一种TAIKO取环装置及取环方法与流程

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种taiko取环装置及取环方法。

背景技术：

12寸晶圆通常是采用taiko型的减薄方式，taiko减薄可以为晶圆提供支撑力，减少晶圆的翘曲；环切和去环作为taiko晶圆工艺中重要步骤之一，主要作用是保持晶圆边缘完整性，便于进行切割和封装；环切方式一般有两种：刀片切割和激光切割；取环一般采用刀片插入，通过向上抬取和向下掉落的方式进行取环。

然后在薄片以及超薄片取环时，取环动作容易对晶圆造成不稳定，从而造成薄片或超薄片裂纹。

技术实现要素：

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种taiko取环装置及取环方法，用于解决现有技术中在进行薄片或超薄片取环时，降低取环对晶圆造成的损伤问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种taiko取环装置，该装置至少包括：取环工作台，环绕在所述取环工作台外围的垫圈；所述垫圈的内外圈设有穿通其上下表面的真空孔；位于所述垫圈上的pin环；用于固定晶圆的铁环，由铁环以及膜承载的晶圆；所述铁环置于膜上；用于对中晶圆的手臂；用于取环的夹爪

优选地，所述取环工作台用于承载晶圆。

优选地，所述取环工作台的横截面为圆形。

优选地，所述垫圈为圆环型，在其径向每相隔45℃设有一排所述真空孔，并且每排设有5个真空孔。

本发明还提供一种利用taiko取环装置的取环方法，该方法至少包括以下步骤：

步骤一、提供所述taiko取环装置，将由铁环以及膜进行承载的晶圆置于所述取环工作台上；利用所述手臂将所述晶圆进行对中；

步骤二、对所述垫圈进行抽真空，保证晶圆位置固定，将所述垫圈升起；pin环接触所述晶圆外圈的taiko环使所述taiko环膜进行分离；分离后释放真空；

步骤三、将所述垫圈下降，利用夹爪对所述taiko环进行夹取，将所述taiko环取走。

优选地，步骤一中的所述手臂通过对所述taiko环进行对中使晶圆位置固定。

优选地，步骤二中真空持续时间为2～3s。

优选地，步骤二中通过程式设置并利用电机驱动所述垫圈使其升起3-5um。

优选地，步骤三中将所述垫圈5-10μm。

优选地，步骤三中利用夹爪进入所述工作台与所述膜交界处进行旋转140度后，夹取所述taiko环。

如上所述，本发明的增加taiko取环稳定性的方法，具有以下有益效果：本发明在taiko减薄的晶圆进行环切后的去环工艺时，增加电机驱动所述pin环，根据产品种类以及厚度在晶圆进行taiko取环时升降不同距离将taiko环与膜分离；同时环内侧增加真空孔，使taiko环与膜进一步分离，根据不同产品控制吸真空时间；达到膜环分离的目的，增加取环稳定性。

附图说明

图1显示为本发明的taiko取环装置对中示意图；

图2显示为本发明中取环工作台与膜分离的结构示意图；

图3显示为本发明中夹爪夹取取环的结构示意图；

图4显示为本发明中取环工作台与pin环之间的位置关系示意图；

图5显示为本发明taiko取环装置中手臂的位置示意图；

图6显示为本发明中夹爪的结构示意图。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图1至图4。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

本发明提供一种taiko取环装置，该装置至少包括：取环工作台，环绕在所述取环工作台外围的垫圈；所述垫圈的内外圈设有穿通其上下表面的真空孔；位于所述垫圈上的pin环；用于固定晶圆的铁环，由铁环以及膜承载的晶圆；所述铁环置于膜上；用于对中晶圆的手臂；用于取环的夹爪

如图1、图2和图3所示，图1显示为本发明的taiko取环装置结构示意图。图2显示为本发明中取环工作台与膜分离的结构示意图。图3显示为本发明中夹爪取环的结构示意图。

该taiko取环装置在本实施例中包括取环工作台01，环绕在所述取环工作台外围的垫圈02；所述垫圈02内外圈设有穿通其上下表面的真空孔06；位于所述垫圈上的pin环002；用于固定晶圆05的铁环(fram)，由铁环fram以及膜承载的晶圆05；所述铁环置于膜04上；用于对中晶圆的手臂001；用于取环的夹爪07。图5显示为本发明taiko取环装置中手臂的位置示意图；图6显示为本发明中夹爪的结构示意图。

本发明进一步地，本实施例的所述取环工作台用于承载晶圆。如图2所示，所述晶圆05置于所述取环工作台01上。

本发明进一步地，本实施例的所述取环工作台的横截面为圆形。如图4所示，图4显示为本发明中取环工作台与pin环之间的位置关系示意图。由此可知，本实施例的所述取环工作台01的横截面为圆形。本发明进一步地，如图4所示，本实施例的所述垫圈为圆环型，在其径向每相隔45℃设有一排所述真空孔06，并且每排设有5个真空孔。

本发明还提供利用所述taiko取环装置的取环方法，该方法至少包括以下步骤：

步骤一、提供所述taiko取环装置，将由铁环以及膜承载的晶圆置于所述取环工作台上；利用所述手臂将所述晶圆进行对中；此时所述垫圈真空状态未开启。

本发明进一步地，本实施例的步骤一中的所述手臂03置于所述垫圈02内侧与所述取环工作台上的晶圆对接处。

步骤二、对所述垫圈进行抽真空，保证晶圆位置固定，将所述垫圈升起；pin环接触所述晶圆外圈的taiko环使所述taiko环膜进行分离；分离后释放真空。如图2所示，对中结束后工作台以及通过所述垫圈的真空孔从所述垫圈下表面抽真空将所述垫圈升起使所述取takio环与膜进行分离；；

本发明进一步地，本实施例的步骤二中真空持续时间为2～3s。

本发明进一步地，本实施例的步骤二中通过程式设置并利用电机驱动所述垫圈使其升起。也就是说，所述垫圈可通过程式(recipe)对其升降距离和速度进行设定。在垫圈内的真空孔，可通过recipe对真空时间进行设定。

步骤三、如图3所示，将所述垫圈下降，利用夹爪夹取所述takio环，将taiko环取走。

本发明进一步地，本实施例的步骤三中将所述垫圈下降5-10μm。

本发明进一步地，本实施例的步骤三中利用夹爪进入所述工作台与所述膜交界处进行旋转140度后，夹取所述手臂。

本发明针对12寸taiko晶圆进行薄片(100um以上)以及超薄片(100um已下)取环的工艺。

综上所述，本发明在taiko减薄的wafer进行环切后的去环工艺时，增加带有pin环的气动式垫圈，根据产品种类以及厚度在晶圆进行taiko取环时升降不同距离将taiko环与膜分离；同时环内侧增加真空孔，使taiko环与膜进一步分离，根据不同产品控制吸真空时间；达到膜环分离的目的，增加取环稳定性。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。