技术特征：
1.一种igbt型脱毛仪控制系统，包括电源模块和控制模块，其特征在于，所述电源模块包括整流单元和变压单元，所述控制模块包括mcu单元和igbt单元，所述电源模块与控制模块连接，所述整流单元与变压单元连接，所述变压单元与mcu单元连接，所述mcu单元与igbt单元连接，所述igbt单元与变压单元连接。2.根据权利要求1所述的一种igbt型脱毛仪控制系统，其特征在于，所述整流单元包括保险丝、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、压敏电阻、热敏电阻、共模电感以及整流桥，所述保险丝的第一端连接交流电源，保险丝的第二端与第一电容的第一端、压敏电阻的第一端以及共模电感连接，第一电容的第二端与压敏电阻的第二端以及共模电感连接，共模电感还与热敏电阻的第一端、第二电容的第一端连接并与火线连接，热敏电阻的第二端与整流桥的交流输入侧的一端连接，第二电容的第二端与共模电感和整流桥的交流输入侧的另一端连接并与零线连接，整流桥的直流正极输出端与第三电容的正极端和第四电容的正极端连接，整流桥的直流负极输出端与第三电容的负极端和第四电容的负极端连接。3.根据权利要求2所述的一种igbt型脱毛仪控制系统，其特征在于，所述第三电容和第四电容均为电解电容。4.根据权利要求1所述的一种igbt型脱毛仪控制系统，其特征在于，所述变压单元包括第一变压单元和第二变压单元，所述第一变压单元与第二变压单元连接。5.根据权利要求4所述的一种igbt型脱毛仪控制系统，其特征在于，所述第一变压单元包括低压电路和稳压器，所述低压电路与稳压器连接。6.根据权利要求4所述的一种igbt型脱毛仪控制系统，其特征在于，所述第二变压单元包括直流高压电路。7.根据权利要求1所述的一种igbt型脱毛仪控制系统，其特征在于，所述mcu单元包括mcu芯片，所述igbt单元包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻、第十五电阻、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、第九电容、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第五二极管、第一变压器、第一芯片以及igbt晶体管，所述第一电阻的第一端与mcu芯片连接，所述第一芯片与第一电阻的第二端、第二电阻的第一端、第三电阻的第一端、第四电阻的第一端、第四电阻的第二端、第五电阻的第一端、第六电阻的第一端、第五电容的第一端、第六电容的第一端、第七电容的第一端、第一二极管的负极端、第二二极管的负极端以及第三二极管的负极端连接，第二电阻的第二端与第五电容的第二端、第六电容的第二端以及第三电阻的第二端连接并接地，第一二极管的正极端与第七电容的第二端连接并接地，第二二极管的正极端接电源模块，第六电阻的第二端与第七电阻的第一端连接，第七电阻的第二端与第八电阻的第一端、第十一电阻的第一端连接并接电源模块，第十一电阻的第二端与第十二电阻的第一端连接，第十二电阻的第二端与第十三电阻的第一端连接，第十三电阻的第二端与mcu芯片、第十四电阻的第一端连接，第十四电阻的第二端与第十五电阻的第一端、第十电阻的第一端、第四二极管的正极端、igbt晶体管的发射极以及第一变压器连接，igbt晶体管的栅极与第十电阻的第二端、第五电阻的第二端以及第三二极管的正极端连接，igbt晶体管的集电极与第四二极管的负极端、第九电容的第一端、第八电容的第一端、第八电阻的第二端以及第五二极管的负极端连接，第八电容的第二端与第一变压器连接，第五二极管的正极端与第九电阻的第一端、灯管
负极端以及第十五电阻的第二端连接，第九电阻的第二端与第九电容的第二端连接。
技术总结
本实用新型公开了一种IGBT型脱毛仪控制系统，包括电源模块和控制模块，所述电源模块包括整流单元和变压单元，所述控制模块包括MCU单元和IGBT单元，所述电源模块与控制模块连接，所述整流单元与变压单元连接，所述变压单元与MCU单元连接，所述MCU单元与IGBT单元连接，所述IGBT单元与变压单元连接。本实用新型将交流110～220V电源直接转化为直流高压电源，用IGBT晶体管直接控制灯管两端电压导通时间以控制调节打光能量，具有元件少、升压效率高、升压时间短等优点，且灯管导通时间控制可以做到毫秒级，能量调节更为精准，同时为了保护作用，只有MCU输出控制信号时直流高压部分才有输出。才有输出。才有输出。
技术研发人员：汪付健 鄢烈榜 罗家威
受保护的技术使用者：深圳市卓芯微科技有限公司
技术研发日：2021.07.01
技术公布日：2022/1/25