一种可降低印刷湿重的制版方法与流程

文档序号:15450355发布日期:2018-09-14 23:55阅读:1223来源:国知局

本发明属于印刷领域,具体涉及一种可降低印刷湿重的制版方法。



背景技术:

传统的丝印网版是通过人工涂布或机械涂布感光乳剂,待感光乳剂达到需要的厚度,然后把网版烘干后再进行曝光。曝光是通过紫外线的照射,把菲林透明区域进行紫外光固化反应,把菲林的图形转移至网版上。经过这种方式制作出来的网版图形是一次成型的,在涂布后一次性将主栅和细栅同时曝光到网版上,主栅在太阳能电池片中主要起收集电流的作用,对于电池片效率并没有直接影响,在实际使用中,主栅并不需要太大的高宽比,主栅上过高的银浆损耗往往会带来成本上的浪费。



技术实现要素:

为解决上述问题,本发明的目的是提供一种可降低印刷湿重的制版方法,通过调节网版上不同区域的乳剂厚度,从而实现在一张网版上印刷出不同的银浆厚度,在不影响电池片效率的前提下,进一步缩减银浆湿重,提升企业运营成本。

样处理厂的告知系统为实现上述技术目的,达到上述技术效果,本发明通过以下技术方案实现:

一种可降低印刷湿重的制版方法,包括以下步骤:

1)涂布工序中,在网版上将膜厚涂布至主栅所需的厚度,烘干;

2)烘干后将所述网版置于真空曝光机上曝光主栅,非主栅部位进行黑化处理;

3)将所述网版涂布至网版最终厚度,烘干;

4)将所述网版静置后曝光细栅,主栅部位进行黑化处理;

5)将所述网版显影,实现一张网版不同区域拥有不同的厚度。

进一步的,步骤2)中的所述主栅采取分段式设计或增加挡点、挡条,进一步节约印刷中的银浆消耗,同时图形挡点印刷出的主栅镂空有利于提高电池组焊线与主栅的结合力。

进一步的,所述主栅上设计有挡点,曝光后可在主栅上留下镂空处,增加电池组焊线的结合力,主栅宽度为电池片图形实际设计宽度。

进一步的,步骤4)中所述细栅上设计有黑块遮挡,黑块宽度小于主栅间距,细栅线条为黑片设计线条,细栅宽度大于电池片图形实际设计宽度。

进一步的,步骤4)中所述主栅线条宽度大于电池片图形实际设计宽度,且完全遮挡主栅部位,细栅宽度为电池片图形实际设计宽度。

本发明的有益效果是:

本发明主栅、细栅不同区域实现不同膜厚,同一张网版可以印刷出不同区域厚度;

本发明不同区域膜厚可数据化管理,可根据印刷图形面积数据化管控湿重变化,印刷银浆节约5~12%,降低企业运营成本;

本发明在固化不同印刷区域厚度时,涂布的乳剂可以是单一品种或多种混合,从而满足不同印刷区域的特定需求;可选取不同曝光时间,从而实现不同印刷区域的固化效果;

本发明制作的主栅,马鞍效应更小,印刷出来的主栅更加平整。

上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚了解本发明的技术手段,并可依照说明书的内容予以实施,以下以本发明的较佳实施例详细说明如后。本发明的具体实施方式由以下实施例详细给出。

具体实施方式

下面将结合实施例,来详细说明本发明。

一种可降低印刷湿重的制版方法,包括以下步骤:

1)涂布工序中,在网版上将膜厚涂布至主栅所需的厚度,烘干;

2)烘干后将所述网版置于真空曝光机上曝光主栅,非主栅部位进行黑化处理;

3)将所述网版涂布至网版最终厚度,烘干;

4)将所述网版静置后曝光细栅,主栅部位进行黑化处理;

5)将所述网版显影,实现一张网版不同区域拥有不同的厚度。

进一步的,步骤2)中的所述主栅采取分段式设计或增加挡点、挡条,进一步节约印刷中的银浆消耗,同时图形挡点印刷出的主栅镂空有利于提高电池组焊线与主栅的结合力。

进一步的,所述主栅上设计有挡点,曝光后可在主栅上留下镂空处,增加电池组焊线的结合力,主栅宽度为电池片图形实际设计宽度。

进一步的,步骤4)中所述细栅上设计有黑块遮挡,黑块宽度小于主栅间距,细栅线条为黑片设计线条,细栅宽度大于电池片图形实际设计宽度。

进一步的,步骤4)中所述主栅线条宽度大于电池片图形实际设计宽度,且完全遮挡主栅部位,细栅宽度为电池片图形实际设计宽度。

以上所述仅为发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。



技术特征:

技术总结
本发明公开了一种可降低印刷湿重的制版方法,1)涂布工序中,在网版上将膜厚涂布至主栅所需的厚度,烘干;2)烘干后将所述网版置于真空曝光机上曝光主栅,非主栅部位进行黑化处理;3)将所述网版涂布至网版最终厚度,烘干;4)将所述网版静置后曝光细栅,主栅部位进行黑化处理;5)将所述网版显影,实现一张网版不同区域拥有不同的厚度。本发明通过调节网版上不同区域的乳剂厚度,从而实现在一张网版上印刷出不同的银浆厚度,在不影响电池片效率的前提下,进一步缩减银浆湿重,提升企业运营成本。

技术研发人员:欧敏;陈少禧
受保护的技术使用者:赫日光电(苏州)有限公司
技术研发日:2018.04.27
技术公布日:2018.09.14
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