本发明属于直拉单晶设备技术领域,尤其是涉及一种对金刚石进行开刃的电镀线及其制备方法。
背景技术:
目前金刚石电镀后成品效果如图1,在金刚石预镀后整体再进行一层一定厚度的电镀层进行包裹,在切割过程中由于金刚石初期表面有一定厚度的电镀层包裹,在切割硅片中无法直接发挥出切割能力,需在切割一定量的硅后才能逐渐露出金刚石颗粒参与切割,因此在新线网切割时、硅片入刀位置会由于钢线切割能力未释放出来导致切割能力不足滋生出的参数不良。
技术实现要素:
鉴于上述问题,本发明要解决的问题是提供一种对金刚石进行开刃的电镀线及其制备方法,尤其适合单晶硅切割机使用,对金刚线上的金刚石颗粒进行开刃,提高金刚线的切割能力。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:一种对金刚石进行开刃的电镀线,包括金刚线本体和电镀层,电镀层设于金刚线本体上,金刚线本体包括线本体和金刚石颗粒,金刚石颗粒设于线本体上,金刚石颗粒顶部不设有电镀层。
进一步的,线本体及金刚石颗粒周侧设有电镀层。
进一步的,电镀层为镍层。
一种对金刚石进行开刃的电镀线的制备方法,包括以下步骤:
s1:对金刚石线进行电镀;
s2:对电镀后的金刚线进行开刃。
进一步的,步骤s1中的电镀为电镀镍。
进一步的,步骤s2中的开刃为对电镀后的金刚石颗粒顶部的镀层采用打磨工具进行打磨,将金刚石颗粒的顶部镀层去除。
进一步的,打磨工具为砂轮。
进一步的,打磨方式为对金刚石颗粒顶部进行摩擦。
进一步的,打磨方式为对金刚石颗粒顶部进行进击试压。
进一步的,金刚石颗粒表面去除厚度为0.3-0.7μm。
本发明具有的优点和积极效果是:由于采用上述技术方案,使得金刚线结构简单,制作方便,对金刚线上的金刚石颗粒进行修磨开刃,提高金刚线的切割能力,改善切割硅片表面质量。
附图说明
图1是现有金刚石电镀后成品效果图;
图2是本发明的一实施例的金刚石颗粒顶部开刃的结构示意图;
图3是现有的金刚石颗粒顶部未开刃的结构示意图。
图中:
1、电镀层2、线本体3、金刚石颗粒
4、金刚石颗粒顶部开刃处
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步的说明。
图2示出了本发明的一实施例的结构,具体示出了本实施例的结构,本实施例涉及一种对金刚石进行开刃的电镀线及其制备方法,用于单晶硅棒切割机使用,用于对单晶硅棒进行切割,该电镀后的金刚线上的金刚石颗粒在电镀后进行修磨开刃,提高金刚线的切割能力,改善切割硅片表面质量。
上述的对金刚石进行开刃的电镀线,如图1-3所示,包括金刚线本体和电镀层1,金刚线本体用于对单晶硅棒进行切割,电镀层1用于对金刚线本体进行保护,电镀层1设于金刚线本体上,即电镀层1采用电镀方式包裹金刚线本体,将金刚线本体进行包裹,金刚线本体包括线本体2和金刚石颗粒3,线本体2便于金刚石颗粒3安装在线本体2上,金刚石颗粒3设于线本体2上,金刚石颗粒3用于对单晶硅棒进行切割,且金刚石颗粒3顶部不设有电镀层1,提高金刚石颗粒的切割能力,改善切割硅片表面质量,使得金刚线在初期对单晶硅棒进行切割时,金刚石颗粒3能够对单晶硅棒进行切割,不需通过切割一段时间后将金刚石颗粒3的顶部的电镀层1摩擦掉才对单晶硅棒进行切割,提高了金刚线的切割能力。
具体地,金刚石砂在强力搅拌下剧烈运动,与线本体2碰撞并在电场作用下镀到线本体2上,制作出切割能力强的金刚线,线本体2为圆柱状结构,便于对单晶硅棒进行切割,金刚石砂为堆积的金刚石颗粒3,便于金刚石颗粒3镀到线本体2上,金刚石颗粒3镀到线本体2上后,对线本体2进行电镀,将线本体2和金刚石颗粒3电镀上一层电镀层1,将线本体2和金刚石颗粒3包裹在电镀层1里面,对线本体2和金刚石颗粒3进行保护,减少金刚线在对单晶硅棒切割的过程中金刚石颗粒3的脱落,提高金刚线的使用寿命,为了提高金刚线的初期的切割能力,对金刚石颗粒3的顶部进行修磨开刃,提高金刚石颗粒初始切割能力,便于金刚石颗粒后期切割过程中的自锐性。也就是,在线本体2及金刚石颗粒3的周侧均包裹有电镀层1,只有金刚石颗粒3的顶部没有电镀层1,便于金刚石颗粒3对单晶硅棒进行切割,提高单晶硅棒的切割效率。
上述的电镀层1为镍层,对线本体2和金刚石颗粒3进行保护,镍层耐高温,不易氧化,便于对线本体和金刚石颗粒进行保护。
一种对金刚石进行开刃的电镀线的制备方法,具体包括以下步骤:
s1:对金刚石线进行电镀,金刚石砂在强力搅拌下剧烈运动,与线本体2碰撞并在电场作用下镀到线本体2上,制作成金刚线,这里,金刚石砂为多个金刚石颗粒3堆积,金刚线制备完成后,对金刚线进行电镀,也就是,对线本体2和金刚石颗粒3进行电镀,将线本体2和金刚石颗粒3包裹在电镀层1里面,这里,对线本体2和金刚石颗粒3电镀一层金属镍,即电镀层1为镍层,将线本体2和金刚石颗粒3包裹在金属镍的镀层中;
s2:对电镀后的金刚线进行开刃:开刃的过程为,采用打磨工具对电镀后的金刚石颗粒3顶部的电镀层1进行打磨,将金刚石颗粒3的顶部电镀层1去除,使得金刚石颗粒3的顶部裸露出来,形成金刚石颗粒顶部开刃处4,便于金刚石颗粒3对单晶硅棒进行切割,这里打磨工具为砂轮,该砂轮为具有一定粗糙度和硬度的砂轮,砂轮的硬度和粗糙度根据镀镍层的厚度和硬度进行选择,镀镍层越软,选择硬度和粗糙度较小的砂轮,镀镍层越硬,选择硬度和粗糙度较大的砂轮。应用砂轮对金刚石颗粒的顶部表面进行摩擦或者一定压力的进击试压,将金刚石颗粒3顶部的镀镍层去除,使得金刚石颗粒3的顶部裸露出来,形成金刚石颗粒顶部开刃处4,便于金刚石颗粒3在切割初期对单晶硅棒进行切割。这里,金刚石颗粒3表面去除厚度为0.3-0.7μm,优选的,金刚石颗粒3顶部表面去除厚度为0.5μm。
本发明具有的优点和积极效果是:由于采用上述技术方案,使得金刚线结构简单,制作方便,对金刚线上的金刚石颗粒进行修磨开刃,提高金刚线的切割能力,改善切割硅片表面质量。
以上对本发明的一个实施例进行了详细说明,但所述内容仅为本发明的较佳实施例,不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等,均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。