一种用于提供消毒的装置、系统及方法与流程

本公开涉及一种用于提供消毒的装置、系统和方法。

背景技术：

1、以下对背景技术的讨论旨在促进对本公开的理解。然而，应当理解的是，该讨论并不是承认或认可所提及的任何材料已在本申请的优先权日在任何司法管辖区公开、已知或为公知常识的一部分。

2、鉴于传染病的爆发，对定期和常规清洁的需求增加。特别是，定期和常规清洁对于公共或经常进入的区域的常规消毒几乎是至关重要的。人们普遍期望这种消毒能迅速有效地进行，以最大限度地减少对经营活动造成的干扰。然而，目前尚未出现能够使得人们在对场所/房间进行消毒时继续工作的“连续”清洁方案。

3、提供消毒的现有解决方案包括配备紫外线(uv)辐射发射器的设备，其作为提供消毒的装置。然而，现有的解决方案受到各种限制，例如紫外线辐射发射器的覆盖不足、紫外线无意地暴露在生物中以及紫外线发射器的热管理不足。此外，在进行消毒时，通常需要人员离开场所，以避免或尽量减少将人员暴露在有害紫外线中的情形。这样的停工时间会带来不便，并可能对生产力产生不利影响。

4、需要一种用于提供消毒的改进的设备和/或系统，而不影响操作和生产力。

技术实现思路

1、根据本公开的一个方面，提供了一种用于消毒区域的装置，所述装置包括准直器，所述准直器包括锥形部件和细长部件，所述锥形部件具有适于容纳led(发光二极管)阵列或激光二极管的形状及尺寸，并可通过安装组件安装在表面上；并且所述细长部件可操作地用于对从所述led阵列发射的光线进行反射、衍射或偏转以形成窄光束；其中所述led阵列或激光二极管包括至少一个uv-c发射器，并且其中所述细长部件包括喷嘴和涂覆有光反射材料的内表面，所述喷嘴具有开口，所述开口用于使所述窄光束从其射出。

2、在一些实施例中，所述光反射材料包括抛光铝和/或抛光的铝合金。

3、在一些实施例中，所述至少一个uv-c发射器可操作地用于发射在约270纳米至280纳米的范围内的波长，以及优选地，发射约278纳米的波长。

4、在一些实施例中，所述抛光的铝合金包含至少80％的铝，并且优选为含铝、铬和镁的铝合金。

5、在一些实施例中，所述安装组件可以包括基板。所述基板、所述准直器和所述喷嘴可以被一体成型。可以通过挤压工艺或增材制造工艺形成所述一体成型的装置。

6、在一些实施例中，所述喷嘴开口的宽度约为4毫米。

7、在一些实施例中，所述设备包括至少一个强度传感器，所述传感器被设置为检测uv-c发射的强度。

8、根据本公开的另一个方面，提供了一种用于对具有墙壁和天花板的封闭区域进行消毒的系统，所述系统包括准直器，将所述准直器安装在第一墙面上或通过安装组件将所述准直器从天花板处安装在距离所述天花板的一定高度处；所述准直器包括uv-c发射器并且可操作地用于通过喷嘴开口发射uv-c辐射的窄光束；以及多个uv-c辐射传感器，所述多个uv-c辐射传感器被安装在第二墙面上，用于检测从所述准直器发射的uv-c辐射；其中所述多个uv-c辐射传感器被设置为检测与所述第二墙壁的两个不同区域相对应的至少两种级别的uv-c辐射。

9、在一些实施例中，所述准直器是用于消毒区域的所述设备的至少一部分。

10、在一些实施例中，所述多个uv-c辐射传感器可以包括一个或多个辐射剂量计、一个或更多个uv-c电子传感器和/或一个或更多个剂量计卡。

11、在一些实施例中，所述uv-c辐射传感器被设置为检测与所述第二墙壁的三个不同区域相对应的三种级别的uv-c辐射，其中所述三种级别包括与能够消毒的uv-c辐射强度相关联的第一级别、与杂散的uv-c辐射强度相关联的第二级别，以及与无uv-c辐射强度相关联的第三级别。

12、在一些实施例中，所述系统包括反馈网络，所述反馈网络用于在所述第二级别超过预定阈值时停止所述uv-c辐射的发射。

13、在一些实施例中，准直器被定位在距离天花板100毫米至300毫米的高度范围内。已经发现，这样的高度实现了有效消毒(由空气循环提供辅助)和安全性(即，由于准直器所处的高度远高于人类的平均高度，使得生物接触到的杂散的uv-c辐射被最小化)之间的折衷。

14、在一些实施例中，包括：投影在第二墙壁(a)上的uv-c辐射的窄光束的照明宽度与喷嘴开口到uv-c辐射传感器的距离(b)的第一比率等于喷嘴宽度(x)与uv-c发射器到喷嘴开口的距离的第二比率(a/b＝x/y)。

15、根据本公开的另一个方面，提供了一种对具有墙壁和天花板的封闭区域进行消毒的方法，所述方法包括以下步骤：提供安装在距天花板预定高度的第一墙面上的准直器；所述准直器包含uv-c发射器并且可操作地用于通过喷嘴开口发射uv-c辐射的窄光束；提供安装在第二墙面上的多个uv-c辐射传感器，其用于检测从所述准直器发射的uv-c辐射；其中所述多个uv-c辐射传感器被设置为检测与所述第二墙壁上的两个不同区域相对应的至少两种级别的uv-c辐射。

16、对于本领域普通技术人员来说，通过阅读本公开的具体实施例的以下描述内容并结合附图，本公开的其他方面是显而易见的。

技术特征：

1.一种消毒装置，包括:

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述光反射材料包括抛光铝和/或抛光的铝合金。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的装置，其中所述至少一个uv-c发射器可操作地用于发射在约270纳米至280纳米的范围内的波长。

4.根据权利要求2所述的装置，其中所述抛光的铝合金包括至少80％的铝，以及优选地，所述抛光的铝合金为含铝、铬和镁的铝合金。

5.根据上述权利要求中任一所述的装置，其中所述安装组件包括基板，并且所述基板、所述准直器和所述喷嘴被一体成型。

6.根据权利要求5所述的装置，其中所述装置是通过挤压工艺或增材制造工艺成型的。

7.根据上述权利要求中任一所述的装置，其中所述喷嘴开口具有约4毫米的宽度。

8.根据上述权利要求中任一所述的装置，其中所述装置包括至少一个强度传感器，所述强度传感器被设置为检测所述uv-c辐射的强度。

9.根据上述权利要求中任一所述的装置，其中所述准直器的内表面涂覆有光催化剂。

10.一种用于对具有墙壁和天花板的封闭区域进行消毒的系统，包括

11.根据权利要求10所述的系统，其中所述准直器是根据权利要求1至9中任一所述的装置。

12.根据权利要求10或11所述的系统，其中，所述多个uv-c辐射传感器包括辐射剂量计、uv-c电子传感器、剂量计卡中的至少一种。

13.根据权利要求10所述的系统，其中，所述uv-c辐射传感器被设置成检测与所述第二墙壁上的三个不同区域相对应的三种级别的uv-c辐射，其中所述三种级别包括与能够消毒的uv-c辐射强度相关联的第一级别、与杂散的uv-c辐射强度相关联的第二级别，以及与无uv-c辐射强度相关联的第三级别。

14.根据权利要求13所述的系统，还包括至少一个服务器，所述服务器被设置为与所述准直器进行信号通信，并经由反馈网络从所述多个uv-c辐射传感器接收数据，所述至少一个服务器可操作地用于在所述第二级别超过预定阈值时发送信号以停止所述uv-c辐射的发射。

15.根据权利要求10至14中任一所述的系统，其中，所述准直器被定位在距离所述天花板100毫米至300毫米的范围内的高度处。

16.根据权利要求10至15中任一所述的系统，其中投影在所述第二墙壁(a)上的uv-c辐射的所述窄光束的照明宽度与喷嘴开口到所述uv-c辐射传感器(b)的距离的第一比率等于喷嘴宽度(x)与所述uv-c发射器到所述喷嘴开口的距离的第二比率(a/b＝x/y)。

17.根据权利要求10至16中任一所述的系统，还包括图像获取装置，所述图像获取装置被配置为获取与所述多个uv-c辐射传感器中的每一个相关联的图像。

18.一种用于对具有墙壁和天花板的封闭区域提供消毒的方法，包括以下步骤：

19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述设置所述多个uv-c辐射传感器的步骤是检测与所述第二墙壁上的三个不同区域相对应的三种级别的uv-c辐射。

20.根据权利要求16或权利要求17所述的方法，其中所述三个不同区域对应于杀菌区、杂散区和无辐射区。

技术总结
本发明涉及一种用于消毒区域的装置，所述装置包括准直器，所述准直器包括锥形部件和细长部件，所述锥形部件具有适于容纳LED(发光二极管)阵列的形状及尺寸，并可通过安装组件安装到表面上；并且所述细长部件可操作地用于对从所述LED阵列发射的光线进行反射、衍射或偏转以形成窄光束，并包括用于发射所述窄光束的开口；其中所述LED阵列包括至少一个UV‑C LED，并且其中所述细长部件包括涂覆有光反射材料的内表面。还提供了一种使用包含有所述装置的系统向具有墙壁和天花板的封闭区域提供消毒的方法，其中将所述准直器安装在第一墙面上或者从天花板处安装所述准直器，并且将多个UV‑C辐射传感器安装在第二墙面上，用于检测从所述准直器发射的UV‑C辐射。

技术研发人员：王开福
受保护的技术使用者：熥昱国际电子私人有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16