一种植物生长秸秆砖的制作方法

文档序号:9612800阅读:248来源:国知局
一种植物生长秸秆砖的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及领域生物材料制造技术领域,尤其涉及一种植物生长秸杆砖。
【背景技术】
[0002]现有技术中的植物生长砖由黄土或粘土烧制而成,烧制砖需要消耗大量的能源,污染环境。在砖的上表面设置凹槽,在凹槽内填充泥土以供植物生长,不能直接在砖体本身生长。
[0003]综上所述,现有技术存在的植物不能在植物生长砖本身内进行生长的问题。

【发明内容】

[0004]本发明提供一种秸杆植物生长砖,用以解决现有技术中存在的植物不能在植物生长砖本身内进行生长的问题。
[0005]本发明方法实施例提供的一种植物生长稻杆砖,包括:外稻杆砖和内稻杆砖;
[0006]所述外秸杆砖包括底面和四个侧面,所述底面和四个侧面围成一个凹腔;
[0007]所述内秸杆砖位于所述凹腔内,填满整个所述凹腔;
[0008]所述内秸杆砖设有用于植物生长的垂直孔洞。
[0009]优选地,所述孔洞为盲孔。
[0010]优选地,所述盲孔的垂直高度为所述内秸杆垂直高度的八分之一至二分之一。
[0011]优选地,所述孔洞为圆柱体、立方体或圆锥体。
[0012]优选地,所述外秸杆砖和所述内秸杆砖均由机器压制而成。
[0013]优选地,压制所述内秸杆砖的压力数值为压制所述外秸杆砖的压力数值的二分之一至三分之一。
[0014]优选地,所述外秸杆砖的顶面和所述内秸杆砖的顶面位于一个平面内。
[0015]优选地,所述内秸杆砖垂直高度为所述外秸杆砖垂直高度的二分之一至四分之
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[0016]优选地,所述孔洞为通孔,并通孔内填充供植物生长的泥土。
[0017]与现有技术相比,本发明提供的一种植物生长秸杆砖,植物可以直接在内秸杆砖内部发芽,植物从内秸杆砖的孔洞生长出,此种秸杆砖无需烧制,节约能源,且内秸杆砖和外秸杆砖没有固定连接,因此可以随时更换内秸杆砖以更换不同的植物品种;若外秸杆砖直接置于土壤上可以防止土地表面的土壤蒸发,若外秸杆砖置于水泥或其他砖体上,可以具有起到保持内秸杆砖水分不流失的作用。
【附图说明】
[0018]图1为本发明实施例一提供的植物生长秸杆砖分体示意图;
[0019]图2为本发明实施例一提供的植物生长秸杆砖整体示意图;
[0020]图3为本发明实施例一提供的第一种植物生长秸杆砖垂直剖面示意图;
[0021]图4为本发明实施例一提供的第二种植物生长秸杆砖垂直剖面示意图。
【具体实施方式】
[0022]本发明实施例的植物生长秸杆砖,植物可以直接在内秸杆砖内部发芽,植物从内秸杆砖的孔洞生长出,此种秸杆砖无需烧制,节约能源。
[0023]为了使本发明所解决的技术问题、技术方案以及有益效果更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
[0024]如图1所示,本发明实施例一提供的一种植物生长秸杆砖,包括:外秸杆砖101和内秸杆砖102 ;
[0025]所述外秸杆砖101包括底面103和四个侧面104,所述底面101和四个侧面104围成一个凹腔105 ;
[0026]所述内秸杆砖102位于所述凹腔105内,填满整个所述凹腔105 ;
[0027]所述内秸杆砖102设有用于植物生长的垂直孔洞106。
[0028]本发明实施例中,外秸杆砖101的原料至少包括黄土、水、粘合剂和植物秸杆,粘合剂可以选择淀粉粘合剂,例如普通淀粉粘合剂、氧化淀粉粘合剂、磷酸酯淀粉粘合剂,植物秸杆可以选择庄稼秸杆、野生植物秸杆等,还可以包括煤渣、沙子、建筑废料渣等。内秸杆砖102原料至少包括黄土、水和植物秸杆,粘合剂可以选择淀粉粘合剂,例如普通淀粉粘合剂、氧化淀粉粘合剂、磷酸酯淀粉粘合剂,植物秸杆可以选择庄稼秸杆、野生植物秸杆等;优选地,内秸杆砖102还可以添加保水剂、生根粉、肥料、杀菌剂等。本发明实施例中对外秸杆砖101和内秸杆砖102的尺寸不做限制,可以为标砖,也可以大于标砖。
[0029]优选地,所述外秸杆砖101和所述内秸杆砖102均由机器压制而成。
[0030]将上述材料混合以后放入机器中压制,夕卜稻杆砖101和内稻杆砖102米用不同放入模具分别加工,施加压力,保持10小时以上,然后脱模。最后将内秸杆砖102置于外秸杆砖101的凹腔105内即可。
[0031]由于植物在内稻杆砖102中生长,因此内稻杆砖102的压制压力相对小于外稻杆砖101的压制压力,具体为压制所述内秸杆砖102的压力数值为压制所述外秸杆砖101的压力数值的二分之一至三分之一。压制所述外秸杆砖101的压力数值可以为10吨至20吨。
[0032]植物生长秸杆砖整体示意图如图2所示,包括:外秸杆砖101和内秸杆砖102 ;内秸杆砖102设有用于植物生长的垂直孔洞106,孔洞106可以为通孔,也可以为盲孔。若孔洞106为通孔,则需在孔洞106内填充泥土以供植物生长。若孔洞106为盲孔,可在盲孔内直接播散植物种子,然后覆盖泥土,或者将生根的植物直接移植于孔洞106内继续生长。
[0033]优选地,所述盲孔的垂直高度为所述内秸杆砖102垂直高度的八分之一至二分之
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[0034]为保证植物具有足够的空间向下生根,盲孔的垂直高度不宜过长,不宜超过内秸杆砖102垂直高度的二分之一。为保证植物种子可以平稳生长,盲孔的垂直高度不宜过短,不宜低于内稻杆砖102垂直高度的八分之一。
[0035]优选地,所述孔洞106为圆柱体、立方体或圆锥体。
[0036]由于内秸杆砖102为机器压制而成,因此孔洞106的的形状为上宽下窄形或上下宽度相同。若孔洞106为圆柱体、立方体,竖直剖面结构如图3所示,包括:外秸杆砖101和内秸杆砖102 ;所述内秸杆砖102设有用于植物生长的垂直孔洞106。若孔洞106为圆锥体,竖直剖面结构如图4所示,包括:外秸杆砖101和内秸杆砖102 ;所述内秸杆砖102设有用于植物生长的垂直孔洞106。
[0037]优选地,所述外稻杆砖101的顶面和所述内稻杆砖102的顶面位于一个平面内。
[0038]内秸杆砖的顶面可以高于、低于或等于外秸杆砖的顶面,为使整体平整美观,优选地,所述外秸杆砖的顶面和所述内秸杆砖的顶面位于一个平面内。
[0039]优选地,所述内秸杆砖102垂直高度为所述外秸杆砖101垂直高度的二分之一至四分之三。
[0040]为保证外秸杆砖101的强度,外秸杆砖101底面的垂直高度不宜过短,即内秸杆砖102垂直高度不宜过长,不宜超过外秸杆砖101垂直高度的四分之三。为保证内秸杆砖102有足够的空间供植物生长,外秸杆砖101底面的垂直高度不宜过长,即内秸杆砖102垂直高度不宜过短,不宜低于外秸杆砖101垂直高度的二分之一。
[0041]本发明实施例提供的一种植物生长秸杆砖,植物可以直接在内秸杆砖内部发芽,植物从内秸杆砖的孔洞生长出,此种秸杆砖无需烧制,节约能源。由于内秸杆砖和外秸杆砖压制的压力不同,因此内秸杆砖的结构较为疏松,外秸杆砖的结构较为紧密,因此植物容易在内秸杆砖直接生长,外秸杆砖中就有沙子、煤渣等结构,不利于植物生长,因此,本发明实施例结构使植物生长限于内秸杆砖。且内秸杆砖和外秸杆砖没有固定连接,因此可以随时更换内秸杆砖以更换不同的植物品种。若外秸杆砖直接置于土壤上可以防止土地表面的土壤蒸发,若外秸杆砖置于水泥或其他砖体上,可以具有起到保持内秸杆砖水分不流失的作用。
[0042]显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种植物生长秸杆砖,其特征在于,包括:外秸杆砖和内秸杆砖;所述外秸杆砖包括底面和四个侧面,所述底面和四个侧面围成一个凹腔;所述内秸杆砖位于所述凹腔内,填满整个所述凹腔;所述内秸杆砖设有用于植物生长的垂直孔洞。2.如权利要求1所述的植物生长秸杆砖,其特征在于, 所述孔洞为盲孔。3.如权利要求2所述的植物生长秸杆砖,其特征在于,所述盲孔的垂直高度为所述内秸杆垂直高度的八分之一至二分之一。4.如权利要求1所述的植物生长秸杆砖,其特征在于,所述孔洞为圆柱体、立方体或圆锥体。5.如权利要求1所述的植物生长秸杆砖,其特征在于,所述外秸杆砖和所述内秸杆砖均由机器压制而成。6.如权利要求5所述的植物生长秸杆砖,其特征在于,压制所述内秸杆砖的压力数值为压制所述外秸杆砖的压力数值的二分之一至三分之ο7.如权利要求1所述的植物生长秸杆砖,其特征在于,所述外秸杆砖的顶面和所述内秸杆砖的顶面位于一个平面内。8.如权利要求1所述的植物生长秸杆砖,其特征在于,所述内秸杆砖垂直高度为所述外秸杆砖垂直高度的二分之一至四分之三。9.如权利要求1所述的植物生长秸杆砖,其特征在于,所述孔洞为通孔,并通孔内填充供植物生长的泥土。
【专利摘要】本发明公开了一种植物生长秸秆砖,包括:外秸秆砖和内秸秆砖;所述外秸秆砖包括底面和四个侧面,所述底面和四个侧面围成一个凹腔;所述内秸秆砖位于所述凹腔内,填满整个所述凹腔;所述内秸秆砖设有用于植物生长的垂直孔洞。本发明中,植物可以直接在内秸秆砖内部发芽,植物从内秸秆砖的孔洞生长出,此种秸秆砖无需烧制,节约能源,且内秸秆砖和外秸秆砖没有固定连接,因此可以随时更换内秸秆砖以更换不同的植物品种;若外秸秆砖直接置于土壤上可以防止土地表面的土壤蒸发,若外秸秆砖置于水泥或其他砖体上,可以具有起到保持内秸秆砖水分不流失的作用。
【IPC分类】E02B3/14, A01G9/02, E04C1/39
【公开号】CN105369959
【申请号】CN201410414600
【发明人】周军明, 蔡萃英, 刘亮, 于静静
【申请人】上海华博信息服务有限公司
【公开日】2016年3月2日
【申请日】2014年8月21日
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