技术简介：
本实用新型针对现有硅片(100)晶向位错缺陷形态复杂（如"■"或"·"）导致检测困难的问题，通过设计斜切治具将硅片晶向从(100)转为(111)（位错形态为"▲"），提升检测效率。治具包含固定卡块、硅片挡板及调节结构，确保切割角度为54.74°，实现晶向转换与精准固定。
关键词：晶向转换,位错检测,斜切治具
专利名称：硅片晶向斜切治具的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体制造领域，特别是一种硅片晶向斜切治具。
技术背景 目前半导体器件制造对于硅单晶的最基本要求是无位错。生长过程中位错的产生是影响硅单晶生长的成品率的最主要的因素。为此需要对单晶硅中的位错分布及密度进行统计确认。对于现有的操作流程，即将晶棒待检测部位截取一枚检测样片对其进行简易的碱洗净及混酸腐蚀后再进行择优腐蚀操作，操作完成后在显微镜下观察硅片的位错缺陷并对其进行统计，而实际操作中发现(100)晶向的单晶位错缺陷形态为多种形式，常见的为“ ■”或“ · ”，而这对检验员判定及计数带来了不便之处。
实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种便于检测人员观察的多线切割装置。为解决上述技术问题，本实用新型硅片晶向斜切治具，包括固定卡块，所述固定卡块为长方形；硅片挡板，所述硅片挡板设置在所述固定卡块的的四周。所述硅片挡板两个横向邻近面的间距大于5毫米。所述固定卡块一侧的两个所述硅片挡板上安装有调节螺母及活动固定块。本实用新型是通过一个简易的治具将硅片(100)晶向转变至(111)晶向对其位错缺陷进行观察确认，该做法主要因在(111)晶向的位错缺陷形态为“▲”，便于检测人员的观察统计。
图1为本实用新型硅片晶向斜切治具结构示意图；本实用新型硅片晶向斜切治具附图中附图标记说明1-固定卡块 2_娃片挡板 3_调节螺母 4_活动固定块
具体实施方式以下结合附图对本实用新型硅片晶向斜切治具作进一步详细说明。如图1所示，本实用新型硅片晶向斜切治具，包括固定卡块I，固定卡块I为长方形；硅片挡板2，硅片挡板2设置在固定卡块I的的四周。基于斜切硅片平坦度问题，硅片挡板2两个横向邻近面的间距大于5毫米。固定卡块I一侧的两个硅片挡板2上安装有调节螺母3及活动固定块4。由现场人员利用截断机截取单晶晶棒尾部缺陷样片，要求其检测样片厚度约为2毫米 3毫米，对检测样片进行常规操作的碱洗净后置于该模具上，安装时，要求其斜角夹具与内圆机刀片角度Θ为54. 74°。放置要求(100)两对角处晶向线连线需于底座平行或垂直，放置完成后调节相应的螺母以固定硅片，现场员工按照常规的内圆截断操作流程对其进行截断处理，将截断后的样片进行择优腐蚀操作，完成后再对其截断面进行观察统计。本实用新型是通过一个简易的治具将硅片(100)晶向转变至(111)晶向对其位错缺陷进行观察确认，该做法主要因在(111)晶向的位错缺陷形态为“▲”，便于检测人员的观察统计。以上已对本实用新型创造的较佳实施例进行了具体说明，但本实用新型创造并不限于所述实施例， 熟悉本领域的技术人员在不违背本实用新型创造精神的前提下还可作出种种的等同的变型或替换，这些等同的变型或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。
权利要求1.硅片晶向斜切治具，其特征在于，包括固定卡块，所述固定卡块为长方形；硅片挡板，所述硅片挡板设置在所述固定卡块的的四周。
2.根据权利要求1所述的硅片晶向斜切治具，其特征在于，所述硅片挡板两个横向邻近面的间距大于5毫米。
3.根据权利要求1所述的硅片晶向斜切治具，其特征在于，所述固定卡块一侧的两个所述硅片挡板上安装有调节螺母及活动固定块。
专利摘要本实用新型硅片晶向斜切治具，包括固定卡块，所述固定卡块为长方形；硅片挡板，所述硅片挡板设置在所述固定卡块的四周。所述硅片挡板两个横向邻近面的间距大于5毫米。所述固定卡块一侧的两个所述硅片挡板上安装有调节螺母及活动固定块。本实用新型是通过一个简易的治具将硅片(100)晶向转变至(111)晶向对其位错缺陷进行观察确认，该做法主要因在(111)晶向的位错缺陷形态为“▲”，便于检测人员的观察统计。
文档编号B28D7/04GK202862430SQ201220375508
公开日2013年4月10日 申请日期2012年7月30日 优先权日2012年7月30日
发明者宋玮, 贺贤汉, 肖尚青, 包胜娟 申请人:上海申和热磁电子有限公司