即消除了“阳极靶盘能量拍频现象”。图3中示意了x射线源在阳极靶盘的三个旋转周期trot中所形成的能量分布。可以看出，在不同周期所形成的能量分布round1、round2及round3中，三个周期所形成的能量分布是不同的，也即阳极靶盘上没有固定区域会始终承受高功率(ph)的能量轰击或者低功率(pl)的能量轰击。

请一并参阅图4，图4为阳极靶盘的旋转周期trot与x射线源的能量周期tview的比值α满足第二预设条件ξ2时的阳极靶盘表面的能量分布。

阳极靶盘的旋转周期trot与x射线源的能量周期tview的比值α满足第二预设条件ξ2，也即α等于半整数时，x射线源扫描能量在阳极靶盘上的分布将随着阳极靶盘的不断旋转而发生变化，阳极靶盘上不会有固定区域始终承受高功率(ph)的能量轰击或者低功率(pl)的能量轰击，也即消除了“阳极靶盘能量拍频现象”。

进一步地，在阳极靶盘的两个旋转周期trot中，前一个旋转周期trot承载高功率(ph)能量轰击的区域，在后一个旋转周期trot中将承载低功率(pl)的能量轰击；在前一个旋转周期trot承载低功率(pl)能量轰击的区域，在后一个旋转周期trot中将承载高功率(ph)的能量轰击。也即阳极靶盘上的能量分布在宏观上将呈现不同周期之间的半阶变化，阳极靶盘上同一区域将交错承载高功率(ph)的能量轰击以及低功率(pl)的能量轰击。此时阳极靶盘上在宏观上都处于均匀受热的状态，能够避免局部区域高热状态的出现，有利于热量的散发。

本发明提供的x射线源扫描参数调节方法，利用调节x射线源的扫描参数来提高阳极靶盘上能量分布的均匀性，从而提升阳极靶盘对热量的散热能力，避免阳极靶盘局部高温的出现，进而提升整个x射线源的运行稳定性和使用寿命。

需要额外说明的是，本发明还可以通过调节x射线源的能量周期tview与阳极靶盘的旋转周期trot的比值(α的倒数)，或者通过调节若干倍的阳极靶盘的旋转周期trot与若干倍的x射线源的能量周期tview的比值(α的倍数)来使得阳极靶盘规避掉“阳极靶盘能量拍频现象”；这些变化仅是本发明步骤s23在数学计算上的简单变化，在此不作赘述。

在本发明的一个实施方式中，步骤s23包括步骤s231：

步骤s231：若所述比值不满足预设条件，则调节所述x射线源扫描参数，以使所述比值满足所述预设条件；所述预设条件为第一预设条件；若所述比值不满足第一预设条件，则调节所述x射线源扫描参数，以使所述比值满足所述第一预设条件。

具体地，当阳极靶盘的旋转周期trot与x射线源的能量周期tview的比值α满足第一预设条件ξ1时，x射线源扫描能量在阳极靶盘上的分布将随着阳极靶盘的不断旋转而发生变化，阳极靶盘上不会有固定区域始终承受高功率(ph)的能量轰击或者低功率(pl)的能量轰击，也即消除了“阳极靶盘能量拍频现象”。

此时x射线源扫描参数调节方法包括：

步骤s21：获取x射线源扫描参数，所述x射线源扫描参数包括阳极靶盘的旋转周期及x射线源的能量周期；

步骤s22：确定所述旋转周期与能量周期的比值；

步骤s231：若所述比值不满足预设条件，则调节所述x射线源扫描参数，以使所述比值满足所述预设条件；所述预设条件为第一预设条件；若所述比值不满足第一预设条件，则调节所述x射线源扫描参数，以使所述比值满足所述第一预设条件。

本实施方式中的x射线源扫描参数调节方法对x射线源的扫描参数有较大的可行域，这就减少了处理器等硬件设备在判断和计算上的运算量，x射线源扫描参数调节方法对硬件设备性能的依赖度降低，应用的前景相对提升。

进一步地，步骤s231包括步骤s2311：

步骤s2311：若所述比值不满足预设条件，则调节所述x射线源扫描参数，以使所述比值满足所述预设条件；所述预设条件为第一预设条件；若所述比值不满足第一预设条件，则调节所述阳极靶盘的旋转周期及/或x射线源的能量周期，以使所述比值满足所述第一预设条件。

具体地，通过调节阳极靶盘的旋转周期trot及/或x射线源的能量周期tview，来使得阳极靶盘的旋转周期trot与x射线源的能量周期tview的比值α满足第一预设条件ξ1。也即，既可以通过调节阳极靶盘的旋转周期trot来使得比值α满足第一预设条件ξ1，也可以通过调节x射线源的能量周期tview来使得比值α满足第一预设条件ξ1，还可以通过同时调节阳极靶盘的旋转周期trot以及x射线源的能量周期tview来使α满足第一预设条件ξ1。

考虑到阳极靶盘的旋转周期trot在调节上的反应速率较小，阳极靶盘需要以较长的时间才能稳定保持在目标旋转周期trot上，因此优选通过x射线源的能量周期tview来使得比值α满足第一预设条件ξ1。

此时x射线源扫描参数调节方法包括：

步骤s21：获取x射线源扫描参数，所述x射线源扫描参数包括阳极靶盘的旋转周期(trot)及x射线源的能量周期(tview)；

步骤s22：确定所述旋转周期与能量周期的比值；

步骤s2311：若所述比值不满足预设条件，则调节所述x射线源扫描参数，以使所述比值满足所述预设条件；所述预设条件为第一预设条件；若所述比值不满足第一预设条件，则调节所述阳极靶盘的旋转周期及/或x射线源的能量周期，以使所述比值满足所述第一预设条件。

本实施方式中的x射线源扫描参数调节方法通过调节阳极靶盘的旋转周期trot及/或x射线源的能量周期tview来改变比值α的数值，不仅调节的直接性强，误差低，而且系统调节的反应更为灵敏。

在本发明的一个实施方式中，步骤s23包括步骤s232：

步骤s232：若所述比值不满足预设条件，则调节所述x射线源扫描参数，以使所述比值满足所述预设条件；所述预设条件为第二预设条件；若所述比值不满足第二预设条件，则调节所述x射线源扫描参数，以使所述比值满足所述第二预设条件。

具体地，当阳极靶盘的旋转周期trot与x射线源的能量周期tview的比值α满足第二预设条件ξ2时，x射线源扫描能量在阳极靶盘上的分布将随着阳极靶盘的不断旋转而发生变化，阳极靶盘上不仅不会有固定区域始终承受高功率(ph)的能量轰击或者低功率(pl)的能量轰击，而且阳极靶盘上的能量分布在宏观上将呈现不同周期之间的半阶变化，也即阳极靶盘上同一区域将交错承载高功率(ph)的能量轰击以及低功率(pl)的能量轰击。此时阳极靶盘上在宏观上都处于均匀受热的状态，能够避免局部区域高热状态的出现，有利于热量的散发。也即在“阳极靶盘能量拍频现象”消除的基础上实现了能量分布的最优化。

此时x射线源扫描参数调节方法包括：

步骤s21：获取x射线源扫描参数，所述x射线源扫描参数包括阳极靶盘的旋转周期及x射线源的能量周期；

步骤s22：确定所述旋转周期与能量周期的比值；

步骤s232：若所述比值不满足预设条件，则调节所述x射线源扫描参数，以使所述比值满足所述预设条件；所述预设条件为第二预设条件；若所述比值不满足第二预设条件，则调节所述x射线源扫描参数，以使所述比值满足所述第二预设条件。

本实施方式中的x射线源扫描参数调节方法能够使得x射线源的扫描能量在阳极靶盘上具有最优的分布，阳极靶盘能够在宏观上处于均匀受热的状态，能够避免自身局部区域出现高热状态，有利于热量的散发。

进一步地，步骤s232包括步骤s2321：

步骤s2321：若所述比值不满足预设条件，则调节所述x射线源扫描参数，以使所述比值满足所述预设条件；若所述比值不满足第二预设条件，则调节所述靶盘的旋转周期及/或x射线源的能量周期，以使所述比值满足所述第二预设条件。

具体地，通过调节阳极靶盘的旋转周期trot及/或x射线源的能量周期tview，来使得阳极靶盘的旋转周期trot与x射线源的能量周期tview的比值α满足第二预设条件ξ2。也即，既可以通过调节阳极靶盘的旋转周期trot来使得比值α满足第二预设条件ξ2，也可以通过调节x射线源的能量周期tview来使得比值α满足第二预设条件ξ2，还可以通过同时调节阳极靶盘的旋转周期trot以及x射线源的能量周期tview来使α满足第二预设条件ξ2。

考虑到阳极靶盘的旋转周期trot在调节上的反应速率较小，阳极靶盘需要以较长的时间才能稳定保持在目标旋转周期trot上，因此优选通过x射线源的能量周期tview来使得比值α满足第二预设条件ξ2。

此时x射线源扫描参数调节方法包括：

步骤s21：获取x射线源扫描参数，所述x射线源扫描参数包括阳极靶盘的旋转周期及x射线源的能量周期；

步骤s22：确定所述旋转周期与能量周期的比值；

步骤s2321：若所述比值不满足预设条件，则调节所述x射线源扫描参数，以使所述比值满足所述预设条件；若所述比值不满足第二预设条件，则调节所述靶盘的旋转周期及/或x射线源的能量周期，以使所述比值满足所述第二预设条件。

本实施方式中的x射线源扫描参数调节方法通过调节阳极靶盘的旋转周期trot及/或x射线源的能量周期tview来改变比值α的数值，不仅调节的直接性强，误差低，而且系统调节的反应更为灵敏。

在本发明的一个实施方式中，所述x射线源扫描参数调节方法在步骤s23之后还包括步骤s24：

步骤s24：根据调节后的旋转周期及能量周期进行成像扫描。

本实施方式中的x射线源扫描参数调节方法包括：

步骤s21：获取x射线源扫描参数，所述x射线源扫描参数包括阳极靶盘的旋转周期及x射线源的能量周期；

步骤s22：确定所述旋转周期与能量周期的比值；

步骤s23：若所述比值不满足预设条件，则调节所述x射线源扫描参数，以使所述比值满足所述预设条件；所述预设条件为第一预设条件或第二预设条件，所述第一预设条件为所述旋转周期与能量周期的比值不等于整数，所述第二预设条件为所述旋转周期与能量周期的比值等于半整数；

步骤s24：根据调节后的旋转周期及能量周期进行成像扫描。

本实施方式提供的x射线源扫描参数调节方法在x射线源参数调节完毕后，使得x射线源能够顺利进行能量扫描，从而使得x射线源可以顺利激发出x射线，并且避免“阳极靶盘能量拍频现象”。

在本发明的一个实施方式中，所述x射线源扫描参数调节方法还包括步骤s25：

步骤s25：若所述比值满足预设条件，则根据当前的x射线源扫描参数进行成像扫描。

具体的，若当前x射线源扫描参数满足第一预设条件ξ1或者第二预设条件ξ2，那么表明此时x射线源中的阳极靶盘上的能量分布并不会出现集中现象，也即此时的x射线源已经避免了“阳极靶盘能量拍频现象”的出现，无需再次进行能量参数的调节。

应该理解的是，虽然图2的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图2中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

请一并参阅图5，本发明还提供一种x射线源参数调节装置，所述装置包括：

获取模块100，用于获取x射线源扫描参数；

确定模块200，用于计算所述旋转周期与能量周期的比值关系式；

调节模块300，用于在所述比值关系式不满足预设条件时，调节所述x射线源扫描参数，以使所述比值关系式满足所述预设条件。

关于x射线源参数调节装置的具体限定可以参见上文中对于x射线源扫描参数调节方法的限定，在此不再赘述。上述x射线源参数调节装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。

在本发明的一个实施方式中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是终端，其内部结构图可以如图6所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器、网络接口、显示屏和输入装置。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统和计算机程序。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的网络接口用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现一种x射线源扫描参数调节方法。该计算机设备的显示屏可以是液晶显示屏或者电子墨水显示屏，该计算机设备的输入装置可以是显示屏上覆盖的触摸层，也可以是计算机设备外壳上设置的按键、轨迹球或触控板，还可以是外接的键盘、触控板或鼠标等。

本领域技术人员可以理解，图6中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。

在一个实施例中，提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现以下步骤：

获取x射线源扫描参数，所述x射线源扫描参数包括靶盘的旋转周期及x射线源的能量周期；

确定所述旋转周期与能量周期的比值；

若所述比值不满足预设条件，则调节所述x射线源扫描参数，以使所述比值满足所述预设条件；所述预设条件为第一预设条件或第二预设条件，所述第一预设条件为所述旋转周期与能量周期的比值不等于整数，所述第二预设条件为所述旋转周期与能量周期的比值等于半整数。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：

所述预设条件为第一预设条件；若所述比值不满足第一预设条件，则调节所述x射线源扫描参数，以使所述比值满足所述第一预设条件。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：

若所述比值不满足第一预设条件，则调节所述靶盘的旋转周期及/或x射线源的能量周期，以使所述比值满足所述第一预设条件。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：

所述预设条件为第二预设条件；

若所述比值不满足第二预设条件，则调节所述x射线源扫描参数，以使所述比值满足所述第二预设条件。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：

若所述比值不满足第二预设条件，则调节所述靶盘的旋转周期及/或x射线源的能量周期，以使所述比值满足所述第二预设条件。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：

根据调节后的旋转周期及能量周期进行成像扫描。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：

若所述比值满足预设条件，则根据当前的x射线源扫描参数进行成像扫描。

在本发明的一个实施方式中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：

获取x射线源扫描参数，所述x射线源扫描参数包括靶盘的旋转周期及x射线源的能量周期；

确定所述旋转周期与能量周期的比值；

若所述比值不满足预设条件，则调节所述x射线源扫描参数，以使所述比值满足所述预设条件；所述预设条件为第一预设条件或第二预设条件，所述第一预设条件为所述旋转周期与能量周期的比值不等于整数，所述第二预设条件为所述旋转周期与能量周期的比值等于半整数。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：

所述预设条件为第一预设条件；若所述比值不满足第一预设条件，则调节所述x射线源扫描参数，以使所述比值满足所述第一预设条件。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：

若所述比值不满足第一预设条件，则调节所述靶盘的旋转周期及/或x射线源的能量周期，以使所述比值满足所述第一预设条件。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：

所述预设条件为第二预设条件；

若所述比值不满足第二预设条件，则调节所述x射线源扫描参数，以使所述比值满足所述第二预设条件。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：

若所述比值不满足第二预设条件，则调节所述靶盘的旋转周期及/或x射线源的能量周期，以使所述比值满足所述第二预设条件。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：

根据调节后的旋转周期及能量周期进行成像扫描。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：

若所述比值满足预设条件，则根据当前的x射线源扫描参数进行成像扫描。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和/或易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器(ram)或者外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，ram以多种形式可得，诸如静态ram(sram)、动态ram(dram)、同步dram(sdram)、双数据率sdram(ddrsdram)、增强型sdram(esdram)、同步链路(synchlink)dram(sldram)、存储器总线(rambus)直接ram(rdram)、直接存储器总线动态ram(drdram)、以及存储器总线动态ram(rdram)等。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。