专利名称：薄膜面板的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种薄膜面板，并且特定而言，涉及一种用于显示装置之薄膜晶体管阵列面板。
背景技术：
譬如液晶显示器(LCD)和有机发光显示器(OLED)的显示装置包括复数个以矩阵形式排列的像素，并且各像素均包括用于显示图像的像素电极。像素电极由来自于信号线的信号驱动，该等信号线包括门线和数据线，其彼此相交来界定像素区域并且通过开关组件(例如薄膜晶体管(TFT))连接到像素电极。该等开关组件响应来自于门线的扫描信号控制来自于数据线的数据信号。
LCD包括一种TFT阵列面板，该面板包括信号线、像素电极、和TFT以及共同电极面板，该共同电极面板包括一朝向该等像素电极的共同电极和一具有朝向该等像素区域的开口的黑色矩阵。
当LCD的底板中的有效区域过大以至于不能使用曝光光罩时，通过重复一种叫做分步重复法的分区曝光来实现整体曝光。一个分区曝光单元或区域被称作一个照射(shot)。由于在曝光期间，产生了转变、旋转、失真等等，该等照射并未正确地对准。相应地，产生在信号线与像素电极之间的寄生电容根据照射而不同，并且这样造成了照射之间的亮度差，该亮度差在位于照射之间边界的像素处被辨别出。因此，由于照射之间的亮度不连续性，所以在LCD的屏幕上产生了接缝缺陷。
发明内容
本发明的一个动机是解决传统技术问题。
提供了一种薄膜面板，其包括一个基板；一个形成在该基板上的第一信号线；一个第二信号线，其与该第一信号线相交并且包括实质上为直线的并且置于不同直线上的第一和第二部分以及连接到该第一和该第二部分上的连接；以及第一和第二像素电极，该等像素电极相邻于该第二信号线安置并且分别与该第二信号线的第一和第二部分重叠。
较佳地，第二信号线的第一和第二部分分别与第一和第二像素电极完全重叠。
该第一和该第二像素电极中的每一个像素电极均可具有一个切口。
该薄膜面板还可包括一个第四信号线，该第四信号线与第一和第二信号线分离并且与第一和第二像素电极重叠，其中插入一绝缘体以形成一个存储电容器。该薄膜面板还可包括一个置于第一信号线上的第一绝缘体；以及一个置于第二线与第一和第二像素电极之间的第二绝缘体。
该薄膜面板还可包括一个栅极，其置于该基板上并且连接到第一信号线上；一个半导体层，其置于第一绝缘层上；一个源极，其至少置于半导体层上并且连接到第二信号线上；以及一个漏极，其至少置于半导体层上并且与源极分离并且连接到该第一和该第二像素电极中的一个像素电极上。
该半导体层可包括一个安置在第二信号线下的部分。
安置在第二信号线下的半导体层的部分可具有与该第二信号线实质上相同的平面形状。
提供了一种薄膜面板，其包括一个基板；一个第一信号线，其形成于该基板上；第二和第三信号线，其与该第一信号线相交，该第二和该第三信号线中的每一个信号线均包括实质上为直线的并且置于不同直线上的第一和第二部分以及一个连接到该第一和该第二部分上的连接；以及一个像素电极，其安置于该第二信号线与该第三信号线之间并且与该第二信号线的第一部分和该第三信号线的第二部分重叠。
该像素电极可完全地覆盖该第二信号线的第一部分以及该第三信号线的第二部分。
该像素电极可具有一个切口。
该薄膜面板还可包括一个第四信号线，该第四信号线与该第一和该第二信号线分离并且与该第一和该第二像素电极重叠，其中插入一绝缘体以形成一个存储电容器。
该薄膜面板还可包括一个薄膜晶体管，其连接到该像素电极以及该第二和该第三信号线中的一个信号线上。
通过参看附图详细地描述本发明的实施例，本发明将变得更加显而易见，其中图1是根据本发明的一个实施例的TFT阵列面板的示范性布局图；图2是沿线II-II’截取的图1中所示的TFT阵列面板的剖视图；图3是沿线III-III’和III’-III”截取的图1中所示的TFT阵列面板的剖视图；图4是根据本发明的另一个实施例的用于LCD的TFT阵列面板的布局图；图5是沿线V-V’截取的图4中所示的TFT阵列面板的剖视图；图6是根据本发明的另一个实施例的LCD的TFT阵列面板的布局图；图7是根据本发明的一个实施例的LCD的共同电极面板的布局图；图8是包括图1中所示的TFT阵列面板和图2中所示的共同电极面板的LCD的布局图；及图9是沿线IX-IX’截取的图8中所示的LCD的剖视图。
具体实施例方式
在下文中将参看附图更为充分地描述本发明，在该等附图中展示了本发明的较佳实施例。然而，本发明可以通过不同形式来体现并且不应被解释为限制在本文所陈述的实施例中。
在图中，为了清楚的目的，放大了层、膜和区域的厚度。全文中相同的数字表示相同的组件。应理解，当将一个譬如层、膜、区域或基板的组件称作“在另一个组件上”时，其可直接在其它组件上或也可存在介入组件。相反，当将一个组件称作“直接在另一个组件上”时，则不存在介入组件。
现将参看附图描述根据本发明的实施例的TFT阵列面板和其制造方法。
将参看图1-3详细描述一种用于LCD的TFT阵列面板。
图1是根据本发明的一个实施例的TFT阵列面板的示范性布局图。图2是沿线II-II’截取的图1中所示的TFT阵列面板的剖视图。图3是沿线III-III’和III’-III”截取的图1中所示的TFT阵列面板的剖视图。
彼此分离的复数个门线121和复数个存储电极线131形成在一个绝缘基板110上。
用于传输门信号的各门线121均实质上在横向方向上延伸并且各门线121的向上和向下突出的复数个部分形成了复数个栅极124。各门线121均包括一个扩展末端部分129，其具有较大区域以用来与其它层或外部装置接触。
各存储电极线131均置于两个相邻的门线121之间。各存储电极线131均包括一个主干，其实质上在横向方向上延伸并且与上部门线121相邻；以及复数个分枝，其自该主干延伸。各分枝均自该主干向下延伸(其被称为上部纵向部分133)、偏斜向左并且行进很短的距离(其被称为偏斜部分132)、再次向左转以向左行进(其被称为横向部分134)、且在靠近相邻分枝的偏斜部分132处转向下方并且向下行进(其被称为下部纵向部分135)。该等存储电极线131被供应有预定电压(例如共同电压)，其被施加到LCD的共同电极面板(未图示)上的共同电极(未图示)。
门线121和存储电极线131较佳地由以下材料制成含铝金属(例如铝和铝合金)、含银金属(例如银和银合金)、含铜金属(例如铜和铜合金)、铬、钼、钼合金、钽或钛。然而，其可具有包括具不同物理特性的两个膜的多层结构。该等两个膜中的一个膜较佳由包括含铝金属的低电阻率金属制成，以用来减少门线121和存储电极线131中的信号延迟或电压降落。另一膜较佳由譬如铬、钼及钼合金、钽或钛的材料制成，该类材料与其它譬如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的材料具有良好的物理、化学、和电接触特性。该等两个薄膜的结合的良好实例为一个下层铬膜和一个上层铝-钕合金膜以及一个下层铝膜和一个上层钼膜。门线121和存储电极线131可具有包括一个下层钼膜、一个中间铝膜、和一个上层钼膜的三层结构。
另外，门线121和存储电极线131的侧面可相对于基板110的表面倾斜，并且其倾角介于约30-80度之间的范围内。
较佳由氮化硅(SiNx)或二氧化硅制成的门绝缘层140形成在门线121和存储电极线131上。
较佳由氢化非晶硅(简写为“a-Si”)制成的复数个半导体条纹151形成在门绝缘层140上。该等半导体条纹151相邻于存储电极线131的纵向部分133和135安置并且实质上在纵向方向上延伸。详细而言，各半导体条纹151均向下行进并且在靠近存储电极线131的偏斜部分132处朝向左侧短距离地改变其路线。然而，该半导体条纹151立即再次在纵向方向上行进。另外，各半导体条纹151均在栅极124上扩展其宽度以形成复数个突出部分154，并且各半导体条纹151均偏斜地向右转以再次向下延伸。
较佳由硅化物或以n型杂质重掺杂的n+氢化a-Si制成的复数个欧姆接触条纹和岛状物161和165形成在半导体条纹151上。各欧姆接触条纹161均具有复数个突出部分163，并且该等突出部分163和该等欧姆接触岛状物165成对地位于半导体条纹151的突出部分154上。
半导体条纹151和欧姆接触161和165的侧面相对于基板110的表面倾斜，并且其倾角较佳地介于约30-80度之间的范围内。
复数个数据线171和复数个漏极175形成在欧姆接触161和165和门绝缘层140上。
用于传输数据电压的数据线171沿半导体条纹151实质上在纵向方向上延伸并且与门线121相交。详细而言，各数据线171均向下行进并且在靠近存储电极线131的偏斜部分132处朝向左侧短距离地改变其路线以形成复数个弯曲部分172。然而，数据线171立即再次在纵向方向上行进。另外，各数据线171均伸出分枝以在靠近栅极124处形成复数个源极173，并且其偏斜地转向右侧(174)以再次向下延伸。因此，各数据线171均包括由弯曲部分172连接的并且置于两条平行的直线上的复数对上部和下部纵向部分171a和171b。另外，各数据线171均包括一个延伸部分179，其具有更大的区域以与另一层或外部装置接触。
各漏极175均包括一个末端部分，其具有较大的区域以与另一层和置于栅极124上并且部分地由源极173包围的另一个末端部分接触。一个栅极124、一个源极173、和一个漏极175连同半导体条纹151的突出部分154形成了一个TFT，该TFT具有形成在置于源极173与漏极175之间的突出部分154上的通道。
数据线171和漏极175较佳由譬如铬、钼、钼合金、钽和钛的难熔金属制成。其也可包括一个较佳由钼、钼合金或铬制成的下层膜(未图示)和一个位于其上的并且较佳由含铝金属制成的上层膜(未图示)。或者，数据线171等包括插入一个铝或铝合金中间层的三元层。
如同门线121一般，数据线171与漏极175具有相对于基板110的表面的锥形侧面，并且其倾角介于约30-80度的范围内。
欧姆接触161和165仅插入在下面的半导体条纹151与在上面的数据线171之间以及在上面的数据线171与在其上面的漏极175之间，并且减少其间的接触电阻。半导体条纹151包括并未由数据线171和漏极175覆盖的复数个曝露部分，例如位于源极173与漏极175之间的部分。
一个钝化层180形成在数据线171、漏极175以及并未由该数据线171和该漏极175覆盖的半导体条纹151的曝露部分上。该钝化层180较佳由譬如氮化硅和二氧化硅的无机材料制成。然而，该钝化层180可由具有良好平面度特性的感光有机材料和由等离子增强化学气相沉积(PECVD)形成的譬如a-Si:C:O和a-Si:O:F的低介电绝缘材料制成。该钝化层180可具有包括一个下层无机膜和一个上层有机膜的双层化结构。
该钝化层180具有分别曝露数据线171的末端部分179和漏极175的复数个接触孔182和185。另外，该钝化层180和门绝缘层140具有曝露门线121的末端部分129的复数个接触孔181。较佳，接触孔181、182和185不曝露含铝金属，并且如果其曝露含铝金属，经曝露的含铝金属较佳由毯覆式蚀刻去除。接触孔181、182和185可曝露末端部分129和179的边缘以及漏极175。
较佳由ITO或IZO制成的复数个像素电极190和复数个接触助件81、82形成在钝化层180上。
像素电极190通过接触孔185而物理连接并电连接到漏极175上，使得像素电极190接收来自于漏极175的数据电压。
供应有数据电压的像素电极190与共同电极合作产生电场，该电场决定置于像素电极190与共同电极之间的液晶层(未图示)中的液晶分子的定向。
像素电极190与共同电极形成一个液晶电容器，其在TFT关闭后存储所施加的电压。提供了一个并联到液晶电容器上的被称作“存储电容器”的附加电容器，以用来增强电压存储能力。该等存储电容器通过使像素电极190与存储电极线131重叠来建构。
各像素电极190均置于该等数据线171中相邻的两条之间并且置于该等门线121中相邻的两条之间。而且，各数据线190均与两条相邻的数据线171两者重叠。详细而言，像素电极190与左侧数据线171的上部纵向部分171a以及右侧数据线171的下部纵向部分171b重叠。较佳地，数据线171的该等上部和下部部分171a和171b完全由像素电极190覆盖。
此种构造使像素电极190与数据线171之间的寄生电容在分区曝光以在TFT阵列面板上形成薄膜下保持恒定。意即，虽然使像素电极190对准以较靠近左侧数据线171或右侧数据线171，但像素电极190与与其相邻的两条数据线171之间的重叠区域实质上保持恒定。因此，在不同曝光区域中(其中像素电极190的位置相对于数据线171可不同)的像素电极190与数据线171之间的寄生电容实质上彼此相等。
接触助件81/82通过接触孔181/182连接到门线129/数据线171的曝露的延伸部分129/179上。接触助件81和82保护该等曝露部分129和179并且补充曝露部分129和179与外部装置之间的黏接。
像素电极190可由透明导电聚合物制成。对于反射性LCD而言，像素电极190是由不透明的反射性金属制成。在这些情况下，接触助件82可由不同于像素电极190的譬如ITO或IZO的材料制成。
TFT阵列面板还可包括一个用于产生施加到门线121上的门信号的门驱动电路并且该等接触助件81可用来连接该门驱动电路。
将参看图4和5详细地描述根据本发明的另一个实施例的用于LCD的TFT阵列面板。
图4是根据本发明的另一个实施例的用于LCD的TFT阵列面板的布局图，以及图5是沿线V-V’截取的图4中所示的TFT阵列面板的剖视图。
参看图4和5，根据此实施例的TFT阵列面板的层化结构与图1-3中所示的大致相同。
意即，包括复数个栅极124的复数个门线121和包括分枝132-135的复数个存储电极线131形成在基板110上，并且门绝缘层140、包括复数个突出部分154的复数个半导体条纹151、以及包括复数个突出部分163的复数个欧姆接触条纹161和复数个欧姆接触岛状物165相继形成在该基板110上。包括成对的上部和下部纵向部分171a和171b、弯曲部分172和源极173的复数个数据线171、以及复数个漏极175形成在欧姆接触161和165上，并且钝化层180形成在其上。在钝化层180上提供了复数个接触孔182和185，并且复数个像素电极190以及复数个接触助件82形成在该钝化层180上。
不同于图1-3中所示的TFT阵列面板的是TFT阵列面板在钝化层180下方提供了复数个彩色滤光片条230。该等彩色滤光片条230中的每一个均代表譬如红、绿、和蓝的三原色中的一种并且该等三种颜色较佳依次在横向方向上排列。各彩色滤光片条230均实质上置于相邻的数据线171中的两个之间并且在纵向方向上延伸使得沿数据线171延伸的彩色滤光片条230的边缘弯曲。可将该等彩色滤光片条230划分为置于由门线121和数据线171界定的个别区域中的复数个彩色滤光片。彩色滤光片条230并不置于具有数据线171的延伸部分179的外围区域中。该等彩色滤光片条230中相邻的两条彼此重叠以阻断像素电极190之间的光泄漏，但其边缘可在数据线171上彼此完全地匹配、或可彼此分隔。彩色滤光片条230可具有曝露接触孔185的复数个开口并且该等接触孔185较佳小于图5中所示的开口。
另外，根据此实施例的TFT阵列面板的半导体条纹151具有与数据线171和漏极175以及在下面的欧姆接触161和165几乎相同的平面形状。然而，半导体条纹151的突出部分154包括一些并未由数据线171和漏极175覆盖的曝露部分，例如位于源极173与漏极175之间的部分。
而且，不存在门线121的扩展末端部分并且在门线121上不存在接触孔和接触助件。
图1-3中所示的用于LCD的TFT阵列面板的许多上述特征皆可适用于图4和图5中所示的TFT阵列面板。
将参看图6-9详细地描述根据本发明的另一个实施例的用于LCD的TFT阵列面板。
图6是根据本发明的另一个实施例的LCD的TFT阵列面板的布局图，图7是根据本发明的一个实施例的LCD的共同电极面板的布局图，图8是包括图1中所示的TFT阵列面板和图2中所示的共同电极面板的LCD的布局图，及图9是沿线IX-IX’截取的图8中所示的LCD的剖视图。
根据此实施例的LCD包括一个TFT阵列面板100、一个共同电极面板200、和一个插入该等面板100与200之间的LC层3。
现将参看图6、8和9详细地描述该TFT阵列面板100。
参看图6、8和9，根据此实施例的TFT阵列面板100的层化结构几乎与图1-3中所示的结构相同。
意即，包括复数个栅极124的复数个门线121和包括分枝132-135的复数个存储电极线131形成在基板110上，并且门绝缘层140、包括复数个突出部分154的复数个半导体条纹151、以及包括复数个突出部分163和复数个欧姆接触岛状物165的复数个欧姆接触条纹161相继形成在该基板110上。包括成对的上部和下部纵向部分171a和171b、弯曲部分172和源极173的复数个数据线171、以及复数个漏极175形成在欧姆接触161和165上，并且钝化层180形成在其上。在钝化层180上提供了复数个接触孔181、182和185，并且复数个像素电极190以及复数个接触助件81和82形成在该钝化层180上。
不同于图1和2中所示的TFT阵列面板的是图6、8和9中所示的TFT阵列面板100的各像素电极190在其左上角处被斜切并且像素电极190的削边与门线121成约45度角。
此外，各像素电极190均具有复数个下部切口191和192、上部切口195和196、以及中央切口193和194，其将像素电极190分割为复数个区段。该等下部和上部切口191、192、195和196分别置于像素电极190的下和上半部分中，并且该等中央切口193和194位于该等下部切口191和192与该等上部切口195和196之间。该等切口191-196实质上相对于平分像素电极190的下和上半部分的存储电极线131的横向部分134的反向对称。
该等下部和上部切口191、192、195和196与门线121成约45度角，并且实质上平行于彼此而且平行于像素电极190的斜切的左上边延伸的上部切口195和196实质上垂直于下部切口191和192延伸，该等下部切口191和192实质上平行于彼此延伸。
切口191和196大致自像素电极190的左侧纵向边缘大致延伸到像素电极190的横向边缘。切口192和195大致自像素电极190的左侧边缘大致延伸到像素电极190的右侧纵向边缘。
中央切口193包括一个横向部分以及一对偏斜部分，该横向部分大致自像素电极190的左侧边缘沿存储电极线131的横向部分134延伸，该等偏斜部分自该横向部分延伸到像素电极190的右侧边缘并且大致上分别与下部切口191和192以及上部切口195和196平行。中央切口194沿像素电极190的横向中心线延伸并且具有一个自像素电极190的右侧边缘的入口，该入口具有一对实质上分别平行于下部切口191和192以及上部切口195和196的倾斜边缘。
因此，像素电极190的下半部分由下部切口191和192以及中央切口193分割为四个下部区段，并且像素电极190的上半部分也由上部切口195和196以及中央切口193分割为四个上部区段。区段的数量或者切口的数量可根据设计因数(例如像素的尺寸、像素电极的横向边缘与纵向边缘的比率、液晶层的类型和特性等等)的不同而变化。
此外，在像素电极190和钝化层180上涂覆一层可为垂直配向的对准层11。
图1-3中所示的用于LCD的TFT阵列面板的许多上述特征皆可适用于图6、8和9中所示的TFT阵列面板100。
下文中参看图7-9描述共同电极面板200。
一种用于防止光泄漏的称作黑色矩阵的光阻断构件220形成在譬如透明玻璃的绝缘基板210上。该光阻断构件220包括朝向像素电极1 90并且具有实质上与像素电极190相同的形状的复数个开口。光阻断构件220较佳由单铬层、铬和氧化铬双层、或含黑色晶粒有机层制成。
复数个彩色滤光片230形成在基板210上并且其实质上置于由光阻断构件220所包围的区域内。彩色滤光片230可实质上沿像素电极190在纵向方向上延伸。该等彩色滤光片230中的每一个均可代表譬如红、绿和蓝颜色的原色中的一种。
一种用于防止彩色滤光片230曝露并且用于提供平坦表面的覆层250形成在彩色滤光片230和光阻断构件220上。
较佳由譬如ITO和IZO的透明导电材料制成的共同电极270形成在覆层250上。
共同电极270具有复数组切口271-276。
一组切口271-276朝向像素电极190并且包括复数个下部和上部切口271和272与275和276以及中央切口273和274。该等切口271-276中的每一个均置于像素电极190的相邻切口191-196之间或置于切口196与像素电极190的削边之间。另外，该等切口271-276中的每一个均具有平行于像素电极190的下部切口191和192或上部切口195和196延伸的至少一个偏斜部分。该等切口271-276实质上相对于存储电极线131的横向部分134反向对称。
该等切口271和276中的每一个均具有一个偏斜部分，其大致自像素电极190的左侧边缘大致延伸到像素电极190的下或上边缘；以及横向和纵向部分，其自偏斜部分的各别末端沿像素电极190的边缘延伸、与像素电极190的边缘重叠、并且与偏斜部分成钝角。
该等切口272和275中的每一个均具有一个偏斜部分；一个连接到该偏斜部分一端的纵向部分；以及一个连接到该偏斜部分另一端的延伸部分。该偏斜部分大致自像素电极190的左边缘大致延伸到像素电极190的右下角或右上角。该纵向部分自该偏斜部分的末端沿像素电极190的左侧边缘延伸、与像素电极190的左侧边缘重叠、并且与该偏斜部分成钝角。该延伸部分覆盖了像素电极190的各自的端角。
切口273具有一对偏斜部分，其大致自像素电极190的左侧边缘的中央延伸到像素电极190的右侧边缘；一个横向部分，其自偏斜部分的会合点延伸到左侧；以及一对纵向部分，其自各自的偏斜部分沿像素电极190的右侧边缘延伸、与像素电极190的右侧边缘重叠、并且与各自的偏斜部分成钝角。切口274具有一个横向部分，其沿像素电极190的横向中心线延伸；一对偏斜部分，其自该横向部分大致延伸到像素电极190的右侧边缘并且与该横向部分成钝角；以及一对纵向部分，其自各自的偏斜部分沿像素电极190的右侧边缘延伸、与像素电极190的右侧边缘重叠、并且与各自的偏斜部分成钝角。
切口271-276的数量可根据设计因素的不同而变化，并且光阻断构件220还可与切口271-276重叠以阻断通过切口271-276的光泄漏。
同时，如果不存在覆层250，那么切口271-276可曝露彩色滤光片230的多个部分，并且彩色滤光片230的曝露部分可污染LC层3。
可为垂直配向的对准膜21形成在共同电极270上。
交叉偏光器(未图示)可置于面板100和200的外表面上，并且可以在该等偏光器与面板100和200之间提供用于补偿LC层3的延迟的至少一层延迟膜(未图示)。当LCD为反射性LCD时，可省略该等偏光器中的一个。
较佳地，LC层3具有负介电各向异性并且其经受将LC层3中的LC分子对准的垂直对准使得其长轴在无电场的情况下，实质上垂直于面板的表面。
如图8中所示，一组切口191-196和271-276将像素电极190分为复数个分区并且各分区均具有两条主要边缘。
切口191-196和271-276控制LC层3中的LC分子的倾斜方向。对此将进行详细描述。
一旦将共同电压施加到共同电极270上并且将数据电压施加到像素电极190上，即产生了一个实质上垂直于面板100和200的表面的电场。LC分子倾向于响应该电场而改变其定向使得其长轴垂直于该电场方向。
电极190和270的切口191-196和271-276以及像素电极190的边缘扭曲该电场以具有实质上垂直于切口191-196和271-276的边缘以及像素电极190的边缘的水平分量。因此，各分区中的LC分子通过水平分量在一方向上倾斜并且该等倾斜方向的方位分布定位为四个方向，从而增加了LCD的视角。
该等切口191-196以及271-276中的至少一个可被突起部分或凹陷部分替代。
可修改该等切口191-196以及271-276的形状和排列。
虽然已经参考较佳实施例详细描述了本发明，但所属技术领域的技术人员将了解可对本发明作出多种修改和替代而不脱离在附加权利要求中所陈述的本发明的精神和范畴。
图示中参考数字描述81、82接触助件110、210绝缘基板121、129门线124栅极131-135存储电极线140门绝缘层151、154半导体161、163、165欧姆接触171、171a、171b、172、179数据线173源极175漏极180钝化层181、182、185接触孔190像素电极
191-196切口220光阻断构件230彩色滤光片250覆层270共同电极271-276切口
权利要求
1.一种薄膜面板，其包含一基板；一第一信号线，其形成在该基板上；一第二信号线，其与该第一信号线相交并且包括实质上为直线的并且置于不同直线上的第一和第二部分以及一连接到该第一部分和该第二部分上的连接；及第一和第二像素电极，其相邻于该第二信号线安置并且分别与该第二信号线的该第一部分和该第二部分重叠。
2.根据权利要求1所述的薄膜面板，其中该第二信号线的该第一部分和该第二部分分别完全地与该第一像素电极和该第二像素电极重叠。
3.根据权利要求1所述的薄膜面板，其中该第一像素电极和该第二像素电极中的每一个均具有一切口。
4.根据权利要求1所述的薄膜面板，其进一步包含一第四信号线，其与该第一信号线和该第二信号线分离并且与该第一像素电极和该第二像素电极重叠，其中插入一绝缘体以形成一存储电容器。
5.根据权利要求4所述的薄膜面板，其中该第四信号线包含一个与该第一像素电极重叠的弯曲的分枝。
6.根据权利要求5所述的薄膜面板，其中该第四信号线的该弯曲的分枝在靠近该第二信号线的该连接处弯曲。
7.根据权利要求6所述的薄膜面板，其中该第四信号线的该弯曲的分枝包含实质上为直线的并且置于不同直线上的第一部分和第二部分以及一个连接到该第一部分和该第二部分上的连接。
8.根据权利要求7所述的薄膜面板，其中该第四信号线的该弯曲的分枝的该第一部分和该第二部分置于靠近该第一像素电极的边缘处并且该第四信号线的该弯曲分枝的该连接实质上经过该第一像素电极。
9.根据权利要求1所述的薄膜面板，其进一步包含一第一绝缘体，其置于该第一信号线上；及一第二绝缘体，其置于该第二线与该第一像素电极和该第二像素电极之间。
10.根据权利要求9所述的薄膜面板，其进一步包含一栅极，其置于该基板上并且连接到该第一信号线；一半导体层，其置于该第一绝缘层上；一源极，其至少置于该半导体层上并且连接到该第二信号线上；及一漏极，其至少置于该半导体层上、与该源极分离、并且连接到该第一像素电极和该第二像素电极中的一个上。
11.根据权利要求10所述的薄膜面板，其中该半导体层包括一个置于该第二信号线下方的部分。
12.根据权利要求11所述的薄膜面板，其中置于该第二信号线下方的该半导体层的该部分具有与该第二信号线基本相同的平面形状。
13.一种薄膜面板，其包含一基板；一第一信号线，其形成在该基板上；第二和第三信号线，其与该第一信号线相交，该第二信号线和该第三信号线中的每一个均包括实质上为直线的并且置于不同直线上的第一和第二部分以及一个连接到该第一部分和该第二部分上的连接；及一像素电极，其置于该第二信号线与该第三信号线之间并且与该第二信号线的该第一部分和该第三信号线的该第二部分重叠。
14.根据权利要求13所述的薄膜面板，其中该像素电极完全地覆盖该第二信号线的该第一部分和该第三信号线的该第二部分。
15.根据权利要求14所述的薄膜面板，其中该像素电极具有一切口。
16.根据权利要求13所述的薄膜面板，其进一步包含一第四信号线，其与该第一信号线至该第三信号线分离并且与该像素电极重叠，其中插入一绝缘体以形成一存储电容器。
17.根据权利要求16所述的薄膜面板，其中该第四信号线在靠近该第二信号线和该第三信号线的该等连接处弯曲。
18.根据权利要求17所述的薄膜面板，其中该第四信号线包含实质上为直线的并且置于不同直线上的第一和第二部分以及一个连接到该第一部分和该第二部分上的连接。
19.根据权利要求18所述的薄膜面板，其中该第四信号线的该第一部分置于靠近该第二信号线的该第一部分处并且该第四信号线的该第二部分置于靠近该第三信号线的该第二部分处。
20.根据权利要求12所述的薄膜面板，其进一步包含一薄膜晶体管，其连接到该像素电极以及该第二信号线和该第三信号线中的一个上。
全文摘要
本发明提供了一种薄膜面板，其包括一基板；一形成在该基板上的第一信号线；一第二信号线，其与该第一信号线相交并且包括实质上为直线的并且置于不同直线上的第一和第二部分以及一个连接到该第一部分和该第二部分上的连接；以及第一和第二像素电极，其相邻于该第二信号线安置并且分别与该第二信号线的该第一部分和该第二部分重叠。
文档编号G09F9/30GK1619397SQ200410091030
公开日2005年5月25日 申请日期2004年11月16日 优先权日2003年11月18日
发明者朴明在, 李荣埈, 朴亭俊, 孔香植 申请人:三星电子股份有限公司