像素电路、显示面板和显示装置制造方法
【专利摘要】本实用新型提供一种像素电路，包括电源端、电源传导晶体管、驱动晶体管、发光件、重置模块、存储电容和补偿模块。补偿模块的第一端与像素电路的数据写入端相连，补偿模块的第二端与驱动晶体管的栅极相连，补偿模块的第三端与驱动晶体管的第一极相连，补偿模块的第四端与驱动晶体管的第二极相连，且存储电容的第二端通过补偿模块与驱动晶体管的第一极相连，补偿模块能够在像素电路的重置阶段结束后，在补偿模块的第四端输出数据写入端输入的数据电压，并利用数据电压对存储电容进行充电，以补偿驱动晶体管的阈值电压。本实用新型还提供一种显示面板和一种显示装置。显示面板在显示时亮度均匀。
【专利说明】
像素电路、显示面板和显示装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及有机发光二极管显示领域，具体地，涉及一种像素电路、一种包括所述像素电路的显示面板和一种包括该显示面板的显示装置。
【背景技术】
[0002]有机发光显示器是当今平板显示器研究领域的热点之一，与液晶显示器相比，有机发光二极管具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点，目前，在手机、PDA、数码相机等显示领域，已经开始采用有机发光二极管显示面板取代传统的液晶显示面板。像素驱动电路设计是有源矩阵有机发光二极管显示面板(AMOLED)核心技术内容，具有重要的研究意义。
[0003]与液晶面板中利用稳定的电压控制亮度不同，有机发光二极管属于电流驱动，需要稳定的电流来控制发光。
[0004]图1中所示的是一种常用的2T1C像素电路，该像素电路包括存储电容C、驱动晶体管DTFT和开关晶体管TC。当扫描线扫描一行像素时，开关晶体管TO导通，数据写入信号(此处，数据写入信号为电压)写入存储电容C，该行扫描结束时，开关晶体管TO关闭，存储在存储电容C中的电压驱动所述驱动晶体管DTFT，使其产生电路驱动发光件0LED，保证发光件在一帧内持续发光。驱动晶体管DTFT的饱和电流为Imd = K(Ves-Vth)2。其中，1led为驱动晶体管DTFT的饱和电流，Ves为驱动晶体管DTFT的栅源电压，Vth为驱动晶体管DTFT的阈值电压。
[0005]由于工艺制程和器件老化等原因，各像素点的驱动晶体管的阈值电压存在不均匀性，这样就导致了流过每个像素点中有机发光二极管的电流发生变化使得显示亮度不均，从而影响整个图像的显示效果。
[0006]因此，如何提高显示面板的亮度均匀性成为本领域亟待解决的技术问题。
实用新型内容
[0007]本实用新型的目的在于提供一种像素电路、一种包括所述像素电路的显示面板和一种包括所述显示面板的显示装置。包括所述像素电路的显示面板显示亮度均匀。
[0008]为了实现上述目的，作为本实用新型的一个方面，提供一种像素电路，所述像素电路包括电源端、电源传导晶体管、驱动晶体管、发光件、重置模块、存储电容和补偿模块，
[0009]所述存储电容的第一端与所述电源端相连，所述存储电容的第二端与所述驱动晶体管的栅极相连；
[0010]所述电源传导晶体管的第一极与所述电源端相连，且所述电源传导晶体管能够在所述像素电路的发光阶段导通；
[0011]所述驱动晶体管的第一极与所述电源传导晶体管的第二极相连；
[0012]所述重置模块与所述驱动晶体管的栅极相连，以在所述像素电路的重置阶段将所述驱动晶体管的栅极电压重置；
[0013]所述补偿模块的第一端与所述像素电路的数据写入端相连，所述补偿模块的第二端与所述驱动晶体管的栅极相连，所述补偿模块的第三端与所述驱动晶体管的第一极相连，所述补偿模块的第四端与所述驱动晶体管的第二极相连，且所述存储电容的第二端通过所述补偿模块与驱动晶体管的第一极相连，所述补偿模块能够在所述像素电路的重置阶段结束后，在所述补偿模块的第四端输出所述数据写入端输入的数据电压，并利用所述数据电压对所述存储电容进行充电，以补偿所述驱动晶体管的阈值电压。
[0014]优选地，所述补偿模块包括第一补偿晶体管和第二补偿晶体管，所述第一补偿晶体管的第一极与所述存储电容的第二端相连，所述第一补偿晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极相连，所述第二补偿晶体管的第一极与所述像素电路的数据写入端相连，所述第二补偿晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第二极相连，所述第一补偿晶体管能够在所述补偿阶段导通，并在所述重置阶段和所述发光阶段关闭，且所述第二补偿晶体管能够在所述补偿阶段导通，并在所述重置阶段和所述发光阶段关闭。
[0015]优选地，所述像素电路包括第一扫描信号端，所述第一补偿晶体管的栅极以及所述第二补偿晶体管的栅极均与所述第一扫描信号端相连，所述第一补偿晶体管和所述第二补偿晶体管的类型相同。
[0016]优选地，所述重置模块还包括重置晶体管和重置电压端，所述重置晶体管的第一极与所述重置电压端相连，所述重置晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极相连，所述重置晶体管能够在所述像素电路的重置阶段导通，并且在所述像素电路的补偿阶段和发光阶段关闭。
[0017]优选地，所述像素电路包括第二扫描信号端，所述第二扫描信号端与所述重置晶体管的栅极相连。
[0018]优选地，所述像素电路还包括发光件控制晶体管，所述发光件控制晶体管的第一极与所述发光件的阳极相连，所述发光件控制晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第二极相连，所述发光件控制晶体管能够在所述像素电路的重置阶段和补偿阶段关闭，并且在所述像素电路的发光阶段导通。
[0019]优选地，所述像素电路还包括发光扫描信号端，所述电源传导晶体管的栅极以及所述发光件控制晶体管的栅极均与所述发光扫描信号端相连，所述电源传导晶体管的类型与所述发光件控制晶体管的类型相同。
[0020]优选地，所述电源传导晶体管、所述驱动晶体管、所述第一补偿晶体管和所述第二补偿晶体管均为P型晶体管。
[0021]作为本实用新型的另一个方面，提供一种显示面板，所述显示面板包括像素电路，其中，所述像素电路为本实用新型所提供的上述像素电路。
[0022]作为本实用新型的还一个方面，提供一种显示装置，该显示装置包括本实用新型所提供的上述显示面板。
[0023]在本实用新型所提供的像素电路中，消除了驱动晶体管的阈值电压漂移对流过发光件的电流的影响，可以提高包括所述像素电路的显示面板的亮度均匀性，并且使得所述显示面板在显示时不会产生残影等显示缺陷，进而优化显示面板的显示效果。
【专利附图】
【附图说明】
[0024]附图是用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的【具体实施方式】一起用于解释本实用新型，但并不构成对本实用新型的限制。在附图中:
[0025]图1是现有的2T1C像素电路的电路图；
[0026]图2是本实用新型所提供的像素电路的模块示意图；
[0027]图3是本实用新型的优选实施方式所提供的像素电路的示意图；
[0028]图4是驱动本实用新型所提供的像素电路时，各信号的时序图；
[0029]图5是图3中所示的像素电路在重置阶段的等效电路图；
[0030]图6是图3中所示的像素电路在补偿阶段的等效电路图；
[0031]图7是图3中所示的像素电路在发光阶段的等效电路图。
[0032]附图标记说明
[0033]Tl:电源传导晶体管T2:第一补偿晶体管
[0034]T3:复位晶体管T4:第二补偿晶体管
[0035]T5:发光件控制晶体管C:存储电容
[0036]DTFT:驱动晶体管OLED:发光件
[0037]Em:发光扫描信号端Scan[l]:第一扫描线
[0038]Scan [2]:第二扫描线Vdd:电源端
[0039]TO:开关晶体管
【具体实施方式】
[0040]以下结合附图对本实用新型的【具体实施方式】进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的【具体实施方式】仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限制本实用新型。
[0041]如图2所示，作为本实用新型的一个方面，提供一种像素电路，所述像素电路包括电源端vdd、电源传导晶体管Tl、驱动晶体管DTFT、发光件0LED、存储电容C和重置模块。
[0042]存储电容C的第一端与电源端Vdd相连，存储电容C的第二端与驱动晶体管DTFT的栅极相连。电源传导晶体管Tl的第一极与电源端Vdd相连，且电源传导晶体管Tl能够在所述像素电路的发光阶段(图4中的阶段3)导通，且在所述像素电路的重置阶段(图4中的阶段I)和补偿阶段(图4中的阶段2)关闭。驱动晶体管DTFT的第一极与电源传导晶体管Tl的第二极相连。
[0043]所述重置模块与驱动晶体管DTFT的栅极相连，以在所述像素电路的重置阶段将所述驱动晶体管的栅极电压重置。
[0044]所述像素电路还包括补偿模块，所述补偿模块的第一端I与所述像素电路的数据写入端相连，所述补偿模块的第二端2与驱动晶体管DTFT的栅极相连，所述补偿模块的第三端3与驱动晶体管DTFT的第一极相连，所述补偿模块的第四端4与驱动晶体管DTFT的第二极相连。如图2所示，存储电容C的第二端与所述补偿模块的第二端2相连，存储电容C的第二端通过所述补偿模块与驱动晶体管DTFT的第二极相连相连，使得所述补偿模块能够在所述像素电路的重置阶段结束后，在所述补偿模块的第四端输出所述数据写入端输入的数据电压Vdata,并利用所述数据电压Vdata对存储电容C进行充电，以补偿所述驱动晶体管DTFT的阈值电压。
[0045]本领域技术人员应当理解的是，驱动晶体管DTFT的源极和漏极并不是固定不变的。驱动晶体管DTFT的第一极既可以是该驱动晶体管DTFT的源极，也可以是该驱动晶体管DTFT的漏极，相应地，驱动晶体管DTFT的第二极既可以是该驱动晶体管DTFT的漏极，也可以是该驱动晶体管DTFT的源极。在通电状态下，驱动晶体管DTFT的第一极和第二极中接入高电平的一者为驱动晶体管DTFT的源极，接入低电平的一者为驱动晶体管DTFT的漏极。
[0046]具体地，如果驱动晶体管DTFT的第一极接入高电平，而驱动晶体管DTFT的第二极接入低电平，那么驱动晶体管DTFT的第一极为驱动晶体管DTFT的源极，驱动晶体管DTFT的第二极为该驱动晶体管DTFT的漏极。反之，如果驱动晶体管DTFT的第一极接入低电平，而驱动晶体管DTFT的第二极接入高电平，那么驱动晶体管DTFT的第一极为驱动晶体管DTFT的漏极，驱动晶体管DTFT的第二极为该驱动晶体管DTFT的源极。
[0047]本实用新型中，其他晶体管(包括上文中的电源传导晶体管Tl和下文中将要描述的第一补偿晶体管T2、第二补偿晶体管T4、重置晶体管T3和发光件控制晶体管T5)的第一极和第二极的含义与驱动晶体管第一极和第二极的含义类似。
[0048]容易理解的是，在重置阶段，对驱动晶体管DTFT的栅极电压信号进行重置，在驱动晶体管DTFT的栅极的电平设置为该驱动晶体管DTFT的开启电平。此处，开启电平的意思是，在驱动晶体管DTFT的第一极和第二极中的一者接入高电平另一者接入低电平的情况下，能够使得驱动晶体管DTFT导通的电平。
[0049]重置阶段结束后，所述像素电路进入补偿阶段，在该补偿阶段，将数据电压通过补偿模块写入像素电路。在此阶段，所述补偿模块的第四端输出数据电压Vdata,即所述数据写入端通过所述补偿模块的第四端将驱动晶体管DTFT的第二极的电位始终维持在Vdata，驱动晶体管DTFT的第一极与存储电容C的第二端相连，对存储电容进行充电。由于驱动晶体管DTFT的栅极与存储电容C的第二端相连，因此，所述数据输入端对存储电容C进行充电的同时，还对驱动晶体管DTFT的栅极进行充电，当将驱动晶体管DTFT的栅极的电位拉高至Vdata-Vth时，驱动晶体管DTFT的栅极和第二极之间的电位差为Vth，即，驱动晶体管DTFT的栅源电压VGS为Vth，此时处于驱动晶体管的临界状态，继续充电时，驱动晶体管DTFT的栅极电位稍有升高则会使得驱动晶体管DTFT断开，充电完毕，而存储电容C会将驱动晶体管DTFT的栅极电压维持在Vdata-Vth。
[0050]在所述像素电路的补偿阶段结束后，所述像素电路进入发光阶段，电源传导晶体管Tl导通，驱动晶体管DTFT导通，以形成通过发光件OLED的电流。此时，驱动晶体管DTF的栅极电压为Vdata-Vth,而驱动晶体管DTFT第一极电压为Vdd，因此，在发光阶段，驱动晶体管 DTFT 的栅源电压 Ves = Vdd-(Vdata-Vth)。
[0051]通过下述公式(I)计算通过发光件OLED的电流:
[0052]1led = K(Vcs-Vth)2(I)
[0053]= K [Vdd-(V data-V th) -V th]2
[0054]= K (Vdd-Vdata)2
[0055]其中，Ves为驱动晶体管DTFT的栅源电压，Vth为驱动晶体管DTFT的阈值电压。
[0056]由上式可知，流过发光件OLED的电流大小只与电源端提供的电压Vdd以及数据端输入的电压Vdata有关，不再受到驱动晶体管DTFT的阈值电压Vth的影响。
[0057]由此可知，即便驱动晶体管DTFT的阈值电压发生漂移，流过发光件OLED的电流也不会发生改变。即，在本实用新型所提供的像素电路中，消除了驱动晶体管DTFT的阈值电压漂移对流过发光件OLED的电流的影响，从而可以提高包括所述像素电路的显示面板的亮度均匀性，并且使得所述显示面板在显示时不会产生残影等显示缺陷，进而优化显示面板的显示效果。
[0058]作为本实用新型的一种优选实施方式，如图3所示，所述补偿模块可以包括第一补偿晶体管T2和第二补偿晶体管T4，第一补偿晶体管T2的第一极(相当于所述补偿模块的第二端)与存储电容C的第二端相连，第一补偿晶体管T2的第二极(相当于所述补偿模块的第三端)与驱动晶体管DTFT的第一极相连，第二补偿晶体管T4的第一极(相当于所述补偿模块的第一端)与所述像素电路的数据写入端相连，第二补偿晶体管T4的第二极(相当于所述补偿模块的第四端)与驱动晶体管DTFT的第二极相连，第一补偿晶体管T2能够在所述像素电路的补偿阶段导通，并在所述重置阶段和所述发光阶段关闭，且第二补偿晶体管T4能够在所述补偿阶段导通，并在所述重置阶段和所述发光阶段关闭。
[0059]具体地，在补偿阶段，第一补偿晶体管T2和第二补偿晶体管T4导通，此时，驱动晶体管DTFT的第二极的电位始终是Vdata,数据输入端对驱动晶体管DTFT进行充电，当将驱动晶体管DTFT的栅极的电位拉高至Vdata-Vth时，驱动晶体管DTFT的栅极和第二极之间的电位差为Vth，充电完毕，存储电容C会将驱动晶体管DTFT的栅极电压维持在Vdata-Vth。
[0060]在本实用新型中，可以分别在第一补偿晶体管T2的栅极和第二补偿晶体管T4的栅极设置控制端，以通过分别向第一补偿晶体管T2的栅极和第二补偿晶体管T4的栅极提供控制信号实现第一补偿晶体管T2以及第二补偿晶体管T4在重置阶段和发光阶段关闭，并且在补偿阶段导通。
[0061]由上文中的描述可知，第一补偿晶体管T2和第二补偿晶体管T4的开启和关闭时同步的，为了简化像素电路的结构，优选地，所述像素电路包括第一扫描信号端，所述第一补偿晶体管的栅极以及所述第二补偿晶体管的栅极均与所述第一扫描信号端相连，在这种实施方式中，第一补偿晶体管T2和第二补偿晶体管T4的类型相同。即，第一补偿晶体管T2和第二补偿晶体管T4同为N型晶体管，或者同为P型晶体管。
[0062]为了实现在重置阶段向驱动晶体管DTFT提供重置电平，优选地，所述像素电路还包括重置晶体管T3和重置电压端V。》，所述重置晶体管T3的第一极与重置电压端V.相连，重置晶体管T3的第二极与驱动晶体管DTFT的栅极相连，重置晶体管T3能够在所述像素电路的重置阶段导通，并且能够在所述像素电路的补偿阶段和发光阶段关闭。
[0063]为了实现重置晶体管T3能够在所述像素电路的重置阶段导通，并且能够在所述像素电路的补偿阶段和发光阶段关闭，优选地，所述像素电路可以包括第二扫描信号端，所述第二扫描信号端与重置晶体管T3的栅极相连。
[0064]作为本实用新型的一种优选实施方式，如图3中所示，所述像素电路还可以包括发光件控制晶体管T5，该发光件控制晶体管T5的第一极与发光件OLED的阳极相连，发光件控制晶体管T5的第二极与驱动晶体管DTFT的第二极相连，发光件控制晶体管T5能够在像素电路的重置阶段和补偿阶段关闭，并且在所述像素电路的发光阶段导通。
[0065]由于发光件控制晶体管T5在像素电路的重置阶段和补偿阶段关闭，从而可以防止在重置阶段和补偿阶段有电流通过发光件0LED，从而延长了发光件OLED的使用寿命。
[0066]如上文中所述，电源传导晶体管Tl在所述像素电路的发光阶段导通，在像素电路的重置阶段和补偿阶段均关闭。由此可知，电源传导晶体管Tl的导通和关闭时序与发光件控制晶体管T5的导通和关闭时序是同步的。
[0067]在本实用新型中，为了以简单的结构实现电源传导晶体管Tl和发光件控制晶体管T5的同步控制，优选地，所述像素电路还可以包括发光扫描信号端，电源传导晶体管Tl的栅极以及发光件控制晶体管T5的栅极均与所述发光扫描信号端相连，在这种实施方式中，电源传导晶体管Tl和发光件控制晶体管T5的类型相同。S卩，电源传导晶体管Tl和发光件控制晶体管T5可以同为N型晶体管或者同为P型晶体管。
[0068]在本实用新型中，对各个晶体管的具体形式并没有特殊的限定。例如，作为本实用新型的一种【具体实施方式】，电源传导晶体管Tl、驱动晶体管DTFT、第一补偿晶体管T2和第二补偿晶体管T4均可以为P型晶体管，进一步地，复位晶体管T3和发光件控制晶体管T5也是P型晶体管。
[0069]下面介绍本实用新型所提供的上述像素电路的驱动方法，所述驱动方法包括:
[0070]重置步骤:在所述像素电路的重置阶段(图4中的阶段I)，利用所述重置模块向所述驱动晶体管的栅极输出重置电压；
[0071]在所述重置步骤结束后进行的补偿步骤:在补偿阶段(图4中的阶段2)，数据写入信号和扫描信号有效，通过所述补偿模块将所述数据写入端输入的数据写入信号对所述存储电容进行充电，以补偿所述驱动晶体管的阈值电压；
[0072]发光步骤:在发光阶段(图4中的阶段3)，发光控制信号有效，所述电源传导晶体管和所述驱动晶体管开启从而驱动发光件发光。
[0073]在驱动本实用新型所提供的像素电路中，消除了驱动晶体管DTFT的阈值电压漂移对流过发光件OLED的电流的影响，从而使得所述显示面板在显示时不会产生残影等显示缺陷，进而优化显示面板的显示效果。
[0074]在所述补偿步骤中，通过数据写入信号对存储电容进行充电，以补偿驱动晶体管的阈值电压，不需要引入其他的补偿信号，因此，本实用新型所提供的像素驱动方法较为简单。
[0075]如上文中所述，为了简化像素电路的结构，所述像素电路包括第一扫描信号端，第一补偿晶体管T2的栅极以及第二补偿晶体管T4的栅极均与所述第一扫描信号端相连，第一补偿晶体管T2与第二补偿晶体管T4的类型相同。相应地，包括所述像素电路的显示面板包括第一扫描线Scan [I],该第一扫描线Scan [I]与所述第一扫描信号端相连，以向所述第一扫描信号端输入第一扫描信号。
[0076]因此，所述驱动方法包括:在所述补偿步骤中，通过第一扫描线Scan [I]向第一扫描信号端提供第一扫描信号，以控制第一补偿晶体管T2和第二补偿晶体管T4同步地导通或关闭。作为本实用新型的一种实施方式，第一补偿晶体管T2和第二补偿晶体管T4均为P型晶体管，因此，如图4中所示，第一扫描线Scan[l]可以在重置阶段以及发光阶段输出高电平信号，控制第一补偿晶体管T2和第二补偿晶体管T4关闭，并且第一扫描线Scan[l]可以在补偿阶段输出低电平信号，控制第一补偿晶体管T2和第二补偿晶体管T4导通。
[0077]如上文中所述，为了便于控制所述像素电路进行重置，优选地，所述重置模块可以包括重置晶体管T3和重置电压端，重置晶体管T3的第一极与所述重置电压端相连，重置晶体管T3的第二极与驱动晶体管DTFT的栅极相连，重置晶体管T3的栅极与第二扫描信号端相连。相应地，所述驱动方法包括:在所述重置步骤中，向重置晶体管T3的栅极输入第二扫描信号，控制重置晶体管T3在所述像素电路的重置阶段导通，并且控制重置晶体管T3在所述像素电路的补偿阶段和发光阶段关闭。
[0078]为了实现所述像素电路的重置，像素电路包括第二扫描信号端，所述第二扫描信号端与重置晶体管T3的栅极相连，相应地，包括所述像素电路的显示面板还包括第二扫描线Scan [2]，该第二扫描线Scan [2]与所述第二扫描信号端相连，以为所述第二扫描信号端提供第二扫描信号。因此，所述驱动方法包括:在所述重置步骤中，向所述重置电压端输入第二扫描信号，以控制重置晶体管在所述像素电路的重置阶段导通。
[0079]通过第二扫描线Scan[2]向所述第二扫描信号端提供信号控制重置晶体管T3的导通和关闭。在本实用新型所提供的实施方式中，重置晶体管T3可以为P型晶体管，因此，第二扫描线Scan [2]在重置阶段提供使重置晶体管T3导通的低电平，在补偿阶段和发光阶段输出使重置晶体管T3关闭的高电平。
[0080]作为本实用新型的一种优选实施方式，所述像素电路还包括发光件控制晶体管T5，该发光件控制晶体管T5的第一极与发光件OLED的阳极相连，发光件控制晶体管T5的第二极与驱动晶体管DTFT的第二极相连，发光件控制晶体管T5能够在所述像素电路的重置阶段和补偿阶段关闭，并且在所述像素电路的发光阶段关闭。
[0081]相应地，所述驱动方法可以包括:在所述发光步骤中，向所述发光扫描信号端输入发光扫描信号，以控制所述发光件控制晶体管在所述像素电路的重置阶段和补偿阶段关闭，并且在所述像素电路的发光阶段导通。
[0082]为了简化像素电路的结构，优选地，所述像素电路还包括发光扫描信号端，电源传导晶体管Tl的栅极以及发光件控制晶体管T5的栅极均与所述发光扫描信号端相连，在这种情况中，电源传导晶体管Tl与发光件控制晶体管T5的类型相同。相应地，每组所述扫描线还包括发光扫描信号线Em，发光扫描信号线Em与所述发光扫描信号端相连。通过发光扫描线Em向所述发光扫描信号端输出发光扫描信号，控制电源传导晶体管Tl和发光件控制晶体管T5的开启和关闭。
[0083]在本实用新型的实施方式中，电源传导晶体管Tl和发光件控制晶体管T5均为P型晶体管，因此，发光扫描线Em在重置阶段和补偿阶段输出低电平信号，在发光阶段输出闻电平?目号。
[0084]如上文中所述，电源传导晶体管Tl、驱动晶体管DTFT、第一补偿晶体管Τ2和第二补偿晶体管Τ4均可以为P型晶体管，进一步地，复位晶体管Τ3和发光件控制晶体管Τ5也是P型晶体管。
[0085]下面结合图3至图7介绍包括本实用新型所提供的优选实施方式的像素电路的显示基板的驱动方法。
[0086]在图3中所示的像素电路为5T1C像素电路，这种像素电路中仅使用了 5个晶体管和一个电容，因此，可以有效地提高像素电路的开口率。并且，在图3中所示的像素电路中，所使用的晶体管均为低电平导通的P型晶体管。图5至图7中箭头所示的是电流的流动方向，虚线表示的部分为没有电流通过的部分。
[0087]重置步骤:在图5中所示的重置阶段，第二扫描线Scan[2]向所述第二控制端输出低电平信号，控制重置晶体管T3导通，从而向驱动晶体管DTFT的栅极写入重置电压V.。在此阶段，第一扫描线Scan [I]和发光扫描信号线Em均输出高电平，因此，电源传导晶体管Tl、发光控制晶体管T5、第一补偿晶体管T2和第二补偿晶体管T4均关闭。
[0088]补偿步骤:在图6中所示的补偿阶段，数据线写入数据信号Vdata，第一扫描线Scan[l]输出低电平信号控制第一补偿晶体管T2和第二补偿晶体管T4导通，由于驱动晶体管DTFT的栅极为重置阶段写入的重置电压V。》，因此，此时驱动晶体管DTFT也是导通的，此时，可以将驱动晶体管DTFT的栅极电压改变为Vdata-Vth。在此阶段，第二扫描线Scan[2]和发光扫描信号线Em均输出高电平，因此，电源传导晶体管Tl、发光控制晶体管T5和重置晶体管T3均关闭。
[0089]发光步骤:在图7中所示的发光阶段，发光扫描信号线Em输出低电平，使电源传导晶体管Tl和发光控制晶体管T5开启，因此,发光件OLED可以发光。此时,第一扫描线Scan[l]和第二扫描线Scan[2]均输出高电平，因此，第一补偿晶体管T2、第二补偿晶体管T4和重置晶体管T3均关闭。如上文中所述，流过发光件OLED的电流I_D可以通过如下公式计算:
[0090]1led — K (VGS_Vth)
[0091 ]= K [Vdd-(V data-V th) -V th]2
[0092]= K(Vdd-Vdata)2
[0093]由上述公式可知，流过发光件OLED的电流大小只与电源端提供的电压Vdd以及数据端输入的电压Vdata有关，不再受到驱动晶体管DTFT的阈值电压Vth的影响。
[0094]作为本实用新型的再一个方面，提供一种显示面板，所述显示面板包括像素电路，其中，所述像素电路为本实用新型所提供的上述像素电路。
[0095]所述显示面板发光亮度均匀，并且不存在残影等显示缺陷，可以显示高质量的图像。
[0096]作为本实用新型的还一个方面，提供一种显示装置，该显示装置包括本实用新型所提供的上述显示面板。本实用新型的显示装置可以为电视、电脑显示屏、手机等中。
[0097]可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式，然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。
【权利要求】
1.一种像素电路，其特征在于，所述像素电路包括电源端、电源传导晶体管、驱动晶体管、发光件、重置模块、存储电容和补偿模块， 所述存储电容的第一端与所述电源端相连，所述存储电容的第二端与所述驱动晶体管的栅极相连； 所述电源传导晶体管的第一极与所述电源端相连，且所述电源传导晶体管能够在所述像素电路的发光阶段导通； 所述驱动晶体管的第一极与所述电源传导晶体管的第二极相连； 所述重置模块与所述驱动晶体管的栅极相连，以在所述像素电路的重置阶段将所述驱动晶体管的栅极电压重置； 所述补偿模块的第一端与所述像素电路的数据写入端相连，所述补偿模块的第二端与所述驱动晶体管的栅极相连，所述补偿模块的第三端与所述驱动晶体管的第一极相连，所述补偿模块的第四端与所述驱动晶体管的第二极相连，且所述存储电容的第二端通过所述补偿模块与驱动晶体管的第一极相连，所述补偿模块能够在所述像素电路的重置阶段结束后，在所述补偿模块的第四端输出所述数据写入端输入的数据电压，并利用所述数据电压对所述存储电容进行充电，以补偿所述驱动晶体管的阈值电压。
2.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述补偿模块包括第一补偿晶体管和第二补偿晶体管，所述第一补偿晶体管的第一极与所述存储电容的第二端相连，所述第一补偿晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极相连，所述第二补偿晶体管的第一极与所述像素电路的数据写入端相连，所述第二补偿晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第二极相连，所述第一补偿晶体管能够在所述补偿阶段导通，并在所述重置阶段和所述发光阶段关闭，且所述第二补偿晶体管能够在所述补偿阶段导通，并在所述重置阶段和所述发光阶段关闭。
3.根据权利要求2所述的像素电路，其特征在于，所述像素电路包括第一扫描信号端，所述第一补偿晶体管的栅极以及所述第二补偿晶体管的栅极均与所述第一扫描信号端相连，所述第一补偿晶体管和所述第二补偿晶体管的类型相同。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的像素电路，其特征在于，所述重置模块包括重置晶体管和重置电压端，所述重置晶体管的第一极与所述重置电压端相连，所述重置晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极相连，所述重置晶体管能够在所述像素电路的重置阶段导通，并且在所述像素电路的补偿阶段和发光阶段关闭。
5.根据权利要求4所述的像素电路，其特征在于，所述像素电路包括第二扫描信号端，所述第二扫描信号端与所述重置晶体管的栅极相连。
6.根据权利要求1至3中任意一项所述的像素电路，其特征在于，所述像素电路还包括发光件控制晶体管，所述发光件控制晶体管的第一极与所述发光件的阳极相连，所述发光件控制晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第二极相连，所述发光件控制晶体管能够在所述像素电路的重置阶段和补偿阶段关闭，并且在所述像素电路的发光阶段导通。
7.根据权利要求6所述的像素电路，其特征在于，所述像素电路还包括发光扫描信号端，所述电源传导晶体管的栅极以及所述发光件控制晶体管的栅极均与所述发光扫描信号端相连，所述电源传导晶体管的类型与所述发光件控制晶体管的类型相同。
8.根据权利要求2或3所述的像素电路，其特征在于，所述电源传导晶体管、所述驱动晶体管、所述第一补偿晶体管和所述第二补偿晶体管均为P型晶体管。
9.一种显示面板，所述显示面板包括像素电路，其特征在于，所述像素电路为权利要求1至8中任意一项所述的像素电路。
10.一种显示装置，所述显示装置包括显示面板，其特征在于，所述显示面板为权利要求9所述的显示面板。
【文档编号】G09G3/32GK204066686SQ201420556227
【公开日】2014年12月31日 申请日期:2014年9月25日 优先权日:2014年9月25日
【发明者】杨盛际 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方光电科技有限公司