一种金色low-e玻璃的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种金色LOW-E玻璃，包括有玻璃基片，其特征在于：在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地复合有六个膜层，其中第一膜层即最内层为SiO2层，第二层为氧化不锈钢层，第三层为NiCr层，第四层为Ag层，第五层为NiCr层，最外层为SiO2层。本实用新型目的是克服了现有技术的不足，提供一种透过率高，镀膜层与玻璃基材的结合力强、镀膜层致密、均匀的金色LOW-E玻璃。
【专利说明】-种金色LOW-E玻璃 【【技术领域】】
[0001] 本实用新型涉及一种金色L0W-E玻璃。 【【背景技术】】
[0002] 现有的金色L0W-E玻璃的镀膜层与玻璃基材的结合力弱、镀膜层疏松、不均匀。膜 层之间的粘结力差，膜层容易脱落。 【实用新型内容】
[0003] 本实用新型目的是克服了现有技术的不足，提供一种透过率高，镀膜层与玻璃基 材的结合力强、镀膜层致密、均匀的金色L0W-E玻璃。
[0004] 本实用新型是通过以下技术方案实现的：
[0005] -种金色L0W-E玻璃，包括有玻璃基片1，其特征在于：在玻璃基片的复合面上由 内到外依次相邻地复合有六个膜层，其中第一膜层即最内层为310 2层21，第二层为氧化不 锈钢层22,第三层为NiCr层23,第四层为Ag层24,第五层为NiCr层25,最外层为Si02层 26。
[0006] 所述的金色L0W-E玻璃，其特征在于所述第一膜层5102层21的厚度为10?40nm。 所述第二层氧化不锈钢层层22的厚度为20?50nm。所述第三层NiCr层23的厚度为5? 15nm。所述第四层Ag层24的厚度为15?30nm。其特征在于所述第五层NiCr层25的厚 度为5?15nm。所述最外层Si02层26的厚度为25?50nm。
[0007] 与现有技术相比，本实用新型有如下优点：
[0008] 1、本实用新型膜层最内层和最外层采用5102层，增强膜层与玻璃的粘结，改善膜 层性能及玻璃面的反射效果，膜层与玻璃基材的结合力强、镀膜层致密、均匀。
[0009] 2、本实用新型色泽均匀，更显明呈现金黄色，具有较高的可见光透过率。 【【专利附图】
【附图说明】】
[0010] 图1是本实用新型结构示意图。 【【具体实施方式】】
[0011] 一种金色L0W-E玻璃，包括有玻璃基片1，在玻璃基片的复合面上由内到外依次相 邻地复合有六个膜层，其中第一膜层即最内层为Si02层21，第二层为氧化不锈钢层22,第 三层为NiCr层23,第四层为Ag层24,第五层为NiCr层25,最外层为Si02层26。
[0012] 所述第一膜层3102层21，即二氧化硅层，通过与氧气反应结合提高玻璃的折射率， Si02层的厚度为10?40nm，nm是纳米，lm= 109nm。增强膜层与玻璃的粘结，改善膜层性 能及玻璃面的反射效果。
[0013] 第二层氧化不锈钢层层22,作调节金色颜色层，可得到较黄的金色效果。氧化不锈 钢层层22的厚度为20?50nm。
[0014] 第三层NiCr层23,即镍铬金属层，作为Ag层的保护层及平整层，提高耐氧化性能 防止Ag层的氧化。NiCr层23的厚度为5?15nm。
[0015] 第四层Ag层24,即金属银层，金属银层提供了较低的辐射率，起环保节能的作用； Ag层厚度为的15?30nm，
[0016] 第五层NiCr层25,即镍铬金属层，作为Ag层的保护层及平整层，提高耐氧化性能 防止Ag层的氧化。NiCr层23的厚度为5?15nm。
[0017] 最外层Si02层26,即二氧化硅层，有较好机械性能，使膜层有较好的耐划伤、耐磨 性，起较好的保护性，Si02层26的厚度为25?50nm。
[0018] 本实用新型金色L0W-E玻璃的制备方法，包括如下步骤：
[0019] (1)磁控溅射Si02层，用交流中频电源、氮气作反应气体溅射半导体材料重量比 Si:Al= 90 ?98:2 ?10 ;
[0020] (2)磁控溅射氧化不锈钢层，用直流电源、氧气作主反应气体的反应溅射；
[0021] (3)磁控溅射NiCr层，用直流电源、氩气作主反应气体的金属溅射；
[0022] (4)磁控溅射Ag层，用直流电源、氩气作主反应气体的金属溅射；
[0023] (5)磁控溅射NiCr层，用直流电源、氩气作主反应气体的金属溅射；
[0024] (6)磁控溅射Si02层，用交流中频电源、氧气作反应气体溅射半导体材料重量比 Si:Al= 90 ?98:2 ?10。
[0025] 磁控溅射5102层，用交流中频电源、氮气作反应气体溅射半导体材料重量比Si:Al =90?98:2?10" ；此处得到的是Si02，而金属A1是用于增加原材料在磁控溅射过程中 的导电性能，金属A1并不参与反应，由于非金属半导体Si的导电性能极差，如不采用金属 A1混合增加导电性能将无法顺利进行磁控溅射Si02层。
[0026] 本实用新型的优选方案：
[0027] 所述第一膜层Si02层21的厚度为25nm，第二层氧化不锈钢层层22的厚度为 35nm，第三层NiCr层23的厚度为10nm，第四层Ag层24的厚度为20nm，第五层NiCr层25 的厚度为l〇nm，最外层Si02层26的厚度为40nm。
[0028] 步骤⑴和步骤（6)中半导体材料的配比均为Si:A1 = 90:10。
[0029]Low-E玻璃也叫做低辐射镀膜玻璃。
[〇〇3〇] 本实用新型采用磁控溅射法将镀膜层溅射在玻璃基材上，镀膜层与玻璃基材的结 合力强、镀膜层致密、均匀。
【权利要求】
1. 一种金色LOW-E玻璃，包括有玻璃基片（1)，其特征在于：在玻璃基片的复合面上由 内到外依次相邻地复合有六个膜层，其中第一膜层即最内层为310 2层（21)，第二层为氧化 不锈钢层（22)，第三层为NiCr层（23)，第四层为Ag层（24)，第五层为NiCr层（25)，最外 层为Si02层（26)。
2. 根据权利要求1所述的金色L0W-E玻璃，其特征在于所述第一膜层5102层（21)的 厚度为10?40nm。
3. 根据权利要求1所述的金色LOW-E玻璃，其特征在于所述第二层氧化不锈钢层层 (22)的厚度为20?50nm。
4. 根据权利要求1所述的金色LOW-E玻璃，其特征在于所述第三层NiCr层（23)的厚 度为5?15nm。
5. 根据权利要求1所述的金色LOW-E玻璃，其特征在于所述第四层Ag层（24)的厚度 为 15 ?30nm。
6. 根据权利要求1所述的金色LOW-E玻璃，其特征在于所述第五层NiCr层（25)的厚 度为5?15nm。
7. 根据权利要求1所述的金色LOW-E玻璃，其特征在于所述最外层Si02层（26)的厚 度为25?50nm。
【文档编号】B32B17/00GK203864104SQ201420221507
【公开日】2014年10月8日 申请日期:2014年4月30日 优先权日:2014年4月30日
【发明者】孙叠文, 杨永华, 潘韬, 魏邦争 申请人:中山市格兰特实业有限公司