透明导电性薄膜及触摸面板的制作方法

专利名称：透明导电性薄膜及触摸面板的制作方法
技术领域：
本发明涉及在薄膜基材上经由电介质层设置有透明导电层的透明导电性薄膜及其制造方法。本发明的透明导电性薄膜适宜在触摸面板用途中使用。其中，特别适宜用于投影型静电容量方式的触摸面板、可多点输入的电阻膜方式的触摸面板(矩阵型的电阻膜方式触摸面板)这样的具备图案化为规定形状的透明导电层的触摸面板。本发明还涉及具备该透明导电性薄膜的触摸面板。
背景技术：
近年来，投影型静电容量方式的触摸面板、矩阵型的电阻膜方式触摸面板可以进行多点输入(多点触摸)，因此，操作性优异，其需求迅速提高。这些触摸面板使用在透明薄 膜基材上经由2个电介质层具有图案化的透明导电层的透明导电性薄膜。对于这样的透明导电性薄膜而言，形成有透明导电层的部分(图案部)和未形成透明导电层的部分(图案开口部)在图案的可视性上产生差异，有时能从外部清楚地看到图案。随着触摸面板的高品质化，要求减小上述可视性的差异。从抑制由于这样的透明导电层的有无引起的可视性的差异的观点考虑，提出了以下方案，即，在薄膜基材与透明导电层之间设置多层电介质层，并将电介质层的折射率等调整在规定范围(例如专利文献I 3)。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开2010-15861号公报专利文献2 :日本特开2008-98169号公报专利文献3 :日本特许第4364938号说明书
发明内容
_9] 发明要解决的问题本申请发明人等实际制作了如上述专利文献I 3所公开的透明导电性薄膜并进行了评价，结果判明，图案部与图案开口部的可视性仍然存在差异。鉴于该观点，本发明的目的在于，提供在将透明导电层图案化了的情况下也可以抑制图案部和图案开口部的可视性差异的透明导电性薄膜及其制造方法。另外，本发明的目的还在于，提供具备该透明导电性薄膜的触摸面板。用于解决问题的方案本申请发明人等为了解决上述课题进行了深入研究，结果发现，通过采用下述构成，可以达成上述目的，从而完成了本发明。本发明的透明导电性薄膜100在透明薄膜基材I上依次具备第I电介质层21，第2电介质层22、及透明导电层3。第I电介质层的厚度d21比第2电介质层的厚度d22大。第I电介质层的厚度d21优选为8 40nm,第2电介质层的厚度d22优选为3 25nm。第I电介质层的厚度d21与第2电介质层的厚度d22之差d21-d22优选为3 30nm。本发明的一实施方式中，第I电介质层21优选通过湿式涂布形成。另外，第2电介质层21也优选通过湿式涂布形成。本发明的优选的实施方式中，第I电介质层22的折射率大于第2电介质层的折射率。更优选透明薄膜基材I的折射率Ii1、第I电介质层21的折射 率n21、第2电介质层22的折射率n22、及透明导电层3的折射率n3满足n22 < n21 < Ii1 < n3的关系。第I电介质层21的折射率n21优选为I. 5 I. 7。第2电介质层22的折射率n22优选为I. 4 I. 5。透明导电层的折射率n3与第2电介质层的折射率n22之差(n3_n22)优选为0. I以上。需要说明的是，本说明书中，只要没有特别说明，折射率表示波长589. 3nm(钠D线)处的测定值。本发明的一实施方式中，透明导电性薄膜100图案化为在第2电介质层22上具有透明导电层3的图案部P和不具有透明导电层的图案开口部。在该方式中，第2电介质层22也优选和透明导电层3同样地进行了图案化。本发明的一实施方式中，将透明导电层3图案化了的情况下，对图案部照射白色光时的反射光与对图案开口部的正下方照射白色光时的反射光的反射率差AR优选为1%以下。另外，图案部的反射光与图案开口部的正下方的反射光的色差AE优选为6. 7以下。透明导电层进行了图案化的透明导电性薄膜可以通过，在透明薄膜基材上依次形成第I电介质层、第2电介质层、及透明导电层之后，用酸对透明导电层进行蚀刻而图案化，由此来形成。另外，将第2电介质层图案化的情况下，第2电介质层可以用碱进行蚀刻而图案化。另外，通过加热将透明导电层结晶化的情况下，优选将透明导电层图案化之后通过加热将透明导电层结晶化。所述透明导电性薄膜适宜用于投影型静电容量方式或矩阵型的电阻膜方式的触摸面板。本发明还涉及具备所述透明导电性薄膜的触摸面板。发明的效果本发明的透明导电性薄膜100中，透明薄膜基材I与透明导电层3之间的电介质层21、22的厚度等在规定范围内，因此，在将透明导电层图案化了的情况下，也可以将图案部P与图案开口部0的可视性之差、尤其是反射率之差抑制在很小的程度。另外，透明薄膜基材I上的第I电介质层21具有规定的厚度，因此，也可以抑制因低聚物从透明薄膜基材析出而引起的可视性变差。因此，本发明的透明导电性薄膜也适宜用于投影型静电容量方式的触摸面板、矩阵型的电阻膜方式触摸面板那样的使用图案化了的透明导电层的触摸面板中。

图I是本发明的一实施方式的透明导电性薄膜的示意剖视图。图2是本发明的一实施方式的透明导电性薄膜的示意剖视图。图3是本发明的一实施方式的透明导电性薄膜的示意剖视图。图4是本发明的一实施方式的透明导电性薄膜的示意俯视图。图5是本发明的一实施方式的透明导电性薄膜的示意剖视图。图6是表示透明导电性薄膜的层叠形态的示意剖视图。[0030]图7是表示透明导电性薄膜的层叠形态的示意剖视图。图8是表示透明导电性薄膜的层叠形态的示意剖视图。图9是表示透明导电性薄膜的层叠形态的示意剖视图。图10是表示透明导电性薄膜的层叠形态的示意剖视图。图11是表示透明导电性薄膜的层叠形态的示意剖视图。图12是表示透明导电性薄膜的层叠形态的示意剖视图。附图标记说明I透明薄膜基材 2电介质层21、22电介质层5透明基体6硬涂层9隔离膜100、110透明导电性薄膜101、102透明导电性薄膜111 114透明导电性薄膜121、122透明导电性薄膜131透明导电性薄膜P图案部0图案开口部
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。图I 图3分别为示意性表示本发明的透明导电性薄膜的实施方式的剖视图。图I图3的透明导电性薄膜100中，在透明薄膜基材I的一个面经由电介质层2形成有透明导电层3。从透明薄膜基材I 一侧开始通过第I电介质层21和第2电介质层22两层来形成电介质层2。在图2和图3的实施方式中，透明导电性薄膜100具有在第2电介质层22上形成有透明导电层3的图案部P和未形成透明导电层3的图案开口部O。另外，图3的实施方式中，第2电介质层22也与透明导电层同样地图案化为图案部P和图案开口部O。作为透明薄膜基材1，没有特别限定，使用具有透明性的各种塑料薄膜。例如，作为其材料，可以举出聚酷系树脂、醋Ife酷系树脂、聚酿讽系树脂、聚碳Ife酷系树脂、聚酸胺系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚烯烃系树脂、(甲基)丙烯酸系树脂、聚氯乙烯系树脂，聚偏氯乙烯系树脂、聚苯乙烯系树脂、聚乙烯醇系树脂、聚芳酯系树脂、聚苯硫醚系树脂等。其中，特别优选的是聚酯系树脂、聚碳酸酯系树脂、聚烯烃系树脂。图I的实施方式的透明导电性薄膜如图2、图3的实施方式所示，在图案化为图案部P和图案开口部0的情况下，从有效减小图案部P和图案开口部0之间的反射率差的观点考虑，透明薄膜基材I的折射率优选为I. 45以上，更优选为I. 50 I. 70，进一步优选为I. 55 I. 70，特别优选为I. 60 I. 70。从使折射率在上述范围的观点考虑，作为透明薄膜基材I的材料，适宜使用聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯系树脂。[0053]透明薄膜基材I的厚度优选在2 200 ii m的范围内，更优选在2 100 ii m的范围内。透明薄膜基材I的厚度不足2 y m时，有时透明薄膜基材I的机械强度不足，将薄膜基材形成为辊状并连续形成电介质层2、透明导电层3的操作变难。另一方面，厚度超过200 u m时，有时不能实现透明导电层3的耐擦伤性及作为触摸面板用的打点特性的提高。也可以对透明薄膜基材I的表面预先实施溅射、电晕放电、火焰、紫外线照射，电子射线照射、化学转化、氧化等蚀刻处理、底涂处理，提高与形成于薄膜基材上的第I电介质层21的密合性。另外，在形成电介质层之前，可以根据需要，通过溶剂清洗、超声波清洗等对薄膜基材表面进行除尘而将其清洁化。电介质层21及22被设置于透明薄膜基材I和透明导电层3之间，不具有作为导电层的功能。即，电介质层具有确保透明导电层3的邻接的图案部P、P间的绝缘性的功能。因此，电介质层21及22的表面电阻为例如I X IO6 Q / 口以上，优选为I X IO7 Q / □以上，进一步优选为IXlO8Q/ □以上。需要说明的是，电介质层的表面电阻的上限没有特殊限定。通常，电介质层的表面电阻的上限为测定界限即IXlO13Q/□左右，也可以超过 IXlO13Q/ 口。作为电介质层的材料，可以举出=NaF(I. 3)、Na3AlF6 (I. 35)、LiF (I. 36)、MgF2 (I. 38)、CaF2 (1.4)、BaF2 (I. 3)、B aF2 (I. 3)、SiO2 (I. 46)、LaF3 (I. 55)、CeF (I. 63)、Al2O3 (I. 63)等无机物〔()内的数值表示折射率〕，折射率为I. 4 I. 6左右的丙烯酸树脂、氨基甲酸酯树脂、三聚氰胺树脂、醇酸树脂、硅氧烷系聚合物、有机硅烷缩合物等有机物，或上述无机物和上述有机物的混合物。上述材料中，第I电介质层21的材料适宜使用有机物、或有机物和无机物的混合物。特别是作为有机物，优选使用由三聚氰胺树脂和醇酸树脂和有机硅烷缩合物的混合物形成的热固化型树脂。如果第I电介质层21为有机物，在通过蚀刻将透明导电层3及第2电介质层22图案化时，可以使第I电介质层21不因蚀刻而图案化，因此，图3所示的方式也可以容易地实施。第2电介质层22的材料优选为无机物、或有机物和无机物的混合物。作为无机物，优选Si02、MgF2、Al2O3等，其中，特别优选Si02。如果第2电介质层22为无机物，可以通过蚀刻进行图案化，因此，图3所示的方式也可以容易地实施。第I电介质层21及第2电介质层22可以使用上述材料，利用真空蒸镀法、溅射法、离子镀法等干式涂布法、及湿式涂布法(涂覆法)等进行制膜。其中，第I电介质层21特别优选利用湿式涂布法进行制膜。透明薄膜基材通常会因薄膜中的填料等的存在而在其表面具有凹凸，但第I电介质层21利用湿式涂布法进行制膜时，容易形成基材的表面凹凸得到缓和的均匀的膜。因此，可以使电介质层2的表面也平滑化、并使形成于其上的透明导电层3的膜质良好。另外，例如，作为透明导电层3，形成含有氧化锡的氧化铟(ITO)的情况下，作为底层的电介质层2的表面平滑时，还可以缩短透明导电层的结晶化时间。从该观点考虑，第2电介质层22也优选利用湿式涂布法进行制膜。另外，第I电介质层21通过利用湿式涂布法进行制膜，还可以抑制低聚物从透明薄膜基材I析出。通常，加热聚合物时，有时由解聚反应产生的低聚物析出到薄膜表面，尤其是聚酯等缩合聚合物，上述倾向更明显。而且，通过透明导电层3的制膜时及退火(结晶化)时的加热，低聚物从薄膜基材析出，这有时会阻碍透明导电层3的结晶化、或对透明导电性薄膜的可视性产生不良影响。与此相反，透明薄膜基材I上的电介质层21利用湿式涂布进行制膜的情况下，其还可以作为低聚物密封层起作用，因此，可以抑制因上述的低聚物析出引起的不良影响的产生。另外，从抑制低聚物从透明薄膜基材I析出的观点考虑，第I电介质层21的厚度d21优选为8nm以上，更优选为IOnm以上,进一步优选为15nm以上。另外，第I电介质层21的厚度d21优选比第2电介质层22的厚度d22大。通过使第I电介质层的厚度比第2电介质层的厚度大，图案部P和图案开口部0在可见光区域的反射光谱形状的差异变小，两者的色相之差变小，因此，变得难以看到图案。进而，第I电介质层21的厚度d21优选为8nm 40nm,更优选为IOnm 35nm,进一步优选为15nm 35nm。另外,第2电介质层22的厚度d22优选为3nm 25nm,更优选为5nm 20nm,进一步优选为5nm 15nm。各层的厚度在上述范围内时，不仅可以确保透明性，而且，在透明导电层3图案化为图案部P和图案开口部0的情况下，也可以有效减小两者的反射率差，制成可视性优 异的透明导电性薄膜。进而，本发明中，为了减小透明导电层3的图案部P和图案开口部0的可视性差异，减小第I电介质层21的厚度d21和第2电介质层22的厚度d22之差d21-d22是很重要的。从该观点考虑，本发明的透明导电性薄膜中，上述厚度之差d21-d22为3nm 30nm,优选为 5nm 30nm。需要说明的是，本说明书中，所谓“反射率”，只要没有特别说明，就表示在可见光(波长380 780nm)的区域中以5nm间隔测定的反射率的平均值。另外，所谓“色相”，为JIS Z8729中规定的L*a*b*色度体系中的L*值、a*值、b*,所谓“色差”,为使用L*之差A L*、a* 之差 A a*、以及 b* 之差 Ab*,用 AE= {( A L*)2+( A a*)2+( Ab*)2}°_5 表示的值。对于本发明的透明导电薄膜而言，在将透明导电层3图案化了的情况下，优选对图案部照射白色光时的反射光与对图案开口部的正下方照射白色光时的反射光的反射率差AR为1%以下。另外，图案部的反射光与图案开口部的正下方的反射光的色差AE优选为6. 7以下。在将透明导电层3图案化了的情况下，从进一步抑制图案部和图案开口部的反射率的观点考虑，优选第I电介质层21的折射率n21大于第2电介质层22的折射率n22。进而，第I电介质层21的折射率n21优选为I. 5 I. 7,更优选为I. 5 I. 65,进一步优选为I. 5 I. 6。另外，第2电介质层22的折射率n22优选为I. 4 I. 5，更优选为I. 41 I. 49，进一步优选为1.42 1.48。另外，在将透明导电层3图案化了的情况下，从抑制图案部和图案开口部的反射率差、进而抑制两者的色相之差的观点考虑，优选不仅控制第I电介质层21和第2电介质层22的折射率的大小关系、而且还控制透明薄膜基材I及透明导电层3的折射率的大小关系。即，优选透明薄膜基材的折射率Ii1、第I电介质层的折射率n21、第2电介质层的折射率n22、及透明导电层3的折射率113满足n22 < n21 < Ii1 < n3。进而，透明导电层3的折射率n3与第2电介质层的折射率n22之差n3-n22优选为0. I以上。n3_n22更优选为0. I 0. 9,进一步优选为0. 2 0. 8。通常，透明导电层由金属氧化物形成，因此，折射率高，表面的反射率高。另一方面，透明导电层3进行了图案化的情况下的图案开口部正下方的电介质层与透明导电层相t匕，折射率低，表面的反射率低。因此，图案部P和图案开口部0之间产生反射率差，存在容易看到图案的倾向。与此相反，本发明中，通过在透明薄膜基材I和透明导电层3之间设置折射率不同的2层电介质层，并进而将其厚度、折射率调整在上述范围，可以通过界面多重反射，利用干涉消除透明导电层表面的反射光，从而减小图案部P的反射率。因此，图案部P和图案开口部O的反射率差减小，难以看到图案。另外，通过使第I电介质层的折射率比第2电介质层大，存在不仅反射率差减小、而且图案化部和图案开口部的光谱形状的差异也变小的倾向。进而，从减小图案部P和图案开口部0的反射率差的观点考虑，优选如图3所示，在图案开口部，第2电介质层22也与透明导电层3同样地进行图案化。第I电介质层21与第2电介质层22相比折射率大，表面的反射率大，因此，在将第2电介质层图案化而第I电介质层露出的情况下，图案开口部的反射变大，与图案部的反射率差进一步减小。作为透明导电层3，如上所述，适宜使用折射率比第2电介质层大的导电层。透明导电层3的折射率113通常为I. 95 2. 05左右。上述透明导电层3的构成材料没有特别限定，适宜使用选自由铟、锡、锌、镓、锑、钛、硅、锆、镁、铝、金、银、铜、钯、钨构成的组中的至少I种金属的金属氧化物。该金属氧化物中，根据需要可以进一步含有上述组中所示的金属原子。优选使用例如含有氧化锡的氧化铟(ITO)、含有锑的氧化锡(ATO)等。透明导电层3的厚度没有特别限定，为了制成其表面电阻为IXlO3Q/ □以下的具有良好的导电性的连续覆膜，优选使厚度为IOnm以上。膜厚过厚时，会使透明性降低等，因此，优选为15 35nm，更优选在20 30nm的范围内。透明导电层的厚度不足15nm时，膜表面的电阻变高，并且难以形成连续覆膜。另外，透明导电层的厚度超过35nm时，有时会使透明性降低等。透明导电层3的形成方法没有特别限定，可以采用以往公知的方法。具体而言，例如可以例示真空蒸镀法、溅射法、离子镀法。另外，也可以根据所需的膜厚采用适当的方法。需要说明的是，形成透明导电层3之后，可以根据需要实施加热退火处理进行结晶化。需要说明的是，在利用蚀刻将透明导电层3图案化的情况下，如果先进行透明导电层3的结晶化，则有时蚀刻变难。因此，透明导电层3的退火处理优选在将透明导电层3图案化之后进行。进而，将第2电介质层22也通过蚀刻进行图案化的情况下，优选在将透明导电层3及电介质层22蚀刻之后进行透明导电层3的退火处理。本发明的透明导电性薄膜中，第I电介质层21和第2电介质层22的光学厚度的总和优选为10 120nm,更优选为15 IOOnm,进一步优选为20 80nm。另外,第I电介质层21、第2电介质层22、及透明导电层3的光学厚度的总和优选为45nm 155nm,更优选为50nm 140nm，进一步优选为55nm 130nm。需要说明的是，光学厚度用折射率和厚度的乘积表示。另外，如图2或图3所示，在将透明导电层3图案化的情况下，从减小图案部P与图案开口部0的反射率差的观点考虑，图案部的光学厚度的总和与图案开口部的光学厚度的总和之差优选为35nm 90nm,更优选为40nm 80nm,进一步优选为25nm 70nm。透明导电层3及第2电介质层22根据适宜使用透明导电性薄膜的用途，可以图案化为各种图案形状。作为图案形状，例如可以举出各图案部P形成长方形状，图案部P与图案开口部0配置成条状的形态。图4是本发明的透明导电性薄膜100的示意俯视图，是透明导电层图案化为条状的形态的一例。需要说明的是，图4中，以图案部P的宽度比图案开口部O的宽度大的方式进行图示，但是本发明并不限定于该形态。本发明的透明导电性薄膜为在透明薄膜基材I的一面或两面如上所述层叠有电介质层21、22及透明导电层3的薄膜即可，其制造方法没有特别限定。例如，可以如下制造，即，利用常规方法，制作在透明薄膜基材的一面或两面从透明薄膜基材I 一侧经由电介质层21及22具有透明导电层3的透明导电性薄膜之后，根据需要将透明导电层3及第2电介质层22蚀刻 而进行图案化，由此制造。蚀刻时，适宜使用以下方法通过用于形成图案的掩模覆盖图案部P，利用蚀刻液将透明导电层3及第2电介质层22蚀刻的方法。作为透明导电层3，适宜使用含有氧化锡的氧化铟、含有锑的氧化锡，因此，作为蚀刻液，适宜使用酸。作为酸，例如可以举出氯化氢、溴化氢、硫酸、硝酸、磷酸等无机酸，醋酸等有机酸，及这些酸的混合物、以及这些酸的水溶液。另外，在将第2电介质层22与透明导电层3同样地通过蚀刻进行图案化时，优选利用与蚀刻透明导电层3时同样的掩模覆盖图案部P，并利用蚀刻液蚀刻第2电介质层22。作为第2电介质层22，如上所述，适宜使用SiO2等无机物，因此，作为蚀刻液，适宜使用碱。作为碱，例如可以举出氢氧化钠、氢氧化钾、氨、四甲基氢氧化铵等的水溶液、及这些碱的混合物。需要说明的是，通过蚀刻将第2电介质层图案化时，如上所述，第I电介质层21优选由不被酸或碱蚀刻的有机物形成。以下，参照附图对本发明的透明导电性薄膜的变形例及层叠形态进行说明。需要说明的是，图5 图12中，为了简化，电介质层以I个层2的形式图示，但每个电介质层均从透明薄膜基材I一侧开始具有第I电介质层及第2电介质层。图5是表示在透明薄膜基材I的两侧形成有透明导电层3的实施方式的剖视图。图5的透明导电性薄膜110中在透明薄膜基材I的两面经由电介质层2形成有透明导电层
3。需要说明的是，图5中，图示了与图2同样仅透明导电层3进行了图案化的形态，但也可以采用如图I所示透明导电层3未进行图案化的形态、及如图3所示第2电介质层22与透明导电层3同样地进行图案化的形态。另外，图5中，在透明薄膜基材I的两侧具有图案化了的透明导电层3，但可以仅一侧的透明导电层3进行图案化。此外，还可以采用透明薄膜基材的一侧中透明导电层和第2电介质层进行图案化、相反侧中仅透明导电层进行图案化的形态。对于具有2层以上透明导电层3的图6 图9及图11的实施方式也同样。另外，图5中，透明薄膜基材I的两侧的透明导电层3的图案部和图案开口部一致，但它们也可以不一致，可以采用利用各种方式在透明薄膜基材的两侧适当地进行图案化的形态。对于具有2层以上透明导电层3的图6 图9及图11的实施方式也同样。图6 图9也是表示本发明的透明导电性薄膜的一例的剖视图。图6 图9的透明导电性薄膜表示经由透明的粘合剂层4层叠2个图2或图5所示的透明导电性薄膜100的形态。图6 图9的形态中，层叠得到的透明导电性薄膜151 154优选以至少在一面配置进行图案化了的透明导电层3的方式层叠。图6及图7中，经由透明的粘合剂层4层叠2个图2的透明导电性薄膜100。图6的透明导电性薄膜151为，其它透明导电性薄膜102的透明导电层3经由透明的粘合剂层4层叠在图2的透明导电性薄膜101的透明薄膜基材I上的形态。图7的透明导电性薄膜152为，图2所示的透明导电性薄膜101及102的透明薄膜基材I彼此经由透明的粘合剂层4层叠的形态。图8及图9中，图2的透明导电性薄膜100和图5的透明导电性薄膜110经由透明的粘合剂层4层叠。图8 的透明导电性薄膜153为，图2的透明导电性薄膜100的透明导电层3和图5的透明导电性薄膜110的一面的透明导电层3经由透明的粘合剂层4层叠的形态。图9的透明导电性薄膜154为，图2的透明导电性薄膜100的透明薄膜基材I和图5的透明导电性薄膜110的一面的透明导电层3经由透明的粘合剂层4层叠的形态。图6 图9中，例示了图2及/或图5的透明导电性薄膜2个经由透明的粘合剂层4层叠的情况，但图2及/或图5的透明导电性薄膜可以根据图6 图9的形态，适当组合2个或3个以上。另外，本发明的透明导电性薄膜也可以以设置有粘合剂层4的形态使用。粘合剂层4以在透明导电性薄膜的一面配置透明导电层3的方式层叠。图10表示在图2所示的透明导电性薄膜100的透明薄膜基材I上层叠有透明的粘合剂层4的透明导电性薄膜161。图11表示在图5所示的透明导电性薄膜的一面的透明导电层3上层叠有透明的粘合剂层4的透明导电性薄膜162。在粘合剂层4的露出面上，可以如图10、图11所示添设隔离膜9。需要说明的是，对于如图6 图9所示层叠2个以上透明导电性薄膜的情况，可以以在透明导电性薄膜的一面配置透明导电层3的方式层叠粘合剂层4。另外，在透明导电性薄膜的一面上，可以经由透明的粘合剂层4贴合透明基体5。图12表示在图2的透明导电性薄膜100中在未设置透明薄膜基材I的透明导电层3 —侧的面上经由透明的粘合剂层4贴合透明基体5的透明导电性薄膜120。透明基体5可以由I个基体薄膜构成，也可以为2个以上基体薄膜的层叠体(例如经由透明的粘合剂层层叠而成的层叠体)。另外，也可以如图12所示，在透明基体5的外表面设置硬涂层(树脂层)6。图12例示了在图2的透明导电性薄膜上贴合了透明基体的形态，但也可以代替图2的构成，适当使用具有图I、图3的构成的透明导电性薄膜。另外，同样，图5 图9等结构的透明导电性薄膜也可以进一步经由粘合剂层4贴合透明基体5使用。透明基体5的厚度通常优选为90 300 U m,更优选为100 250 U m。另外，由多个基体薄膜形成透明基体5时，各基体薄膜的厚度优选为10 200iim，更优选为20 150 ym，优选按照这些基体薄膜中包含了透明的粘合剂层的透明基体5的总厚度落入上述范围的方式进行控制。作为基体薄膜，适宜使用与上述透明薄膜基材I同样的材料。透明导电性薄膜和透明基体5的贴合，可以预先在透明基体5 —侧设置粘合剂层4，然后在其上贴合透明导电性薄膜的透明薄膜基材1，相反，也可以预先在透明导电性薄膜的薄膜基材I 一侧设置粘合剂层4，然后在其上贴合透明基体5。利用后一个方法，可以将透明薄膜基材I形成为辊状而连续地形成粘合剂层4，因此，在生产率方面是更有利的。另夕卜，也可以在透明薄膜基材I上经由粘合剂层依次贴合多个基体薄膜从而将透明导电性薄膜100和透明基体5层叠。需要说明的是，透明基体5的层叠中使用的透明的粘合剂层可以使用与下述透明的粘合剂层4同样的层。另外，将透明导电性薄膜彼此贴合时，可以适当选择层叠粘合剂层4的透明导电性薄膜的层叠面，将透明导电性薄膜彼此贴合。作为粘合剂层4，为具有透明性的粘合剂层即可，可以没有特别限定地使用。具体而言，例如可以适当选择以丙烯酸系聚合物、硅酮系聚合物、聚酯、聚氨酯、聚酰胺、聚乙烯醚、醋酸乙烯酯/氯乙烯共聚物、改性聚烯烃、环氧系、氟系、天然橡胶、合成橡胶等橡胶系等聚合物为基体聚合物的粘合剂层。特别是从光学透明性优异、表现出适当的润湿性、聚集性及粘接性等粘合特性、耐候性及耐热性等也优异的方面考虑，优选使用丙烯酸系粘合剂。根据作为粘合剂层4的构成材料的粘合剂种类的不同，有时也可以通过使用适当的粘合用底涂剂来增大锚固力。因此，使用这样的粘合剂时，优选使用粘合用底涂剂。上述粘合剂层4中可以含有对应基体聚合物的交联剂。另外，在粘合剂层4中，根据需要，还可以配混例如天然物及/或合成物的树脂类、玻璃纤维及/或玻璃微珠、金属粉及/或其它无机粉末等构成的填充剂、颜料、着色剂、抗氧化剂等适合的添加剂。另外，还可以含有透明微粒而形成被赋予了光漫射性的粘合剂层4。上述粘合剂层4通常以使基体聚合物或其组合物溶解或分散在溶剂中而成的固体成分浓度为10 50重量％左右的粘合剂溶液的形式使用。作为上述溶剂，可以适当选 择甲苯、醋酸乙酯等有机溶剂、水等对应粘合剂的种类的溶剂使用。该粘合剂层4在例如粘接透明基体5后，因所述缓冲效果，能具有提高设置在透明薄膜基材的一个面上的透明导电层3的耐擦伤性、作为触摸面板用的打点特性、所谓的笔触输入耐久性及面压耐久性的作用。因此，特别是在用于电阻膜方式的触摸面板时，适宜采用如图12所示的层叠形态。从更好地发挥该缓冲效果的观点考虑，优选将粘合剂层4的弹性模量设定在I 100N/cm2的范围、将厚度设定在I U m以上、通常5 100 y m的范围。粘合剂层的厚度在上述范围时，可以充分发挥缓冲效果，并且透明基体5和透明薄膜基材I的密合力也充分。粘合剂层4的厚度比上述范围薄时，有时不能充分确保上述耐久性、密合性，另外，厚度比上述范围厚时，有时透明性等外观产生不良情况。需要说明的是，透明导电性薄膜中适合使用的粘合剂层4的弹性模量及厚度的优选范围在其它形态中也与上述相同。经由这样的粘合剂层4贴合的透明基体5可以赋予透明薄膜基材I以良好的机械强度，并且，除笔触输入耐久性及面压耐久性以外，还有助于防止卷曲等的产生。使用隔离膜9转印粘合剂层4时，作为这样的隔离膜，优选使用例如在聚酯薄膜的至少和粘合剂层4粘接的面上层叠有防迁移层及/或脱模层的聚酯薄膜等。上述隔离膜9的总厚度优选为30 ii m以上，更优选在60 100 ii m的范围内。将总厚度设定在上述范围内的目的在于抑制以下情况的发生，即，形成粘合剂层4后，以辊状态保管时，认为会因进入辊间的异物等而产生的粘合剂层4的变形(凹痕)。作为上述防迁移层，可以由用于防止聚酯薄膜中的迁移成分、特别是聚酯的低分子量低聚物成分的迁移的适当的材料形成。作为防迁移层的形成材料，可以使用无机物或有机物、或它们的复合材料。防迁移层的厚度可以在0.01 20 ilm的范围内适当设定。作为防迁移层的形成方法，没有特别限定，例如可以使用涂布法、喷涂法、旋涂法、在线涂布(in-line coating)法等。另外,还可以使用真空蒸镀法、派射法、离子镀法、喷雾热分解法、化学镀法、电镀法等。作为上述脱模层，可以形成由硅酮系、长链烷基系、氟系、硫化钥等适当的剥离剂构成的层。脱模层的厚度可以从脱模效果方面考虑来适当设定。通常，从柔软性等操作性方面考虑，该厚度优选为20 i! m以下，更优选在0. 01 10 i! m的范围内，特别优选在0. I 5 y m的范围内。作为脱模层的形成方法，没有特别限定，可以采用与上述防迁移层的形成方法同样的方法。[0101]另外，根据需要，可以在上述透明基体5的外表面(与粘合剂层4处于相反侧的面)设置用于保护外表面的硬涂层(树脂层)6。作为硬涂层6，例如，优选使用由三聚氰胺系树脂、氨基甲酸酯系树脂、醇酸系树脂、丙烯酸系树脂、硅酮系树脂等固化型树脂形成的固化覆膜。硬涂层6的厚度优选为0. I 30 ii m。厚度不足0. Iiim时，有时硬度不足。另夕卜，厚度超过30 y m时，有时硬涂层6发生皲裂、或整个透明基体5发生卷曲。本发明的透明导电性薄膜中，可以设置用于提高可视性的防眩处理层、防反射层。用于电阻膜方式的触摸面板时，可以与上述硬涂层6同样地在上述透明基体5的外表面(与粘合剂层4处于相反侧的面)设置防眩处理层、防反射层。另外，可以在上述硬涂层6上设置防眩处理层、防反射层。另一方面，用于静电容量方式的触摸面板时，防眩处理层、防反射层有时也设置在透明导电层3上。本发明的透明导电性薄膜可以适宜用于例如光学方式、超声波方式、静电容量方 式、电阻膜方式等的触摸面板中。特别是将透明导电层图案化了的情况下，也可以将图案部和图案开口部的可视性的差异、特别是反射率之差抑制在较小的程度，因此，可以适宜用于投影型静电容量方式的触摸面板、可多点输入的电阻膜方式的触摸面板这样的具备图案化为规定形状的透明导电层的触摸面板。[实施例]以下，使用实施例对本发明进行详细说明，只要不超越本发明的主旨，本发明就不限定于以下的实施例。〈折射率〉各层的折射率如下测定使用Atago公司制的阿贝折射率计，使测定光(钠D线)入射到各种测定面，利用该折射计所示的规定的测定方法进行测定。〈各层的厚度〉对薄膜基材、透明基体、硬涂层、粘合剂层等具有Ium以上的厚度的层，使用Mitutoyo Corporation制造的Microgage式厚度计进行测定。对于硬涂层、粘合剂层等难以直接测量厚度的层，通过测定设置有各层的基材的总厚度，减去基材的厚度而算出膜厚。第I电介质层、第2电介质层、及ITO膜等的厚度使用大塚电子(株)制造的快速多通道测光系统“MCPD2000” (商品名)，以干涉光谱的波形为基础算出。〈反射特性〉使用Hitachi High-Technologies Corporation 制造的分光光度计“U-4100”(商品名)的积分球测定模式，将对ITO膜的入射角设为2度，以5nm间隔测定波长380 780nm区域的图案部和图案开口部的正下方的反射率。接着，算出图案部和图案开口部的正下方的平均反射率，由它们的平均反射率的值算出图案部和图案开口部的正下方之间的反射率差AR。需要说明的是，上述测定在如下状态下进行，S卩，在透明导电性薄膜(样品)的背面侧(PET薄膜侧)，使用黑色喷雾器形成遮光层，几乎没有来自样品背面的反射、来自背面侧的光的入射的状态。另外，使用D65光源，算出图案部及图案开口部的正下方的各自的反射光的L*、a*及b*，使用下式算出图案部的反射光和图案开口部的正下方的反射光的色差AE。AE= {( A L*)2+ ( A a*)2+ ( Ab*)2}0.5[实施例I][0115](电介质层的形成)在厚度25 的由聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(以下称为PET薄膜)形成的透明薄膜基材(折射率^ = I. 65)的一面涂布三聚氰胺树脂醇酸树脂有机硅烷缩合物的重量比为2 2 I的热固化型树脂组合物，其后，进行干燥使其固化，形成膜厚d21为20nm的第I电介质层。第I电介质层的折射率Ii1为I. 54。接着，将硅溶胶(Colcoat(株)制，Colcoat P)以固体成分浓度为2重量％的方式用乙醇稀释，利用硅涂布(silica coat)法涂布在第I电介质层上，其后，进行干燥使其固化，形成膜厚d22为IOnm的第2电介质层。第2电介质层的折射率n22为I. 46。(ITO膜的形成)然后，在第2电介质层上，在由氩气98%和氧气2%形成的0. 4Pa的气氛中，利用使用氧化铟97重量％、氧化锡3重量％的烧结体材料的反应性溅射法，形成厚度23nm的ITO膜(折射率n3 = 2. 00)，得到透明导电性薄膜。(IT0膜的图案化)在透明导电性薄膜的透明导电层上涂布图案化为条状的光致抗蚀剂，进行干燥固化后，在25°C、5重量％的盐酸(氯化氢水溶液)中浸溃I分钟，进行ITO膜的蚀刻。其后，除去光致抗蚀剂。(IT0膜的结晶化)进行ITO膜的蚀刻后，在140°C进行90分钟的加热处理，使ITO膜结晶化。[实施例2]与实施例I同样操作，在PET薄膜的一面形成第I电介质层、第2电介质层及ITO膜，得到透明导电性薄膜。(IT0膜的图案化)在透明导电性薄膜的透明导电层上涂布图案化为条状的光致抗蚀剂，进行干燥固化后，在25 °C、5重量％的盐酸中浸溃I分钟，进行ITO膜的蚀刻。(第2电介质层的图案化)以进行ITO膜的蚀刻后紧接着层叠光致抗蚀剂的状态，在45°C、2重量％的氢氧化钠水溶液中浸溃3分钟，进行第2电介质层的蚀刻，其后，除去光致抗蚀剂。(IT0膜的结晶化)将ITO膜及第2电介质层图案化后，在140°C下进行90分钟加热处理，将ITO膜结晶化。[实施例3、4]实施例3及实施例4中，分别与实施例I及实施例2同样操作，制作具有图案部和图案开口部的透明导电性薄膜。其中，实施例3及实施例4在将第I电介质层的厚度d21设为35nm、将第2电介质层的厚度d22设为5nm这一点上与实施例I及实施例2不同。[实施例5、6]实施例5及实施例6中，分别与实施例I及实施例2同样操作，制作具有图案部和图案开口部的透明导电性薄膜。其中，实施例5及实施例6在将第I电介质层的厚度d21设为30nm、将第2电介质层的厚度d22设为15nm这一点上与实施例I及实施例2不同。[比较例I][0137]比较例I中，与实施例I同样操作，制作具有图案部和图案开口部的透明导电性薄膜。其中，比较例I在将第I电介质层的厚度d21设为45nm、将第2电介质层的厚度d22设为IOnm这一点上与实施例I不同。[比较例2]比较例2中，与实施例I同样操作，制作具有图案部和图案开口部的透明导电性薄膜。其中，比较例2在将第I电介质层的厚度d21设为30nm、将第2电介质层的厚度d22设为30nm这一点上与实施例I不同。[比较例3]比较例3中，与实施例I同样操作，制作具有图案部和图案开口部的透明导电性薄膜。其中，比较例3在将第I电介质层的厚度d21设为40nm、将第2电介质层的厚度d22设 为30nm这一点上与实施例I不同。[比较例4]比较例4中，与实施例I同样操作，制作具有图案部和图案开口部的透明导电性薄膜。其中，比较例4在如下操作而形成第I电介质层这一点、及将第2电介质层的厚度d22设为35nm这一点上与实施例I不同。(第I电介质层的形成)在厚度25 ii m的PET薄膜基材(折射率Ii1 = I. 65)的一面，通过溅射法形成作为第I电介质层的膜厚20nm的硅锡氧化物。该第I电介质层的折射率为I. 70。将各实施例及比较例的透明导电性薄膜的评价结果示于表I。[表I]
权利要求1.一种透明导电性薄膜，其特征是，其在透明薄膜基材上依次具有第I电介质层、第2电介质层、及透明导电层， 第I电介质层的厚度d21比第2电介质层的厚度d22大， 第I电介质层的厚度d21为8 40nm,第2电介质层的厚度d22为3 25nm, 第I电介质层的厚度d21与第2电介质层的厚度d22的厚度差d21-d22为3 30nm。
2.根据权利要求I所述的透明导电性薄膜，其中，至少透明导电层进行了图案化，包含不具有透明导电层的图案开口部和具有透明导电层的图案部。
3.根据权利要求2所述的透明导电性薄膜，其中，第2电介质层与透明导电层同样地进行了图案化。
4.根据权利要求2或3所述的透明导电性薄膜，其中，对图案部照射白色光时的反射光与对图案开口部的正下方照射白色光时的反射光的反射率差AR为1%以下，且色差AE为6. 7以下。
5.根据权利要求I所述的透明导电性薄膜，其中，第I电介质层的折射率比第2电介质层的折射率大。
6.根据权利要求I所述的透明导电性薄膜，其中，第I电介质层是通过湿式涂布而形成的。
7.根据权利要求I所述的透明导电性薄膜，其中，第2电介质层是通过湿式涂布而形成的。
8.根据权利要求I所述的透明导电性薄膜，其中，透明薄膜基材的折射率H1、第I电介质层的折射率n21、第2电介质层的折射率n22、及透明导电层的折射率n3满足n22 < n21 < Ii1< n3的关系。
9.根据权利要求I所述的透明导电性薄膜，其中，透明导电层的折射率113与第2电介质层的折射率n22之差n3-n22为0. I以上。
10.根据权利要求I所述的透明导电性薄膜，其中，第I电介质层的折射率n21为I.5 I. 7，第2电介质层的折射率n22为I. 4 1.5。
11.根据权利要求2或3所述的透明导电性薄膜，其中，图案部的光学厚度的总和与图案开口部的光学厚度的总和之差为35nm 90nm。
12.一种透明导电性薄膜，其特征是，其以至少在一面配置透明导电层的方式经由透明的粘合剂层层叠至少2个权利要求I所述的透明导电性薄膜。
13.—种透明导电性薄膜，其特征是，其以在一面配置透明导电层的方式在权利要求I所述的透明导电性薄膜的一面经由透明的粘合剂层贴合透明基体。
14.一种触摸面板，其特征是，其具备权利要求I所述的透明导电性薄膜。
15.根据权利要求14所述的触摸面板，其特征是，其为投影型静电容量方式或矩阵型的电阻膜方式。
专利摘要本实用新型提供透明导电性薄膜及触摸面板，所述透明导电性薄膜在将透明导电层图案化了的情况下也可以将图案部P和图案开口部O的可视性差异抑制在较小的程度。所述透明导电性薄膜在透明薄膜基材1上依次具备第1电介质层21、第2电介质层22、及透明导电层3，第1电介质层的厚度d21比第2电介质层的厚度d22大，第1电介质层的厚度d21为8～40nm，第2电介质层的厚度d22为3～25nm，第1电介质层的厚度d21与第2电介质层的厚度d22之差d21-d22为3～30nm。
文档编号G06F3/041GK202502768SQ20112041158
公开日2012年10月24日 申请日期2011年10月25日 优先权日2010年11月4日
发明者中岛一裕, 梨木智刚, 菅原英男 申请人:日东电工株式会社