本发明属于日用陶瓷制品领域，具体地说，涉及一种可用于电磁炉的快速导热、耐干烧陶瓷锅制造工艺及陶瓷涮锅。
背景技术：
耐干烧陶瓷锅是指陶瓷器皿在一定的温度内空载干烧，陶瓷材料不出现炸裂现象。如本专利申请人提供了一种日用耐干烧陶瓷及其制造工艺，申请公布号为cn201710277170.8，该种日用耐干烧陶瓷制造工艺通过原料组分进行调节，提高坯体的致密程度，在施釉过程中坯体保持完整，结合紧密，可实现免素烧，一次烧制成型，能耗可降低40％以上，不仅降低了燃料消耗及燃料成本，而且对于节能减排具有重大作用。
现有的锅具都追求可在多种炉具上使用，现有的日用耐干烧陶瓷在明火和电陶炉上都可以直接使用，但是在电磁炉上无法直接适用，为解决上述问题，申请号为cn200310103236.x公开了一种用于电磁炉的陶瓷煲，该陶瓷煲包括煲体和煲底，所述煲底的外底面敷有一层膜。所述膜按重量百分比含有银0～10％、铜5～30％、铁60～95％，所述膜的厚度为0.3～0.9毫米。现有的陶瓷煲的导电层设置于煲底外壁，在使用、清洗时容易导致导电膜磨损，影响其使用寿命，二是导电膜的导电效率差，因此如果能克服工艺中的局限，开发出一种即节能环保、又便于使用的日用耐干烧的日用陶瓷制品，不仅可以满足消费者的需要，对节能减排、保护环境有积极的意义。
技术实现要素：
为了解决上述问题，本发明提供了一种可用于电磁炉的快速导热、耐干烧陶瓷锅及制造工艺及陶瓷涮锅。
为实现上述目的，本发明提供一种可用于电磁炉的快速导热、耐高温陶瓷锅，包括陶瓷锅坯体，其特征在于：所述陶瓷锅坯体内壁由内至外依次设有耐高温釉料内层和纳米导电银层，
耐高温釉料内层的重量份如下：锂辉石30-40份、高岭土15-20份、煅烧锂辉石10-15份、滑石10-15份、石英10-15份、硫化铁5-10份、碳酸盐1-5份、氧化锌1-5份；
纳米导电银层设于耐高温釉料层上，该纳米导电银层的纯度＞99.9、厚度为1-2mm、平均粒径为100-200nm、体积密度为0.50-0.8g/cm3。
进一步的，还包括耐高温釉料外层，该耐高温釉料外层的重量份如下：锂辉石45-50份、高岭土15-20份、白云石10-15份、硅灰石5-10份、叶腊石5-10份、贵州土5-10份、氧化锆1-5份、氧化锌1-5份、方解石1-5份、钡1-3份。
进一步的，耐高温釉料内层的重量份如下：锂辉石32份、高岭土18份、煅烧锂辉石13份、滑石12份、石英11份、硫化铁8份、碳酸盐3份、氧化锌3份。
进一步的，耐高温釉料内层的厚度为2-5mm。
进一步的，耐高温釉料外层，该耐高温釉料外层的重量份如下：锂辉石42份、高岭土16份、白云石12份、硅灰石7份、叶腊石6份、贵州土7份、氧化锆3份、氧化锌2份、方解石3份、钡2份。
可用于电磁炉的快速导热、耐干烧陶瓷锅的制造工艺，其特征在于，制备上述的可用于电磁炉的快速导热、耐干烧陶瓷锅，具体步骤如下：
步骤1，分别制备陶瓷锅坯体、耐高温内层釉料和耐高温外层釉料；
步骤2，陶瓷锅坯体干燥后，在陶瓷锅坯体内壁、外壁分别施耐高温内层釉料和耐高温外层釉料；
步骤3，等待耐高温内层釉料和耐高温外层釉料干燥后，将坯体放入窑炉中烧制成型，获得陶瓷锅体，烧成温度为1310℃-1330℃，；
步骤4，制备纳米导电银浆，将纳米导电银浆喷涂于陶瓷锅体内壁的耐高温内层釉料层上；
步骤5，将陶瓷坯体再次放入窑炉中，烧制1-2小时，烧成温度为850-860℃。
优化的，步骤3窑炉的升温控制如下：氧化气氛下，窑炉经1-2小时，由常温预热升温至550-600℃，又经2-3小时快速升温至1100-1150℃；温度由1150℃降温至1100℃；转还原气氛，窑炉继续升温，经1-3小时由1100℃升温至烧成温度，后降温静置，即得陶瓷锅体；。
优化的，温度由1150℃降温至1100℃时，向窑炉中通入空气降温。
一种可用于电磁炉的陶瓷涮锅，所述涮锅本体为上述的陶瓷锅，该涮锅本体包括底部连接的外锅和内锅，该内锅设于外锅中部，且内锅的内壁、外壁和外锅的内壁上由内至外依次设有耐高温釉料内层和纳米导电银层，所述陶瓷锅坯体内壁由内至外依次设有耐高温釉料内层和纳米导电银层
优化的，外锅的外锅的外壁上设有多个导热圈，该导热圈由外锅底部向口沿依次向上延伸，且直径依次递增。
本发明提供的可用于电磁炉的快速导热、耐干烧陶瓷锅及制造工艺与现有的相比，本发明提供的陶瓷锅，内壁由内至外依次设置了耐高温釉料内层和纳米导电银层，耐高温釉料内层引入了特定的原料，并采用的曲线烧制工艺，在烧成后的耐高温釉料内层表面形成均匀分布的孔隙，可与后喷涂的纳米导电银层紧密的吸附在一起，该种耐干烧陶瓷锅通过纳米导电银层可直接用于电磁炉上；使用时，纳米导电银层不仅可以用于导电，且可起到杀菌、快速导热的作用，尤其适合需要快速加热的涮锅、砂锅等炊具的使用。
具体实施方式
图1是可用于电磁炉的快速导热、耐高温陶瓷涮锅的结构示意图；
图2是可用于电磁炉的快速导热、耐高温陶瓷涮锅的侧视图；
图3是可用于电磁炉的快速导热、耐高温陶瓷涮锅的俯视图；
图4是可用于电磁炉的快速导热、耐高温陶瓷涮锅的截面图。
具体实施方式
以下通过具体实施方式对本发明作进一步的描述。
可用于电磁炉的快速导热、耐高温陶瓷锅，包括陶瓷锅坯体，其特征在于：所述陶瓷锅坯体内壁由内至外依次设有耐高温釉料内层和纳米导电银层，
耐高温釉料内层的厚度为2-5mm，其的重量份如下：锂辉石30-40份、高岭土15-20份、煅烧锂辉石10-15份、滑石10-15份、石英10-15份、硫化铁5-10份、碳酸盐1-5份、氧化锌1-5份；
耐高温釉料外层，该耐高温釉料外层的重量份如下：锂辉石45-50份、高岭土15-20份、白云石10-15份、硅灰石5-10份、叶腊石5-10份、贵州土5-10份、氧化锆1-5份、氧化锌1-5份、方解石1-5份、钡1-3份；
纳米导电银层设于耐高温釉料层上，该纳米导电银层的纯度＞99.9、厚度为1-2mm、平均粒径为100-200nm、体积密度为0.50-0.8g/cm3。
上述可用于电磁炉的快速导热、耐干烧陶瓷锅，具体步骤如下：
步骤1，分别制备陶瓷锅坯体、耐高温内层釉料和耐高温外层釉料；
步骤2，陶瓷锅坯体干燥后，在陶瓷锅坯体内壁、外壁分别施耐高温内层釉料和耐高温外层釉料；
步骤3，等待耐高温内层釉料和耐高温外层釉料干燥后，将坯体放入窑炉中烧制成型，获得陶瓷锅体，升温控制如下，氧化气氛下，窑炉经1-2小时，由常温预热升温至550-600℃，又经2-3小时快速升温至1100-1150℃；温度由1150℃降温至1100℃；转还原气氛，窑炉继续升温，经1-3小时由1100℃升温至1310℃-1330℃，后降温静置，即得陶瓷锅体；
步骤4，制备纳米导电银浆，将纳米导电银浆喷涂于陶瓷锅体内壁的耐高温内层釉料层上；
步骤5，将陶瓷坯体再次放入窑炉中，烧制1-2小时，烧成温度为850-860℃。
上述可用于电磁炉的快速导热、耐干烧陶瓷锅及制造工艺与现有的相比，本发明提供的陶瓷锅，内壁由内至外依次设置了耐高温釉料内层和纳米导电银层，耐高温釉料内层引入了特定的原料，并采用的曲线烧制工艺，在烧成后的耐高温釉料内层表面形成均匀分布的孔隙，可与后喷涂的纳米导电银层紧密的吸附在一起，该种耐干烧陶瓷锅通过纳米导电银层可直接用于电磁炉上；使用时，纳米导电银层不仅可以用于导电，且可起到杀菌、快速导热的作用，尤其适合需要快速加热的涮锅、砂锅等炊具的使用。
具体实施例一：
参照图1至图4所示，可用于电磁炉的快速导热、耐高温陶瓷涮锅，包括外锅1和内锅2，外锅1和内锅2的底部连接；
外锅1的外壁上设有多个导热圈11，该导热圈11由外锅底部向口沿依次向上延伸、且直径依次递增，外锅的口沿处设有一圈挡热圈12，外锅1内设有隔板13，该隔板13将外锅内分隔出至少两个隔间，在使用明火时导热圈11可增加锅底的受热面积，进一步实现快速导热的目的，挡热圈12可提高涮锅使用的安全性；
内锅2设于外锅1中部，该内锅2的壁为环形结构，且内锅2的内壁、外壁和外锅的内壁上由内至外依次设有耐高温釉料内层21和纳米导电银层22，耐高温釉料内层21的厚度为4m，耐高温釉料内层形成均匀分布的孔隙，纳米导电银层的纯度＞99.9、厚度为1.8mm、平均粒径为180nm、体积密度为0.75g/cm3；
其中，耐高温釉料内层的重量份如下：锂辉石32份、高岭土18份、煅烧锂辉石13份、滑石12份、石英11份、硫化铁8份、碳酸盐3份、氧化锌3份；
其中，耐高温釉料外层，该耐高温釉料外层的重量份如下：锂辉石42份、高岭土16份、白云石12份、硅灰石7份、叶腊石6份、贵州土7份、氧化锆3份、氧化锌2份、方解石3份、钡2份；
上述可用于电磁炉的陶瓷涮锅，生产具体步骤如下：
步骤1，分别制备陶瓷锅坯体、耐高温内层釉料和耐高温外层釉料；
步骤2，陶瓷锅坯体干燥后，在陶瓷锅坯体内壁、外壁分别施耐高温内层釉料和耐高温外层釉料；
步骤3，等待耐高温内层釉料和耐高温外层釉料干燥后，将坯体放入窑炉中烧制成型，获得陶瓷锅体，升温控制如下，氧化气氛下，窑炉经1.5小时，由常温预热升温至580℃，又经3小时快速升温至1130℃；向窑炉中通入空气降温引入大量的氧气，窑炉内温度由1150℃降温至1100℃；转还原气氛，窑炉继续升温，经2小时由1100℃升温至1320℃，后降温静置，即得陶瓷锅体；
步骤4，制备纳米导电银浆，将纳米导电银浆喷涂于陶瓷锅体内壁的耐高温内层釉料层上；
步骤5，将陶瓷坯体再次放入窑炉中，烧制2小时，烧成温度为855℃。
将制得的陶瓷涮锅进行检测：可耐900℃以上高温，且热膨胀系数极小，抗热冲击性能优良，可耐900-20℃热交换三十次以上而不裂，吸水率在0.003％以下
上述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的设计构思并不局限于此，凡利用此构思对本发明进行非实质性的改动，均应属于侵犯本发明保护范围的行为。