专利名称：：尖晶石烧结体、光透过窗以及光透过透镜的制作方法
技术领域：
：本发明涉及在直线透过率、偏振特性和散热性方面具有优良特性的尖晶石烧结体，该尖晶石烧结体能够满足电子装置的未来需求。本发明还涉及其中使用这样的烧结体的用于发光装置的光透过窗和光透过透镜。
背景技术：
：响应电子装置的快速发展，在电子装置中使用的外围部件必须具有先进特性。例如，对于用于电子装置的光透过透镜和光透过窗，为了透过高密度光信号，不仅需要高直线透过率，而且需要具有优良的偏振特性的材料。由于电子装置的功能稳定性受细微发热的影响，使用具有较高散热性的材料也很重要。过去，蓝宝石己经被公知为一种具有优异非常散热性能的光学材料。蓝宝石包括氧化铝单晶，以及具有较大强度和42W/(m，^)的非常高的热传导率。然而，蓝宝石昂贵，以及具有六角晶体结构，展现出光学各向异性。因此，如果使用蓝宝石作为偏振光光学仪器的光透过窗，由于必须相对于入射偏振光的方向来进行蓝宝石的晶轴的轴向调整，所以花费很多时间和人工进行包装，从而导致制造成本较高。石英玻璃被认为是具有优良偏振特性和直线透过率的材料。然而，石英玻璃的热传导率小到0.01W/(ml)0.9W/—且石英玻璃的散热性能不充足。尖晶石烧结体是具有优异的偏振特性的材料。由于尖晶石烧结体包括氧化铝(A1203)和氧化镁(MgO)，并且其晶体类型是立方晶体，所以它理想地没有展现出双折射并且在偏振特性方面也是优异的。在该尖晶石烧结体当中，提出其中八1203和MgO的组成比是0.53:0.470.58:0.42的材料具有优异的直线透过率(参考日本专利申请特许公开No.S59-12U58(专利文件l))。公布当形成材料粉末之后将该材料粉末在氢气氛中在1700。C1800。C下经受常压烧结达1020小时时，能够获得该组成比，其中在该材料粉末的表达式為CVnAfgO中，n是在1.1271.381的范围内。根据在上述专利文件中公布的教导，为了通过在氢气氛中进行烧结来获得具有高透过率的的尖晶石烧结体，最好使材料粉末包含的MgO的10%或以上蒸发而非完全禁止MgO的蒸发，该MgO在1400°C或更高的温度下蒸发。在上述专利文件中，还建议优选地在氢气氛中执行烧结，这是由于在空气或氮气或真空中执行烧结的任何一种情况下，透过光被散射，因此透过率低下如果在空气或氮气中执行烧结，将会把氮气引入闭孔中，这导致了孔难以消失，而如果在真空中执行烧结，那么MgO的消失变得很明显从而A1203变得过多。[专利文件1]日本专利申请特许公开No.S59-121158
发明内容本发明要解决的问题然而，如果当在氢气氛中完成烧结时，从材料粉末蒸发出10%或以上的MgO，那么氧缺陷增加，因此直线透过率、偏振特性以及热传导性将降低。并且，Al203固溶量增加，以及晶格的微观变化和应变增加。因此，光学特性和热学特性将恶化。此外，如果在高温下执行烧结达几个小时，那么在烧结体中的晶体生长成具有100/^或更大的晶粒大小。本发明要解决的问题是提供一种具有较小偏振和较高热传导率的低成本尖晶石烧结体。另一个要解决的问题是提供用于发光装置的光透过窗和光透过透镜。解决问题的手段本发明的尖晶石烧结体的特征是在白光的情况下的对比率等于或大于300，其中对比率被定义为下述比值，即通过将烧结体布置在偏振方向平行于彼此的两个偏振片之间的情况下的光透过量，除以烧结体布置在偏振方向垂直于彼此的两个偏振片之间的情况下的光透过量，所得到的比值。优选地，对比率等于或大于1000。该烧结体的组成是MgO.nAip;，其中n优选地是1.051.30，并且更优选地n是1.071.125。并且，对于lmm的厚度，该烧结体相对于具有500nm的波长的光，优选地展现出70%或以上的直线透过率，而相对于具有350nm的波长的光，优选地展现出60%或以上的直线透过率。此外，烧结体的热传导率优选地等于或大于12『/(m'^)。在用于发光装置的本发明的光透过窗和光透过透镜中，典型性地使用这样的尖晶石烧结体。同样地，在用于液晶面板和数字微镜装置的本发明的光透过窗中使用这样的尖晶石烧结体。发明效果根据本发明，提供具有较高的对比率、直线光透过率和热传导率的尖晶石烧结体。具体实施方式(尖晶石烧结体)根据本发明的尖晶石烧结体的特征一个是它相对于白光的对比率等于或大于300。比值A:B被称为偏振消光比，以及^+S被称为对比率，其中，A是在将尖晶石烧结体配置在两个具有彼此平行的偏振方向的偏振板之间的情况下的透过量，而B是在将尖晶石烧结体配置在两个具有彼此垂直的偏振方向的偏振板之间的情况下的透过量。在布置由理想光学晶体制成的两个偏振板并使得它们的偏振方向彼此平行的情况下，已经透过上游偏振板的光100%透过下游偏振板。另一个方面，在布置两个偏振板并使得它们的偏振方向彼此垂直的情况下，已经透过上游偏振板的光0%透过下游偏振板，这是由于偏振方向不受理想光学晶体的影响。然而，对于实际的晶体，透过光的偏振方向被影响，从而导致了偏振方向的崩溃，在平行布置的情况下，光透过量未达到100%，而在垂直布置的情况下，光透过量不是0%。因此，通过偏振消光比或对比率可以评估晶体的偏振特性。通过获得对比率能够测量偏振特性，通过z+s来计算对比率，其中A是在将样件放置在两个相对于光轴垂直地布置以至于偏振方向彼此平行的偏振板之间的情况下，通过CCD测量的光透过量，并且同样地，B是在其中偏振板的偏振方向彼此垂直的情况下的光透过量。对于尖晶石烧结体，由于晶体结构是立方晶体，所以偏振特性非常级理想化，没有光各向异性；然而，在实际情况中，由于晶体中的氧缺陷、晶格的变化和应变等，所以偏振特性恶化。本发明的尖晶石烧结体在白光的情况下，具有300或以上的对比率，且优选地具有1000或以上的对比率。因此，它具有类似玻璃的好偏振特性，并因此由于对于包装不需要诸如将结晶轴调节到偏振方向上的人工，所以包装成本低。本发明的尖晶石烧结体还在低成本和大量生产方面优于蓝宝石。尖晶石烧结体的组成是^^0.^/203，其中n优选地是1.051.30，且更优选地n是1.071.125。通过阻止MgO的蒸发，可以提高偏振特性，从而将n调整到1.051.30的范围内，以便可以减小八1203固溶量，从而减小微观晶格的变化和应变。在厚度为lmm和具有500nm的波长的光(可见光)的情况下，尖晶石烧结体优选地具有70%或以上的直线透过率，以及更优选地具有80%或以上的直线透过率。在厚度为lmm和具有350nm的波长的光(紫外光)的情况下，尖晶石烧结体优选地具有60%或以上的直线透过率，以及更优选地具有70%或以上的直线透过率。直线透过率是在平行于入射光的光轴的直线上的透过光的强度与入射光强度之间的比值。所以，相对于每个波长的电磁波的直线透过率越高，透过光就越强，导致由光传输通过的透镜或透过窗吸收的光能量降低。因此，能够抑制透镜或透过窗的发热。尖晶石烧结体优选地具有12『/(^《)或以上的热传导率，以及更优选地具有16『/(^/0或以上的热传导率。这样的尖晶石烧结体在热耗散方面优良，并且因此根据电子光学装置的更高密度包装和更高输出的需求，适合用作散热性和光学窗材料。本发明的尖晶石烧结体具有较高的直线透过率高和优异的偏振特性，并能够透过高密度的光学信号。因为该尖晶石烧结体由于来自光源的光导致的发热少且它的热传导率高，所以该尖晶石烧结体还在热耗散方面优良。因此，对于诸如发光二极管(LED)、激光装置、液晶投影仪、背投电视或数字微镜装置等等的发光装置，尖晶石烧结体适合作为用于这些发光装置的光透过透镜或光透过窗的材料。数字微镜装置是由TexasInstruments,Inc.开发的反射型光学装置，并且被用做数字光学处理(DLP)技术，这是用于投影仪的光学处理技术。反射型光学装置的光透过窗必须具有热耗散的高性能和具有较少光学各向异性的高光透过率。(制造尖晶石烧结体的方法)作为起始材料的尖晶石粉末的组成是Mga"力203，其中n优选地是1.051.30,并且更优选地是1.071.125。考虑到维持活性和便利烧结，纯度等于或大于99.7%，且比表面积(BET值)优选地为12m2/g，且更优选地为20m2/g。根据材料粉末成块和简易成形的观点，比表面积还优选地为70mVg或更小。优选地，不将诸如LiF或CaF的任何有机粘合剂和烧结添加剂添加到尖晶石粉末中。这是因为在成形的过程中的原料的纯度和诸如粘合剂的残留物倾向于明显地影响产品的纯度。因此，如果要添加有机粘合剂，那么混和比优选地为1%或更小，且更优选地为0.5%或更小。并且，粘合剂的种类优选地是能够展现出热分解的粘合剂，诸如丙烯酸型。从维持块密度和增加晶粒的相互接触面积以便获得足够的烧结密度的观点来说，成形密度优选地为2.0g/cmS或以上。另一个方面，从通过将在脱粘期间产生的气体以及粘附到晶粒表面的气体容易地排放到外面而去除杂质的观点来说，适合的成形密度是2.5g/cmS或更小。例如，通过在大气气氛中的常压烧结和热等静压(HIP)，能够制造本发明的尖晶石烧结体。如果在大气气氛中执行烧结，那么通过氧气分压能够防止MgO的蒸发使得Al203的固容量较少变化，从而减少晶格的微观变化和应变，这与在氢气气氛中执行烧结的情况不同。通过HIP还能够去除包含氮气的闭孔。因此，可以生成具有符合要求的直线透过率、偏振特性以及热传导性的尖晶石烧结体。例如，通过加压等等形成大约12m"g到40"^/g的尖晶石材料，并且在大气气氛中在1450°C到1650°C的温度完成常压烧结之后，在大气气氛中在"00。C到1700°C的温度在^10^^下执行HIP，从而能够制造10wmxl0mwxbnm的产品。还可以按照需要来施加保护性涂层。优选的成形密度是2.1g/cv^或以上。所以，在该方法中，可以生成包括具有30，9(V皿的平均晶粒大小的晶粒的烧结体。通过用具有1500的放大率的扫描显微电子镜(SEM)来摄影在尖晶石烧结体的断裂面上的5个任意点，并且通过计算25个直径的算术平均，来完成晶粒大小的测量，所述25个直径包括在5个点的每一个处任意选择的5个晶粒的最大的外径。在下面中，以同样的方式完成晶粒的测量。例如，利用在真空气氛中的压力烧结和HIP，也能够制造本发明的尖晶石烧结体。在高气密性的碳盒中，完成在真空气氛中的压力成形，抑制MgO的蒸发，并且能够通过降低八1203固溶量的变化来减少晶格的微观变化和应变。烧结密度还能够利用HIP来加强。因此，可以制造这样的尖晶石烧结体，在该尖晶石烧结体中，氧缺陷很少存在，以及该尖晶石烧结体具有符合要求的直线透过率、偏振特性和热传导性。通过加压等等形成大约12"J/g20/^/g的尖晶石材料，并且该尖晶石材料在真空气氛中在1350。C1550。C的温度处经受压力成形，以及在氩气气氛中在2xl(^MA下在1600°C至lj1700°C的温度处经受HIP之后，执行产品处理。如果需要，还完成涂层。所以，在该方法中，能够制造包括具有20戶80戶的平均晶粒大小的晶粒的烧结体。在上述两种方法中，如果将由具有比尖晶石烧结体更低的折射率的材料制成的涂层施加到尖晶石烧结体的表面上，则改进了光透过特性。如果在多个层中施加涂层，该多个层是由从金属氟化物和金属氧化物中选出的材料组成的两个或多个类型的层的组合，那么在涂层和尖晶石烧结体之间的粘附得到加强且环境稳定性得到改良。对于金属氟化物中，优选地能够使用MgF2、YF3、LaF3、CeF3、BaF2等等。对于金属氧化物，优选地能够使用Si02、Ti02、A1203、Y203、Ta205、Zr02等等。优选地，即使在多层组成的涂层中，也限制涂层的厚度最大不达到5，。使用诸如溅射、离子电镀、真空沉积等等的物理汽相沉积方法可以完成涂层。尤其是，如果结合地使用离子辅助和等离子区辅助，则改进了薄膜性能。(实例1)使尖晶石粉末(成分A/gO'/^/203)(n-1.051.30)加压成形以具有2.1g/cm^lj2.15《/，3的密度，并且在大气气氛中在1525。C被烧结一个小时。由此制备的烧结产品在氩气气氛中在1650。C在2xl(^M尸a下经受HIP达一小时，然后被研磨以具有厚度为lmm的板状体。为改良透过率而不施加涂层。关于对比率、直线透过率和热传导率对由此制备的样品进行测量。利用偏振显微镜(来自OlympusCorp.的BX-l)，相对于白光光源通过100倍方法来测量对比率。对于通过研磨加工以具有lmm的厚度来制备的样品的五个板中的每一个，测量任意五个点，并且对测量值进行平均。利用分光计测量直线透过率，并且相对于波长为350nm、500nm、1000nm以及4500nm的入射光，测定在lmm厚度处的直线透过率。并且，在将碳涂覆在激光光束穿过的两侧上的情况下，通过激光光解的方法来测量热传导性。表I示出了测量的结果。[表I]<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>(比较例1)除了使用尖晶石粉末(组成MgO.M/203)(n=0.951.00,1.3251.40)作为材料粉末外，可以与实例1相同的方式来制备尖晶石烧结体，并且测量它们的对比率、直线透过率以及热传导率。表格I示出了测量的结果。结果，具有300或以上的对比率的尖晶石烧结体展现出符合要求的偏振特性，并且11是在1.051.30的范围内。这些尖晶石烧结体相对于500mn波长的光具有70y。或以上的直线透过率，以及相对于350nm波长的光具有60%的直线透过率。热传导率还等于或大于12W/(m'尺)。在这些当中，关于具有1000或以上的对比率的尖晶石烧结体，n是在1.071.125范围内，相对于500nm波长的光的直线透过率是80%或以上，并且相对于350nm波长的光的直线透过率也等于或大于80%。从实用的观点来看，对比率小于300的尖晶石烧结体展现出了不符合要求的偏振特性，并且n是在0.951.00以及1.3251.40的范围内。这些尖晶石烧结体的直线透过率相对于500nm波长的光小于70%,而相对于350nm波长的光小于60。/。。并且，除了n=l的情况，热传导性小于12W/0'《)。(实例2)将在实例1中制备的板状尖晶石烧结体作为光透过窗引入到液晶面板中，并且在350nm4500nm波长范围内，对图像进行评估。(比较例2)将在比较例1中制备的板状尖晶石烧结体作为光透过窗引进到液晶面板中，并且以与实例2中相同的方式，在350nm4500nm波长范围内，对于图像进行评估。结果，在n=1.051.30的情况下，在所示出的图像中，不存在可识别的对比的不一致，也就是说，结果符合要求，近似等于石英玻璃。具体地，对于在n-1.071.125的范围内的尖晶石烧结体，图像质量非常级好，不差于石英玻璃的图像质量或优于石英玻璃的图像质量。(实例3)对于实例1的尖晶石烧结体，在以0.1//m的厚度施加由包括MgF2的低折射率材料制成的涂层以便限制反射从而改良光透过率之后，以与实例2相同的方式执行包装的评估。(比较例3)对于比较例1的尖晶石烧结体，如实例3那样以O.lpm的厚度施加由MgF2组成的低折射率材料制成的涂层以便通过限制反射来改良光透过率之后，以与实例2相同的方式来执行包装的评估。结果，在350nm4500nm的范围内的波长处，n=1.051.30的尖晶石烧结体展现出非常符合要求的图像。然而，在n=1.051.30的范围外，识别处对比的不一致，这是不能接受的结果。(实例4)将在实例1中制备的尖晶石烧结体引进caii-型包装中，作为具有120mW的输出功率的蓝色激光的光透过窗。由此，可评估该光透过窗的增益系数。增益系数指向5%或以上。(比较例4)将在比较例1中制备的尖晶石烧结体引进如实例4的can-型包装中，作为具有120mW输出功率的蓝色激光的光透过窗，评估该光透过窗的增益指数。结果，识别出尖晶石烧结体的增益系数和热传导率之间的相关性。当热传导率降到12W/(^K)以下，增益系数由于激光装置本身发热而变成4.2。/。或以下，导致了激光装置的短寿命，并且不可能被投入实际使用。当尖晶石烧结体的热传导率是在12W/(附，《)15W/(w《)范围内，则增益系数达到5.3%5.5%，这是能够实际使用的水平。在15W/(m.《)或以上的情况下，增益系数则变为5.8%或以上，并且此外改进了热辐射特性，导致可靠性提高。(实例5)将在实例1中制备的尖晶石烧结体引进can-型包装中，作为用于具有35mW输出功率的LED中的紫光的聚光器的光透过透镜，并且评估增益系数。增益系数指向15%或以上。(比较例5)将在比较例1中制备的尖晶石烧结体引进如实例5的can-型包装中，作为用于具有35mW输出功率的LED中的紫光的聚光器的光透过透镜，并且评估增益系数。结果，识别出尖晶石烧结体的增益系数和热传导率之间的相关性。当热传导率降到12W/(^《)以下，增益系数由于LED装置本身发热而变成10%或以下，导致了LED装置寿命短。因此，不可能投入实际使用。当尖晶石烧结体的热传导率位于UW/(/n.K)15W/(m'in范围内时，增益系数达到15.8%16.4%，这是能够实际使用的水平。此外，当热传导率是15W/(w.《)或以上时，增益系数变为17.3%或以上，并且进一步改进了热辐射特性。(实例6)使尖晶石粉末(组成MgO.,"/203)(n=1.051.30)经受预成形，并且因此将预成形物放入到石墨制成的容器里，并且在真空中在34MPa下在1500°C处经受压力烧结。在氩气气氛中在2><10^^下在1665°C处使用HIP，将由此制备的尖晶石烧结体处理成为多晶体。其后，将这些多晶体研磨加工成为厚度为lmm的板状体，以及测量它们的对比率、直线透过率以及热传导率。通过波长为350nm、500nm、1000nm以及4500nm的入射光来测量直线透过率。表格II示出了结果。[表II]<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>[比较例6〗除了使用尖晶石粉末(组成MgO."/2C>3)(n=0.951.00，1.3251.40)作为材料粉末外，以与实例1中相同的方式来制备尖晶石烧结体，并且测量它们的对比率、直线透过率以及热传导率。表格II示出了测定的结果。结果，具有300或以上的对比率的尖晶石烧结体展现出符合要求的偏振特性，并且n是在1.051.30的范围内。这些尖晶石烧结体具有相对于500nm波长的光的70%或以上的直线透过率，以及相对于350nm波长的光的60%或以上的直线透过率。热传导率还等于或大于12W/("")。在这些当中，具有IOOO或以上的对比率的尖晶石烧结体中，n是在1.07到1.125的范围内，并且它们展现出相对于500nm波长的80%或以上的光直线透过率，以及相对于350nm波长的70%或以上的光直线透过率。并且，它们的热传导率等于或大于17W/(m'尺)。从实用的观点来看，对比率小于300的尖晶石烧结体的偏振特性不符合要求，并且n是在0.951.00以及1.3251.40的范围内。这些尖晶石烧结体的直线透过率相对于500nm波长的光小于70。/。,以及相对于350nm波长的光小于60。/。。并且，除了n=l的情况，它们的热传导性小于12W/(m《)。(实例7)将在实例6中制备的板状尖晶石烧结体作为光透过窗引进液晶面板中，并且在350nm4500nm的波长范围内，对图像进行评估。(比较例7)将在比较例6中制备的板状尖晶石烧结体作为光透过窗引进液晶面板中，并且以与实例7相同的方式，在350nm4500nm的波长范围内，对图像进行评估。结果，在n=1.051.30的情况下，由此示出的图像未展现出可识别的对比的不一致并且被认为是符合要求的，基本上等效于石英玻璃的图像。具体地，在n处于1.071.125的范围内的尖晶石烧结体展现出的图像不差于或优于石英玻璃的图像。(实例8)对于实例6的尖晶石烧结体，在以0.1Aw的厚度施加由包括MgF2的低折射率材料制成的涂层以便限制反射从而改良光透过率之后，以与实例7相同的方式执行包装的评估。(比较例S)对于比较例6的尖晶石烧结体，在以如实例8的O.l一m的厚度施加由包括MgF2的低折射率材料制成的涂层，以与实例7相同的方式来执行包装的评估。结果，在n为1.051.30的尖晶石烧结体的情况下，在波长为350nm1000nm的范围内展现出的图像非常好。然而，在n为1.051.30的范围外，可识别出对比的不规则，并且因此判定尖晶石烧结体是不能接受的。(实例9)将在实例6中制备的尖晶石烧结体引进can-型包装中，作为具有130mW的输出功率的蓝色激光的光透过窗。由此，可评估其增益系数。增益系数指向5%或以上。(比较例9)将在比较例6中制备的尖晶石烧结体引进can-型包装中，作为具有130mW输出功率的蓝色激光的光透过窗。从而，可评估其增益系数。结果，可识别出尖晶石烧结体的增益系数和热传导率之间的相关性。当热传导率降到12W/(m，《)以下，增益系数由于激光装置本身发热而变成4.3%或以下，导致了激光装置的短寿命，并且不可能投入实际使用。当尖晶石烧结体的热传导率是在UW/(m'尺)lSW/(m'《)范围内时，增益系数达到5.5%5.7%，这是能够实际使用的水平。在热传导率是15W/(""〖)或以上的情况下，增益系数也变为6.0%或以上，并且进一步改进了热辐射特性，导致信赖性提高。(实例10)将在实例6中制备的尖晶石烧结体引进can-型包装中，作为用于具有35mW输出功率的LED中的紫光的聚光器的光透过透镜，并且评估增益系数。增益系数指向15%或以上。(比较例10)将在比较例6中制备的尖晶石烧结体引进can-型包装中，作为用于具有35mW输出功率的LED中的紫光的聚光器的光透过透镜，并且评估增益系数。结果，识别出尖晶石烧结体的增益系数和热传导率之间的相关性。当热传导率降到12W/(m，尺)以下，增益系数由于LED装置本身发热而变成10%或以下，导致了LED装置寿命短。因此，不可以投入实际使用。当尖晶石烧结体的热传导率是在12W/(附i)15W/(ml)范围内时，增益系数达到15.8%16.4%，这是能够实际使用的水平。当热传导率是15W/(m.K)或以上时，增益系数也变为17.3%或以上，并且进一步改进了热辐射特性。应该理解，在所有方面，在此公开的实施例和实例是示例性的且不是限制性的。本发明的范围意图不由上述描述而由权利要求的范围示出，包括其所有的修改和等效。本发明能够提供用于诸如发光二极管、激光装置、或液晶投影仪的发光装置的光透过窗以及光透过透镜。具有高直线透过率和优良的偏振特性的光透过窗和光透过透镜能够穿透高密度光学信号，并且在散热性方面是优异的。权利要求1.一种在白光情况下具有300或以上的对比率的尖晶石烧结体，其中，所述对比率被定义为通过将所述尖晶石烧结体布置在偏振方向彼此平行的两个偏振片之间的情况下的光透过量，除以将所述尖晶石烧结体布置在偏振方向彼此垂直的两个偏振片之间的情况下的光透过量，所得到的比值。2.根据权利要求l所述的尖晶石烧结体，所述尖晶石烧结体具有』&0."/203的组成，其中n是1.051.30。3.根据权利要求I所述的尖晶石烧结体，其中，所述对比率是IOOO或以上。4.根据权利要求1所述的尖晶石烧结体，所述烧结体的组成是MgG"z2G3，其中n是L07U25。5.根据权利要求1所述的尖晶石烧结体，其中，对于lmm的厚度，所述烧结体相对于具有500nm波长的光展现出70%或以上的直线透过率。6.根据权利要求1所述的尖晶石烧结体，其中，对于lmm的厚度，所述烧结体相对于具有350nm波长的光，展现出60%或以上的直线透过率。7.根据权利要求l所述的尖晶石烧结体，其中，所述烧结体的热传导性等于或大于12w/(wi)。8.—种用于发光装置的光透过窗，其中，所述光透过窗使用根据权利要求1所述的尖晶石烧结体。9.一种用于液晶面板的光透过窗，其中，所述光透过窗使用根据权利要求1所述的尖晶石烧结体。10.—种用于数字微镜装置的光透过窗，其中，所述光透过窗使用根据权利要求1所述的尖晶石烧结体。11.一种用于发光装置的光透过透镜，其中，所述光透过透镜使用根据权利要求1所述的尖晶石烧结体。全文摘要本发明提供一种具有较小偏振性和较高热传导性的低成本尖晶石烧结体。还提供了一种用于发光装置的有用的光透过窗和光透过透镜。为了这样的目的，本发明的尖晶石烧结体在白光下情况下具有300或以上的对比率，其中对比率被定义为通过下述方法获得的比值，即通过将尖晶石烧结体布置在两个偏振方向彼此平行的两个偏振片之间的情况下的光透过量，除以将尖晶石烧结体布置在偏振方向彼此垂直的两个偏振片之间的情况下的光透过量，从而获得该比值。文档编号C04B35/443GK101151225SQ20068001068公开日2008年3月26日申请日期2006年3月28日优先权日2005年3月30日发明者中山茂,柴田宪一郎,笹目彰,藤井明人申请人:住友电气工业株式会社