专利名称：防静电包装材料的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及化工包装材料，尤其涉及一种防静电包装材料。
背景技术：
现有技术中，对于半导体产品，高集成化精密电子元件，组件和精密仪器设备，医疗设备以及化工产品等在存放、转运过程中，由于摩擦、撞击、外界电场和磁场的影响，容易产生静电，静电吸尘会影响产品的性能，且静电积累在合适的条件下会产生放电，引起产品失效或元件损坏，可能会造成极大的经济损失。为了防止静电对产品的干扰，通过使用防静电包装材料对产品包装，通过防静电包装材料导除静电，以解决产品在存放、运转中的静电问题。另外，一些产品为了避免电磁干扰，还需静电包装材料具有防止电磁辐射的功能。
实用新型内容鉴于上述内容，本实用新型提供一种防静电性能好、且能防电磁辐射的防静电包装材料。一种防静电包装材料，包括内层、次内层、次外层、以及外层，内层为聚乙烯薄膜层，次内层为金属层，次外层为聚酯薄膜层，外层为防静电层，该防静电层为纳米导电复合材料。相较现有技术，本防静电包装材料通过采用聚乙烯薄膜层、金属层、聚酯薄膜层以及防静电层，聚乙烯具有机械强度高的特性，而金属层具有屏蔽作用，该聚酯薄膜层已具有较佳的力学强度，且与涂布的防静电层较好地结合，防静电层为纳米导电复合材料，如纳米掺锑二氧化锡(ATO)聚氨酯材料，聚酰胺石墨纳米材料，具有较佳的导除静电性能。
图1是本实用新型防静电包装材料的截面结构示意图。
具体实施方式
为详细说明本实用新型的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。请参阅附图1，本实用新型防静电包装材料100依次包括内层10、次内层20、次外层30、以及外层40。所述内层10为聚乙烯薄膜层，次内层20为金属层，次外层30为聚酯薄膜层，外层40为防静电层。所述次内层20通过电镀/蒸镀形成在内层10上，所述次外层30通过粘合剂32粘贴在次内层20。所述外层40经干法复合在次外层30上。该外层40为纳米导电复合材料，如纳米掺锑二氧化锡(ATO)聚氨酯材料或聚酰胺石墨纳米材料。其中，纳米掺锑二氧化锡(ATO)聚氨酯材料，纳米掺锑二氧化锡是一种 N型半导体材料，与传统的抗静电材料相比，具有明显的优势，表现在良好的导电性、浅色透明性、良好的耐候性和稳定性以及低的红外发射率等。由于纳米掺锑二氧化锡的比表面积大、表面能高，在制备纳米掺锑二氧化锡聚氨酯材料时，纳米掺锑二氧化锡极易吸附而发生团聚，造成缺陷使得外层40的防静电性能降低。通过以脂肪族聚氨酯弹性树脂为基体，掺锑二氧化锡(ATO)导电粉为导电介质，添加超分散剂，采用物理与化学相结合的分散方法对纳米掺锑二氧化锡进行预处理。可解决纳米ATO粒子团聚的难题，可制备出可常温固化的、颜色可调的纳米掺锑二氧化锡(ATO)聚氨酯材料。所述聚酰胺石墨纳米材料具有较佳的导除静电性能，其具体制备过程如下将 30-200目的天然鳞片石墨加入到质量比为4 1的浓硫酸和浓硝酸的混合液中浸泡，然后经水洗、干燥处理后，进行加热处理，温度900-1100°C，得到膨胀倍数在200倍以上的膨胀石墨；将聚酰胺树脂90 99质量份加入到一定量的溶剂中，待聚酰胺树脂完全溶解后向其中加入上述膨胀石墨1 10质量份，超声池得到均勻分散的混合物，然后在强烈搅拌下加入沉淀剂使混合物沉淀，再将沉淀物抽滤、干燥，制备出聚酰胺石墨纳米材料。本防静电包装材料通过采用聚乙烯薄膜层、金属层、聚酯薄膜层以及防静电层，聚乙烯具有机械强度高的特性，而金属层具有屏蔽作用，该聚酯薄膜层已具有较佳的力学强度，且与涂布的防静电层较好地结合，防静电层为纳米导电复合材料，可为纳米掺锑二氧化锡(ATO)聚氨酯材料或聚酰胺石墨纳米材料，具有较佳的导除静电性能。以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
权利要求1.一种防静电包装材料，包括内层、次内层、次外层、以及外层，内层为聚乙烯薄膜层， 次内层为金属层，次外层为聚酯薄膜层，外层为防静电层，该防静电层为纳米导电复合材料。
2.如权利要求1所述的防静电包装材料，其特征在于所述次内层通过电镀/蒸镀形成在内层上。
3.如权利要求1所述的防静电包装材料，其特征在于所述次外层与次内层之间设有粘合剂。
4.如权利要求1所述的防静电包装材料，其特征在于所述外层经干法复合在次外层上。
专利摘要本实用新型公开一种防静电包装材料，包括内层、次内层、次外层、以及外层，内层为聚乙烯薄膜层，次内层为金属层，次外层为聚酯薄膜层，外层为防静电层，该防静电层为纳米掺锑二氧化锡聚氨酯材料。本实用新型防静电包装材料具有屏蔽功能，防静电性能好，机械强度高，适合制造各种防静电包装袋，以及用于有防电要求的高集成化电子元器件、半导体、集成电路和精密仪器设备的包装使用。
文档编号B32B27/18GK202192813SQ201120244518
公开日2012年4月18日 申请日期2011年7月12日 优先权日2011年7月12日
发明者李亮章 申请人:东莞市天耀高分子材料科技有限公司