显示设备、显示设备驱动方法和电子仪器的制作方法

专利名称：显示设备、显示设备驱动方法和电子仪器的制作方法
技术领域：
总的来说，本发明涉及显示设备、显示设备驱动方法和电子仪器。特别 地，本发明涉及具有平板型的显示设备，所述平板具有二维排列以形成矩阵 的像素来作为每一个均包括电光装置的像素，并且涉及用于驱动显示设备的 方法以及采用所述显示设备的电子仪器。
背景技术：
近些年来，在用于显示图像的显示设备的领域中，具有平板型的显示设 备已经快速地流行起来，其中所述平板具有二维排列以形成矩阵的像素来作 为每一个均包括发光装置的像素。在下面的描述中，也将像素称为像素电路。 平板显示设备的每一个像素电路中采用的发光装置作为所谓的电流驱动型发 光装置，在该电流驱动型发光装置中，发光装置发射的光线的亮度根据流过 装置的电流的量值变化。采用所谓的电流驱动型发光装置的平板显示设备的 示例是有机EL (电致发光)显示设备。有机EL显示设备采用有机EL装置， 所述有机EL装置的每一个均利用当将电场施加到有机EL装置的有机薄膜上 时产生光线的现象。
有机EL显示设备具有以下特性。由于即使由不超过10V的低施加电压 驱动有机EL装置，该装置也能够工作，因此该装置具有低功耗。另外，由 于有机EL装置是通过自身来产生光的装置，因此与根据用以控制光源(对于 每个像素电路中所采用的液晶来说，其称为背光)所产生的光的亮度的操作来 显示图像的液晶显示设备相比，由光线产生的图像展示了高度可辨识性。另 外，由于有机EL显示设备不要求诸如背光之类的照明元件(illumination member),因此可以容易地将所述设备制作得轻薄。此外，由于有机EL装置具有大约几微秒的很短的响应时间，因此在显示运动图像的时候不会产生残 余图像。
与液晶显示设备非常类似，有机EL显示设备可以釆用无源或有源矩阵 方法作为其驱动方法。然而，即使采用无源矩阵驱动方法的显示设备具有简
单的结构，随着扫描线的数量(即，像素电路的数量)增大，电光装置的发 光时间段也会减小。因此，有机EL显示设备出现了难以实现大尺寸和高清 晰度模型的问题。
由于上述原因，近些年中大量地开发采用有源矩阵方法的显示设备。根 据有源矩阵方法，在相同的像素电路中提供了用于控制流过电光装置的电流 的有源装置来作为电光装置。。有源装置的示例是绝缘栅型(insulated-gate type)场效应晶体管。绝缘栅型场效应晶体管一般是TFT (薄膜晶体管)。在 采用有源矩阵方法的显示设备中，每一个电光装置均能够在 一 帧时间段从始 至终地保持发光状态。因此采用有源矩阵方法易于实现大尺寸和高清晰度的 显示设备。
顺便提及，由有机EL装置展示的I-V特性，作为表示施加到装置的电 压和作为施加到其的电压的结果、流向装置的电流之间的关系的特性，通常 随着时间的流逝而劣化，这是公知的。将随着时间的流逝的劣化称为时间退 化(time degradation )。在采用N沟道型TFT作为使电流流向包括在像素电 路中的有机EL装置的装置驱动晶体管的像素电路中，TFT的源极电极连接 到有机EL装置。因此，由于由有机EL装置展示的I-V特性的时间退化，施 加在装置驱动晶体管的栅极和源极电极之间的电压Vgs变化，结果，由有机 EL装置发射的光线的亮度也变化。
如下更加具体地说明以上描述的内容。在装置驱动晶体管的源极电极上 出现的电势(electric potential)由装置驱动晶体管和有机EL装置的工作点 (operating point)确定。由于时间退化，装置驱动晶体管和有机EL装置的 工作点不期望地变化。因此，即使施加到装置驱动晶体管的栅极电极的电压 保持不变，在装置驱动晶体管的源极电极上出现的电势也变化。也就是说， 施加在装置驱动晶体管的栅极和源极电极之间的电压Vgs变化。因此，流过 装置驱动晶体管的电流变化。结果，流过有机EL装置的电流也变化，使得 有机EL装置发射的光线亮度也变化。
另外，在采用多晶硅(poly silicon) TFT作为装置驱动晶体管的像素电路中，除了有机EL装置的时间退化之外，由于时间退化，装置驱动晶体管 的阈值电压Vth和形成包括在装置驱动晶体管中的装置驱动晶体管的沟道的
半导体薄膜的迁移率p也变化。在下面的描述中，将包括在装置驱动晶体管 中的半导体薄膜的迁移率p简单地称为装置驱动晶体管的迁移率p。另外，
由于在制造过程中的变化，阔值电压Vth和迁移率p在像素之间也是变化的。 也就是说，在各个像素特性之中存在晶体管变化。
如果装置驱动晶体管的阈值电压Vth和迁移率p在像素之间变化，则流 过装置驱动晶体管的电流在像素之间也是变化的。因此，即使施加到装置驱 动晶体管的栅极电极的电压保持不变，由有机EL装置发射的光线的亮度在 像素之间也是变化的。结果，失去了屏幕均匀性(screenuniformity)。
为了将有机EL装置发射的光线的亮度保持在恒定值，而不受有才几EL装 置的I-V特性的变化、对其栅极施加常数电压的装置驱动晶体管的阈值电压 Vth的变化及迁移率p的变化(即使有机EL装置的I-V特性，阈值电压Vth 及迁移率由于时间退化而变化)的影响，如在诸如日本专利公开No. 2006-133542 (在下文中将其称为专利文档1)之类的文档中公开的那样，因 此需要提供这样的配置，其包括用于对于有机EL装置的I-V特性的变化， 校正有机EL装置发射的光线的亮度的补偿功能；用于对于装置驱动晶体管 的阈值电压Vth的变化，校正有机EL装置发射的光线的亮度的补偿功能； 以及对于装置驱动晶体管的迁移率p的变化，校正有机EL装置发射的光线 的亮度的补偿功能。在下面的描述中，将对于装置驱动晶体管的阚值电压Vth 的变化，校正有机EL装置发射的光线的亮度的处理称为阈值电压校正处理， 而将对于装置驱动晶体管的迁移率p的变化，校正有机EL装置发射的光线 的亮度的处理称为迁移率校正处理。
通过为每个像素电路提供具有用于对于有机EL装置的I-V特性的变化， 校正有机EL装置发射的光线的亮度的补偿功能、对于装置驱动晶体管的阈 值电压Vth的变化，校正有机EL装置发射的光线的亮度的补偿功能以及对 于装置驱动晶体管的迁移率p的变化，校正有机EL装置发射的光线的亮度 的补偿功能，可以将有机EL装置发射的光线的亮度保持在恒定值，使其即 使有机EL装置的特性、阔值电压Vth和迁移率n由于时间退化而变化，对 于施加到装置驱动晶体管的栅极电极的恒定电压也不受有机EL装置的I-V特 性的变化、阈值电压Vth的变化和装置驱动晶体管的迁移率p的变化的影响。因此，可以改进有机EL显示设备的显示质量。

发明内容
根据专利文档1中公开的现有技术，为每一个像素电路提供用于对于有 机EL装置的特性的变化，校正有机EL装置发射的光线的亮度的功能，以及 用于对于装置驱动晶体管的阈值电压Vth和迁移率p的变化，校正有机EL 装置发射的光线的亮度的功能。因此，即使在时间退化过程中，有机EL装 置的I-V特性或装置驱动晶体管的阈值电压Vth和迁移率ii劣化，也可以将 有机EL装置发射的光线的亮度保持在恒定值，不受I-V特性、阔值电压Vth 和/或迁移率p的劣化的影响。另一方面，组成被提供有这样功能的像素电路 的元件的数量很大，妨碍了减小像素电路尺寸以及此后提供高清晰度显示设 备的努力。
为了减小组成像素电路的元件的数量和连接到/入像素电路的线的数量， 本发明的发明人已经提出了有机EL显示设备，其被设计为采用每一个都具 有以下配置的像素电路，典型地，在该配置中
可以将提供给装置驱动晶体管的电源电势从一个电平切换至另一个电 平，反之亦然；
由于可以通过将提供给装置驱动晶体管的电源电势从一个电平切换至另 一个电平(反之亦然)来执行有机EL装置的发光状态和不发光状态的控制，因 此可以消除用于控制有机EL装置的发光状态和不发光状态的晶体管；
还可以消除用于将出现在装置驱动晶体管的源极电极上的电势初始化的 晶体管；以及
经由信号写入晶体管，将来自相同信号线(其经由信号写入晶体管将作为 栅极电势的视频信号电压提供至装置驱动晶体管的栅极电势)的参考电势作 为栅极电势来提供给装置驱动晶体管的栅极电极，使得因此可以消除用于将 出现在装置驱动晶体管的栅极电极上的电势初始化的晶体管。
对于所提出的有机EL显示设备的细节，建议读者参考日本专利申请No. 2006-141836。
根据像素电路的所提出的配置，该像素电路仅采用了所需要的配置元件 的最小数量。为了更具体地表达，该像素电路包括 有机EL装置，其用作电光装置；信号写入晶体管，用于将表示亮度信息的视频信号的电压存储至与该像
素电路中的装置驱动晶体管的栅极电极相连接的存储电容器中；
存储电容器，其连接至装置驱动晶体管的栅极电极，作为用于将信号写 入晶体管存储的电压保持为视频信号的电压；以及
装置驱动晶体管，用于基于存储电容器中所保持的、作为视频信号的电 压来驱动有机EL装置。
在上述像素电路的情况下，为了对于像素间的装置驱动晶体管的阈值电 压Vth的变化，来校正有机EL装置所发射的光的亮度，通过经信号线和置 于导电状态的信号写入晶体管将参考电势Vofs施加给装置驱动晶体管的栅极 电极来执行电压校正处理。当在阈值电压校正处理的末尾时间段将信号写入 晶体管置入非导电状态时，装置驱动晶体管的栅极电极从信号线电断开,并被 置入浮置状态，之后，信号写入晶体管被再次置于导电状态，以便在阈值电 压校正处理之后的信号写处理中将视频信号的电压存储至与装置驱动晶体管 的栅极电极相连接的存储电容器中。因此，在阈值电压校正处理的末尾与信 号写处理的开始之间的时间段期间，装置驱动晶体管的栅极电极处于浮置状 态。
如上所述，通过将装置驱动晶体管的栅极电极置于浮置状态，由于流过 装置驱动晶体管的泄漏电流(其作为可通过如后面所详细描述的本发明来避 免的泄漏电流)的影响，出现在装置驱动晶体管的栅极和源极电极上的电势升 高。因此，在没有本发明的情况下，所关注的是，由于出现在装置驱动晶体 管的栅极电极上的电势已经升高到对于视频信号的电压来说太高(甚至更高) 以至于不能将其写入存储电容器中的电平，所以在阈值电压校正处理之后将 视频信号的电压存储i'j存储电容器中的处理中，尤其是在阈值电压校正处理 之后将视频信号的低电压存储到存储电容器的处理中，像素电路出现了不能 正常地存储视频信号的电压的问题。
为了解决上述问题，本发明的发明者已创新了即使像素电路中所采用 的装置驱动晶体管的栅极电极被置于浮置状态，其也能够将视频信号正常地 存储至每个像素电路中所使用的存储电容器中的显示设备；以及创新了用于 驱动该显示设备以及每一个使用该显示设备的电子仪器的驱动方法。
根据本发明的实施例的显示设备使用像素阵列部分，其包括用以形成矩 阵而排列的像素电路，作为每一个都具有以下配置的像素电路电光装置；信号写入晶体管，其栅极电极连接至扫描线，并且其特定的一个电极连接至
信号线；装置驱动晶体管，其栅极电极连接至所述信号写入晶体管的另一个 电极，其确切的一个电极连接至电源线，并且其另一个电极连接至所述电光 装置的阳极电极；以及存储电容器，其一个电极连接至所述装置驱动晶体管 的所述栅极电极以及所述信号写入晶体管的所述另一个电极，并且其另一个 电极连接至所述装置驱动晶体管的所述另一个电极以及所述电光装置的所述 阳极电极。显示设备进一步采用电源扫描电路，用于通过所述电源线来将 第 一 电源电势或低于所述第 一 电源电势的第二电源电势选择性地提供给所述 装置驱动晶体管的所述确切电极；信号输出电路，用于通过所述信号线来将 视频信号或参考电势选择性地输出至所述信号写入晶体管的所述特定电极； 以及写扫描电路，用于当所述信号输出电路正在通过所述信号线将所述视频 信号或所述参考电势输出至所述信号写入晶体管的所述特定电极时，通过所 述扫描线将写脉冲提供至所述信号写入晶体管的所述栅极电极。在显示设备 中，当在所述信号写入晶体管执行的操作中将出现在所述装置驱动晶体管的 所述栅极电极上的电势已初始化为等于所述参考电势的初始化电势之后，执 行阈值电压校正处理以将出现在所述装置驱动晶体管的所述另一个电极上的 电势朝着通过从所述参考电势中减去所述装置驱动晶体管的阈值电压而获得 的电势电平来改变，其中，所述信号写入晶体管执行的操作是将所述参考电 势存储至与所述装置驱动晶体管的所述栅极电极相连接的所述存储电容器 中，所述参考电势是所述装置驱动晶体管的所述栅极电极的所述初始化电势; 以及当所述信号输出电路正在将所述参考电势输出至所述信号写入晶体管的 所述特定电极时，所述写扫描电路将写脉沖提供给所述信号写入晶体管的所 述栅极电极，作为具有大于当所述信号输出电路将所述视频信号输出至所述 信号写入晶体管的所述特定电极时而由所述写扫描电路提供至所述信号写入 晶体管的所述栅极电极的写脉沖的波形高度的波形高度的写脉冲。
在具有上述配置的显示设备中以及采用该显示设备的电子仪器中，当将 出现在装置驱动晶体管的栅极电极上的电势初始化为等于信号写入晶体管所
至与该装置驱动晶体管的栅极电极相连接的存储电容器中)中的参考电势的 初始化电势之后，执行阈值电压校正处理以将出现在装置驱动晶体管的另一 个电极上的电势朝着通过从参考电势中减去装置驱动晶体管的阈值电压而获得的电势电平来改变。随后，当在阈值电压校正处理的末尾时间段将信号写 入晶体管置于非导电状态时，装置驱动晶体管的栅极电极从信号线电断开， 并被置于浮置状态中，之后，信号写入晶体管被再次置于导电状态，以便在 阈值电压校正处理之后的信号写处理中将视频信号的电压存储至与装置驱动 晶体管的栅极电极相连接的存储电容器中。因此，在阈值电压校正处理的末 尾与信号写处理的开始之间的时间段期间，装置驱动晶体管的栅极电极处于
浮置状态。
当施加给信号写入晶体管的栅极电极的写脉冲在阈值电压校正处理的末 尾处从高电平(一般表示激活状态)改变为0电平(一般表示非激活状态)而导致 信号写入晶体管从导电状态到非导电状态的转换时，由于寄生电容所展示的 耦合效应(其存在于信号写入晶体管的栅极和漏极电极之间)，脉冲信号的突变 通过信号写入晶体管的漏极电极而被传递到装置驱动晶体管的栅极电极，由 于装置驱动晶体管的栅极电极连接至信号写入晶体管的漏极电极，因而出现 在装置驱动晶体管的栅极电极上的电势也改变。出于同样原因，当阈值电压 校正处理之后，施加给信号写入晶体管的栅极电极的写脉冲在所执行的信号 写处理(用于将信号输出电路在信号线上所声明的视频信号存储至存储电容 器中)的末尾处也从高电平改变为0电平，由于相同的耦合效应，因而在信号 写处理的末尾，出现在装置驱动晶体管的栅极电极上的电势也改变。然而， 如之前所述，在阈值电压校正处理中施加给信号写入晶体管的栅极电极的写
脉冲具有大于在信号写处理中所施加给信号写入晶体管的栅极电极的写脉冲 的波形高度的波形高度。因此，作为出现在装置驱动晶体管的栅极电极上的 电势的变化，在阈值电压校正处理的末尾处所观测到的变化大于在使得写脉
冲的波形高度相一致的情况下所观测到的变化。结果，出现在阈值电压校正 处理的末尾处的装置驱动晶体管的栅极和源极之间的电压下降，使得将装置 驱动晶体管置入截止状态，从而没有之前所提及的泄漏电流流过装置驱动晶 体管。在信号写入晶体管的栅极电极的浮置状态的时间段期间，通过防止泄 漏电流流过装置驱动晶体管，也防止了出现在装置驱动晶体管的栅极电极上 的电势上升为对于视频信号的电压来说太高(或甚至更高)以至于将其存储至 存储电容器的值。
根据本发明，在装置驱动晶体管的栅极电极处于浮置状态的时间段期间， 可以防止由于流过装置驱动晶体管的泄漏电流而引起的出现在装置驱动晶体管的栅极电极上的电势的上升。因此，尤其是在阈值电压校正处理之后，即 使在将^L频信号的低电压存储至像素电路中所使用的存储电容器中的过程 中，也可将视频信号正常地存储在存储电容器中。因此，可以提高显示质量。


图1是示出应用了本发明的实施例的有源矩阵有机EL显示设备的大体 配置的框图2是示出有机EL显示设备中采用的像素电路的具体典型配置的线图； 图3是示出像素电路的典型结构的横截面的剖面态中操作的描述中提到的时序/波形图5A到6D是在理想状态中的电路操作的第一部分的描述中所提到的多 个说明图7是示出用于说明装置驱动晶体管的阈值电压Vth在晶体管之间的变 化的曲线的特性图8是示出用于说明装置驱动晶体管的迁移率p在晶体管之间的变化的 曲线的特性图9A到9C是示出多种情况下，每一个均示出视频信号电压Vsig与在 装置驱动晶体管的漏极和源极电极之间流动的漏源电流Ids之间的关系的多
移率校正处理的不同的像素电路A和B的两条曲线的线图；图9B是示出分 别对于经历了阈值电压校正处理但没有经历迁移率校正处理的不同的像素电 路A和B的两条曲线的线图；以及图9C是示出分别对于经历了阔值电压校 正处理和迁移率校正处理二者的不同的像素电路A和B的两条曲线的线际操作的描述中提到的时序/波形分布式Vth校正处理中的信号的时序/波形多个时序/波形图13是示出根据第一写/扫描电路实施例的写扫描电路的典型电路配置的电路图14A到14D是图13的电路图中示出的、作为根据第一写/扫描电路实 施例的写扫描电路的写扫描电路中所产生的信号的多个时序/波形图15是示出根据第二写/扫描电路实施例的写扫描电路的典型电路配置 的电路图16A到16F是图15的电路图中示出的、作为根据第二写/扫描电路实 施例的写扫描电路的写扫描电路中产生的信号的多个时序/波形图18A和18B是每一个均示出了应用了本发明的实施例的数字照相机的 外观的斜视图的多个视图；图18A是从数字照相机的前侧的位置上看到的数 字照相机的视图；而图18B是从数字照相机的后侧的位置的上看到的数字照 相才几的碎见图19示出应用了本发明的实施例的膝上型个人计算机的外观的斜视图； 图20示出应用了本发明的实施例的摄像机的外观的斜视图；以及 图21A到21G是每一个均示出了应用了本发明的实施例的诸如蜂窝电话 之类的便携终端的外观的多个视图；图21A示出在已经被打开的状态下的便 携式电话的正视图；图21B是示出在已经被打开的状态下的便携式电话的一 侧的视图；图21C示出在已经被闭合的状态下的便携式电话的正视图；图21D 示出在已经被闭合的状态下的便携式电话的左侧的视图；图21E示出在已经 被闭合的状态下的便携式电话的右侧的视图；图21F示出在已经被闭合的状 态下的便携式电话的顶视图；以及图21G示出在已经被闭合的状态下的便携 式电话的底视图。
具体实施例方式
通过参照附图，详细说明本发明的实施例如下。 系统配置
图1是示出应用了本发明的实施例的有源矩阵有机EL (电致发光)显示 设备的大体系统配置的框图。
其利用电流驱动式电光装置作为发光装置，每一个发光装置都用于有源矩阵 有机EL显示设备10中包括的像素电路之一中。电流驱动式电光装置根据流过所述装置的电流的量值来改变其发光亮度。电流驱动式电光装置的示例是 有机EL装置。
如图l的框图所示，有源矩阵有机EL显示设备IO具有这样的配置，该 配置包括像素阵列部分30和驱动部分，该驱动部分放置在像素阵列部分30 的外围中，作为每一个均用于驱动像素阵列部分30中所采用的像素电路 (PXLC) 20的驱动电路。在像素阵列部分30中，每一个均包括发光装置的 像素电路20二维排列以形成像素矩阵。驱动部分一般是写扫描电路40、电 源扫描电路50和信号输出电路60。
在用于彩色显示的有源矩阵有机EL显示设备10的情况下，每一个像素 电路20均包括每一个均用作像素电路20的多个子像素电路。为了更具体地 表达，在用于示出彩色显示的有源矩阵有机EL显示设备IO中，每一个像素 电路20包括三个子像素电路，即用于发射红光的子像素电路(即R色光)、 用于发射绿光的子像素电路(即G色光)以及用于发射蓝光的子像素电路(即 B色光)。
然而，用作像素电路的子像素电路的组合绝不仅限于三原色(即R、 G 和B色)的子像素电路的以上组合。例如，可以将另一颜色的子像素电路或 者甚至多种其他颜色的多个子像素电路添加到三原色的子像素电路以用作像 素电路。为了更具体地表达，例如，可以将用于产生增大亮度的白(W)色 光的子像素电路添加到三原色的子像素电路以用作像素电路。作为另一个示 例，将每一个用于产生补色光的子像素电路添加到三原色的子像素电路以用
作具有增大的彩色再现范围的像素电路。
对于用于在像素阵列部分30中形成m行、n列而排列的像素电路20的 m行/n列矩阵，提供扫描线31-1到31-m以及电源线32-1到32-m,其朝向作 为从左至右方向或者图1的框图中的水平方向的第一方向。为了更加具体， 对于像素电路20的m行矩阵的每一行，提供扫描线31-1到31-m的每一条 以及电源线32-1到32-m的每一条。另外，像素阵列部分30中像素电路20 的m行/n列矩阵还提供有信号线33-1到33-n,其每一个朝向作为从上至下 方向或者垂直方向并且与图1的框图中的第一方向垂直的第二方向。为了更 具体，对于像素电路20的n列矩阵的每一列，提供信号线33-l到33-n的每 一条。
扫描线31-1到31-m的任意特定的一条被连接到作为与对其提供了特定扫描线31的行相关联的输出端子的、写扫描电路40中采用的输出端子。出 于同样原因，电源线32-1到32-m的任意特定的一条被连接到作为与对其提 供了特定电源线32的行相关联的输出端子的、电源扫描电路50中釆用的输 出端子。另一方面，信号线33-1到33-n的任意特定的一条被连接到作为与对 其提供了信号线33的列相关联的输出端子的、信号输出电路60中采用的输 出端子。
通常将像素阵列部分30创建在诸如玻璃衬底之类的透明绝缘衬底上。因 此，有源矩阵有机EL显示设备IO可以被构建为具有平板结构。写扫描电路 40、电源扫描电路50和信号输出电路60 (其每一个均用作驱动像素阵列部 分30中所包括的像素电路20的驱动电路)都可以由非晶硅TFT (薄膜晶体 管)或低温硅TFT组成。如果使用低温硅TFT,则也可以在组成像素阵列部 分30的显示面板70 (或衬底)上创建写扫描电路40、电源扫描电路50和信 号输出电路60。
写扫描电路40包括移位寄存器，其用于与时钟脉冲信号ck同步地顺序 移动(传播)起始脉冲Sp。在将;f见频信号写入像素阵列部分30中采用的像素 电路20的4喿作中，写扫描电路40顺序地将起始脉冲sp作为写脉冲(或扫描 信号)WS1到WSm之一提供到扫描线31-l到31-m之一。因此，使用提供 至扫描线31-1到31-m的写脉冲来以所谓的逐线顺序扫描操作的方式来以行 为单位顺序扫描像素阵列部分30中所采用的像素电路20,以将相同行上所 提供的像素电路20置入被使能(enable)来同时接收视频信号的状态中。
出于同样原因，电源扫描电路50还包括移位寄存器，其用于与时钟脉冲 信号ck同步地顺序移动(传播)起始脉冲sp。与写扫描电路40执行的逐线 顺序扫描#:作同步地，即与起始脉冲sp所确定的时序同步地，电源扫描电 路50将电源线电势DS1到DSm分别提供到电源线32-1到32-m。为了以行 为单位来控制像素电路20的发光状态和不发光状态，以及为了以行为单位来 将电流提供给作为发光装置的像素电路20中所采用的有机EL装置，将电源 线电势DS1到DSm中的每一个从第一电源电势Vccp切换到低于第一电源电 势Vccp的第二电源电势Vini,反之亦然。
信号输出电路60适当地选择表示从信号源(在图1的框图中未示出)接 收到的亮度信息的视频信号的电压Vsig或参考电势Vofs,并且通过信号线 33-1到33-n、 一般以行为单元、将所选#^的一个写入至像素阵列部分30中采用的像素电路20。参考电势Vofs是像素电路20中采用的装置驱动晶体管22 的栅极电极的前述的初始化电势。在下面的描述中，作为表示从信号源接收 到的亮度信息的视频信号的电压的视频信号电压Vsig也被称为信号电压。也 就是说，信号输出电路60采用在使能的状态下将视频信号电压Vsig逐行地 写入至像素电路20中的逐行顺序写操作的驱动方法来接收视频信号电压 Vsig。
参考电势Vofs是用作表示从信号源接收到的亮度信息的视频信号电压 Vsig的参考的电势。参考电势Vofs—般是表示黑电平的电势。上述第二电源 电势Vini低于参考电势Vofs。例如，第二电源电势Vini低于(Vofs-Vth),其 中符号Vth表示像素电路20中采用的装置驱动晶体管22的阈值电压。期望 将第二电源电势Vini设置为充分低于(Vofs-Vth)的电势。
像素电路
图2是示出像素电路20的具体典型配置的图。
如图2所示，由写扫描电路40、电源扫描电路50和信号输出电路60所 驱动的像素电路20包括有机EL装置21，所述有机EL装置21用作根据流过 装置的电流的量值而改变所产生的光线的亮度的电光装置。有机EL装置21 的阴极(cathode)电极连接到所有像素电路20所共用的公共电源线34。公共电 源线34也被称为P线(beta line )。
除了有机EL装置21之外，像素电路20还具有包括上述装置驱动晶体 管22、信号写入晶体管23、存储电容器24和互补电容器(supplementary capacitor) 25的驱动元件。在像素电路20的典型配置中，每一个装置驱动晶 体管22和信号写入晶体管23均为N沟道TFT。然而，装置驱动晶体管22 和信号写入晶体管23的传导类型(conductiontype)绝不仅限于N沟道传导 型。也就是说，装置驱动晶体管22和信号写入晶体管23的传导类型均可以 是另一种传导类型，或者可以是彼此不同的传导类型。
要注意的是，如果使用N沟道TFT作为每一个装置驱动晶体管22和信 号写入晶体管23,则可以将非晶硅(a-Si)处理应用于像素电路20的制作。 通过将非晶硅(a-si)处理应用于像素电路20的制作，可以减小在其上创建 TFT的衬底的成本，并且因此减小有源矩阵有机EL显示设备10自身的成本。 另外，如果装置驱动晶体管22和信号写入晶体管23具有相同的传导类型， 则可以使用相同的处理来用于创建装置驱动晶体管22和信号写入晶体管23。因此，装置驱动晶体管22和信号写入晶体管23的相同传导类型有助于减小 成本。
装置驱动晶体管22的一个电极(即，源极或漏极电极)连接到有机EL 装置21的阳极电极，而装置驱动晶体管22的另一个电极(即，漏极或源极 电极)连接到电源线32,即，电源线32-l到32-m之一。
信号写入晶体管23的栅极电极连接到扫描线31，即，扫描线31-1到31-m 之一。信号写入晶体管23的一个电极(即，源极或漏极电极)连接到信号线 33,即信号线33-l到33-n之一，而信号写入晶体管23的另一个电极连接到 装置驱动晶体管22的栅极电极。
在装置驱动晶体管22和信号写入晶体管23中， 一个电极是连接到源极 或漏极电极的金属线，而另一个电极是连接到漏极或源极电极的金属线。另 外，根据出现在一个电极上的电势与出现在另 一个电极上的电势之间的关系， 所述一个电极变为源极或漏极电极，而所述另一个电极变为漏极或源级电极。
存储电容器24的一个电极连接到装置驱动晶体管22的栅极电极和信号 写入晶体管23的另一个电极，而存储电容器24的另一个电极连接到装置驱 动晶体管22的所述一个电极和有机EL装置21的阳极电极。
互补电容器25的一个电极连接到有机EL装置21的阳极电极、装置驱 动晶体管22的所述一个电极和存储电容器24的所述另一个电极，而互补电 容器25的另一个电极连接到公共电源线34和有机EL装置21的阴极电极。 互补电容器25是用于由于有机EL装置21的电容不足而校正有机EL装置21 的电容器，并且需要时作为用于增大在将视频信号存储至存储电容器24的操 作中的写增益的电容器安装。也就是说，互补电容器25不是绝对需要的电容 器。如果有机EL装置21的电容足够大，则可以除去互补电容器25。
在像素电路20的以上典型配置中，互补电容器25的另一个电极连接到 公共电源线34。然而，互补电容器25的另一个电极并非必须连接到公共电 源线34。也就是说，互补电容器25的另一个电极可以连接到具有固定电势 的另一个电极，以便达到对于有机EL装置21的电容不足来校正有机EL装 置21,以及在将视频信号存储到存储电容器24的操作中增大写增益的期望 目标。
在具有上述配置的像素电路20中，写扫描电路40通过扫描线31 (即扫 描线31-1到31-m之一 )将高电平扫描信号WS施加给信号写入晶体管23的栅极电极来将信号写入晶体管23置于导电状态。在信号写入晶体管23的该 导电状态中，信号写入晶体管23将信号输出电路60通过信号线33 (即信号 线33-1到33-n之一)提供的、作为具有表示亮度信息的量值的电压的视频信 号电压Vsig进行釆样，或者将也由信号输出电路60通过信号线33提供的偏 置电压Vofs进行采样，并且将经采样的视频信号电压Vsig或偏置电压Vofs 写入像素电路20。将经采样的视频信号电压Vsig或偏置电压Vofs施加到装 置驱动晶体管22的栅极电极，并且存储在存储电容器24中。
使用电源线32 (即电源线32-1到32-m之一 )上所声明的作为电势DS 的第一电源电势Vccp，装置驱动晶体管22的一个电极变为漏极电极，而装 置驱动晶体管22的另一个电极变为源极电极。在以这种方式运行的装置驱动 晶体管22的电极中，装置驱动晶体管22在饱和区中工作，并且将从电源线 32接收到的电流流向有机EL装置21,作为用于驱动有机EL装置21进入发 光状态的电流。为了更具体地表达，装置驱动晶体管22在饱和区中工作，以 便根据在存储电容器24中存储的视频信号电压Vsig的量值，将具有该量值 用作发光电流的驱动电流提供到有机EL装置21。有机EL装置21由此发射
具有根据发光状态中驱动电流的量值而定的亮度的光。
当电源线32 (即电源线32-1到32-m之一 )上所声明的作为电势DS的 第 一 电源电势Vccp改变到第二电源电势Vini时，装置驱动晶体管22作为切 换晶体管工作。当作为切换晶体管操作时，装置驱动晶体管22的所述一个电 极变为源极电极，而装置驱动晶体管22的所述另一个电极变为漏极电极。作 为这样的切换晶体管，装置驱动晶体管22停止向有机EL装置21提供驱动 电流的操作，将有机EL装置21置入不发光状态。也就是说，装置驱动晶体 管22还具有控制有机EL装置21的发光和不发光状态的晶体管的功能。
装置驱动晶体管22执行切换操作，以便将有机EL装置21的不发光时 间段设置为不发光状态的时间段，并且控制定义为有机EL装置21的发光时 间段与有机EL装置21的不发光时间段之比的占空比(duty )。通过执行这样 的控制，可以减小整个 一 帧中归因于像素电路产生的光线而带来的的残余图 像所引起的模糊的量。因此，特别地，可以使运动图像的质量更加出色。
像素结构
图3是示出像素电路20的典型结构的横截面的剖面图。如图3的剖面图 中所示，像素电路20的结构包括玻璃衬底201,在其上创建包括装置驱动晶体管22的驱动组件。另外，像素电路20的结构还包括绝缘膜202、绝缘平 板膜(flat film)203和窗口绝缘膜(window insulation film)204，其以本句中所例 举的绝缘膜202、绝缘平板膜203和窗口绝缘膜204的次序顺序地创建在玻 璃衬底上。在这种结构中，将有机EL装置21提供在窗口绝缘膜204的凹槽 (dent) 204A上。图3的剖面图剖面图仅示出了作为配置元件的驱动组件的 装置驱动晶体管22，省略了其他驱动组件。
有机EL装置21具有包括阳极电极205、有机层206和阴极电极207的 配置。阳极电极205 —般是创建在窗口绝缘膜204的凹槽204A的d底部上 的金属。有机层206是创建在阳极电极205上的电子传送层、发光层和空穴 传送/注入层。放置在有机层206之上的阴极电极207 —般是作为所有像素电 路20共同的膜而创建的透明导电膜。
通过在阳极电极205上顺序地堆积空穴传输层/空穴注入层2061、发光层 2062、电子传送层2063和电子注入层来创建包括在有机EL装置21中的有 机层206。要注意的是，电子注入层没有在图3的线图中示出。在装置驱动 晶体管22执行的、用以通过使电流流向如图2所示的有机EL装置21中来 驱动有机EL装置21发光的操作中，电流经由阳极电极205从装置驱动晶体 管22流向有机层206。通过流向有机层206的电流，在发光层2062中重新 将空穴和电子彼此结合，使得发光。
创建装置驱动晶体管22以具有包括栅极电极221、半导体层222、源极/ 漏极区域223、漏极/源极区域224和沟道创建区域225的配置。在该配置中， 源极/漏极区域223被创建在半导体层222的一侧上，而漏极/源极区域224被 创建在半导体层222的另一侧上，并且沟道创建区域225正对半导体层222 的栅极电极221 。源极/漏极区域223通过接触孔电连接到有机EL装置21的 阳极电极205。
如图3的图中所示，对于每一个像素电路20,在玻璃衬底201之上创建 有机EL装置21,在有机EL装置21与在其上形成包括装置驱动晶体管22 的驱动元件的玻璃村底21之间夹入绝缘膜202、绝缘平板膜203和窗口绝缘 膜204。在以这样的方式创建有机EL装置21之后，在有机EL装置21之上 创建钝化膜208，并且由密封衬底209将该钝化膜208覆盖，在密封衬底209 与钝化膜208之间夹入粘合剂210。以这种方式，通过密封衬底209来密封 有机EL装置21，形成显示面板70。有机EL显示设备的理想电路操作
接着，通过参照作为基础的图4的时序/波形图以及图5和6的电路图， 下面的描述说明采用二维排列以形成矩阵的像素电路20的有源矩阵有机EL 显示设备IO执行的理想电路操作。
要注意的是，在图5和6的电路操作说明图中，为了使图简单，将信号 写入晶体管23示为表示开关的符号。另外，在图5和6的每一个电路操作说 明图中将复合电容器(compound capacitor) Csub示为具有等于有机EL装置 21和互补电容器25 (其彼此连接以形成并联电路)的电容之和的复合电容的 电容器。
图4的时序/波形图示出在扫描线31 (扫描钱31-1到31-m的任意一条) 上出现的电势(扫描信号或写脉冲)WS的变化、在电源线32 (电源线32-l 到32-m的任意一条)上出现的电势DS的变化、在装置驱动晶体管22的栅 极电极上出现的栅极电势Vg的变化以及在装置驱动晶体管22的源极电极上 出现的源极电势Vs的变化。
在前帧的发光时间段
在图4的时序/波形图中，时间tl之前的时间段是紧接前帧中的有机EL 装置21的发光时间段。在发光时间段中，出现在电源线32上的电势DS是 第一电源电势Vcc p，在下文中也将其称为高电势，并且信号写入晶体管23 处于非导电状态。
通过电源线32上声明并施加到装置驱动晶体管22的第一电源电势 Vccp,设置装置驱动晶体管22以在饱和区中工作。因此，在发光时间段中， 根据施加到装置驱动晶体管22的栅极和源极电极之间的栅源电压Vgs的驱动 电流(即，发光电流或在装置驱动晶体管22的漏极和源极之间流动的漏源电 流Ids)经由如图5A的电路图中所示的装置驱动晶体管22从电源线32流向 有机EL装置21。结果，有机EL装置21发射具有与驱动电流Ids的量值成 比例的亮度的光线。栅极电势Vg的波形由点划线示出，而源极电势Vs的波 形由虚线示出，以便这些波形可以彼此区分。
阈值电压校正准备时间段
然后，在时间tl处，逐线顺序扫描操作的新一帧(将其称为图4的时序 /波形图中的当前帧)到达。如图5B的电路图中所示，出现在电源线32上的 电势DS从高电势Vccp改变到第二电源电势Vini。在下文中也将第二电源电势Vini称为低电势， 一般地，低电势Vini充分低于(Vofs-Vth)。
让我们假设低电势Vini满足关系Vini< ( Vel+Vcath),其中符号Vd表示 有机EL装置21的阈值电压，而符号Vcath表示出现在公共电源线34上的电 势。在这种情况下，由于出现在装置驱动晶体管22的源极电极上的源极电势 Vs大约等于低电势Vini，因此将有机EL装置21置入反偏状态，停止发光。
然后，在之后的时间t2处，在扫描线31上出现的电势WS从低电平改 变到高电平，将信号写入晶体管23置入如图5C的电路图中所示的导电状态。 在这种状态中，信号输出电路60声明信号线33上的参考电势Vofs,并且经 由信号写入晶体管23将参考电势Vofs施加到装置驱动晶体管22的栅极电极 作为栅极电势Vg。如上所述，将充分低于参考电势Vofs的低电势Vini提供 到装置驱动晶体管22的源极电极作为那时的源极电势Vs。
因此，在那时，在装置驱动晶体管22的栅极和源极电极之间施加的栅源 电压Vgs等于电势差(Vofs-Vini)。如果电势差(Vofs-Vini)不大于装置驱动 晶体管22的阈值电压Vth，则不能执行将在后面描述的阈值电压校正处理。 因此必须设置电势关系(Vofs-Vini) 〉Vth。
将装置驱动晶体管22的栅极电极上出现的栅极电势Vg固定(设置)为 参考电势Vofs并且将在装置驱动晶体管22的源极电极上出现的源极电势Vs 固定(设置)在低电平Vini的初始化处理是要在后面描述的阈值电压校正处 理的准备。在下面的描述中，将阁值电压校正处理的准备称为阈值电压校正 准备处理。
阈值电压校正时间段
然后，在之后的时间t3处，当在电源线32上出现的电势DS如图5D所 示从低电势Vini改变到高电势Vccp时，在将出现在装置驱动晶体管22的栅 极电极上的栅极电势Vg保持原样的状态中，出现在装置驱动晶体管的源极 电极上的源极电势Vs开始向着作为从栅极电势Vg中减去装置驱动晶体管22 的阈值电压Vth的结果而获得的电势升高。在适当的时候(in due course of time )，施加在装置驱动晶体管22的栅极和源极电极之间的电压Vgs收敛 (converge)到装置驱动晶体管22的阈值电压Vth,使得将与阈值电压Vth相对 应的电压存储在存储电容器24中。
为了方便，将如上所述的装置驱动晶体管22的栅极电极上出现的栅极 电势Vg的初始化电势Vofs作为参考电势。因此，在将出现在装置驱动晶体管22的栅极电极上的栅极电势Vg保持原样的状态中，出现在装置驱动晶体
管22的源极电极上的源极电势Vs开始向着作为从初始化电势Vofs (其是栅 极电势Vg)中减去装置驱动晶体管22的阈值电压Vth的结果而获得的电势 来改变(或者，更具体地表达，开始上升)。然后，检测出现在装置驱动晶体 管22的栅极和源极电极之间的最终的收敛电压Vgs为装置驱动晶体管22的 阈值电压Vth，并且将与阈值电压Vth对应的电压存储在存储电容器24中。 上述提高源极电势Vs的处理和4企测最终的收敛电压Vgs为阈值电压Vth以 及在存储电容器24中存储检测到的电压Vgs的处理称为阈值电压校正处理。
要注意的是，在阈值电压校正时间段中，为了使全部驱动电流流向存储 电容器24而不是流向有机EL装置21,将公共电源线34预先设置在电势 Vcath，以便将有机EL装置21置入截止状态。
然后，在之后的时间t4处，将扫描线31上出现的电势WS改变到低电 平，以便将信号写入晶体管23置入如图6A的电路图中所示的非导电状态。 在信号写入晶体管23的该非导通状态中，装置驱动晶体管22的栅极电极从 信号线33电断开，进入浮置状态。然而，由于在装置驱动晶体管22的栅极 和源极电极之间出现的电压Vgs等于装置驱动晶体管22的阈值电压Vth，因 此将装置驱动晶体管22置入截止状态。因此，漏源电流Ids不流过装置驱动 晶体管22。
写入和迁移率校正时间段
然后，在之后的时间t5处，如图6B的电路图中所示，将出现在信号线 33上的电势从参考电势Vofs改变到视频信号电势Vsig，以便准备信号写入操 作和迁移率校正处理。接着，在之后的信号写入和迁移率校正时间的开始时 间t6，通过将出现在扫描线31上的电势WS设置在高电平，将信号写入晶体 管23置入如图6C的电路图中所示的导电状态。在这种状态中，信号写入晶 体管23采样视频信号电压Vsig,并且将经采样的视频信号电压Vsig存储到 像素电路20中。
作为信号写入晶体管23将视频信号电压Vsig存储到像素电路20中所执 行的操作的结果，出现在装置驱动晶体管22的栅极电极上的栅极电势Vg变 为等于视频信号电压Vsig。在通过利用视频信号电压Vsig驱动装置驱动晶体 管22的操作中，装置驱动晶体管22的阈值电压Vth和作为与阈值电压Vth对应的电压而存储在存储电容器24中的电压在所谓的阈值电压校正处理中
相互抵消(kill),其原理将在后面详细描迷。
在那时，有机EL装置21最初处于截止状态(或高阻抗状态)。因此， 从电源线32流向由视频信号电压Vsig所驱动的装置驱动晶体管22的漏源电 流Ids实际上进入与有机EL装置21并联的前述复合表面(compound apparent) 电容器Csub,而不是进入有机EL元件21本身。结果，开始具有复合电容器 Csub的表面电容器的电充电处理。
当具有复合电容器Csub的表面电容器正在电充电时，随着时间的流逝， 出现在装置驱动晶体管22的源极电极上的源极电势Vs升高。由于已对像素 之间的Vth(阈值电压)变化校正了装置驱动晶体管22的漏极和源极电极之间 流动的漏源电流Ids，因此像素之间的漏源电流Ids仅根据装置驱动晶体管22 的迁移率而变化。让我们假设写增益具有理想值1。写增益定义为上述在装 置驱动晶体管22的栅极和源极电极之间观察到并且作为与装置驱动晶体管 22的阈值电压Vth对应的电压而存储在存储电容器24中的电压Vgs与视频 信号电压Vsig的比值。当出现在装置驱动晶体管22的源极电极上的源极电 势Vs达到电势(Vofs-Vth+AV)时，在装置驱动晶体管22的栅极和源极电极 之间观察到的电压Vgs变为等于电势(Vsig-Vofs+Vth-AV)，其中符号AV表 示源极电势Vs中的增量。
也就是说，执行负反馈操作，以便从存储在存储电容器24中的电压中减 去出现在装置驱动晶体管22的源极电极上的源极电势Vs的增量AV来作为 电压(Vsig-Vofs+Vth)，或者换句话说，执行负反馈操作，以便从存储电容器 24中电气地释放一些电荷。在负反馈操作中，使用出现在装置驱动晶体管22 的源极电极上的源极电势的增量AV作为负反馈量。
如上所述，通过将装置驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏源 电流Ids负向地反馈到装置驱动晶体管22的栅极输入，也就是说，通过将装 置驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏源电流Ids负向地反馈到出 现在装置驱动晶体管22的栅极和源极电极之间的电压Vgs,可以消除漏源电 流Ids对于装置驱动晶体管22的迁移率p的依赖性。也就是说，在采样视频 信号电压Vsig和将经采样的视频信号电压Vsig存储到像素电路20的操作中， 也执行了迁移率校正处理，以便对于像素间的迁移率p变化，校正在装置驱 动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏源电流Ids。为了更具体地表达，存储在像素电路20中的视频信号电压Vsig越高， 则在装置驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏源电流Ids就越大， 并且因此，用作负反馈量(或校正量)的增量AV的绝对值就越大。因此， 可以根据有机EL装置21发射的光线的亮度的电平(level)来执行迁移率校正 处理。
对于固定的视频信号电压Vsig，装置驱动晶体管22的迁移率p越大， 则用作负反馈量(或校正量)的增量AV的绝对值就越大。因此对于像素间 迁移率p变化，可以校正在装置驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的 漏源电流Ids。将在后面详细描述迁移率校正处理的原理。
发光时间段
然后，在之后的时间t7，将出现在扫描线31上的电势WS改变到低电平， 以便将信号写入晶体管23置入如图6D的电路图中所示的非导电状态。通过 被置于低电平的电势WS,装置驱动晶体管22的栅极电极从信号线33电断 开，进入浮置状态。
通过被置入浮置状态的装置驱动晶体管22的栅极电极以及连接到存储 电容器24的装置驱动晶体管22的栅极和源极电极，当出现在装置驱动晶体 管22的源极电极上的源极电势Vs根据存储在存储电容器24中的电荷量变化 时，出现在装置驱动晶体管22的栅极电极上的栅极电势Vg也以与源极电势 Vs的变化互锁(interlock)的方式变化。将出现在装置驱动晶体管22的栅极电 极上的栅极电势V g以与源极电势V s的变化互锁的方式变化的操作称为存储 电容器24的自举#/(乍(bootstrap operation )。
通过被置入浮置状态的装置驱动晶体管22的栅极电极，当在装置驱动晶 体管22的漏极和源极电极之间流动的漏源电流Ids开始流向有机EL装置21 时，出现在有机EL装置21上的阳极的电势根据漏源电流Ids的增大而升高。
出现在有机EL装置21的阳极电极上的电势超过电势(Vel+Vcath)，使 得有机EL装置21开始发光。出现在有机EL装置21的阳极电极上的电势的 增量正是出现在装置驱动晶体管22的源极电极上的源极电势Vs的增量。当 出现在装置驱动晶体管22的源极电极上的源极电势Vs升高时，由于存储电 容器24的自举操作的影响，出现在装置驱动晶体管22的栅极电极上的栅极 电势Vg也以与出现在装置驱动晶体管22的源极电极上的源极电势Vs的变 化互锁的方式升高。让我们假设在自举操作中自举增益具有理想值1 。在这种情况下，出现
在装置驱动晶体管22的栅极电极上的栅极电势Vg的增量等于出现在装置驱 动晶体管22的源极电极上的源极电势Vs的增量。因此，在发光时间段期间， 施加在装置驱动晶体管22的栅极和源极电极之间的栅源电压Vgs保持在固定 电平(Vsig-Vofs+Vth-AV)。然后，在之后的时间t8处，出现在信号线33上 的电势/人^L频信号线电压Vsig改变到偏置电压Vofs。 阈值电压校正处理的原理
下面的描述说明阈值电压校正处理的原理。如之前所述，将装置驱动晶 体管22设计为工作在饱和区中。因此，装置驱动晶体管22作为恒流源工作。 结果，装置驱动晶体管22将由等式(1)给出的恒定漏源电流Ids (也称为驱 动电流或发光电流)提供到有机EL装置21。
Ids= ( 1/2) *n ( W/L) Cox ( Vgs-Vth) 2 ( 1 )
在以上公式中，符号W表示装置驱动晶体管22的沟道宽度，符号L表 示沟道长度，符号Cox表示每单位面积的栅极电容。
图7是示出每一条均代表表示电流-电压特性表示在装置驱动晶体管22 的漏极和源极电极之间流动的漏源电流Ids与在装置驱动晶体管22的栅极和 源极电极之间施加的栅源电压Vgs之间的关系的电流-电压特性的曲线的特性 图。
图7的特性图中的实线表示具有阈值电压为Vthl的装置驱动晶体管22 的像素电路A的特性，而同 一特性图中的虚线表示具有不同于阈值电压Vth 1 的阈值电压为Vth2的装置驱动晶体管22的像素电路B的特性。
在图7的特性图中所示的示例中，像素电路B中采用的装置驱动晶体管 22的阈值电压Vth2大于像素电路A中采用的装置驱动晶体管22的阈值电压 Vthl,即Vth2〉Vthl。在这种情况下，对于水平轴上的相同栅源电压Vgs，在 像素电路A中采用的装置驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏源 电流Ids是Idsl,而在像素电路B中采用的装置驱动晶体管22的漏极和源极 电极之间流动的漏源电流Ids是Ids2, Ids2小于漏源电流Ids 1,即，Ids2<Ids 1 。 也就是说，即使对于水平轴上相同的栅源电压Vgs，如果像素间的装置驱动 晶体管22的阈值电压Vth变化，则除非执行阈值电压校正处理以对于像素间 Vth (符号Vth表示装置驱动晶体管22的阈值电压)中的变化来校正漏源电 流Ids，否则在装置驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏源电流Ids也在像素间变化。
另一方面，在具有上述配置的像素电路20中，如之前所述，在发光时间 施加在装置驱动晶体管22的栅极和源极电极之间的栅源电压VgS等于
(Vsig-Vofs+Vth-AV )。通过将表达式(Vsig-Vofs+Vth-AV)代入公式(1)中 的Vgs,漏源电流Ids可以由等式(2 )表示如下
Ids= ( 1/2 ) *(i ( W/L ) Cox ( Vsig-Vofs-AV) 2 ( 2 )
也就是说，消除了表示装置驱动晶体管22的阈值电压的项Vth。换句话 说，从装置驱动晶体管22流向有机EL装置21的漏源电流Ids不再依赖于装 置驱动晶体管22的阈值电压Vth。结果，即使装置驱动晶体管22的阈值电 压Vth由于制造装置驱动晶体管22的工艺的变化或者由于时间退化而在像素 间变化，漏源电流Ids也不会在像素间变化。因此，如果将表示相同视频信 号电平Vsig的相同栅源电压Vgs施加到像素电路(其每一个均包括一个有机 EL装置21 )中所采用的装置驱动晶体管22的栅极电极，则可以保持每一个 有机EL装置21所发射的光线的亮度。 迁移率校正处理的原理
以下描述说明迁移率校正处理的原理。图8也是示出每一条均代表表示 装置驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏源电流Ids与装置驱动晶 体管22的栅极和源极电极之间施加的栅源电压Vgs之间的关系的电流-电压 特性的曲线的特性图。图8的特性图中的实线表示具有相对大的迁移率p的 装置驱动晶体管22像素电路A的特性，而在同一特性图中的虚线表示具有 相对小的迁移率p的装置驱动晶体管22像素电路B的特性。如果在像素电路 20中采用多晶硅薄膜晶体管等作为装置驱动晶体管22,则可以防止像素间的 诸如像素电路A和B之间迁移率pi的差别之类的迁移率(i的变化。
通过像素电路A和B之间的迁移率p中的现有差别，即使将表示相同视 频信号电压Vsig的相同栅源电压Vgs施加到像素电路A(其釆用相对得大迁 移率H的装置驱动晶体管22)和像素电路B (其采用相对小的迁移率p的装 置驱动晶体管22)中所采用的装置驱动晶体管22的栅极电极，像素电路A 中采用的装置驱动晶体管22的漏极和源极之间流动的漏源电流Ids为Idsl，， 而在像素电路B中采用的装置驱动晶体管22的漏极和源极之间流动的漏源电 流Ids为不同于漏源电流Idsl，的Ids2，，除非执行迁移率校正处理以对于像素 电路A和B之间的迁移率(i的差别来校正装置驱动晶体管22的漏极和源极之间流动的漏源电流Ids。如果由像素间p中的变化引起这样大的Ids差別作 为装置驱动晶体管22之间的漏源电流Ids中的差别(其中符号p表示装置驱 动晶体管22的迁移率)，则失去了屏幕的均匀性。
从作为表示装置驱动晶体管22的特性的等式而于之前给出的等式(1 ) 中明显看出，装置驱动晶体管22的迁移率p越大，则装置驱动晶体管22的 漏极和源极电极之间流动的漏源电流Ids越大。因此，装置驱动晶体管22的 迁移率p越大，则负反馈操作的负反馈量AV越大。如图8的特性图中所示， 采用具有相对大迁移率p的装置驱动晶体管22的像素电路A的反馈量AV1 大于采用具有相对小迁移率p的装置驱动晶体管22的像素电路B的反馈量 AV2。
通过将在装置驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏源电流Ids 负向地反馈到Vsig侧(其中符号Vsig表示视频信号的电压)来执行迁移率 校正处理。在该负反馈操作中，装置驱动晶体管22的迁移率n越大，则执行 的负反馈操作程度就越高。结果，可以消除像素间p的变化，其中符号H表 示装置驱动晶体管22的迁移率。
为了具体地表达，如果在采用具有相对大迁移率p的装置驱动晶体管22 的像素电路A上执行的迁移率校正处理的负反馈操作中取得负反馈量AV1, 则在像素电路A中采用的装置驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的 漏源电流Ids从Idsl，显著地减小到Idsl。另一方面，如果在采用具有相对小 迁移率p的装置驱动晶体管22的像素电路B上执行的迁移率校正处理的负反 馈操作中取得小于负反馈量AV1的负反馈量AV2,则与像素电路A相比，像 素电路B中采用的装置驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏源电流 Ids从Ids2，略微地减小到几乎等于漏源电流Idsl的Ids2。结果，由于表示在 像素电路A中采用的装置驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏源 电流Ids的Idsl几乎等于表示在像素电路B中采用的装置驱动晶体管22的漏 ;f及和源极电极之间流动的漏源电流Ids的Ids2,因此可以对于像素间装置驱动 晶体管22的迁移率的变化，校正在装置驱动晶体管22的漏极和源极电极之 间力t动的漏源电;克Ids 。
将以上描述的内容总结如下。与在采用具有相对小迁移率p的装置驱动 晶体管22的像素电路B上执行的迁移率校正处理的负反馈操作中取得的负反 馈量AV2相比，在采用具有相对大迁移率p的装置驱动晶体管22的像素电路A上执行的迁移率校正处理的负反馈操作中取得的负反馈量AV1大。也就 是说，装置驱动晶体管22的迁移率p越大，则在采用装置驱动晶体管22的 像素电路上执行的迁移率校正处理的负反馈操作的负反馈量AV就越大，并 且因此在装置驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏源电路Ids的减 小就越大。
因此，通过将在装置驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏源电 流Ids负向地反馈到作为装置驱动晶体管22的栅极电极侧的、被提供有视频 信号电压Vsig的栅极电极侧，可以平均(average)流过作为具有不同值的迁移 率p的装置驱动晶体管的像素电路中所采用的装置驱动晶体管22的漏源电流 Ids的量值。结果，对于像素间装置驱动晶体管22的迁移率的变化，可以校 正在装置驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏源电流Ids。也就是 说，将在装置驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏源电流Ids的量 值负向地反馈到装置驱动晶体管22的栅极电极侧的负反馈操作是迁移率校 正处理。
图9是每一个均示出视频信号电压Vsig (或采样电势)与在如图2的框 图中所示的有源矩阵有机EL显示设备IO中包括的像素电路20中采用的装 置驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏源电流Ids之间的关系的多
移率校正处理而执行的多种驱动方法示出了这样的关系。
更具体地说，在图9A中，不同的像素电路A和B既不经历阈值电压校 正处理也不经历迁移率校正处理。在图9B中，不同像素电路A和B经历阈 值电压校正处理，而不经历迁移率校正处理。在图9C中，不同像素电路A 和B经历阈值电压校正处理和迁移率校正处理二者。如对于像素电路A和B 既不经历阈值电压校正处理也不经历迁移率校正处理的情况下给出的图9A 的曲线所示，对于水平轴上的相同^f见频信号电压Vsig,观察到在具有不同阈 值电压Vth和不同值的迁移率|1的像素电路A和B之间源漏电流Ids中的很 大差别，作为由不同的阈值电压Vth和不同值的迁移率|i引起的差别。
另一方面，如对于像素电路A和B经历阈值电压校正处理但不经历迁移 率校正处理的情况下给出的图9B的曲线所示，对于水平轴上的相同视频信号 电压Vsig,观察到在具有不同阈值电压Vth和不同值的迁移率p的像素电路 A和B之间漏源电流Ids中的较小差别，作为由不同的阈值电压Vth和不同值的迁移率p引起的差别。尽管将图9A的曲线所示的情况下的差别减小到 相当程度，但是由于迁移率p的不同值所引起的差别仍然存在。
如对于像素电路A和B经历阈值电压校正处理和迁移率校正处理二者的 情况下给出的图9C的曲线所示，对于水平轴上的相同视频信号电压Vsig， 几乎观察不到在具有不同阈值电压Vth和不同值的迁移率p的像素电路A和 B之间漏源电流Ids的差别，作为由于不同的阈值电压Vth和不同值的迁移率 p引起的差别。因此，对于每一个等级(gradation),有机EL装置21发射的 光线的亮度在像素间没有变化。结果，可以显示具有高质量的图像。
另外，除了阈值电压和迁移率校正功能之外，图2的框图中所示的有源 矩阵有机EL显示设备10中包括的像素电路20还具有之前所述的存储电容 器24的自举操作功能，以便像素电路20能够展示如下所述的效果。
即使由于在时间退化处理中有机EL装置21的I-V特性随着时间的流逝 劣化，而使得出现在装置驱动晶体管22的源极电极上的源极电势Vs改变， 存储电容器24的自举操作也允许施加在装置驱动晶体管22的栅极和源极电 极之间的栅源电压Vgs保持在固定电平，以便在时间退化处理中，流过有机 EL装置21的电流也不会随着时间的流逝而改变。因此，由于在时间退化处 理中，有机EL装置21发射的光线的亮度也不会随着时间的流逝而改变，因 此即使在时间退化处理中I-V特性随着时间的流逝变得更差，也可以显示没 有伴随有机EL装置21的I-V特性的时间退化的劣化的图像。
实际操作状态中的问题
接着，通过参照图10的时序/波形图来说明有机EL显示设备10的实际 操作状态中的电路操作。
要注意的是，在以下描述为有机EL显示设备10的实际操作状态中的电 路操作的电路操作中，在出现在装置驱动晶体管22的栅极电极上的电势已经 被初始化到初始化电势之后(所述初始化电势等于在信号写入晶体管23执行 的、用以将参考电势Vofs存储到与装置驱动晶体管22的栅极电极连接的存 储电容器24的操作中的参考电势Vofs),执行阈值电压校正处理以将出现在 装置驱动晶体管22的源极电极上的电势向着通过从作为装置驱动晶体管22 的栅极电极的初始化电势的参考电势Vofs中减去装置驱动晶体管22的阈值 电压而获得的电势电平来改变。在包括阈值电压校正处理的时间段的特定1H 水平扫描时间段中执行的迁移率校正处理和信号写处理之前执行阈值电压校正处理。在特定1H水平扫描时间段之前，还在分布在迁移率校正处理和信 号写处理之前的相同多个1H水平扫描时间段之中的多个时间上执行阈值电
压校正处理。在该实施例的情况下，在分布在两个1H水平扫描时间段的总 共两个时间上执行阈值电压校正处理。也就是说，在特定1H水平扫描时间 段中执行一次阈值电压校正处理，而在紧接着特定1H水平扫描时间段的之 前的1H水平扫描时间段中执行一次阈值电压校正处理。在下面的描述中， 在分布于相同多个1H水平扫描时间段之中的多个时间上执行的阈值电压校 正处理也称为分布式Vth才交正处理(distributed Vth correction processing)。
为了具体地表达，如图10的时序/波形图中所示，在分布于2H(即，两 个1H水平扫描时间段)中的两个时间上执行的阈值电压校正处理的情况下， 在紧接着包括迁移率校正处理以及信号写处理的特定1H水平扫描时间段之 前的1H水平扫描时间段中的时间t12到t14之间执行一次阔值电压校正处理， 并且在所述的特定1H水平扫描时间段中的时间t15到t16之间执行一次阈值 电压校正处理。
以这种方式，将包括迁移率校正处理和信号写处理的特定1H水平扫描 时间段，以及紧接着特定1H水平扫描时间段之前的1H水平扫描时间段分配 给分布式Vth校正处理，作为阈值电压校正时间段，然后执行如阈值电压校 正处理时间段那么多次的阈值电压校正处理。因此，即使由于伴随更高清晰 度的显示屏幕的更大像素电路数量而使得包括阈值电压校正时间段的1H扫 描时间段的长度变得更短，也可以保证作为分配给分布式Vth校正处理的每 一个阈值电压校正时间段的充分时间。结果，可以高可靠度地检测装置驱动 晶体管22的阈值电压Vth,并且将其存储在存储电容器24中，以便也可以 可靠地执行阈值电压校正处理。
根据电路操作的观点，图10的时序/波形图中示出的时间tll、 tl3和tl7 到t20分别对应于图4的时序/波形图中示出的时间tl、 t3和t5到t8。图10 的时序/波形图中示出的时间t12和t15对应于图4的时序/波形图中示出的时 间t2,而图10的时序/波形图中示出的时间U4和tl6对应于图4的时序/波形 图中示出的时间t4。
顺便提及，在之前描述的理想操作状态中，在时间t4处，出现在扫描线 31上的、作为写脉冲WS的电势改变到低电势侧上的电平，将信号写入晶体 管23置入非导电状态。当将信号写入晶体管23置入非导电状态中时，装置驱动晶体管22的栅极电极从信号线33电断开，并且被置入浮置状态。然而， 由于出现在装置驱动晶体管22的栅极和源极电极之间的电压Vgs等于装置驱 动晶体管22的阈值电压Vth,所以将装置驱动晶体管22置入截止状态，不 允许电流Ids在装置驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动。
然而，以上描述的只是已经在之前说明的理想状态。在实际操作中，以 与理想状态相同的方式，在与第一阈值电压校正处理的末尾相一致的时间t14 和在与第二阈值电压校正处理的末尾相一致的时间t16中的每一个，将出现 在扫描线31上的、作为写脉冲WS的电势改变到低电势侧的电平，将信号写 入晶体管23置入非导通状态。当将信号写入晶体管23置入非导通状态时， 装置驱动晶体管22的栅极电极从信号线电断开，并且被置入浮置状态。然而， 在实际操作的该浮置状态中，泄漏电流流过装置驱动晶体管22，尽管该泄漏 电流的量值很小。泄漏电流使得出现在装置驱动晶体管22的源极电极上的电 势Vs逐渐升高，并且由于自举操作，出现在装置驱动晶体管22的源极电极 上的电势Vs的逐渐升高使得出现在装置驱动晶体管22的栅极电极上的电势 Vg也逐渐增大。
另外，像素电路20中采用的装置驱动晶体管22的特性也在像素间变化， 使得流过装置驱动晶体管22的泄漏电流也在像素间变化。因此，出现在像素 电路2 0中采用的装置驱动晶体管2 2的源极电极上的电势V s的增量以及出现 在同一装置驱动晶体管22的栅极电极上的电势Vg的增量也在像素间变化。
在阈值电压校正处理结束之后，泄漏电流使得出现在装置驱动晶体管22 的栅极电极上的电势Vg以与出现在同一装置驱动晶体管22的源极电极上的 电势Vs互锁的方式增大。因此，所关注的是，由于出现在装置驱动晶体管 22的栅极电极上的电势Vg已经升高到对于视频信号的电压Vsig来说太高 (甚至更高)以至于不能将其写入存储电容器24中的电平，所以在阈值电压 校正处理之后将视频信号的电压Vsig存储到存储电容器24中的处理中，尤 其是在阈值电压校正处理之后将视频信号的低电压Vsig存储到存储电容器 24中的处理中，像素电路20出现了不能正常地存储视频信号的电压Vsig的 问题。
另外，在分布式Vth校正处理的执行过程中，特别地，在分布式Vth校 正处理的初始阶段，从图10的时序/波形图中很明显，将出现在装置驱动晶 体管22的栅极电极上的电势Vg已经初始化为等于信号写入晶体管23所执行的将参考电势Vofs存储到与装置驱动晶体管22的栅极电极连接的存储电 容器24中的操作中的参考电势的初始化电势之后，出现在装置驱动晶体管 22的源极电极上的电势Vs向着通过从作为装置驱动晶体管22的斥册极电极的 初始化电势的参考电势Vofs中减去装置驱动晶体管22的阈值电压Vth而获 得的电势电平来改变。因此，在那时，装置驱动晶体管22的阈值电压Vth与 装置驱动晶体管22的栅源电压Vgs之间的差别4艮大。
如果通过没有收敛到如上所述的装置驱动晶体管22的阈值电压Vth的装 置驱动晶体管22的栅极和源极电极之间的电压Vgs执行上述自举操作，则不 能高可靠度地执行作为用于消除装置驱动晶体管22的阈值电压Vth在〗象素间 变化的影响的处理的阈值电压校正处理。也就是说，可以说尚未校正装置驱 动晶体管22的阈值电压Vth在像素间的变化，这是所不期望的。结杲，阈值 电压校正处理不能充分地表明改进显示质量的效果。
实施例的特性
在所述实施例中，在写扫描电路40执行的、通过扫描线31将写脉沖 WS提供到信号写入晶体管23的栅极电极作为用于由信号输出电路60通过 信号线33提供到信号写入晶体管23的源极电极的参考电势Vofs和视频信号 电压Vsig的写脉冲WS的操作中，当信号输出电路60正在向信号写入晶体 管23的源极电极输出参考电势时，写扫描电路40将写脉冲WS提供到信号 写入晶体管23的栅极电极，作为具有大于当信号输出电路60正在向信号写 入晶体管23的源极电极输出视频信号电压Vsig时写扫描电路40提供到信号 写入晶体管23的栅极电极的写脉冲WS的波形高度的波形高度的写脉冲WS。
当施加到信号写入晶体管23的栅极电极的写脉冲WS从高电平(一般表 示激活状态)改变到低电平(一般表示非激活状态)时，由于存在于如图2的框 图中所示的信号写入晶体管23的栅极和漏极电极之间的寄生电容器C所展示 的耦合效应，写脉沖WS的突变通过信号写入晶体管23的漏极电极被传递到 装置驱动晶体管22的栅极电极，使得出现在装置驱动晶体管22的栅极电极 上的电势Vg也改变。在该实施例的情况下，由于在写脉冲WS从高电平到 低电平的转换中的电容性耦合效应，出现在装置驱动晶体管22的栅极电极上 的电势Vg降低。
出于同样原因，由于同样的电容性耦合效应，在阈值电压校正处之后用 以将由信号输出电路60在信号线30上声明的视频信号电压Vsig存储到存储电容器24中而执行的信号写处理的结尾，施加到信号写入晶体管23的栅极 电极的写脉沖WS也从高电平改变到低电平，使得出现在装置驱动晶体管22 的栅极电极上的电势Vg在信号写处理的结尾也改变。然而，如前所述，在 将参考电势Vofs存储到存储电容器24中而执行的阈值电压校正处理中，施 加到信号写入晶体管23的栅极电极的写脉冲WS具有大于信号写处理中施加 到信号写入晶体管23的栅极电极的写脉冲WS的波形高度(也就是说，大于 在图10所示的时序/波形图中示出的实际操作状态中施加到信号写入晶体管 23的栅极电极的写脉沖的波形高度)的波形高度。因此，作为出现在装置驱 动晶体管22的栅极电极上的电势Vg的改变的、在将参考电势Vofs存储到存 储电容器24中而执行的阈值电压校正操作的结尾观察到的改变大于在如图 10中所示的时序/波形西中所示的实际操作状态中观察到的对应改变。结果， 在阈值电压校正处理的结尾出现在装置驱动晶体管22的栅极和源极电极之 间的电压Vgs降低，将装置驱动晶体管22置入截止装置，使得没有前述泄漏 电流流过装置驱动晶体管22。通过防止泄漏电流流过装置驱动晶体管22,在 信号写入晶体管23的栅极电极的浮置状态时间段期间，也可防止出现在装置 驱动晶体管22的栅极电极的电势Vg升高到对于视频信号的电压Vsig来说太 高(甚至更高)以至于不能将其存储到存储电容器24中的电平。
作为示例，给出图11作为在典型分布式Vth校正处理中信号的时序/波 形图。与通过参照图10的时序/波形图而在之前说明的实际操作状态中所执 行的电路操作非常类似，在包括阚值电压校正处理时间段的特定1H水平扫 描时间段中执行的迁移率校正处理和信号写处理之前执行阈值电压校正处 理。在特定1H水平扫描时间段之前，在迁移率校正处理和信号写处理之前 的1H水平扫描时间段中也执行一次阈值电压校正处理。也就是说，在分布 于两个1H水平扫描时间段中的两个时间上执行阈值电压校正处理。更具体 地说,在特定1H水平扫描时间段中执行一次阈值电压校正处理，并且在紧 接着特定1H水平扫描时间段之前的1H水平扫描时间段中执行一次阈值电压 校正处理。因此，在分布于2H (即两个1H水平扫描时间段)中的两个时间 上执行阔值电压校正处理，作为分布式Vth校正处理。该分布式Vth校正处 理的时序与通过参照图10的时序/波形图而在之前说明的实际操作状态中所 执行的电路操作的时序相同。
在两个阈值电压校正处理期间，经由信号写入晶体管23将参考电势Vofs从信号线33存储到与装置驱动晶体管22的栅极电极连接的存储电容器24的 操作中，如图11的时序/波形图所示，写扫描电路40将每一个在扫描线31 上声明为表示激活状态的高电平电势的写脉冲WS1和WS2的波形高度设置 为大于在信号写处理期间，经由信号写入晶体管23将视频信号电压Vsig从 信号线33存储到存储电容器24的操作中在扫描线31上声明为表示激活状态 的高电平电势的写脉冲WSO的波形高度的值。
通过把如上所述将参考电势Vofs存储到与装置驱动晶体管22的栅极电 极连接的存储电容器24的操作中所使用的写脉冲WS1和WS2的波形高度设 置到大于在将视频信号电压Vsig存储到存储电容器24的操作中所使用的写 脉冲WSO的脉冲高度的值，可以获得以下效果。
在与第一阈值电压校正处理的结尾相符的时间t14处，写脉冲WS1从高 电平改变到低电平。由于存在如图2的框图中所示的信号写入晶体管23的栅 极和漏极电极之间的寄生电容器C所展示的耦合效应，通过信号写入晶体管 23的漏极电极将写脉冲WS1的该突变传递到装置驱动晶体管22的栅极电极。 出于同样原因，在与第二阈值电压校正处理的结尾相符的时间tl6处，写脉 冲WS2从高电平改变到低电平，并且将写脉冲WS2的该突变传递到装置驱 动晶体管22的栅极电极。以同样的方式，在与信号写处理的结尾相符的时间 tl9处，写脉冲WSO从高电平改变到低电平，并且将写脉冲WSO的该突变传 递到装置驱动晶体管22的栅极电极。然而，由于写脉冲WS1和WS2的波形 高度大于写脉冲WSO的脉冲高度，因此写脉冲WS1和WS2的突变大于写脉 冲WSO的突变。
在图11的时序/波形图所示的时间tl4和tl6处，写脉冲WS1和WS2的 该突变越大，则出现在装置驱动晶体管22的栅极电极上的电势Vg越低，并 且因此降低了出现在装置驱动晶体管22的栅极和源极电极之间的电压Vgs， 装置驱动晶体管22置入截止状态，使得没有前述漏点流流过装置驱动晶体管 22。
由于没有泄漏电流流过装置驱动晶体管22，因此出现在装置驱动晶体管 22的源极电极上的电势Vs不升高，而是保持在固定电平。因此，当信号写 入晶体管23置入非导电状态时，装置驱动晶体管22的栅极电极从信号线33 电断开，使得装置驱动晶体管22的栅极电极置入浮置状态，在与出现在装置 驱动晶体管22的源极电极上的电势Vs互锁的状态中，也将出现在装置驱动晶体管22的栅极电极上的电压Vg保持在固定电平。结果，在出现在装置驱
动晶体管22的栅极电极上的电势Vg处于浮置状态的时间段期间，可以防止 出现在装置驱动晶体管22的栅极电极上的电势Vg升高。
如上所述，在出现在装置驱动晶体管22的栅极电极上的电势Vg处于浮 置状态的时间段期间，可以防止出现在装置驱动晶体管22的栅极电极上的电 势Vg由于流过装置驱动晶体管22的泄漏电流而升高。因此，可以防止这样 的情况，其中在通过利用写脉冲WS0将特别低的视频信号电压Vsig存储到 存储电容器24的信号写处理中，要写入存储电容器24的视频信号电压Vsig 低于出现在装置驱动晶体管22的栅极电极上的电势Vg。结果，可以正常地 执行将视频信号电压Vsig存储到存储电容器24的信号写处理和迁移率校正 处理，使得可以改进显示质量。
特别地，如果通过如上所述没有收敛到装置驱动晶体管22的阈值电压 Vth的装置驱动晶体管22的栅极和源极电极之间的电压Vgs执行上述自举操 作，则不能高可靠度地执行作为用于消除装置驱动晶体管22的阈值电压Vth 在像素间的变化的阈值电压校正处理。也就是说，可以说尚未校正装置驱动 晶体管22的阈值电压Vth在像素间的变化，这是所不期望的。结果，不能执
行期望的阈值电压校正处理。
在该实施例的情况下，另一方面，在出现在装置驱动晶体管22的栅极电 极上的电势Vg处于浮置状态中的时间段期间，可以防止出现在装置驱动晶 体管22的栅极电极上的电势Vg由于流过装置驱动晶体管22的泄漏电流而 升高，以便可以可靠地执行用于消除装置驱动晶体管22的阔值电压Vth在像 素间的变化的效应的阈值电压校正处理。因此，由于阈值电压校正处理使得 可以获得足够的显示质量改进效果，因此可以进一步改进显示质量。
如上所述，在将视频信号电压Vsig存储到存储电容器24中而执行的信 号写处理的结尾的写脉冲WS0的下降沿，出现在装置驱动晶体管22的栅极 电极上的电势Vg也由于电容性耦合效应而略微地下降。然而，将写脉冲WS0 的波形高度设置在将栅极电势Vg的下降抑制到不会对信号写处理之后的发 光操作有影响的量值的值。
通过考虑诸如寄生电容器C的电容之类的参数，来确定写脉冲WS0的 波形高度。然后，使用写脉冲WS0的确定波形高度作为用于确定写脉冲WS1 和WS2的波形高度的参考。为了更详细地表达，通过考虑诸如寄生电容器C的电容之类的参数，将每一个写脉冲WS1和WS2的波形高度设置在大于写 脉冲WSO的波形高度的值。在该实施例中，作为示例，将写脉沖WS1的波 形高度设置为等于所设置的写脉沖WS2的波形高度的值。
顺便提及，将分布式Vth校正处理中的最后一个写脉冲WS2 (即，在该 实施例的情况下，第二个写脉冲)的波形高度设置为大于在将视频信号电压 Vsig存储到存储电容器24而执行的信号写处理中所使用的写脉沖WS0的波 形高度的值。如上所述，在将视频信号电压Vsig存储到存储电容器24而执 行的信号写处理的结尾的写脉冲WS0的下降沿，出现在装置驱动晶体管22 的栅极电极上的电势Vg也由于电容性耦合效应而略有下降。在出现在装置 驱动晶体管22的栅极电极上的电势Vg下降之后，在已下降的电势Vg之上 写入视频信号电压Vsig，以便信号写入晶体管23执行的、将视频信号电压 Vsig存储到存储电容器24中的信号写处理中的电压幅值增大了等于电势Vg 的降低的增量。
当信号写入晶体管23执行的、将视频信号电压Vsig存储到存储电容器 24中的信号写处理中的电压幅值增大时，耗费更长的时间来完成信号写处理。 顺便提及，在信号写处理的同时自动执行迁移率校正处理。如果耗费更长的 时间完成信号写处理，则需要很长的时间来执行迁移率校正处理，以使得在 完成信号写处理之前，过多地执行了迁移率校正处理。也就是说，对于装置 驱动晶体管22的迁移率在像素间的变化，不期望地过校正了有机EL装置21 发射的光线的亮度。因此，必须以尽可能的高速执行信号写处理自身以将视 频信号电压Vsig存储到存储电容器24中。
分布式Vth校正处理的第一修改版本
在分布式Vth校正处理的第一修改版本的情况下，当通过如图12A的时
序/波形图中所示的第一阈值电压校正处理、第二阈值电压校正处理........
第n阈值电压校正处理的顺序执行来前向进行(carry forward )分布Vth式校 正处理时，即当分配给所执行的阈值电压校正处理的数量随着分布Vth式校
正处理的执行的进程而增大时，写脉冲WS1、 WS2.......和WSn(其每一个
用在将参考电势Vofs存储到存储电容器24而执行的操作中)的各个波形高
度VI、 V2.......和Vn向着在将视频信号电压Vsig存储到存储电容器24而
执行的信号写处理中所使用的写脉冲WSO的波形高度VO逐渐降低。具体地 说，波形高度V1、 V2........ Vn和VO满足以下关系V1〉V2>......> Vn且Vn=V0。
如上所述，当分配给所执行的阈值电压校正处理的数量随着分布式Vth 校正处理的执行的进程而增大时，在第一阈值电压校正处理、第二阈值电压
校正处理.......和第n阈值电压校正处理之一的期间，写脉冲WS1、 WS2、......
和WSn (其每一个用在将参考电势Vofs存储到存储电容器24而执行的操作
中)的各个波形高度V1、 V2.......和Vn向着在将视频信号电压Vsig存储
到存储电容器24而执行的信号写处理中所使用的写脉冲WS0的波形高度V0
逐渐降低。因此，由于发生在写脉冲WS1、 WS2.......和WSn(其每一个都
用在将参考电势Vofs存储到存储电容器24而执行的操作中)的每一个下降 沿之上的电容性耦合效应而引起的下降(作为出现在装置驱动晶体管22的栅 极电极上的电势Vg的下降)也向着大约等于由于发生在写脉冲WS0 (其被用 在将视频信号电压Vsig存储到存储电容器24而执行的信号写处理中)的下
止在信号写入晶体管23执行的、将视频信号电压Vsig存储到存储电容器24 的信号写处理中的电压幅值增大，并且因此可以高速执行将视频信号电压 Vsig存储到存储电容器24的信号写处理。因此，可以以更加稳定的方式来执 行将视频信号电压Vsig存储到存储电容器24的信号写处理和迁移率校正处 理。
分布式Vth校正处理的第二修改版本
另一方面，在分布式Vth校正处理的第二修改版本的情况下，当分布式 Vth校正处理通过如图12B的时序/波形图中所示的第一阈值电压校正处理、
第二阈值电压校正处理........第n-l阈值电压校正处理的顺序执行来前向
进行分布Vth式校正处理时，即当分配给所执行的阈值电压校正处理的数量 随着分布Vth式校正处理的执行进程增大时，在第一阈值电压校正处理、第
二阈值电压校正处理.......和第n-l阈值电压校正处理之一的期间，相应写
脉沖WS1、 WS2、......和WSn-l (其每一个被用在将参考电势Vofs存储到存
储电容器24而执行的操作中)的所有波形高度V1、 V2.......和Vn-l被保
持在高于在将视频信号电压Vsig存储到存储电容器24而执行的信号写处理 中所使用的写脉冲WS0的波形高度V0的恒定电平。然而，在作为分布式Vth 校正处理中最后一个阈值电压校正处理的第n阈值电压校正处理的时间段期 间，在将参考电势Vofs存储到存储电容器24而执行的操作中所使用的写脉沖WSn的波形高度Vn从恒定电平减小到大约是在将视频信号电压Vsig存储 到存储电容器24而执行的信号写处理中所使用的写脉冲WSO的波形高度
VO。具体地说，波形高度V1、 V2.......、 Vn和VO满足以下关系
V1=V2=......=Vn-l 〉 Vn=VO。
如上所述，在作为分布式Vth校正处理中最后一次阈值电压校正处理的 第n阔值电压校正处理的时间段期间，在将参考电势Vofs存储到存储电容器 24而执行的操作中所使用的写脉冲WSn的波形高度Vn减小到大约在将视频 信号电压Vsig存储到存储电容器24而执行的信号写处理中所使用的写脉冲 WSO的波形高度VO。因此，由于发生在写脉冲WSn(其用在将参考电势Vofs 存储到存储电容器24而执行的操作中)的下降沿之上的电容性耦合效应而引 起的下降(作为出现在装置驱动晶体管22的栅极电极上的电势Vg的下降)也 向着大约等于由于发生在写脉冲WSO(其用在将视频信号电压Vsig存储到存 储电容器24而执行的信号写处理中)的下降沿之上的电容性耦合效应而引起 的下降的电平减小。结果，可以防止在信号写入晶体管23执行的、将视频信 号电压Vsig存储到存储电容器24的信号写处理中的电压幅值增大，并且因 此可以高速执行将视频信号电压Vsig存储到存储电容器24的信号写处理。 因此，可以以更加稳定的方式执行将视频信号电压Vsig存储到存储电容器24 的信号写处理和迁移率^t正处理。
通过在第一阈值电压校正处理、第二阈值电压校正处理.......和第n-1
阈值电压校正处理的时间段之一的期间，将写脉冲WS1、 WS2.......和WSn-1
(其每一个被用在将参考电势Vofs存储到存储电容器24而执行的操作中)
的各个波形高度V1、 V2.......和Vn-1的每一个分别设置为高于在作为分布
式Vth校正处理中最后一次阈值电压校正处理而执行的第n阈值电压校正期 间，在将参考电势Vofs存储到存储电容器24而执行的操作中使用的写脉冲 WSn的波形高度Vn的恒定电平，必须只提供两种不同波形高度的写脉沖 WS。另外，与必须准备多个不同波形高度的写脉冲WS的第一修改版本相比， 第二修改版本提供了写扫描电路40的简单电路配置的优点。
如上所述，在根据所述实施例执行的电路操作中，将由于装置驱动晶体 管22的阈值电压Vth在像素间的变化而分配给用于校正有机EL装置21发 射的光线的亮度的分布式Vth校正处理的多个阈值校正时间段提供为每一个 在用于执行分布式Vth校正处理、信号写处理和迁移率校正处理的最后一次阈值电压校正处理的特定1H扫描时间段之前的多个1H水平扫描时间段。然
后，在分布于每一个在特定1H扫描时间段之前的1H水平扫描时间段和特定 1H扫描时间段本身之中的多个时间执行阈值电压校正处理。然而，要注意的 是，本发明的范围绝不仅限于所述实施例。例如，还可以将本发明应用于在 也分配到信号写处理和迁移率校正处理的特定1H扫描时间段中仅执行一次 阈值电压校正处理的配置。 写扫描时间段
下面的描述说明用于输出通过在图11中所示的时序/波形图所示的时序， 在分布式Vth校正处理中每一个被用在将参考电势Vofs存储到存储电容器而 执行的操作中使用的写脉沖WS1和WS2以及在信号写处理中用于将视频信 号电压Vsig存储到存储电容器24的写脉冲WS0的写扫描电路的典型具体电 路配置。
第一写/扫描电路实施例
图13是示出根据第一写/扫描实施例的写扫描电路40A的典型电路配置 的电路图。为了使电路图筒单，所述图仅示出了用于产生对于特定像素行的 写脉冲WS的电路部分。然而，要注意的是，用于产生对于除了特定像素行 之外的像素行的写脉沖的每一个电路部分均具有与图13的电路图中所示的 电路部分相同的配置。
根据第 一写/扫描电路实施例的写扫描电路40A具有包括移位寄存器41 、 逻辑电路42、电平转换电路43和输出电路44的配置。
在写扫描电路40A中，将移位寄存器41中包括的、作为与特定像素行 对应的移位级(shift stage)的移位级所输出的移位脉冲提供到逻辑电路42,
是以层叠连接的方式而彼此联接以形成移位寄存器41的单元电路之一。逻辑 电路42将扫描脉冲提供到电平转换单元43,所述电平转换电路43将扫描脉 冲的电平从一般大约3.3V的逻辑电平转换为一般大约15V的高电平。电平转 换电路43经由输出电路44和与特定行对应的扫描线31将具有高电平的脉冲 输出到特定像素行上的像素电路作为写脉冲WS。
输出电路44 一般采用分别在三级上提供的第 一、第二和第三缓冲器441 、 442和443。输出电路44被配置为使得分别提供在第一和第二级的第一和第 二緩沖器441和442具有与提供在最后一级的第三緩冲器443的第二电源线L2分离的第一电源线L1。
第 一緩冲器441具有采用第一 P沟道MOS晶体管Pl 1和第一 N沟道 MOS晶体管Nil的CMOS反相器的配置，第一N沟道MOS晶体管Nil的 栅极电极连接到第一 P沟道MOS晶体管P11的栅极电极，而第一 N沟道MOS 晶体管Nll的漏极电极连接到第一P沟道MOS晶体管Pll的漏极电极。第 一 P沟道MOS晶体管PI 1的源极电极连接到电源电压Vdd的第 一电源线LI ， 而第一 N沟道MOS晶体管Nil的源极电极连接到电源电压Vss的第三电源 线L3。第一 P沟道MOS晶体管Pll和第一 N沟道MOS晶体管Nil的栅极 电极连接到电平转换单元43的输出端子。
出于同样原因，第二緩冲器442具有采用第二P沟道MOS晶体管P12 和第二 N沟道MOS晶体管N12的CMOS反相器的S己置，第二 N沟道MOS 晶体管N12的栅极电极连接到第二P沟道MOS晶体管P12的栅极电极，而 第二N沟道MOS晶体管N12的漏极电极连接到第二P沟道MOS晶体管P12 的漏极电极。第二P沟道MOS晶体管P12的源极电极连接到第一电源线Ll， 而第二 N沟道MOS晶体管N12的源极电极连接到第三电源线L3。第二 P沟 道MOS晶体管P12和第二N沟道MOS晶体管N12的栅极电极连接到第一P 沟道MOS晶体管Pll和第一N沟道MOS晶体管Nil的漏极电极。
以同样的方式，第三緩沖器443具有采用第三P沟道MOS晶体管P13 和第三N沟道MOS晶体管N13的CMOS反相器的配置，第三N沟道MOS 晶体管的栅极电极连接到第三P沟道MOS晶体管的栅极电极，第三N沟道 MOS晶体管的漏极电极连接到第三P沟道MOS晶体管的漏极电极。第三P 沟道MOS晶体管P13的源极电极连接到第二电源线L2,而第三N沟道MOS 晶体管N13的源极电极连接到第三电源线L3。第三P沟道MOS晶体管P13 和第三N沟道MOS晶体管N13的栅极电极连接到第二 P沟道MOS晶体管 P12和第二N沟道MOS晶体管N12的漏极电极。
在如图14A的时序/波形图所示的分配给信号写处理(和迁移率校正处 理)的特时序间段以及夹在该特时序间段中间的时间段期间，在第二电源线 L2上声明一般大约15V的低电压Vl作为电源电压。另一方面，如在同一时 序/波形图中所示，在除了特时序间段和夹在该时间段中间之外的时间段期 间，在第二电源线L2上声明 一 般大约2 5 V的高电压Vh作为电源电压。
图14A到14D是在写扫描电路40A中产生的信号的多个时序/波形图。更具体地说，图14A是在第二电源线22上声明的电源电压的时序/波形图。 图14B是逻辑电路42输出的扫描脉冲的时序/波形图。图14C是提供到第三 緩冲器443的脉冲的时序/波形图。图14D是输出电路44输出的写脉冲WS 的时序/波形图。
如上所述，将写扫描电路40A中采用的输出电路44配置为包括分别提 供在第一和第二级的第一和第二緩冲器441和442，作为具有与第二电源线 L2相分离的第一电源线L1的緩冲器，其中该第二电源线L2连接至同样包括 在最后一级的输出电路44中的第三緩冲器43。然后，通过适当地选择高电 压Vh或低电压Vl,作为待在第二电源线L2上声明的电源电压，可以以极简 单的配置来将声明在第二电源线L2上的电源电压从高电压Vh切换到低电压 Vl,反之亦然，以使得生成用于参考电势Vofs和视频信号Vsig的写脉沖WS。
第二写/扫描电路实施例
图15是示出根据第二写/扫描实施例的写扫描电路40B的典型电路配置 的电路图。为了使电路图简单，所述图仅示出了用于产生对于特定像素行的 写脉冲WS的电路部分。然而，要注意的是，用于产生对于除了特定像素行 之外的像素行的写脉冲的每一个电路部分均具有与图15的电路图中所示的 电路部分相同的配置。
根据第二写/扫描电路实施例的写扫描电路40B具有第一电路部分，用 于产生其每一个都具有第一波形高度的写脉冲WS，作为每一个都用于所执 行的、用以将视频信号电压Vsig存储至存储电容器24中的信号写处理的写 脉沖WS;以及第二电路部分，用于产生其每一个都具有第二波形高度的写 脉冲WS,作为每一个都用于所执行的、用以将参考电势Vofs存储至存储电 容器24中的处理的写脉冲WS。写扫描电路40B配置为能够选择性地驱动第 一电路部分，以产生每一个都具有第一波形高度的写脉冲WS,作为每一个 都用于所执行的、用以将视频信号电压Vsig存储至存储电容器24中的信号 写处理的写脉冲WS;或是选择性地驱动第二电路部分，以产生每一个都具 有第二波形高度的写脉沖WS,作为每一个都用于所执行的、用以将参考电 势Vofs存储至存储电容器24中的处理的写脉冲WS。
为了更具体地表达，将写扫描电路40B配置为每一个都采用移位寄存器 41、逻辑电路42以及电平转换电路43的两个系统。也就是说，对应于第一 电路部分的第一系统采用用以产生具有第一波形高度的写脉冲WS的第一移位寄存器WA、第一逻辑电路42A以及第一电平转换电路43A,而对应于第 二电路部分的第二系统采用用以产生具有第二波形高度的写脉冲WS的第二 移位寄存器41B、第二逻辑电路42B以及第二电平转换电路43B。
第一移位寄存器41A是用于从对应于具有与信号写处理(用于将视频信 号电压Vsig存储至存储电容器24中)相符的时序的特定像素行(pixd row)的移 位级中产生移位脉冲的组件。将移位级所输出的移位脉冲提供至第一逻辑电 路42A，该第一逻辑电路42A将移位脉冲转换至具有与信号写处理相符(用于 将视频信号电压Vsig存储至存储电容器24中)的时序的扫描脉沖。第一逻辑 电路42A将扫描脉冲提供给第一电平转换电路43A,该第一电平转换电路 43A将扫描脉冲的电平从一般大约为3.3V的逻辑电平转换到一般大约15V的 小幅值电平。第一电平转换电路43A经由第一緩冲器45将具有小幅值电平 的扫描脉冲输出至多路复用器46。
出于同样原因，第二移位寄存器41B是用于从对应于具有与用于将参考 电势Vofs存储至存储电容器24中的处理相符的时序的特定像素行(pixel row) 的移位级中产生移位脉冲的组件。将移位级所输出的移位脉冲提供至第二逻 辑电路42B，该第二逻辑电路42B将移位脉沖转换至具有与用于将参考电势 Vofs存储至存储电容器24中的处理相符的时序的扫描脉冲。第二逻辑电路 42B将扫描脉冲提供给第二电平转换电路43B ，该第二电平转换电路43B将 扫描脉冲的电平从一般大约为3.3V的逻辑电平转换到一般大约25V的大幅值 电平。第二电平转换电路43B经由第二缓冲器47将具有大幅值电平的扫描脉 冲输出至多路复用器46。
多路复用器46具有包括两个模拟开关(即，第一和第二模拟开关461和 462)以及两个反相器(即，第一和第二反相器463和464)的配置。第一和第二 模拟开关461和462中的每一个一般都是CMOS开关。第一和第二反相器463 和464用于通过第三緩冲器48来将通过逻辑电路42A和42B而向其提供的 开关控制信号的极性反相的组件。模拟开关461和462选择从第一緩冲器45 所接收到的输出脉冲，或是从第二緩沖器47所接收到的输出脉冲，并且将所 选择的脉冲提供至特定行上的像素电路来作为写脉冲WS。
图16A到16F是图15的电路图中示出的写扫描电路40B中所产生的信 号的多个时序/波形图。为了更具体地表达，图16A是第一逻辑电路42A输 出的扫描脉沖的时序/波形图，而图16B是第二逻辑电路42B输出的扫描脉沖的时序/波形图。图16C是第三緩冲器48所产生的输出脉冲的时序/波形图。 图16D是第一緩冲器45所产生的输出脉冲的时序/波形图，而图16E是第二 缓冲器47所产生的输出脉冲的时序/波形图。图16F是多路复用器所输出的 写脉沖的时序/波形图。
如上所述，根据第二写/扫描电路实施例的写扫描电路40B具有第一电 路部分，用于产生其每一个都具有第一波形高度的写脉冲WS,作为每一个 都用于所执行的、用以将视频信号电压Vsig存储至存储电容器24中的信号 写处理中的写脉冲WS;以及第二电路部分，用于产生其每一个都具有第二 波形高度的写脉冲WS,作为每一个都用于所执行的、用以将参考电势Vofs 存储至存储电容器24中的处理中的写脉沖WS。另外，将写扫描电路40B配 置为能够选择性地驱动第一电路部分，以产生每一个都具有第一波形高度的 写脉冲WS,用于所执行的、用以将视频信号电压Vsig存储至存储电容器24 中的信号写处理；或是选择性地驱动第二电路部分，以产生每一个都具有第 二波形高度的写脉冲WS，用于所执行的、用以将参考电势Vofs存储至存储 电容器24中的处理。因此写扫描电路40B能够生成用在所执行的、用以将参 考电势Vofs存储至存储电容器24中的处理的写脉冲WS，作为具有不同于由 信号扫描电路40B所生成的写脉冲WS (作为用于所执行的、用以将视频信 号Vsig存储至存储电容器24中的信号写处理中的写脉冲WS )的第 一波形高 度的第二波形高度的写脉冲WS。
上面的描述说明了每一个都实施写扫描电路40的一般具体电路配置的 两个写/扫描电路实施例。然而，写扫描电路40的一般具体电路配置绝不限 于这些实施例。
修改后的版本
即使将上述的实施例应用于采用像素电路20的有源矩阵有机EL显示设 备(该每一个像素电路20都具有作为电光装置的有机EL装置)，本发明的范 围也绝不限于该实施例。为了更具体地表达，可以将本发明应用于每一个都 采用了像素电路的一般显示设备，其中每一个该像素电路都具有运行为发光 装置的电流驱动式电光装置，该发光装置用于发射具有根据流过该装置的电 流的量值的亮度的光。这种电流驱动式电光装置的例子为有机EL装置、 LED(发光二极管)装置以及半导体激光装置。
另外，本领域的技术人员应该理解，依据设计条件以及其它因素，只要其在所附权利要求或其等效的范围内，可以出现各种修改、组合、子组合以 及变更。
应用例子
根据如上所述的本发明的显示设备通常用在图17到21G的视图中所示 的各种电子仪器中，作为所有领域中所使用的仪器。电子仪器的例子是数码 相机、膝上型个人计算机、诸如蜂窝电话或摄像机之类的便携式终端。在这 些电子仪器中的每一个中，显示设备用于将提供至其的或其之中所产生的视 频信号显示为图像或视频。
如上所示，可以将根据本发明的实施例的显示设备用作为所有领域中的 电子仪器的显示单元。因此，如从作为实施例的描述而于之前给出的描述中 显而易见，根据本发明的显示设备能够正常(normally)执行信号写处理以将视 频信号Vsig存储至存储电容器24中以及迁移率校正处理。结果，显示设备 能够在各种电子仪器中显示高清晰度及高质量的图像。
应该注意的是，根据本发明的显示设备包括构建为具有密封配置的模块 形状(modularshape)的设备。例如，将根据本发明的显示设备设计为其中像素 阵列部分30实施为通过将模块附连至诸如透明玻璃之类的材料而构成的面 对单元(facing unit)所创建的显示模块的配置。在透明面向单元上除了可创建 之前所述的屏蔽膜(shielding film)之外，还可以创建诸如滤色器和保护膜之类 的组件。应该注意的是，用作像素阵列部分30的显示模块可包括诸如用于将 从外部源所接收到的信号提供至像素阵列部分30,用于将从像素阵列部分30 接收到的信号提供至外部目标地以及FPC(柔性印刷电路，Flexible Print Circuit)之类的组件。
下面描述说明应用本发明的电子仪器的具体实施。
图17示出应用本发明的实施例的电视机的外观的斜视图。用作根据应用 例子的电子仪器的典型实施的电视机采用前面板102以及一般是过滤玻璃板 (filter glass plate)103的视频显示屏幕部分101。通过在电视机中采用作为视频 显示屏幕部分101的本发明提供的显示设备来构造电视机。
图18A和18B是每一个均示出了应用了本发明的实施例的数字照相机的 外观的斜视图的多个视图。更确切地，图18A是从数字照相机的前侧的位置 上看到的数字照相机的视图，而图18B是从数字照相机的后侧的位置的上看 到的数字照相机的视图。用作根据应用例子的电子仪器的典型实施的数字照相机采用用以产生闪光的发光部分11、显示部分112、菜单开关13以及快门 按钮114。通过在数字照相机中采用作为显示部分112的本发明提供的显示设 备来构建数字照相机。
图19是示出应用了本发明的实施例的膝上型个人计算机的外观的斜视 图的图。用作根据应用例子的电子仪器的典型实施的膝上型个人计算机采用 机身(mainbody)121，其包括待由用户操作来输入字符的键盘122;以及显示部 分123,其用于显示图像。通过在膝上型个人计算机中采用作为显示部分123 的本发明提供的显示设备来构建膝上型个人计算机。
图20是示出应用了本发明的实施例的摄像机的外观的斜视图的图。用作 根据应用例子的电子仪器的典型实施的摄像机采用机身131、照相镜头132、 开始/停止开关133以及显示部分134。提供在摄像机的前面(frontface)、方向 朝前的照相镜头132为用于拍摄照相景物的图片的镜头。开始/停止开关133 是由用户操作来开始或停止照相操作的开关。通过在摄像机中采用作为显示 部分134的本发明提供的显示设备来构建摄像机。
图21A到21G是每一个均示出了应用了本发明的实施例的诸如蜂窝电话 之类的便携终端的外观的多个视图。更确切地，图21A示出在已经被打开的 状态下的便携式电话的正视图。图21B是示出在已经被打开的状态下的便携 式电话的一侧的视图。图21C示出在已经被闭合的状态下的便携式电话的正 视图。图21D是示出在已经被闭合的状态下的便携式电话的左侧的视图。图 21E是示出在已经被闭合的状态下的便携式电话的右侧的视图。图21F示出 在已经被闭合的状态下便携式电话的顶视图。图21G示出在已经被闭合的状 态下便携式电话的底视图。用作根据应用例子的电子仪器的典型实施的蜂窝 电话采用上盖(uppercase)141、下盖(lower case) 142、其为合叶(hinge)的联接 部分143、显示部分144、显示子部分145、画面光源(picture light) 146以及照 相机147。通过在蜂窝电话中采用作为显示部分144和显示子部分145的本 发明提供的显示设备来构建蜂窝电话。
权利要求
1. 一种显示设备，其包括像素阵列部分，其包括用以形成矩阵而排列的像素电路，作为每一个都具有以下配置的像素电路电光装置，信号写入晶体管，其栅极电极连接至扫描线，并且其特定的一个电极连接至信号线，装置驱动晶体管，其栅极电极连接至所述信号写入晶体管的另一个电极，其特定的一个电极连接至电源线，并且其另一个电极连接至所述电光装置的阳极电极，以及存储电容器，其一个电极连接至所述装置驱动晶体管的所述栅极电极以及所述信号写入晶体管的所述另一个电极，并且其另一个电极连接至所述装置驱动晶体管的所述另一个电极以及所述电光装置的所述阳极电极；电源扫描电路，用于通过所述电源线来将第一电源电势或低于所述第一电源电势的第二电源电势选择性地提供给所述装置驱动晶体管的所述特定电极；信号输出电路，用于通过所述信号线来将视频信号或参考电势选择性地输出至所述信号写入晶体管的所述特定电极；以及写扫描电路，用于当所述信号输出电路正在通过所述信号线将所述视频信号或所述参考电势输出至所述信号写入晶体管的所述特定电极时，通过所述扫描线将写脉冲提供至所述信号写入晶体管的所述栅极电极，其中在所述信号写入晶体管执行的操作中将出现在所述装置驱动晶体管的所述栅极电极上的电势已初始化为等于所述参考电势的初始化电势之后，执行阈值电压校正处理，以将出现在所述装置驱动晶体管的所述另一个电极上的电势朝着通过从所述参考电势中减去所述装置驱动晶体管的阈值电压而获得的电势电平改变，其中，所述信号写入晶体管执行的操作是将所述参考电势存储至与所述装置驱动晶体管的所述栅极电极相连接的所述存储电容器中，所述参考电势是所述装置驱动晶体管的所述栅极电极的所述初始化电势，以及当所述信号输出电路正在将所述参考电势输出至所述信号写入晶体管的所述特定电极时，所述写扫描电路将写脉冲提供给所述信号写入晶体管的所述栅极电极，作为具有大于当所述信号输出电路将所述视频信号输出至所述信号写入晶体管的所述特定电极时而由所述写扫描电路提供至所述信号写入晶体管的所述栅极电极的写脉冲的波形高度的波形高度的写脉冲。
2. 如权利要求1所述的显示设备，其中在所述扫描写入晶体管执行信号写处理以将由所述信号输出电路输出至 所述信号写入晶体管的所述特定电极的所述视频信号存储到与所述装置驱动晶体管的所述栅极电极相连接的所述存储电容器中的1H水平扫描时间段之 前，在相同的多个1H水平扫描时间段中所分布的多个时间上执行所述阈值 电压校正处理；以及所述写入扫描电路将作为对于在所述阚值电压校正处理的所述1H水平 扫描时间段期间输出至所述信号写入晶体管的所述特定电极的所述参考电势 的写脉冲而提供至所述信号写入晶体管的所述栅极电极的写脉冲的波形高度 设置为大于作为对于在所述信号写处理中输出至所述信号写入晶体管的所述 特定电极的所述视频信号的写脉冲而提供至所述信号写入晶体管的所述栅极 电极的写脉冲的波形高度的值。
3. 如权利要求2所述的显示设备，其中，所述写入扫描电路以1H水 平扫描时间段越迟，则每一个提供用于所述参考电势的所述写脉冲的波形高 度越小的这种方式，来将作为对于在所述阈值电压校正处理的所述1H水平 扫描时间段期间输出至所述信号写入晶体管的所述特定电极的所述参考电势 的写脉冲而每一个都提供至所述信号写入晶体管的所述栅极电极的写脉冲的 波形高度设置为朝着作为对于在所述信号写处理中输出至所述信号写入晶体 管的所述特定电极的所述视频信号的写脉冲而提供至所述信号写入晶体管的 所述栅极电极的写脉冲的波形高度来逐渐减小的值。
4. 如权利要求1所述的显示设备，其中，在所述扫描写入晶体管执行 信号写处理以将由所述信号输出电路输出至所述信号写入晶体管的所述特定 电极的所述视频信号存储到连接至所述装置驱动晶体管的所述栅极电极的所 述存储电容器中的1H水平扫描时间段之前，以下面这种方式来在相同多个 1H水平扫描时间段中所分布的多个时间上执行所述阈值电压校正处理所述写入扫描电路将作为对于在所述阈值电压校正处理的最后一个所述 1H水平扫描时间段期间输出至所述信号写入晶体管的所述特定电极的所述参考电势的写脉冲而提供至所述信号写入晶体管的所述栅极电极的写脉冲的 波形高度设置为大约等于作为对于在所述信号写处理中输出至所述信号写入 晶体管的所述特定电极的所述视频信号的写脉冲而提供至所述信号写入晶体管的所述栅极电极的写脉冲的波形高度的值；以及所述写入扫描电路将作为对于在除了所述最后一个1H水平扫描时间段 的所述阈值电压校正处理的所述1H水平扫描时间段的期间输出至所述信号 写入晶体管的所述特定电极的所述参考电势的写脉沖而每一个都提供至所述 信号写入晶体管的所述栅极电极的写脉冲的波形高度设置为大于作为对于在 所述信号写处理中输出至所述信号写入晶体管的所述特定电极的所述^L频信 号的写脉冲而提供至所述信号写入晶体管的所述栅极电极的写脉冲的波形高 度的值。
5. 如权利要求1所述的显示设备，其中，与所述信号写入晶体管所执 行的用于将由所述信号输出电路输出至所述信号写入晶体管的所述特定电极 的视频信号存储至与所述装置驱动晶体管的所述栅极电极相连接的所述存储 电容器中的信号写处理同时，执行用于将流经所述装置驱动晶体管的电流的 量值负向地反馈至所述装置驱动晶体管的所述栅极电极的迁移率校正处理。
6. 如权利要求1所述的显示设备，其中所述写扫描电路包括前级緩冲器以及具有不同于所述前级緩冲器的电源 线的电源线的末级緩冲器；以及通过改变所述末级緩冲器的所述电源线上所声明的电源电压，所述写扫 描电路能够生成对于用以将视频信号存储至与所述装置驱动晶体管的所述栅 极电极相连接的所述存储电容器中而执行的信号写处理的写脉冲，作为具有值电压校正处理的写脉沖的波形高度的波形高度的写脉冲。
7. 如权利要求1所述的显示设备，其中，所述写扫描电路包括用于生成具有第 一波形高度的写脉沖的电路以及用于生成具有第二 波形高度的写脉冲的电路；以及选择地输出具有对于用以将视频信号存储至与所述装置驱动晶体管的所 述栅极电极相连接的所述存储器电容器中而执行的信号写处理的所述第一波 形高度的所述写信号，或具有对于用以将所述参考电势存储至所述存储器电 容器中而执行的阈值电压校正处理的所述第二波形高度的所述写信号。
8. —种用于驱动显示设备的驱动方法，包含像素阵列部分，其包括用以形成矩阵而排列的像素电路，作为每一个都 具有以下配置的像素电路 电光装置，信号写入晶体管，其栅极电极连接至扫描线，并且其特定的一个电 极连接至信号线，装置驱动晶体管，其栅极电极连接至所述信号写入晶体管的另一个 电极，其特定的一个电极连接至电源线，并且其另一个电极连接至所述电光 装置的阳极电极，以及存储电容器，其一个电极连接至所述装置驱动晶体管的所述栅极电 极以及所述信号写入晶体管的所述另一个电极，并且其另一个电极连接至所 述装置驱动晶体管的所述另一个电极以及所述电光装置的所述阳极电极，电源扫描电路，用于通过所述电源线来将第一电源电势或低于所述第一 电源电势的第二电源电势选择性地提供给所述装置驱动晶体管的所述特定电 极，以及信号输出电路，用于通过所述信号线来将视频信号或参考电势选择性地输出至所述信号写入晶体管的所述特定电极，所述驱动方法包含以下步骤当所述信号输出电路正在通过所述信号线将所述视频信号或所述参考电 势输出至所述信号写入晶体管的所述特定电极时，其通过所述扫描线将写脉 冲提供给所述信号写入晶体管的所述栅极电极；当在所述信号写入晶体管执行的操作中将出现在所述装置驱动晶体管的 所述4册极电极上的电势已初始化为等于所述参考电势的初始化电势之后，执 行阈值电压校正处理以将出现在所述装置驱动晶体管的所述另一个电极上的 电势朝着通过从所述参考电势中减去所述装置驱动晶体管的阈值电压而获得 的电势电平来改变，其中，所述信号写入晶体管执行的操作是将所述参考电 势存储至与所述装置驱动晶体管的所述栅极电极相连接的所述存储电容器中，所述参考电势是所述装置驱动晶体管的所述栅极电极的所述初始化电势； 以及当所述信号输出电路正在将所述参考电势输出至所述信号写入晶体管的 所述特定电极时，其将写脉冲提供给所述信号写入晶体管的所述栅极电极， 作为具有大于当所述信号输出电路将所述视频信号输出至所述信号写入晶体管的所述特定电极时而由所述写扫描电路提供至所述信号写入晶体管的所述 栅极电极的写脉冲的波形高度的波形高度的写脉冲。
9. 一种电子仪器，包含像素阵列部分，其包括用以形成矩阵而排列的像素电路，作为每一个都 具有以下配置的像素电路电光装置，信号写入晶体管，其栅极电极连接至扫描线，并且其特定的一个电 极连接至信号线，装置驱动晶体管，其栅极电极连接至所述信号写入晶体管的另一个 电极，其特定的一个电极连接至电源线，并且其另一个电极连接至所述电光 装置的阳极电极，以及存储电容器，其一个电极连接至所述装置驱动晶体管的所述栅极电 极以及所述信号写入晶体管的所述另一个电极，并且其另一个电极连接至所述装置驱动晶体管的所述另一个电极以及所述电光装置的所述阳极电极；电源扫描电路，用于通过所述电源线来将第一电源电势或低于所述第一 电源电势的第二电源电势选择性地提供给所述装置驱动晶体管的所述特定电极；信号输出电路，用于通过所述信号线来将视频信号或参考电势选择性地 输出至所述信号写入晶体管的所述特定电极；以及写扫描电路，用于当所述信号输出电路正在通过所述信号线将所述视频 信号或所述参考电势输出至所述信号写入晶体管的所述特定电极时，通过所 述扫描线将写脉冲提供至所述信号写入晶体管的所述栅极电极，其中当在所述信号写入晶体管执行的操作中将出现在所述装置驱动晶体 管的所述栅极电极上的电势已初始化为等于所述参考电势的初始化电势之 后，执行阈值电压校正处理以将出现在所述装置驱动晶体管的所述另一个电 极上的电势朝着通过从所述参考电势中減去所述装置驱动晶体管的阈值电压 而获得的电势电平来改变，其中，所述信号写入晶体管执行的操作是将所述 参考电势存储至与所述装置驱动晶体管的所述栅极电极相连接的所述存储电 容器中，所述参考电势是所述装置驱动晶体管的所述栅极电极的所述初始化 电势，以及当所述信号输出电路正在将所述参考电势输出至所述信号写入晶体管的所述特定电极时，其将写脉冲提供给所述信号写入晶体管的所述栅极电极， 作为具有大于当所述信号输出电路将所述视频信号输出至所述信号写入晶体 管的所述特定电极时而由所述写扫描电路提供至所述信号写入晶体管的所述 栅极电极的写脉冲的波形高度的波形高度的写脉冲。
全文摘要
这里所公开的是显示设备，其包括像素阵列部分、电源扫描电路、信号输出电路以及写扫描电路，其中该像素阵列部分包括用以形成矩阵而排列的像素电路来作为每一个都具有电光装置的像素电路、信号写入晶体管、装置驱动晶体管以及存储电容器。
文档编号G09G3/20GK101436383SQ20081017347
公开日2009年5月20日 申请日期2008年11月14日 优先权日2007年11月14日
发明者三并彻雄 申请人:索尼株式会社