一种防止硅基探测器荧光材料受潮降解的阻隔膜的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种防止硅基探测器荧光材料受潮降解的阻隔膜，包括由下到上贴合的底部阻隔膜、内层阻隔膜、顶部阻隔膜三层隔膜，内层阻隔膜内包裹着荧光材料，底部阻隔膜和顶部阻隔膜均由高、低折射率介质膜交替组合而成，内层阻隔膜为高折射率介质膜。荧光层完全处在阻隔膜的保护之内，防潮并显著地提高了荧光材料的工作寿命。
【专利说明】—种防止硅基探测器荧光材料受潮降解的阻隔膜
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种防潮装置，特别涉及一种防止硅基探测器荧光材料受潮降解延长工作寿命的阻隔膜。
【背景技术】
[0002]目前对硅基探测器实现宽波段光谱响应(尤其是在紫外波段)的方法是在CCD探测器的光感元件表面上附着一层荧光物质从而形成荧光薄膜。该种荧光物质的材料特性为在紫外光照射下可以发出具有一定带宽的可见光，起到变频的效果。但是该种材料因受各种外界条件的影响，如温度、湿度、光照暴晒等因素所导致的材料本身发生吸水、变质、分解，从而降低工作寿命影响发光效率。
【发明内容】
[0003]本实用新型针对硅基探测器上荧光薄膜易因为外界环境影响品质的问题，提出了一种防止硅基探测器荧光材料受潮降解的阻隔膜，将荧光薄膜与外界环境隔离开，延长材料自身工作寿命。
[0004]本实用新型的技术方案为:一种防止硅基探测器荧光材料受潮降解的阻隔膜，包括由下到上贴合的底部阻隔膜、内层阻隔膜、顶部阻隔膜三层隔膜，内层阻隔膜内包裹着荧光材料，底部阻隔膜和顶部阻隔膜均由高、低折射率介质膜交替组合而成，内层阻隔膜为高折射率介质膜。
[0005]所述底部阻隔膜和顶部阻隔膜包括4-6层的高折射率介质膜和低折射率介质膜。所述高折射率介质膜可由二氧化铪HfO2, 二氧化错ZrO2,硫化锌ZnS,氧化钛TiO2,氧化钽Ta2O5中选择其一。所述低折射率材料可由氟化镁MgF2，二氧化硅SiO2，氟化锂LiF，氧化铝Al2O3中选择其一。
[0006]本实用新型的有益效果在于:本实用新型防止硅基探测器荧光材料受潮降解的阻隔膜，荧光层完全处在阻隔膜的保护之内，防潮并显著地提高了荧光材料的工作寿命。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]图1为本实用新型防止硅基探测器荧光材料受潮降解的阻隔膜结构示意图；
[0008]图2为本实用新型防止硅基探测器荧光材料受潮降解的阻隔膜中内层阻隔膜结构示意图；
[0009]图3为单层荧光膜在I天和3个月后分别测得的230nm激发波长的发射光谱对比图；
[0010]图4为本实用新型阻隔膜在I天和3个月后分别测得的230nm激发波长的发射光谱对比图。
【具体实施方式】[0011]如图1所示防止硅基探测器荧光材料受潮降解的阻隔膜结构示意图，包括由多层不同高、低折射率介质膜交替组合的底部阻隔膜3、内层阻隔膜7、荧光材料I以及多层不同高、低折射率介质膜交替组合的顶部阻隔膜2组成复合结构。顶部阻隔膜2和底部阻隔膜3都由H高折射率材料5、L低折射率材料6依次交替制备，以HL为一个周期，重复4_6个。其中H高折射率材料5厚度为60nm左右，L低折射率材料6厚度为80nm左右，内层阻隔膜7位于顶部阻隔膜2和底部阻隔膜3中间，如图2所示内层阻隔膜结构示意图，内层阻隔膜7由高折射率材料5制成，内层阻隔膜7截面为长方形，荧光材料I置于长方形中间，内层阻隔膜7将荧光材料I整个包裹起来，使荧光材料I完全处在阻隔膜的保护之内，目的是将荧光材料I的边缘同样与空气阻隔开。整个阻隔膜贴在硅基探测器接收面4上。
[0012]H高折射率材料5可由二氧化铪(HfO2)，二氧化锆(ZrO2),硫化锌ZnS，氧化钛TiO2，氧化钽Ta2O5中选择其一；
[0013]L低折射率材料6可由氟化镁(MgF2), 二氧化硅(SiO2),氟化锂LiF，氧化铝Al2O3中选择其一；
[0014]所述突光材料是从下面两种材料中选出至少一种:路马进(Lumogen), ZnO,水杨酸钠以及晕苯(Coronene )。
[0015]对上述所制备的样品，使用荧光光谱仪进行测试:在230nm激发波长的情况下，分别测得了单层荧光膜和阻隔膜结构在I天和3个月后分别测得的发射光谱，通过图3、图4可以看出阻隔膜结构不但保证了发光效率同时起到了保护荧光膜的作用，光谱变化并不明显，而单层荧光膜的光谱下降趋势较为明显，可见，阻隔膜结构的引入显著地提高了荧光材料的工作寿命。
【权利要求】
1.一种防止硅基探测器荧光材料受潮降解的阻隔膜，其特征在于，包括由下到上贴合的底部阻隔膜(3)、内层阻隔膜(7)、顶部阻隔膜(2)三层隔膜，内层阻隔膜(7)内包裹着荧光材料(1)，底部阻隔膜(3)和顶部阻隔膜(2)均由高、低折射率介质膜交替组合而成，内层阻隔膜(7)为高折射率介质膜。
2.根据权利要求1所述防止硅基探测器荧光材料受潮降解的阻隔膜，其特征在于，所述底部阻隔膜(3)和顶部阻隔膜(2)包括4-6层的高折射率介质膜和低折射率介质膜。
3.根据权利要求2所述防止硅基探测器荧光材料受潮降解的阻隔膜，其特征在于，所述高折射率介质膜可由二氧化铪HfO2, 二氧化错ZrO2,硫化锌ZnS,氧化钛TiO2,氧化钽Ta2O5中选择其一。
4.根据权利要求2所述防止硅基探测器荧光材料受潮降解的阻隔膜，其特征在于，所述低折射率材料可由氟化镁MgF2，二氧化硅SiO2，氟化锂LiF，氧化铝Al2O3中选择其一。
【文档编号】B32B33/00GK203651096SQ201420000653
【公开日】2014年6月18日 申请日期:2014年1月2日 优先权日:2014年1月2日
【发明者】崔潇, 陶春先, 何梁, 洪瑞金, 张大伟 申请人:上海理工大学