本技术涉及立式搅拌设备,更具体地说,本技术涉及一种立式智能振动搅拌装置。
背景技术:
1、在混凝土搅拌过程中,若在显微镜下会发现有10~30%的水泥颗粒粘聚成微小的水泥团,即微观上并未达到均匀,由于水泥的水化作用只在水泥颗粒的表面进行,如果水泥颗粒聚团,则水化作用的面积减小,使混凝土具有强度的水化生成物减少,这种团聚现象不仅浪费了水泥,而且影响着混凝土的和易性和强度的提高,并且现有技术中的立式搅拌装置常常会存在倾倒物料式不彻底的问题,造成物料的浪费和沉积,给清理筒壁也造成了极大不便。
技术实现思路
1、为了克服现有技术的不足,本实用新型提供了一种立式智能振动搅拌装置,具有提高混合料质量,避免搅拌不均匀的优点。
2、为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种立式智能振动搅拌装置,包括筒盖、支撑平台,所述支撑平台的底端固定安装有支撑柱,所述支撑柱靠近支撑平台的一侧固定安装有置物台,所述支撑平台的顶端固定安装有筒外壁,所述筒外壁内腔的底端固定安装有减震弹簧,所述减震弹簧的顶端固定安装有筒内壁,所述支撑平台的底端固定安装有电机,所述电机的输出轴固定套装有搅拌轴,所述搅拌轴的表面固定套装有搅拌叶片和下叶片,所述筒内壁的底端固定安装有出料阀门,所述出料阀门的底端固定安装有出料口,所述支撑平台的顶端固定安装有激振器,所述筒内壁的底端固定安装有称重感应器。
3、作为本实用新型的一种优选技术方案,所述筒外壁的底端固定安装有风机一和风机二,所述风机一和风机二的输出端分别固定安装有制冷半导体一和制冷半导体二。
4、作为本实用新型的一种优选技术方案,所述激振器的输出端与筒内壁的底端固定连接,所述称重感应器的底端与支撑平台的顶端固定连接。
5、作为本实用新型的一种优选技术方案,所述搅拌叶片位于下叶片的上方,所述下叶片的底端与筒内壁内腔的底端贴合,所述出料口的外表面与置物台固定连接。
6、作为本实用新型的一种优选技术方案,所述减震弹簧共有四个,四个所述减震弹簧均固定安装在筒外壁内腔的底端,所述筒外壁通过减震弹簧与筒内壁连接。
7、作为本实用新型的一种优选技术方案,所述筒内壁的顶端开设有内壁出气孔,所述制冷半导体一和制冷半导体二位于筒外壁和筒内壁之间。
8、与现有技术相比,本实用新型的有益效果如下:
9、1、本实用新型通过控制激振器对筒内壁进行振动,可中频或高频对物料进行微观程度的搅拌,从而辅助搅拌叶片和下叶片对物料的搅拌,增强混凝土分子的团距离,提高搅拌质量,并且本装置通过搅拌叶片和下叶片解决了立式搅拌不均匀的问题,并且能够高效的倾倒物料,防止物料沉积在筒内壁内腔的底端,有效避免了物料的浪费。
10、本实用新型通过制冷半导体一和制冷半导体二将风机一和风机二产生的风力变成冷风,从而通内壁出气孔吹至筒内壁的内腔,从而对筒内壁内腔的物料进行降温,避免混凝土因过热出现假凝现象,降低搅拌效率的情况出现,并且可避免筒内壁产生热应力,使结构遭到破坏的情况出现。
1.一种立式智能振动搅拌装置,包括筒盖(1)、支撑平台(2),其特征在于:所述支撑平台(2)的底端固定安装有支撑柱(3),所述支撑柱(3)靠近支撑平台(2)的一侧固定安装有置物台(4),所述支撑平台(2)的顶端固定安装有筒外壁(5),所述筒外壁(5)内腔的底端固定安装有减震弹簧(17),所述减震弹簧(17)的顶端固定安装有筒内壁(6),所述支撑平台(2)的底端固定安装有电机(12),所述电机(12)的输出轴固定套装有搅拌轴(9),所述搅拌轴(9)的表面固定套装有搅拌叶片(7)和下叶片(8),所述筒内壁(6)的底端固定安装有出料阀门(10),所述出料阀门(10)的底端固定安装有出料口(11),所述支撑平台(2)的顶端固定安装有激振器(19),所述筒内壁(6)的底端固定安装有称重感应器(18)。
2.根据权利要求1所述的一种立式智能振动搅拌装置,其特征在于:所述筒外壁(5)的底端固定安装有风机一(13)和风机二(14),所述风机一(13)和风机二(14)的输出端分别固定安装有制冷半导体一(15)和制冷半导体二(16)。
3.根据权利要求1所述的一种立式智能振动搅拌装置,其特征在于:所述激振器(19)的输出端与筒内壁(6)的底端固定连接,所述称重感应器(18)的底端与支撑平台(2)的顶端固定连接。
4.根据权利要求1所述的一种立式智能振动搅拌装置,其特征在于:所述搅拌叶片(7)位于下叶片(8)的上方,所述下叶片(8)的底端与筒内壁(6)内腔的底端贴合,所述出料口(11)的外表面与置物台(4)固定连接。
5.根据权利要求1所述的一种立式智能振动搅拌装置,其特征在于:所述减震弹簧(17)共有四个,四个所述减震弹簧(17)均固定安装在筒外壁(5)内腔的底端,所述筒外壁(5)通过减震弹簧(17)与筒内壁(6)连接。
6.根据权利要求2所述的一种立式智能振动搅拌装置,其特征在于:所述筒内壁(6)的顶端开设有内壁出气孔(601),所述制冷半导体一(15)和制冷半导体二(16)位于筒外壁(5)和筒内壁(6)之间。