专利名称：玻璃基板处理装置、玻璃基板处理系统和处理方法
技术领域：
本发明涉及对玻璃基板进行热处理的玻璃基板处理装置。
背景技术：
以往，如下述专利文献1、2所揭示的玻璃基板处理装置使用在液晶显示器(LCDLiquid Crystal Display)、等离子显示器(PDPPlasmaDisplay)和有机EL显示器等类的平板显示器(FPDFlat Panel Display)的制作中。
专利文献1日本特开2004-218984号公报专利文献2日本特开平6-66715号公报专利文献1所揭示的玻璃基板处理装置具有被隔热壁包围的加热室。此外，将已在玻璃上涂敷有特定溶液的玻璃基板收容在加热室内，进行热处理(烧成)。
在专利文献1所揭示的玻璃基板处理装置中，使用热风作为用于加热的热源。即，在专利文献1所揭示的热处理装置中，在加热室的下部和侧面具有空调部，由该空调部产生250℃左右的热风。然后，将该热风送至加热室对玻璃基板进行加热。
在专利文献1所揭示的玻璃基板处理装置中，在加热室中设置有载置基板的载置台。载置台具有多个支架。另外，在专利文献1所揭示的玻璃基板处理装置中，在加热室的与支架高度相当的位置上设置有小门。
另一方面，在专利文献2所揭示的玻璃基板处理装置中，采用被称为吊舱(gondola)的载置装置。在专利文献2所揭示的玻璃基板处理装置中，供玻璃基板出入用的门的个数为一个。吊舱(gondola)有多个支架且可在加热室内升降。
现有技术的玻璃基板处理装置被广泛应用在液晶显示器等的制造中，得到需求者的好评。
但是，现有技术的玻璃基板处理装置具有结构复杂且装置过大的问题。
即，因为现有技术的玻璃基板处理装置是如上所述的都使用热风作为热源的装置，所以玻璃基板的升温较为费时。因此，在现有技术的玻璃基板处理装置中，不得不采用并列地热处理多个基板的结构。
在专利文献1所揭示的玻璃基板处理装置中，如上所述，在加热室的内部设置着具有多层支架的载置台。而且，在各层上载置玻璃基板，采用并列地加热多个基板的结构。
另外，在专利文献1所揭示的玻璃基板处理装置中，如上所述，在加热室的正面设置有与各支架相对应的细长小门。在专利文献1所揭示的玻璃基板处理装置中，打开上述小门，使用机械手等将基板一枚枚地载置在各支架上。然后，再使用机械手等依次取出完成处理的基板。
这样，专利文献1所揭示的玻璃基板处理装置，因为在其内部设置有具备多层支架的载置台，所以整体形状较大，占地方。
专利文献2所述的玻璃基板处理装置，其整体形状比专利文献1中的更大。
发明内容
因此，本发明关注现有技术的上述问题点，目的旨在提供通过缩短玻璃基板的热处理时间来降低玻璃基板收容枚数，从而能够实现外形形状小型化的玻璃基板处理装置。
为了解决上述课题的发明，是在热处理玻璃基板的玻璃基板处理装置中，其特征在于，包括被隔热壁所覆盖的加热室、对加热室进行换气的换气装置、设置在加热室内的基板载置部件、和卤素加热器，基板载置部件能够载置玻璃基板，能够利用上述卤素加热器对玻璃基板进行加热。
在本发明的玻璃基板处理装置中，采用卤素加热器作为热源。因为卤素加热器不具有如镍铬合金线等那样的热容量大的部件，所以加热器自身的升温速度很快。另外，卤素加热器利用辐射热使被加热物升温。为此，本发明的玻璃基板处理装置，装置自身的升温较快，另外，因为热量通过辐射被直接传递到玻璃基板，所以玻璃基板的升温较快。为此，本发明的玻璃基板处理装置能够缩短每一枚基板的处理时间，在维持每一单位时间处理量不变的情况下，能够实现外形形状的小型化。
另外，优选在加热室的与玻璃基板的上方相当的部位处设置与排气装置连通的排气口。
此外，优选将卤素加热器设置在玻璃基板的上部。
本发明的玻璃基板处理装置是适用于处理已涂敷有溶液等的玻璃基板的装置。即，如上所述，在液晶显示器等的制造工序中，对已涂敷有溶液的玻璃基板进行热处理。若加热这种玻璃基板，则涂敷在基板上的特定的溶液等气化生成气体。因此，本发明设置有用于排出气体的换气装置。在本发明中，玻璃基板被卤素加热器加热。虽然由加热生成的气体会上升，但是因为在本发明的玻璃基板处理装置中，在加热室的与玻璃基板的上方相当的部位处设置有与换气装置连通的排气口，所以能够顺利地排出上升的气体。
卤素加热器也可以位于玻璃基板的下部。这时在加热室上设置与换气装置连通的排气口，优选在上述排气口的近旁设置加热器。
如上所述，在液晶显示器等中使用的玻璃基板，若加热则生成气体，若气体温度降低则已气化的气化物冷凝。若该冷凝物落到玻璃基板上就会成为不合格的原因。
虽然气体冷凝发生在气体温度变为低温的部位，但是也有可能发生在气体温度变为低温的过程中，并且凝聚物滴落到玻璃基板上的可能性高的位置是与换气装置连通的排气口的近旁。
在此，若将卤素加热器设置在玻璃基板的下部，则不能由卤素加热器加热排气口近旁。因此，若将卤素加热器设置在玻璃基板的下部，则排气口近旁的温度易于降低，气体易于冷凝。
因此，在本发明中，在与换气装置连通的排气口的部分设置加热器，以防止在该部位生成凝聚物。
在上述结构上添加热风发生装置，使之具备热风添加装置，从而可以由热风加热玻璃基板。
在本发明的玻璃基板处理装置中，因为也由热风加热玻璃基板，所以玻璃基板的处理时间变得更短。另外因为能够维持加热室内的环境温度，气化气体不易冷凝。由此能够降低由冷凝物产生的不合格率。
另外，发明人也考虑了具有多个卤素加热器，各卤素加热器可按每一卤素加热器或每一规定的卤素加热器组进行控制的结构。
在本发明的玻璃基板处理装置中，因为由每一加热器或分为规定的卤素加热器组进行卤素加热器的控制，所以能够降低玻璃基板温度的参差不齐。
基板载置部件为单层，采用只能够载置一枚玻璃基板的结构是实用的。
本发明的玻璃基板处理装置一枚枚地热处理玻璃基板。因此，装置的外形形状较小。
另外，基板载置部件也可以是输送机，这时，在加热室上设置有基板插入口和基板排出口，优选由输送机将玻璃基板从基板插入口侧向基板排出口侧搬送的结构。
在本发明的玻璃基板处理装置中，基板载置部件是输送机，具有输送能力。从而使基板的导入和排出较容易。另外，发明人也考虑到了由基板载置部件在加热室内移动玻璃基板，在期间对玻璃基板进行热处理的方案。即，可以连续地热处理玻璃基板。另外，也可以使输送机间断地动作。
发明人考虑到作为采用上述玻璃基板处理装置的生产线的例子，是由第一基板处理装置和第二基板处理装置构成的玻璃基板处理系统，上述第一基板处理装置是上述玻璃基板处理装置，第二热处理装置是能够收纳多个玻璃基板且同时对多个玻璃基板进行热处理的装置。
本发明的玻璃基板处理系统是将上述玻璃基板处理装置活用为前处理装置的系统。
在已处理的玻璃基板上大多涂敷有溶液等，但是，在涂敷的溶液等中，有在加热初期生成更大量的气体的物质。本发明是表示适合热处理这样的在加热初期生成大量气体的玻璃基板的例子的发明。
即，上述专利文献1、2所述的现有技术的玻璃基板处理装置，在加热室内的温度降低时，或接触到加热室的温度低的部位等的时候，因气化物(气体)冷凝附着在装置的各部上，冷凝物进一步滴落到玻璃基板上，而产生降低产品合格率的问题。
为此，对现有的热处理装置，必须频繁的进行打扫加热室的内外以去除附着的凝聚物的作业。
为此，发明者们在为了抑制凝聚物的生成而进行调查时，得知待处理的基板有多种，无法一概而言，有在加热初期生成更多气体的基板。
在热处理这种在加热初期生成更多气体的基板时，向如专利文献1、2所述的玻璃基板处理装置中插入基板前，将玻璃基板升温至规定的温度，预想在该升温阶段气化成分大多并没有气化。
因为上述玻璃基板处理装置能在短时间内使玻璃基板升温，若在插入专利文献1、2所述的现有技术的装置之前在上述本发明的玻璃基板处理装置中热处理基板，则在后面的装置内难以生成气体，也难以生成冷凝物。因此玻璃基板的合格率上升。
另外，现有技术的玻璃基板处理装置有升温较慢的缺点，若使用本发明的玻璃基板处理装置进行前处理，则缩短整体的处理时间，增大处理能力。即，若在插入专利文献1、2所述的现有技术的装置之前，在本发明的玻璃基板处理装置中热处理基板，则在后面的装置内的热处理时间缩短。
如上所述的玻璃基板处理系统由第一基板处理装置和第二基板处理装置构成。第一基板处理装置是本发明中的玻璃基板处理装置，第二基板处理装置是现有结构的玻璃基板处理装置。
通过本系统，现有结构的玻璃基板处理装置的缺点由第一基板处理装置弥补，发挥较高的处理能力。另外，若采用本系统热处理在加热初期生成更多气体的基板，因为在第一基板处理装置的处理中生成气体的大部分，在第二基板处理装置中抑制处理时的气体的生成，所以由冷凝物产生的不合格较少，在品质提高的同时产品的合格率也得到提高。
另外，涉及方法的发明具有如下特征，由上述玻璃基板处理装置热处理玻璃基板后，由其他的热处理装置经过比上述处理时间还长的时间对玻璃基板进行热处理。
就本发明的玻璃基板处理方法来说，是将上述玻璃基板处理装置活用为前处理装置的方法，弥补现有技术的缺点，在处理能力增大的同时品质、合格率也有所上升。
本发明的玻璃板处理装置，维持与现有技术同等的处理能力，且有能够实现装置的小型化的效果。
另外，若在热处理加热初期产生更多气体的基板时采用本发明的玻璃基板处理系统和玻璃基板处理方法，则能够实现处理品质和合格率的提高。
图1是本发明第一实施方式的玻璃基板处理装置的模式截面图。
图2是图1的玻璃基板处理装置的截面立体图。
图3是本发明第二实施方式的玻璃基板处理装置的模式截面图。
图4是图3的玻璃基板处理装置的截面立体图。
图5是在图3、4的玻璃基板处理装置中使用的卤素加热器的截面立体图。
图6是本发明第三实施方式的玻璃基板处理系统的系统结构图。
图7是本发明第四实施方式的玻璃基板处理装置的立体图。
图8是本发明第四实施方式的玻璃基板处理装置的模式截面图。
图9是内置于图7所示玻璃基板处理装置中的输送机的平面图。
符号说明1.玻璃基板处理装置 2.加热室 3.隔热壁 5.开关门 10.换气装置 11.供气部 12.排气部 17.供气扇 18.加热器 25.排气气体加热用加热器 26.排气口 30.基板载置部件 31.卤素加热器 32.玻璃基板 38.反射板 40.搬送装置 43.层积型玻璃基板处理装置 46.吊舱(gondola) 50.玻璃基板处理装置 51.加热室 53.输送机 62、63.加热台具体实施方式
以下，进一步对本发明的实施方式进行说明。
图1是本发明第一实施方式的玻璃基板处理装置的模式截面图。图2是图1的玻璃基板处理装置的截面立体图。
在图中，1表示本实施方式的玻璃基板处理装置。如图所示，玻璃基板处理装置是以加热室2为中心的装置。加热室2的六个面由利用公知的隔热材料制成的隔热壁3所覆盖。
另外，在加热室2的一个面上设置有开关门5。开关门5经由铰链6被安装在加热室2的本体上，利用未图示的气缸产生摇动，从而对加热室2的正面开口7进行开关。
在加热室2上安装有换气装置10。换气装置10被分为供气部11和排气部12。
供气部11具有供气导管15，且在供气导管15上设置有供气扇17、加热器18和过滤器20。
供气导管15连接在加热器2的下部。在本实施方式中，在供气扇17的下游侧依次设置有加热器18和过滤器20。
另一方面，排气部12具有排气导管21，且在排气导管21的末端侧设置有排气扇23。
在本实施方式中，排气导管21连接在加热室2的天井面。
加热室2是具有一定容积的部分，在其内部设置有基板载置部件30和多个卤素加热器31。
基板载置部件30是载置玻璃基板32的台，在本实施方式中为单层，能够仅载置一枚玻璃基板32。
基板载置部件30是在未图示的框体部件的上面设置有多个销35的装置，在销35上载置有玻璃基板32。
就卤素加热器31而言，其与公知的相同，在电子管内内置有细金属丝，而且，将卤素气体、氩气和氮气等的惰性气体导入到电子管内。在本实施方式中采用的卤素加热器31具有图2所示的长尺状电子管。在卤素加热器31的上面设置有未图示的反射板。此外，也可以通过利用加热室2内面的反射，而省略反射板。
在本实施方式中，卤素加热器31全都被设置在基板载置部件30的表面侧。即卤素加热器31全都位于玻璃基板32的上面。
卤素加热器31是长尺状且多为平行设置，所以整体分布在长方形的范围内。该范围比待处理玻璃基板32要大。即卤素加热器31的分布范围，无论在纵向的长度、横向的长度还是面积上都要比玻璃基板32大。
下面，按照玻璃基板的处理工序说明本实施方式的玻璃基板处理装置1的机能。
待处理玻璃基板32是制成液晶显示器的部件，在其一表面上涂敷有溶液。
此外，作为准备阶段，对设置在供气导管15上的加热器18进行预热。
卤素加热器31为灭灯(停止通电)状态。
然后，在该状态下，打开加热室2的开关门5，由未图示的机械手将玻璃基板32导入加热室2，并将其载置在基板载置部件30上。随后，关闭加热室2的开关门5，开始对玻璃基板32进行热处理。
即，对各卤素加热器31进行通电，从卤素加热器31中辐射出红外线。辐射出来的红外线直接或被设置在背面的反射板(未图示)反射，而集中地朝向玻璃基板32侧(上面侧)，照射玻璃基板32的表面。
结果，玻璃基板32被红外线升温。在此，卤素加热器的热容量比陶瓷加热器或利用电热丝的加热器的热容量要小，可以在极短的时间内达到所需的温度。因此，玻璃基板32在瞬间即可升温。
另外同时，在本实施方式中，启动设置在供气导管15上的供气扇17，向加热室2供给被加热器18升温的热风。同时，还启动设置在排气导管21上的排气扇23，对加热室2进行换气。
因为供气导管15在加热室2的下部开口且朝向上方，所以供给的热风冲击玻璃基板32的下部侧，玻璃基板32通过热风而被升温。
若玻璃基板32升温，则玻璃基板32上有气体生成，该气体与热风一起进入排气导管21，被排气扇23吸引而排到外部。
玻璃基板32达到规定的温度，再经过规定的时间后，停止供气扇17，同时，停止对卤素加热器31的通电。然后，打开开关门5，由未图示的机械手取出处理后的玻璃基板32。
因为玻璃基板32的升温时间比较快，所以，从玻璃基板32被插入至加热室2开始到将其排出为止的这段时间，比现有装置的时间要短。另外，上述玻璃基板处理装置1，因其是一枚枚地处理玻璃基板32的装置，所以外形形状较小，不占地方。
下面，说明本发明的其他实施方式(第二实施方式)。此外，因为第二实施方式的玻璃基板处理装置1｀与之前的实施方式共通的部分较多，所以，通过对共通的部分使用同样的编号，省略重复说明。
图3是本发明第二实施方式的玻璃基板处理装置的模式截面图。图4是图3的玻璃基板处理装置的截面立体图。图5是在图3、4的玻璃基板处理装置中使用的卤素加热器的截面立体图。
在上述第一实施方式的玻璃基板处理装置1中，将卤素加热器31设置在基板载置部件30的表面侧，与此相对应，在第二实施方式的玻璃基板处理装置1｀中，将卤素加热器31设置在基板载置部件30的背面侧。
另外，在加热室2与排气导管21的连接部的近旁设置有排气气体加热用加热器25。即，在加热室2的天井面设置有与排气导管21的内部连通的排气口26，在该排气口26的近旁设置有排气气体加热用加热器25。
在本实施方式中，将排气气体加热用加热器25设置在排气导管21内，但是，也可以将其设置在加热室2的天井面的排气口26的近旁。
再者，设置在加热室2上的排气口26位于后述基板载置部件30的上部侧，若将玻璃基板32载置在基板载置部件30上，则其正上方的位置就是排气口26的位置。
另外，在本实施方式中，图5所示的两根卤素加热器31为一对，在其下面设置有反射板38。再者，因作图的关系，在图3中省略两根为一组的状态。在本实施方式中，将两根卤素加热器31作为一组，为其设置反射板38，当然，也可以针对每根卤素加热器31都设置反射板。
在本实施方式中，卤素加热器31被各反射板38控制。即，如上所述，卤素加热器31以两根作为一组(一群)被安装在反射板38上，对属于各反射板38的卤素加热器31供给相同的电力。但是，能够增减每组(群)反射板38的供给电力。再者，进一步发展后，也可以是一根根分别控制卤素加热器31的结构，一根根分别控制的情况能够使玻璃基板32更加均匀的升温。
在本实施方式的玻璃基板处理装置1中，因为在排气导管21的入口部分设置有加热器25，气体由该加热器25保温。因此，在加热室2内和排气导管21的入口部分，气体成分不会冷凝。因此，在本实施方式中，冷凝物不会滴落在玻璃基板32上。
在以上说明的实施方式中，由玻璃基板处理装置1、1｀完全地对玻璃基板进行热处理，但是，也可以将玻璃基板处理装置1、1｀活用为前处理装置。
图6是本发明第三实施方式的玻璃基板处理系统的系统结构图。
图中表示的玻璃基板处理系统，由上述玻璃基板处理装置1、搬送装置40和层积型玻璃基板处理装置43构成。
在此，搬送装置40例如为公知的机械手，其用于进行玻璃基板32的移动。
玻璃基板处理装置43例如是专利文献1、2所揭示的结构，在其内部能够收纳多个玻璃基板，利用热风等同时并列地对这些玻璃基板进行加热。
更具体地说，玻璃基板处理装置43在加热室44的内部具备吊舱(gondola)46。吊舱具备多层载置支架，能够分别在各层载置玻璃基板32。另外，在吊舱的下部设置有升降装置47。
在加热室的正面设置有未图示的开关门。
就玻璃基板处理装置43而言，打开未图示的开关门，将玻璃基板32载置在吊舱的一个载置支架上，随后，使吊舱升降，令新支架与开关门的位置一致。然后，在新支架上载置其它的玻璃基板32。依次重复上述过程，分别将玻璃基板32载置在多个支架上，利用热风等同时对多个玻璃基板32进行加热。
作为玻璃基板处理装置43的变形例，发明人认为可以是设置固定支架来代替吊舱(gondola)，使开关门升降，上下层积多个开关门，依次使其开闭的结构。
下面，说明本实施方式的玻璃基板处理系统的使用方法。在本实施方式的玻璃基板处理系统中，首先，利用玻璃基板处理装置1使玻璃基板升温，直接将其取出并搬入层积型玻璃基板处理装置43中。然后，由层积型玻璃基板处理装置43充分地进行热处理。即，在层积型玻璃基板处理装置43中进行比前处理的时间还长的热处理。
具体地说，与前实施方式一样，将一面已涂敷有溶液的玻璃基板32导入玻璃基板处理装置1的加热室2，并关闭加热室2的开关门5，然后，对各卤素加热器31进行通电，从卤素加热器31辐射出红外线对玻璃基板32进行加热。
如上所述，卤素加热器31其自身的热容量较小，因其能够在极短的时间内达到所希望的温度，所以，能够在瞬间使玻璃基板32升温。
在这里进行热处理的玻璃基板32，如果是具有在加热初期生成大量气体的性质的物质，那么，若玻璃基板32升温，则从涂敷的溶液上有气体生成，但是气体的生成随着时间而减少。即，在升温初期，从溶液上生成大量气体，气体在升温初期其生成量最多，气体的生成量随着时间的流逝而降低。
另外，如在图3中表示的玻璃基板处理装置1｀，如果采用在排气导管21的入口部分设置加热器25的结构，则因为从玻璃基板32上生成的气体通过上述加热器25而被保温，所以，至少在加热室2及其近旁不会冷凝。
然后，在本实施方式中，在气体生成停止后取出玻璃基板32。
取出玻璃基板32的时刻，既可以以处理时间作为基准，也可以以玻璃基板32的表面温度或加热室2的温度作为基准。另外，也可以检测气体量，在测知其减少之后再取出玻璃基板32。
但是，有必要在热处理全部完成之前取出玻璃基板32。
取出的玻璃基板32由机械手臂34直接搬入层积型玻璃基板处理系统43。另外，因为通过取出玻璃基板32使得作为前处理装置的玻璃基板处理装置1处于空的状态，所以重新将其它玻璃基板32导入玻璃基板处理装置1中，进行前处理。
如上所述，因为玻璃基板处理装置1会在短时间内升温，所以将玻璃基板32配置在后工序的层积型玻璃基板处理装置43中，同时，在使吊舱47升降的工程中，完成随后的玻璃基板处理装置1的前处理。为此，几乎不产生空载时间。
虽然由层积型玻璃基板处理装置43继续进行玻璃基板32的热处理，但是，因为在前一阶段中玻璃基板处理装置1已经使玻璃基板32升温，所以，在玻璃基板处理装置43内没有必要再升高玻璃基板32的温度。为此，一枚玻璃基板32所需要的升温时间与以往相比有所缩短。另外，假如玻璃基板32是具有在加热初期生成更多量的气体的性质的物质，那么，因为在玻璃基板处理装置1，1｀中被加热时，生成气体几乎全部排尽，所以，在层积型玻璃基板处理装置43中进行处理时气体的生成量很少。因此，处理品的品质较高且成品率也高。
以上说明的玻璃基板处理装置1，1｀虽然是逐枚批量式处理玻璃基板32的装置，但是，也可以采用或连续进行热处理，或间歇进行热处理的结构。
图7是本发明的第四实施方式的玻璃基板处理装置的立体图。图8是本发明的第四实施方式玻璃基板处理装置的模式截面图。图9是内置在图7所示玻璃基板处理装置中的输送机的平面图。
图7中表示的玻璃基板处理装置50具有更加大型的加热室51，在加热室51内配置有输送机53。
加热室51全长较长，在其内部具有两个加热台62、63，即、加热室51具有能够水平并列设置两个玻璃基板的宽度。
在加热室51内设置有与上述一样的供气导管15和排气导管21(图8)。供气导管15和排气导管21的结构与前实施方式一样，在供气导管15上设置有供气侧过滤器20和供气扇、加热器等。另外，因作图的原因，省略供气扇等。
在排气导管21上设置有排气侧过滤器(未图示)、排气气体加热用加热器25和排气扇(未图示)。
在图8中，在加热室51上分别安装有供气导管15和排气导管21各一根，在加热室51更长的情况下推荐设置多根供气导管15和排气导管21。
另外，在本实施方式中，在加热室51的两端设置有开口60、61。一方的开口用作基板插入口60，另一方的开口用作基板排出口61。
在基板插入口60和基板排出口61上设置有未图示的气幕(aircurtain)，以防止热气外泄。另外，也可以设置开关式的门来取代气幕。
如图9所示，输送机53是一种滚轴式输送机，是多个旋转轴71并行排列的装置。然后，在各旋转轴71上分别安装有阻力施加部件75、76、77。阻力施加部件75、76、77是台阶状的圆柱体，与旋转轴71一起旋转。另外，玻璃基板32被载置在阻力施加部件75、76、77上进行移送。
如图7所示，各旋转轴71突出到加热室51之外。另外，在各旋转轴71的前端安装有链轮(sprocket)72。然后，各连轮72与链条73相接合。链条73由未图示的张紧器(tensioner)张紧悬架在链轮上，各旋转轴71利用未图示的马达同步旋转。
另外，也能够采用链条式输送机或悬架网状带的带运输机以代替滚轴式运输机。而且，也能够采用利用磁力驱动的机构。
在输送机53的上部并列设置有卤素加热器31。卤素加热器31的结构与之前第一实施方式中采用的结构一样。
卤素加热器31的配置集中在两处。即，如图8所示，在基板插入口60侧有一组卤素加热器组65，在基板排出口61侧也有一组卤素加热器组66。因此，卤素加热器组65、66的宽度与一枚玻璃基板32的宽度大致相同，由第一卤素加热器组65构成第一加热台62。另外，由第二卤素加热器组66构成第二加热台63。卤素加热器能够按组进行开闭(on/off)。另外，属于各组的卤素加热器与之前的实施方式一样，可以对每两组(每两个灯构成一组)进行温度控制。另外，使其进一步发展，也可以采用单根分别控制卤素加热器31的结构，通过单根分别控制能够使玻璃基板32更加均匀地升温。
下面，说明本实施方式的玻璃基板处理装置50的机能。
在本实施方式的玻璃基板处理装置50中，使用未图示的机械手等，将玻璃基板32的一部分载置在从基板插入口60露出的输送机53上。然后，起动输送机53，将玻璃基板32送入加热室51。
当玻璃基板32到达第一加热台62时使输送机53停止。然后，向属于第一加热台62的卤素加热器31通电，在第一加热台62升温玻璃基板32。这时，起动未图示的供气扇向加热室51内输送热风，也由热风升温玻璃基板32。
另一方面，在玻璃基板处理装置50的外部，未图示的机械手开始下面的操作。具体地说，保持其它的玻璃基板32，向基板插入口60搬送玻璃基板32。然后，将玻璃基板32运至基板插入口60的近旁，与之前的工序一样将玻璃基板32的一部分载置在从基板插入口60露出的输送机53上。然后，再度启动输送机53。结果，之前在玻璃基板处理装置50的第一加热台62上的玻璃基板32向后面的第二加热台63移动，取代其将随后搬入的玻璃基板32搬到第一加热台62上。
再者，虽然优选在输送机53的移动过程中同时熄灭所有的卤素加热器31，但是也可以在发热的状态下使输送机53动作。
然后，在第二加热台63上对之前搬入的玻璃基板32进行热处理，在第一加热台62上热处理新搬入的玻璃基板32。
然后，在玻璃基板处理装置50的外部，未图示的机械手再次开始随后的操作，向基板插入口60搬送第三玻璃基板32。然后，与之前的工序一样，将第三玻璃基板32的一部分载置在输送机53上，接着，再度起动输送机53。结果，最先搬入的玻璃基板32从基板排出口61被排出。被排出的玻璃基板32由未图示的接收装置接受，并被运往下一工序。
另外，原本在玻璃基板处理装置50的第一加热台62上的玻璃基板32向第二加热台63移动，随后搬入的玻璃基板32向第一加热台62移动。
这样，在玻璃基板处理装置50的外部，作为搬送装置的机械手不间断地动作，使得在玻璃基板处理装置50的内部以较少间歇时间对玻璃基板32进行加热。
如上所述的玻璃基板处理装置50，不仅能够提高玻璃基板处理装置50的工作效率，而且还提高了其周边机器的工作效率。
在上述实施方式中，在加热室51中设置有两个加热台，但是也可以设置更多的加热台。相反，也可以采用不设置加热台，均匀配置卤素加热器，连续运转输送机，一边移动玻璃基板一边加热的方法。
另外，在上述实施方式中，第一加热台62和第二加热台63都将卤素加热器作为热源，但是在第二加热台以后，也可以活用其他种类的加热器。当然，也可以并用卤素加热器和其他的加热器。
权利要求
1.一种玻璃基板处理装置，其用于对玻璃基板进行热处理，其特征在于，包括被隔热壁所覆盖的加热室、对加热室进行换气的换气装置、设置在加热室内的基板载置部件、和卤素加热器，该基板载置部件能够载置玻璃基板，能够利用所述卤素加热器对玻璃基板进行加热。
2.根据权利要求1所述的玻璃基板处理装置，其特征在于在加热室的与玻璃基板的上方相应的部位处设置有与换气装置连通的排气口。
3.根据权利要求1所述的玻璃基板处理装置，其特征在于卤素加热器位于玻璃基板的下部，在加热室上设置有与换气装置连通的排气口，在所述排气口的近旁设置有加热器。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的玻璃基板处理装置，其特征在于具有热风发生装置，利用热风对玻璃基板进行加热。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的玻璃基板处理装置，其特征在于具有多个卤素加热器，各卤素加热器按照每一卤素加热器或每一规定卤素加热器组而被控制。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的玻璃基板处理装置，其特征在于基板载置部件为单层，其只能够载置一枚玻璃基板。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的玻璃基板处理装置，其特征在于基板载置部件是输送机，在加热室上设置有基板插入口和基板排出口，由输送机将玻璃基板从基板插入口侧向基板排出口搬送。
8.一种玻璃基板处理系统，其特征在于由第一基板处理装置和第二基板处理装置构成，其中，所述第一基板处理装置是权利要求1至3中任一项所述的玻璃基板处理装置，第二热处理装置是能够收纳多个玻璃基板并同时对多个玻璃基板进行热处理的装置。
9.一种玻璃基板处理方法，其特征在于在利用权利要求1至3中任一项所述的玻璃基板处理装置对玻璃基板进行热处理之后，由其他的热处理装置经过比所述处理时间还长的时间对玻璃基板进行热处理。
全文摘要
本发明提供一种通过缩短玻璃基板的热处理时间来降低玻璃基板的收纳枚数从而能够实现外形的小型化的玻璃基板处理装置。玻璃基板处理装置(1)具有加热室(2)，加热室(2)被由众所周知的隔热材料制成的隔热壁(3)覆盖住6面。在加热室(2)上安装有排气导管(21)。排气导管(21)安装在加热室(2)的顶面。在加热室(2)的内部设置有基板载置部件(30)和多个卤素加热器(31)。玻璃基板(32)的加热主要由卤素加热器(31)进行。
文档编号C03B5/00GK1939853SQ200610159930
公开日2007年4月4日 申请日期2006年9月26日 优先权日2005年9月26日
发明者神田敏朗, 长野由龟雄, 芦田兼治 申请人:爱斯佩克株式会社