AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法与流程

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法。

背景技术：

有机发光二极管(Organic Light Emitting Display，OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。

OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。

AMOLED是电流驱动器件，当有电流流过有机发光二极管时，有机发光二极管发光，且发光亮度由流过有机发光二极管自身的电流决定。大部分已有的集成电路(Integrated Circuit，IC)都只传输电压信号，故AMOLED的像素驱动电路需要完成将电压信号转变为电流信号的任务。传统的AMOLED像素驱动电路通常为2T1C，即两个薄膜晶体管加一个电容的结构，将电压变换为电流，但传统2T1C像素驱动电路一般无补偿功能。

如图1所述，一种现有的用于AMOLED并具有补偿功能的2T1C像素驱动电路，包括一第一薄膜晶体管T10、一第二薄膜晶体管T20、及一电容Cs，所述第一薄膜晶体管T10为驱动薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管T20为开关薄膜晶体管，所述电容Cs为存储电容。具体地，所述第二薄膜晶体管T20的栅极电性连接扫描信号电压Vsel，源极电性连接数据信号电压VData，漏极与第一薄膜晶体管T10的栅极、及电容Cs的一端电性连接；所述第一薄膜晶体管T10的漏极电性连接交流电源电压VDD，源极电性连接有机发光二级管D的阳极；有机发光二级管D的阴极电性连接接地端；电容Cs的一端电性连接第二薄膜晶体管T20的漏极，另一端电性连接第一薄膜晶体管T10的源极。

请参阅图2，图2为图1电路对应的各工作阶段及关键节点的电位图，由图2可知，图1所示的2T1C像素驱动电路的工作过程分为四个阶段，具体如下：

一、复位阶段S10：所述扫描信号电压Vsel提供高电位，控制第二薄膜晶体管T20打开，数据信号电压VData经过第二薄膜晶体管T20向第一薄膜晶体管T10的栅极提供第一参考电压Vref1，即第一薄膜晶体管T10的栅极电压Va＝Vref1，第一薄膜晶体管T10打开，交流电源电压VDD提供低电位Vdl，则第一薄膜晶体管T10的源极电压Vb＝Vdl；

二、阈值电压检测阶段S20：所述扫描信号电压Vsel提供高电位，控制第二薄膜晶体管T20打开，数据信号电压VData经过第二薄膜晶体管T20向第一薄膜晶体管T10的栅极提供第二参考电压Vref2，且Vref2＜Vref1，即第一薄膜晶体管T10的栅极电压Va＝Vref2，第一薄膜晶体管T10打开，交流电源电压VDD提供高电位，第一薄膜晶体管的源极电压Vb提升至Vb＝Vref2-Vth，Vth为第一薄膜晶体管T10的阈值电压；

三、阈值电压补偿阶段S30：所述扫描信号电压Vsel提供高电位，控制第二薄膜晶体管T20打开，数据信号电压VData经过第二薄膜晶体管T20向第一薄膜晶体管T10的栅极及电容Cs提供显示数据信号高电位Vdata，即第一薄膜晶体管T10的栅极电压Va＝Vdata，第一薄膜晶体管T10打开，交流电源电压VDD提供高电位，第一薄膜晶体管T10的源极电压Vb改变至Vb＝Vref2-Vth+ΔV，ΔV为显示数据信号高电位Vdata对所述第一薄膜晶体管T10的源极电压所产生的影响；

四、发光阶段S40，所述扫描信号电压Vsel提供低电位，第二薄膜晶体管T20关断，由于电容Cs的存储作用，第一薄膜晶体管T10的栅极电压与源极电压之间的压差保持不变，所以第一薄膜晶体管T10的栅源极电压Vgs＝Va-Vb＝Vdata-Vref2+Vth-ΔV，即可补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压。

然而，如图1所示的2T1C像素驱动电路存在交流电源电压VDD信号复杂以及数据信号电压VData信号复杂、需要多次切换的缺点。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种AMOLED像素驱动电路，既能够有效补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压变化，又能够减小电源信号与数据信号的复杂度，减少数据信号的切换次数。

本发明的目的还在于提供一种AMOLED像素驱动方法，能够有效补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压变化，解决电源信号与数据信号复杂的问题。

为实现上述目的，本发明提供了一种AMOLED像素驱动电路，包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第一电容、及有机发光二极管；

所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接于第一节点，源极电性连接于第二节点，漏极电性连接于直流电源正极；

所述第二薄膜晶体管的栅极接入第二扫描信号，源极接入数据信号，漏极电性连接于第一节点；

所述第三薄膜晶体管的栅极接入第一扫描信号，源极接入初始化信号，漏极电性连接于第一节点；

所述第四薄膜晶体管的栅极接入第一扫描信号，源极接入初始化信号，漏极电性连接于第二节点；

所述第一电容的一端电性连接于第一节点，另一端电性连接于第二节点；

所述有机发光二极管的阳极电性连接于第二节点，阴极电性连接于直流电源负极；

所述初始化信号为一恒定低电位，所述数据信号为一高电位单脉冲。

所述AMOLED像素驱动电路还包括第二电容，所述第二电容的一端电性连接于第一薄膜晶体管的漏极及直流电源正极，另一端电性连接于第一薄膜晶体管的源极及第二节点。

所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、及第四薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。

所述第一扫描信号、第二扫描信号、初始化信号、及数据信号均通过外部时序控制器产生。

所述第一扫描信号、第二扫描信号、及数据信号相组合先后对应于复位阶段、阈值电压检测阶段、阈值电压补偿阶段、及发光阶段；

在所述复位阶段，所述第一扫描信号为高电位，所述第二扫描信号为低电位，所述数据信号为参考低电位；

在所述阈值电压检测阶段，所述第一扫描信号为低电位，所述第二扫描信号为高电位，所述数据信号为参考低电位；

在所述阈值电压补偿阶段，所述第一扫描信号为低电位，所述第二扫描信号为高电位，所述数据信号为显示数据信号高电位；

在所述发光阶段，所述第一扫描信号为低电位，所述第二扫描信号为低电位，所述数据信号为参考低电位。

本发明还提供一种AMOLED像素驱动方法，包括如下步骤：

步骤1、提供一AMOLED像素驱动电路，包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第一电容、及有机发光二极管；

所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接于第一节点，源极电性连接于第二节点，漏极电性连接于直流电源正极；

所述第二薄膜晶体管的栅极接入第二扫描信号，源极接入数据信号，漏极电性连接于第一节点；

所述第三薄膜晶体管的栅极接入第一扫描信号，源极接入初始化信号，漏极电性连接于第一节点；

所述第四薄膜晶体管的栅极接入第一扫描信号，源极接入初始化信号，漏极电性连接于第二节点；

所述第一电容的一端电性连接于第一节点，另一端电性连接于第二节点；

所述有机发光二极管的阳极电性连接于第二节点，阴极电性连接于直流电源负极；

所述初始化信号为一恒定低电位；

步骤2、进入复位阶段；

所述第一扫描信号提供高电位，所述第二扫描信号提供低电位，所述数据信号提供参考低电位，所述第二薄膜晶体管关断，第三薄膜晶体管与第四薄膜晶体管打开，第一节点即第一薄膜晶体管的栅极写入初始化信号，第二节点即第一薄膜晶体管的源极写入初始化信号，第一薄膜晶体管关断；

步骤3、进入阈值电压检测阶段；

所述第一扫描信号转变为低电位，所述第二扫描信号转变为高电位，所述数据信号保持参考低电位，第三薄膜晶体管与第四薄膜晶体管关断，第二薄膜晶体管打开，第一节点即第一薄膜晶体管的栅极写入数据信号的参考低电位，第二节点即第一薄膜晶体管的源极电位转变为Vref-Vth，其中Vth为第一薄膜晶体管的阈值电压；

步骤4、进入阈值电压补偿阶段；

所述第一扫描信号保持低电位，所述第二扫描信号保持高电位，所述数据信号转变为显示数据信号高电位，第三薄膜晶体管与第四薄膜晶体管关断，第二薄膜晶体管打开，数据信号经过第二薄膜晶体管向第一节点即第一薄膜晶体管的栅极以及第一电容写入显示数据信号高电位，第二节点即第一薄膜晶体管的源极电位转变为Vref-Vth+ΔV，ΔV为显示数据信号高电位对所述第一薄膜晶体管的源极电位即第二节点的电位所产生的影响；

步骤5、进入发光阶段；

所述第一扫描信号保持低电位，所述第二扫描信号转变为低电位，所述数据信号转变为参考低电位，所述第二、第三、第四薄膜晶体管均关断，由于第一电容的存储作用，第一节点即第一薄膜晶体管的栅极电位与第二节点即所述第一薄膜晶体管的源极电位之间的压差保持不变；

所述有机发光二极管发光，且流经所述有机发光二极管的电流与第一薄膜晶体管的阈值电压无关。

所述步骤1提供的AMOLED像素驱动电路还包括第二电容，所述第二电容的一端电性连接于第一薄膜晶体管的漏极及直流电源正极，另一端电性连接于第一薄膜晶体管的源极及第二节点。

若所述步骤1提供的AMOLED像素驱动电路不包括第二电容，那么所述步骤4中显示数据信号高电位对所述第一薄膜晶体管的源极电位即第二节点的电位所产生的影响ΔV为：

ΔV＝(Vdata-Vref)×〔C1/(C1+C_OLED)〕

其中，C_OLED为有机发光二极管(OLED)的固有电容。

若所述步骤1提供的AMOLED像素驱动电路包括第二电容，那么所述步骤4中显示数据信号高电位对所述第一薄膜晶体管的源极电位即第二节点的电位所产生的影响ΔV为：

ΔV＝(Vdata-Vref)×〔C1/(C1+C2+C_OLED)〕

其中，C_OLED为有机发光二极管(OLED)的固有电容。

所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、及第四薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管；所述第一扫描信号、第二扫描信号、初始化信号、及数据信号均通过外部时序控制器产生。

本发明的有益效果：本发明提供的一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法，采用4T1C或4T2C结构的像素驱动电路对每一像素中驱动薄膜晶体管的阈值电压进行有效补偿；通过第一扫描信号来控制增设的第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管在复位阶段分别向驱动薄膜晶体管的栅极、源极写入初始化信号进行初始化处理，能够减小电源信号的复杂度，使得电路可以直接使用直流电源；通过增设第二电容来调控数据信号对驱动薄膜晶体管的源极电位的影响，能够减小数据信号的复杂度，使数据信号只需切换一次。

为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。

附图说明

下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。

附图中，

图1为一种现有的用于AMOLED的2T1C像素驱动电路的电路图；

图2为对应图1所示用于AMOLED的2T1C像素驱动电路的各工作阶段及关键节点的电位图；

图3为本发明的AMOLED像素驱动电路的第一实施例的电路图；

图4为本发明的AMOLED像素驱动电路的第二实施例的电路图；

图5为本发明的AMOLED像素驱动电路的各工作阶段及关键节点的电位图；

图6为本发明的AMOLED像素驱动方法的步骤2的示意图；

图7为本发明的AMOLED像素驱动方法的步骤3的示意图；

图8为本发明的AMOLED像素驱动方法的步骤4的示意图；

图9为本发明的AMOLED像素驱动方法的步骤5的示意图；

图10为传统无补偿2T1C像素驱动电路中驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移时对应的流经OLED的电流模拟数据图；

图11为本发明中驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移时对应的流经OLED的电流模拟数据图。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。

本发明首先提供一种AMOLED像素驱动电路。图3所示为本发明的AMOLED像素驱动电路的第一实施例，包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第一电容C1、及有机发光二极管OLED。

所述第一薄膜晶体管T1的栅极电性连接于第一节点a，源极电性连接于第二节点b，漏极电性连接于直流电源正极Vdd；

所述第二薄膜晶体管T2的栅极接入第二扫描信号SEL2，源极接入数据信号DATA，漏极电性连接于第一节点a；

所述第三薄膜晶体管T3的栅极接入第一扫描信号SEL1，源极接入初始化信号INI，漏极电性连接于第一节点a；

所述第四薄膜晶体管T4的栅极接入第一扫描信号SEL1，源极接入初始化信号INI，漏极电性连接于第二节点b；

所述第一电容C1的一端电性连接于第一节点a，另一端电性连接于第二节点b；

所述有机发光二极管OLED的阳极电性连接于第二节点b，阴极电性连接于直流电源负极Vss。

其中，所述第一薄膜晶体管T1为驱动薄膜晶体管。

具体地，所述第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、及第四薄膜晶体管T4均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。

所述第一扫描信号SEL1、第二扫描信号SEL2、初始化信号INI、及数据信号DATA均通过外部时序控制器产生。

进一步地，请结合图3、与图5，所述初始化信号INI为一恒定低电位，所述数据信号DATA为一高电位单脉冲。所述第一扫描信号SEL1、第二扫描信号SEL2、及数据信号DATA相组合先后对应于复位阶段S1、阈值电压检测阶段S2、阈值电压补偿阶段S3、及发光阶段S4。

在所述复位阶段S1，所述第一扫描信号SEL1为高电位，所述第二扫描信号SEL2为低电位，所述数据信号DATA为参考低电位Vref；

在所述阈值电压检测阶段S2，所述第一扫描信号SEL1为低电位，所述第二扫描信号SEL2为高电位，所述数据信号DATA为参考低电位Vref；

在所述阈值电压补偿阶段S3，所述第一扫描信号SEL1为低电位，所述第二扫描信号SEL2为高电位，所述数据信号DATA为显示数据信号高电位Vdata；

在所述发光阶段S4，所述第一扫描信号SEL1为低电位，所述第二扫描信号SEL2为低电位，所述数据信号DATA为参考低电位Vref。

其中，所述第一扫描信号SEL1用于控制第三薄膜晶体管T3、与第四薄膜晶体管T4的打开与关断，以在复位阶段S1将初始化信号INI的恒定低电位写入第一节点a即第一薄膜晶体管T1的栅极、与第二节点b即第一薄膜晶体管T1的源极，从而进行初始化处理，清空残留的数据，这就使得电路可以直接使用直流电源，能够减小电源信号的复杂度；所述第一电容C1起存储作用；所述第二扫描信号SEL2用于控制第二薄膜晶体管T2的打开与关断，数据信号DATA经第二薄膜晶体管T2写入第一节点a即第一薄膜晶体管T1的栅极。

值得一提的是，在阈值电压补偿阶段S3，数据信号DATA由参考低电位Vref转变为显示数据信号高电位Vdata，会对第一薄膜晶体管T1的源极电位即第二节点b的电位产生影响ΔV。针对该第一实施例：

ΔV＝(Vdata-Vref)×〔C1/(C1+C_OLED)〕

其中，C_OLED表示有机发光二级管OLED的固有电容。

图4所示为本发明的AMOLED像素驱动电路的第二实施例，相比第一实施例增设了第二电容C2，所述第二电容C2的一端电性连接于第一薄膜晶体管T1的漏极及直流电源正极Vdd，另一端电性连接于第一薄膜晶体管T1的源极及第二节点b，其它电路结构均相同，此处不再赘述。进一步地，所述第二电容C2可通过有机发光二极管OLED的阳极与直流电源正极Vdd交叠形成，不会降低像素开口率。

值得一提的是，在阈值电压补偿阶段S3，数据信号DATA由参考低电位Vref转变为显示数据信号高电位Vdata，会对第一薄膜晶体管T1的源极电位即第二节点b的电位产生影响ΔV。针对该第二实施例：

ΔV＝(Vdata-Vref)×〔C1/(C1+C2+C_OLED)〕

其中，C_OLED表示有机发光二级管OLED的固有电容。

由此可见，所述第二电容C2能够调控数据信号DATA对驱动薄膜晶体管的源极电位的影响，从而能够减小数据信号的复杂度，使数据信号只需切换一次。

请参阅图6至图9，结合图3与图5、或图4与图5，在上述AMOLED像素驱动电路的基础上，本发明还提供一种AMOLED像素驱动方法，包括如下步骤：

步骤1、提供一上述如图3所示的采用4T1C结构的AMOLED像素驱动电路或如图4所示的采用4T2C结构的AMOLED像素驱动电路。此处不再对电路进行重复描述。

步骤2、请参阅图6，并结合图4与图5，首先进入复位阶段S1。

所述第一扫描信号SEL1提供高电位，所述第二扫描信号SEL2提供低电位，所述数据信号DATA提供参考低电位Vref，所述第二薄膜晶体管T2关断，第三薄膜晶体管T3与第四薄膜晶体管T4打开；初始化信号INI的恒定低电位经第三薄膜晶体管T3写入第一节点a即第一薄膜晶体管T1的栅极，经第四薄膜晶体管T4写入第二节点b即第一薄膜晶体管T1的源极，从而对第一薄膜晶体管T1的栅极与源极进行初始化处理，清空残留的数据；第一薄膜晶体管T1关断。

在该复位阶段S1中：

Vg＝Va＝Vini

Vs＝Vb＝Vini

其中，Vg表示第一薄膜晶体管T1的栅极电位，Va表示第一节点a的电位，Vs表示第一薄膜晶体管T1的源极电位，Vb表示第二节点b的电位，Vini表示初始化信号INI的恒定低电位。

有机发光二极管OLED不发光。

步骤3、请参阅图7，并结合图4与图5，进入阈值电压检测阶段S2。

所述第一扫描信号SEL1转变为低电位，所述第二扫描信号SEL2转变为高电位，所述数据信号DATA保持参考低电位Vref，第三薄膜晶体管T3与第四薄膜晶体管T4关断，第二薄膜晶体管T2打开，第一节点a即第一薄膜晶体管T1的栅极写入数据信号DATA的参考低电位Vref，第二节点b即第一薄膜晶体管T1的源极电位转变为Vref-Vth，其中Vth为第一薄膜晶体管T1的阈值电压。

在该阈值电压检测阶段S2中：

Vg＝Va＝Vref

Vs＝Vb＝Vref-Vth

步骤4、请参阅图8，并结合图4与图5，进入阈值电压补偿阶段S3。

所述第一扫描信号SEL1保持低电位，所述第二扫描信号SEL2保持高电位，所述数据信号DATA转变为显示数据信号高电位Vdata，第三薄膜晶体管T3与第四薄膜晶体管T4关断，第二薄膜晶体管T2打开，数据信号DATA经过第二薄膜晶体管T2向第一节点a即第一薄膜晶体管T1的栅极以及第一电容C1写入显示数据信号高电位Vdata，第二节点b即第一薄膜晶体管T1的源极电位转变为Vref-Vth+ΔV，ΔV为显示数据信号高电位Vdata对所述第一薄膜晶体管T1的源极电位即第二节点b的电位所产生的影响。

在该阈值电压补偿阶段S3中：

Vg＝Va＝Vdata

Vs＝Vb＝Vref-Vth+ΔV

那么第一薄膜晶体管T1的栅极电压Vg与源极电压Vs之间的差值Vgs为：

Vgs＝Vg-Vs＝Vdata-Vref+Vth-ΔV

针对图3所示的采用4T1C结构的AMOLED像素驱动电路，在该阈值电压补偿阶段S3中：

ΔV＝(Vdata-Vref)×〔C1/(C1+C_OLED)〕

其中，C_OLED表示有机发光二级管OLED的固有电容。

Vgs＝Vdata-Vref+Vth-ΔV

＝Vdata-Vref+Vth-(Vdata-Vref)×〔C1/(C1+C_OLED)〕

＝(Vdata-Vref)×〔1-C1/(C1+C_OLED)〕+Vth (1)

针对图4所示的采用4T2C结构的AMOLED像素驱动电路，在该阈值电压补偿阶段S3中：

ΔV＝(Vdata-Vref)×〔C1/(C1+C2+C_OLED)〕

Vgs＝Vdata-Vref+Vth-ΔV

＝Vdata-Vref+Vth-(Vdata-Vref)×〔C1/(C1+C2+C_OLED)〕

＝(Vdata-Vref)×〔1-C1/(C1+C2+C_OLED)〕+Vth (2)

步骤5、请参阅图9、并结合图4与图5，进入发光阶段S4。

所述第一扫描信号SEL1保持低电位，所述第二扫描信号SEL2转变为低电位，所述数据信号DATA转变为参考低电位Vref，所述第二、第三、第四薄膜晶体管T2、T3、T4均关断，由于第一电容C1的存储作用，第一节点a即第一薄膜晶体管T1的栅极电位与第二节点b即所述第一薄膜晶体管T1的源极电位之间的压差Vgs保持不变。

进一步地，已知计算流经有机发光二极管OLED的电流的公式为：

I_OLED＝1/2Cox(μW/L)(Vgs－Vth)² (3)

其中I_OLED为流经有机发光二极管OLED的电流、μ为驱动薄膜晶体管的载流子迁移率、W和L分别为驱动薄膜晶体管的沟道的宽度和长度、Vgs为驱动薄膜晶体管的栅极与源极之间的电压、Vth为驱动薄膜晶体管的阈值电压。在本发明中，驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth即为所述第一薄膜晶体管T1的阈值电压Vth。

针对图3所示的采用4T1C结构的AMOLED像素驱动电路，将(1)式代入(3)式即有：

I_OLED＝1/2Cox(μW/L){(Vdata-Vref)×〔1-C1/(C1+C_OLED)〕}²

针对图4所示的采用4T2C结构的AMOLED像素驱动电路，将(2)式代入(3)式即有：

I_OLED＝1/2Cox(μW/L){(Vdata-Vref)×〔1-C1/(C1+C2+C_OLED)〕}²

由此可见，流经所述有机发光二极管OLED的电流I_OLED与所述第一薄膜晶体管T1的阈值电压Vth无关，实现了补偿功能。所述有机发光二极管OLED发光，且流经所述有机发光二极管OLED的电流I_OLED与第一薄膜晶体管T1的阈值电压Vth无关。

在本发明的AMOLED像素驱动方法中，在复位阶段S1初始化信号INI的恒定低电位写入第一节点a即第一薄膜晶体管T1的栅极、与第二节点b即第一薄膜晶体管T1的源极，从而进行初始化处理，清空残留的数据，这就使得电路可以直接使用直流电源，能够减小电源信号的复杂度；所述第二电容C2能够调控数据信号DATA对驱动薄膜晶体管的源极电位的影响，数据信号DATA只需要在参考低电位Vref与显示数据信号高电位Vdata二者之间切换，呈现高电位单脉冲的形式，能够减小数据信号DATA的复杂度。

请参阅图10、图11，图10、图11分别为传统无补偿2T1C像素驱动电路与本发明的电路中当驱动薄膜晶体管即第一薄膜晶体管T1的阈值电压Vth的漂移值ΔVth分别为0V、+0.5V、－0.5V时，流经有机发光二极管的电流模拟数据图，对比两图可见，本发明的电路中流经有机发光二极管的电流变化量明显小于传统无补偿2T1C像素驱动电路中的流经有机发光二极管的电流变化量，因此本发明有效补偿了驱动薄膜晶体管的阈值电压，保证了有机发光二极管OLED的发光稳定性，能够使AMOLED的显示亮度较均匀，提升显示品质。

综上所述，本发明的AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法，采用4T1C或4T2C结构的像素驱动电路对每一像素中驱动薄膜晶体管的阈值电压进行有效补偿；通过第一扫描信号来控制增设的第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管在复位阶段分别向驱动薄膜晶体管的栅极、源极写入初始化信号进行初始化处理，能够减小电源信号的复杂度，使得电路可以直接使用直流电源；通过增设第二电容来调控数据信号对驱动薄膜晶体管的源极电位的影响，能够减小数据信号的复杂度，使数据信号只需切换一次。

以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。