清洗装置制造方法
【专利摘要】本实用新型提出了一种清洗装置，用于对晶圆进行清洗，所述装置包括混合单元、与所述混合单元相连的第一管路、第二管路以及混合管路，其中所述混合管路还连接一喷头，所述喷头与所述晶圆正对，所述喷头与晶圆之间设有可活动的遮挡盘。在喷头与晶圆之间设置一可活动的遮挡盘，在进行喷等离子水或者氮气之前先使用遮挡盘对等离子水或氮气进行遮挡，直至混合单元将氮气和等离子水制作成高压水雾之后再移去遮挡盘，使高压水雾直接喷至晶圆的表面，进行清洗，防止等离子水或者氮气直接喷在晶圆的表面，减少静电的形成，避免对晶圆造成损伤。
【专利说明】粒大小的不同设置不同的氮气以及等离子
隱结构示意图，所述清洗装置位于清洗机台I路12、混合管路13以及喷头20，其中，所13均与所述混合单元10相连，所述喷头2030位于所述喷头20的下方，氮气由所述氮2提供，所述氮气与等离子水在所述混合单击喷头20喷出高压水雾21至晶圆30的表
进行清洗之后，晶圆30的中心位置的铝盘击穿所致。因此，清洗工艺便成为高度怀疑
装置，能够减少静电的产生，避免静电对晶:可以修改在此描述的本实用新型，而仍然:当被理解为对于本领域技术人员的广泛知
征。在下列描述中，不详细描述公知的功能细节而混乱。应当认为在任何实际实施例1的特定目标，例如按照有关系统或有关商另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和是常规工作。
(体地描述本实用新型。根据下面说明和权帚说明的是，附图均采用非常简化的形式且么明本实用新型实施例的目的。
在损伤极有可能是清洗工艺产生的静电而(1)只喷氮气至晶圆表面42)至喷等离子高压水雾。结果发现，只喷氮气时，在晶圆生静电最少的是喷由氮气和等离子水形成、位置，通常是先喷氮气，与晶圆中心位置存已，并不对本实用新型起到任何限制作用。3新型的技术方案的范围内，对本实用新型字换或修改等变动，均属未脱离本实用新型围之内。
【权利要求】
1.一种清洗装置，用于对晶圆进行清洗，其特征在于，所述装置包括混合单元、与所述混合单元相连的第一管路、第二管路以及混合管路，其中所述混合管路还连接一喷头，所述喷头与所述晶圆正对，所述喷头与晶圆之间设有可活动的遮挡盘。
2.如权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗装置还包括一固定件，所述固定件固定在所述喷头一侧，并与所述遮挡盘相连。
3.如权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述遮挡盘的尺寸大于所述喷头的尺寸。
4.如权利要求3所述的清洗装置，其特征在于，所述喷头的俯视图为圆形，所述喷头的直径范围是2cm?8cm。
5.如权利要求4所述的清洗装置，其特征在于，所述遮挡盘的俯视图为圆形，所述遮挡盘的直径范围是3cm?9cm。
6.如权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述喷头设有多个孔洞，所述孔洞按照一定规则分布在所述喷头的表面。
【文档编号】B08B3/02GK203631506SQ201320804360
【公开日】2014年6月4日 申请日期:2013年12月9日 优先权日:2013年12月9日
【发明者】彭利, 詹扬 申请人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司