专利名称：摩擦阻尼器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种建筑物的防护装置，尤其涉及一种能对外界震动影响产生双重耗能作用的防护装置。
背景技术：
摩擦阻尼器结构简单、安装方便、价格便宜，性能不受温度影响，滞回模型为库仑型，能提供附加的刚度和阻尼，耗能能力强，是结构工程中常用的一种耗能减振装置。尤其是 Pall 于 1982 年提出来的 Pall 摩擦阻尼器(Pall-typed frictional damper, PFD)，因具有滞回性能不受支撑屈曲力限制的优点而被广泛关注。但在强震作用下，Pall型摩擦阻尼器的四连杆支撑内力会随位移的增大而增大，而支撑内力的增加也同时意味着支撑给柱的附加轴力增加。同时，震后支撑由于屈服(或者屈曲)不易拆换，修复困难。另外当阻尼器的起滑摩擦力足够大，摩擦阻尼器出现抱死的情况，不能起到耗能减震的作用，可能给建筑物造成不可估量的损失，甚至危及居民的生命安全。
实用新型内容本实用新型的技术效果克服上述缺陷，提供一种摩擦阻尼器，其采用新型材料，耗能能力强，便于安装，改进摩擦耗能器支撑易屈曲、不易拆卸的缺点，更好地满足工程应用的需要。为实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案其包括框架以及设置在框架内的摩擦阻尼器，摩擦阻尼器的四个边角分别通过形状记忆合金支撑构件与框架连接。摩擦阻尼器采用Pall摩擦阻尼器，本技术充分利用Pall摩擦阻尼器和形状记忆合金的优点提出了一种Pall摩擦阻尼器和形状记忆合金(Pall-typed frictionaldamper-shape memory alloy,PFD-SMA)支撑体系。其中形状记忆合金是具有感知和驱动能力的新型功能材料，它具有的形状记忆效应、超弹性和高阻尼特性，在其控制(主动控制、半主动控制、被动控制等)表现出其他金属材料无法比拟的优越性，且SMA材料具有良好的抗疲劳性、抗腐蚀性，故由其制作的阻尼器耗能能力强、耐久性好且性能稳定。故在普通的Pall摩擦阻尼器(由Pall和Marsh于1982年提出，该阻尼器外框是一个平行四边形，并将其用X斜撑与结构相连接)的基础上，将X斜撑部分(考虑到形状记忆合金的价格比较昂贵)用形状记忆合金代代替。当强震来临时，能量不仅被滑动摩擦所消耗，而且由于形状记忆合金的超弹性，在轴向力作用下允许有较大的塑性变形，通过这种变形可以达到吸收地震能量的目的，即使在抱死的情况下，SMA本身也会耗能，同时进一步减小了阻尼器滑动位移，一定程度上减少了建筑物的水平位移。另外，由于形状记忆合金具有特有的可恢复应变值很大 8% )，是通常金属材料难以实现的，能起到一定程度的自复位作用。由于形状记忆合金材料具有形状记忆效应，本装置在震后，还可利用形状记忆合金效应通过加热使装置复位，这是普通金属材料所不具备的，同时形状记忆合金材料具有耐腐蚀、抗疲劳的优点。、[0007]摩擦阻尼器与形状记忆合金支撑构件栓接。形状记忆合金支撑构件与框架栓接或铆接或焊接。综上可知，本实用新型阻尼器具有更好的耗能功能，有效地减少了地震对建筑物的破坏，同时减少了阻尼器的使用量，减低了建筑成本。本框架安装方便、便于拆卸，其耗能能力强，具有广泛的防震、抗震应用领域。
图I为本实用新型的阻尼器结构示意图；图2为本实用新型的阻尼器用在框架上结构示意图；
具体实施方式
本装置包括框架I以及设置在框架I内的摩擦阻尼器2，摩擦阻尼器2的四个边角分别通过形状记忆合金支撑构件3与框架I连接。摩擦阻尼器2与形状记忆合金支撑构件3栓接。形状记忆合金支撑构件3与框架I栓接。摩擦阻尼器2采用Pall摩擦阻尼器。
权利要求1.一种摩擦阻尼器，其特征在于，包括框架(I)以及设置在框架(I)内的摩擦阻尼器(2)，摩擦阻尼器(2)的四个边角分别通过形状记忆合金支撑构件(3)与框架(I)连接。
2.根据权利要求I所述的摩擦阻尼器，其特征在于，摩擦阻尼器(2)与形状记忆合金支撑构件⑶栓接。
3.根据权利要求I或2所述的摩擦阻尼器，其特征在于，形状记忆合金支撑构件(3)与框架(I)栓接或铆接或焊接。
4.根据权利要求I所述的摩擦阻尼器，其特征在于，摩擦阻尼器(2)采用Pall摩擦阻尼器。
专利摘要本实用新型涉及一种建筑物的防护装置，尤其涉及一种能对外界震动影响产生双重耗能作用的防护装置。本实用新型的摩擦阻尼器，包括框架(1)以及设置在框架(1)内的摩擦阻尼器(2)，摩擦阻尼器(2)的四个边角分别通过形状记忆合金支撑构件(3)与框架(1)连接。综上可知，本实用新型阻尼器具有更好的耗能功能，有效地减少了地震对建筑物的破坏，同时减少了阻尼器的使用量，减低了建筑成本。本框架安装方便、便于拆卸，其耗能能力强，具有广泛的防震、抗震应用领域。
文档编号E04B1/98GK202370118SQ201120523329
公开日2012年8月8日 申请日期2011年12月14日 优先权日2011年12月14日
发明者张纪刚, 彭效义, 方增光, 郑全阔 申请人:青岛理工大学