用于校正伽马集数据的设备和方法与流程

2015年12月9日提交到韩国知识产权局的标题为“用于校正伽马集数据的设备和方法”的韩国专利申请第10-2015-0175057号通过引用被整体合并于此。

技术领域

在本文中描述的一个或多个实施例涉及用于校正伽马集数据的设备和方法。

背景技术：

已经开发了比阴极射线管显示器重量更轻且体积更小的多种显示器。示例包括液晶显示器、场发射显示器、等离子体显示器和有机发光显示器。这些设备通常包括用于向像素供给扫描信号的扫描驱动器、用于向像素供给数据信号的数据驱动器以及用于向数据驱动器供给灰度电压的灰度电压产生器。灰度电压产生器可以从外部伽马集数据产生设备接收多个伽马集数据，选择与调暗级别对应的伽马集数据中的一个，并产生与所选择的伽马集数据对应的灰度电压。

技术实现要素：

根据一个或多个实施例，一种用于校正伽马集数据的设备包括：存储器，用于存储包括每个灰度设置的第一寄存器值的高伽马集数据以及包括每个灰度设置的第二寄存器值和基准寄存器值的低伽马集数据；电压计算器，用于基于基准寄存器值计算低伽马集数据的基准电压值，并基于第二寄存器值计算低伽马集数据的每个灰度的固定电压值；以及校正器，用于将第一寄存器值与第二寄存器值进行比较，并基于比较结果校正第二寄存器值。

电压计算器可以基于公式1从基准寄存器值计算基准电压值：

公式1：VT1＝VREG1-VREG1*(RVr/N2)

其中VT1是基准电压值，VREG1是第一常数，RVr是基准寄存器值，N2是第二常数。

电压计算器可以基于公式2从与最高灰度对应的第二寄存器值计算固定电压值：

公式2：Vgh＝VREG1-VREG1*(RVh/N3)

其中Vgh是最高灰度的固定电压值，VREG1是第一常数，RVh是与最高灰度对应的第二寄存器值，N3是第三常数。

电压计算器可以基于公式3从与除了最高灰度之外的剩余灰度对应的第二寄存器值计算固定电压值：

公式3：Vgc＝VT1-(VT1-Vgp)*(RVc/N4)

其中Vgc是当前灰度的固定电压值，VT1是基准电压值，Vgp是比当前灰度高一级的灰度的固定电压值，RVc是与当前灰度对应的第二寄存器值，N4是第四常数。

校正器可以将与特定灰度对应的第一寄存器值和与特定灰度对应的第二寄存器值进行比较，比较之后第二寄存器值大于第一寄存器值时，校正器可以将第二寄存器值改变为等于第一寄存器值。

校正器可以基于与特定灰度对应的固定电压值和改变后的第二寄存器值将基准电压值更新为满足公式3的值。校正器可以基于更新的基准电压值和公式3更新除了特定灰度和最高灰度之外的剩余灰度的第二寄存器值。校正器可以基于更新的基准电压值将基准寄存器值更新为满足公式1的值。

当更新的基准寄存器值超过预定的比较值时，校正器可以将基准寄存器值减小到比较值以下。当在低伽马集数据中存在具有值0的第二寄存器值时，校正器可以增加具有值0的第二寄存器值。

根据一个或多个其它实施例，一种校正伽马集数据的方法包括：基于低伽马集数据中的基准寄存器值和每个灰度设置的第二寄存器值计算低伽马集数据的基准电压值和每个灰度的固定电压值；将高伽马集数据中的第一寄存器值与低伽马集数据中的第二寄存器值进行比较；以及依赖于比较结果校正第二寄存器值。

计算基准电压值和每个灰度的固定电压值可以包括基于公式1从基准寄存器值计算基准电压值：

公式1：VT1＝VREG1-VREG1*(RVr/N2)

其中VT1是基准电压值，VREG1是第一常数，RVr是基准寄存器值，N2是第二常数。

计算基准电压值和每个灰度的固定电压值可以包括基于公式2从与最高灰度对应的第二寄存器值计算固定电压值：

公式2：Vgh＝VREG1-VREG1*(RVh/N3)

其中Vgh是最高灰度的固定电压值，VREG1是第一常数，RVh是与最高灰度对应的第二寄存器值，N3是第三常数。

计算基准电压值和每个灰度的固定电压值可以包括基于公式3从与除了最高灰度之外的剩余灰度对应的第二寄存器值计算固定电压值：

公式3：Vgc＝VT1-(VT1-Vgp)*(RVc/N4)

其中Vgc是当前灰度的固定电压值，VT1是基准电压值，Vgp是比当前灰度高一级的灰度的固定电压值，RVc是与当前灰度对应的第二寄存器值，N4是第四常数。

校正第二寄存器值可以包括：将与特定灰度对应的第一寄存器值和与特定灰度对应的第二寄存器值进行比较；以及当第二寄存器值大于第一寄存器值时，将第二寄存器值改变为等于第一寄存器值。

校正第二寄存器值可以包括基于与特定灰度对应的固定电压值和改变后的第二寄存器值将基准电压值更新为满足公式3的值。

校正第二寄存器值可以包括基于更新的基准电压值和公式3更新与除了特定灰度和最高灰度之外的剩余灰度对应的第二寄存器值。

校正第二寄存器值可以包括基于更新的基准电压值将基准寄存器值更新为满足公式1的值。

校正第二寄存器值可以包括当更新的基准寄存器值超过预定的比较值时将基准寄存器值减小到比较值以下。

校正第二寄存器值可以包括当在低伽马集数据中存在具有值0的第二寄存器值时增加具有值0的第二寄存器值。

附图说明

通过参考附图详细描述示例性实施例，对于本领域技术人员来说特征将变得显而易见，附图中：

图1示出了伽马集数据设置系统的实施例；

图2示出了显示设备的实施例；

图3示出了灰度电压产生器的实施例；

图4示出了被存储在寄存器中的伽马集数据的示例；

图5示出了伽马集数据校正设备的实施例；

图6示出了高伽马集数据和低伽马集数据的示例；

图7示出了基于低伽马集数据的电压值的示例；

图8示出了用于校正伽马集数据的方法的实施例；

图9示出了用于计算基准电压值和固定电压值的操作的示例；并且

图10示出了用于校正寄存器值的操作的示例。

具体实施方式

现在将参考附图在下文中更全面地描述示例实施例；然而，示例实施例可以以不同的形式实施，不应被解释为限于本文所阐述的实施例。相反，提供这些实施例是为了使得此公开将是充分的和完整的，并且将向本领域技术人员全面传达示例性实施方式。实施例可以被组合以形成另外的实施例。

在图中，为了例示清楚，层和区域的尺寸可能被放大。还应当理解，当一个层或元件被称为在另一层或基底“上”时，它可以直接在另一层或基底上，或者还可以存在中间层。此外，应当理解，当一个层被称为在另一层“下”时，它可以直接在下面，并且还可以存在一个或多个中间层。将会理解，当一个层被称为在两个层“之间”时，它可以是两个层之间的唯一层，或者还可以存在一个或多个中间层。相同的附图标记始终表示相同的元件。

另外，将会理解，当一个元件或层被称为在另一元件或层“上”、“被连接到”或“被结合到”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上，被直接连接到或结合到另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。相反，当一个元件被称为“直接在”另一元件或层“上”、“被直接连接到”或“被直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。如本文所用，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任意和所有组合。

图1示出了包括伽马集数据校正设备100和显示设备200的伽马集数据设置系统1的实施例。伽马集数据校正设备100可以产生多个伽马集数据GSD并且对多个伽马集数据GSD的至少一部分执行校正，以防止发生亮度反转现象。完成校正的伽马集数据GSD可以从伽马集数据校正设备100供给到显示设备200。显示设备200可以存储来自伽马集数据校正设备100的多个伽马集数据GSD。

图2示出了包括多个像素PX、扫描驱动器210、数据驱动器220、时序控制器250和灰度电压产生器260的显示设备200的实施例。像素PX可以被联接到扫描线S1到Sn和数据线D1至Dm。像素PX通过扫描线S1至Sn接收扫描信号，并通过数据线D1至Dm接收数据电压。

扫描驱动器210在时序控制器250的控制下产生扫描信号，并通过扫描线S1至Sn将扫描信号供给到像素PX。

数据驱动器220在时序控制器250的控制下产生数据电压，并通过数据线D1至Dm将电压供给到像素PX。

时序控制器250控制扫描驱动器210和数据驱动器220。例如，时序控制器250可以将各种控制信号供给到扫描驱动器210和数据驱动器220，并将图像数据DATA供给到数据驱动器220。

灰度电压产生器260使用来自伽马集数据校正设备100的伽马集数据GSD产生多个灰度电压V0至V255。此外，灰度电压产生器260可以将多个灰度电压V0至V255供给到数据驱动器220。数据驱动器220使用灰度电压V0至V255产生与图像数据DATA对应的数据电压。

当扫描信号被供给到扫描线时，被联接到扫描线的像素PX可以从对应的数据线D1至Dm接收数据电压，并且发射具有与数据电压对应的亮度的光。

图3示出了包括多个多路复用器(mux)300至310、多个电阻器串321至330、灰度电压输出单元350和寄存器单元360的灰度电压产生器260的实施例。第一电阻器串321可以接收第一电源电压VHI和第二电源电压VL0，并产生在第一电源电压VHI与第二电源电压VL0之间的中间电压。

基准电压多路复用器300选择从第一电阻器串321输出的多个中间电压中的任何一个，并输出所选择的中间电压作为基准电压VT。

第一多路复用器301选择从第一电阻器串321输出的多个中间电压中的任何一个，并输出所选择的中间电压作为第255灰度电压V255。

第二电阻器串322可以接收第一电源电压VHI和第一灰度电压V1，并且产生在第一电源电压VHI与第一灰度电压V1之间的中间电压。

第二多路复用器302选择从第二电阻器串322输出的多个中间电压中的一个，并输出所选择的中间电压作为第0灰度电压V0。

第三电阻器串323可以接收第一电源电压VHI和第十一灰度电压V11，并且产生在第一电源电压VHI与第十一灰度电压V11之间的中间电压。

第三多路复用器303选择从第三电阻器串323输出的多个中间电压中的一个，并输出所选择的中间电压作为第一灰度电压V1。

第四电阻器串324可接收基准电压VT和第23灰度电压V23，并产生在基准电压VT与第23灰度电压V23之间的中间电压。

第四多路复用器304选择从第四电阻器串324输出的多个中间电压中的任何一个，并输出所选择的中间电压作为第十一灰度电压V11。

第五电阻器串325可接收基准电压VT和第35灰度电压V35，并产生在基准电压VT与第35灰度电压V35之间的中间电压。

第五多路复用器305选择从第五电阻器串325输出的多个中间电压中的一个，并输出所选择的中间电压作为第23灰度电压V23。

第六电阻器串326可接收基准电压VT和第51灰度电压V51，并产生在基准电压VT与第51灰度电压V51之间的中间电压。

第六多路复用器306选择从第六电阻器串326输出的多个中间电压中的一个，并输出所选择的中间电压作为第35灰度电压V35。

第七电阻器串327可以接收基准电压VT和第87灰度电压V87，并且产生在基准电压VT与第87灰度电压V87之间的中间电压。

第七多路复用器307选择从第七电阻器串327输出的多个中间电压中的一个，并输出所选择的中间电压作为第51灰度电压V51。

第八电阻器串328可接收基准电压VT和第151灰度电压V151，并产生在基准电压VT与第151灰度电压V151之间的中间电压。

第八多路复用器308选择从第八电阻器串328输出的多个中间电压中的一个，并输出所选择的中间电压作为第87灰度电压V87。

第九电阻器串329可以接收基准电压VT和第203灰度电压V203，并且产生在基准电压VT与第203灰度电压V203之间的中间电压。

第九多路复用器309选择从第九电阻器串329输出的多个中间电压中的任何一个，并输出所选择的中间电压作为第151灰度电压V151。

第十电阻器串330可接收基准电压VT和第255灰度电压V255，并产生在基准电压VT与第255灰度电压V255之间的中间电压。

第十多路复用器310选择从第十电阻器串330输出的多个中间电压中的一个，并输出所选择的中间电压作为第203灰度电压V203。

电阻器R1至R9可以被联接在第二多路复用器302至第十多路复用器310的每个输出端子之间。在一个实施例中，第二电阻器串322至第十电阻器串330中的电阻器的数量可以被相等地设置。在一个实施例中，第一电阻器串321中的电阻器的数量可以被设置为大于电阻器串322至330中的电阻器的数量。

图3示出了产生了第0灰度电压V0、第一灰度电压V1、第十一灰度电压V11、第23灰度电压V23、第35灰度电压V35、第51灰度电压V51、第87灰度电压V87、第151灰度电压V151、第203灰度电压V203和第255灰度电压V255的实施例。在另一实施例中，灰度电压的数量和类型可以不同。此外，在另一实施例中，多路复用器结构可以不同。

灰度电压输出单元350可以使用来自第一多路复用器301至第十多路复用器310的灰度电压V0、V1、V11、V23、V35、V51、V87、V151、V203和V255产生更大数量的灰度电压。例如，灰度电压输出单元350可以内插第十一灰度电压V11和第二十三灰度电压V23，从而产生在它们之间的第十二灰度电压V12至第22灰度电压V22。剩余的灰度电压可以全部使用例如上述方法产生。因此，灰度电压输出单元350可以将第0灰度电压V0至第255灰度电压V255供给到数据驱动器220。

可以对应于来自寄存器单元360的寄存器值来控制多路复用器300至310。

图4示出了被存储在图3中的寄存器单元360中的伽马集数据的示例。寄存器单元360可以存储多个伽马集数据GSD13、GSD11至GSD1。伽马集数据GSD13、GSD11至GSD1可以从伽马集数据校正设备100供给。每个伽马集数据GSD13、GSD11至GSD1可以与调暗级别相关。例如，第十三伽马集数据GSD13可以与第255调暗级别相关。第十一伽马集数据GSD11可以与第215调暗级别相关。

可以通过内插两个伽马集数据来计算与不同调暗级别相关的伽马集数据。在一个实施例中，可以通过内插第13伽马集数据GSD13和第11伽马集数据GSD11来产生与第216调暗级别相关的第十二伽马集数据GSD12。例如，第十二伽马集数据GSD12的寄存器值可以通过以下公式计算：

B.Reg＝A.Reg-(A.Reg-C.Reg)*(A-B)/(A-C)

其中B.Reg是第十二伽马集数据GSD12的寄存器值，A.Reg是第十三伽马集数据GSD13的寄存器值，C.Reg是第十一伽马集数据GSD11的寄存器值，A是第十三伽马集数据GSD13的调暗级别，B是第十二伽马集数据GSD12的调暗级别，C是第十一伽马集数据GSD11的调暗级别。

如果用户、控制信号或程序设置了第255调暗级别，寄存器单元360可以通过参考第13伽马集数据GSD13来向多路复用器300至310供给对应的寄存器值。例如，当产生与红色R相关的灰度电压时，与基准电压VT对应的基准寄存器值“85”可以被供给到基准电压多路复用器300。与第255灰度G255对应的寄存器值“266”可以被供给到第一多路复用器301。与剩余灰度G0至G203对应的寄存器值可以被分别供给到第二多路复用器302至第十多路复用器310。

多路复用器300至310中的每个可以选择对应于来自寄存器单元360的寄存器值而被输入的多个中间电压中的任何一个并将其输出。例如，如果与相对低的调暗级别对应的低伽马集数据具有比与相对高的调暗级别对应的高伽马集数据更大的寄存器值，则可能存在亮度上的一些问题。例如，即使降低调暗级别，也可能发生屏幕可能变得更亮的亮度反转现象。

根据实施例，提供伽马集校正设备和方法以通过在将伽马集数据供给到显示设备200之前校正伽马集数据来防止亮度反转现象。

图5示出了伽马集数据校正设备100的实施例。图6示出了高伽马集数据和低伽马集数据的示例。图7示出了基于低伽马集数据的一部分计算的电压值的示例。为了方便起见，在图7中仅示出了与红色R相关的电压值。

参考图5，伽马集数据校正设备100包括存储器510、电压计算单元530和校正单元550。存储器510可以存储高伽马集数据GSD_H和低伽马集数据GSD_L。高伽马集数据GSD_H可以是与相对高的调暗级别相关的伽马集数据。低伽马集数据GSD_L可以是与相对低的调暗级别相关的伽马集数据。

例如，高伽马集数据GSD_H可以对应于图4中的第13伽马集数据GSD13，低伽马集数据GSD_L可以对应于图4中的第十一伽马集数据GSD11。至少在校正单元550校正寄存器值的一部分之后，可以将高伽马集数据GSD_H和低伽马集数据GSD_L供给到显示设备200中的寄存器单元360。

高伽马集数据GSD_H可以包括每个灰度G0至G255设置的第一寄存器值和与基准电压VT对应的第一基准寄存器值。低伽马集数据GSD_L可以包括每个灰度G0至G255设置的第二寄存器值以及与第二寄存器值和基准电压VT对应的第二基准寄存器值。在一个实施例中，高伽马集数据GSD_H和低伽马集数据GSD_L可以包括三个寄存器组：红色R；绿色G；以及蓝色B。在另一实施例中，高伽马集数据和低伽马集数据可以包括不同数量的寄存器组或用于颜色的不同组合的三个寄存器组。

电压计算单元530可以基于低伽马集数据GSD_L中的第二寄存器值计算与第二寄存器值中的每个对应的电压值。电压计算单元530可以基于第二基准寄存器值计算低伽马集数据GSD_L的基准电压值，并且基于第二寄存器值计算低伽马集数据GSD_L的每个灰度的固定电压值。例如，电压计算单元530可以基于公式1从第二基准寄存器值计算基准电压值。

VT1＝VREG1-VREG1*(RVr/N2) (1)其中VT1是基准电压值，VREG1是第一常数，RVr是第二基准寄存器值，N2是第二常数。

例如，如果第二基准寄存器值RVr是“85”，则可以通过在公式1中用“85”替换第二基准寄存器值RVr来计算基准电压值VT1。

电压计算单元530还可以基于公式2计算与最高灰度(例如，来自第二寄存器值的与第255灰度G255对应的最高灰度)对应的固定电压值。

Vgh＝VREG1-VREG1*(RVh/N3) (2)

其中Vgh是最高灰度的固定电压值，VREG1是第一常数，RVh是与最高灰度对应的第二寄存器值，N3是第三常数。

例如，如果与作为最高灰度的第255灰度G255对应的第二寄存器值RVh是“266”，则可以通过在公式2中用“266”代替RVh来计算与最高灰度对应的固定电压值Vgh。

电压计算单元530还可以使用公式3从与除了最高灰度之外的剩余灰度对应的第二寄存器值计算与剩余灰度对应的固定电压值。

Vgc＝VT1-(VT1-Vgp)*(RVc/N4) (3)

其中Vgc是当前灰度的固定电压值，VT1是基准电压值，Vgp是比当前灰度高一级的灰度的固定电压值，RVc是与当前灰度对应的第二寄存器值，N4是第四常数。

例如，由于相对于低伽马集数据GSD_L比第203灰度G203高一级的灰度是第255灰度G255，因此可以通过下面的公式计算与第203灰度G203对应的固定电压值Vg203。

Vg203＝VT1-(VT1-Vgh)*(RV203/N4)

如果与第203灰度G203对应的第二寄存器值RV203为“230”，则可通过将“230”代入上式中来计算与第203灰度G203对应的固定电压值Vg203。

以相同的方式，可以通过下面的公式计算与第151灰度G151对应的固定电压值Vg151。

Vg151＝VT1-(VT1-Vg203)*(RV151/N4)

如果与第151灰度G151对应的第二寄存器值RV151为“224”，则可以通过将“224”代入上述公式中来计算与第151灰度G151对应的固定电压值Vg151。

可以以类似的方式计算与剩余灰度G0、G1、G11、G23、G35、G51和G87对应的固定电压值Vg0、Vg1、Vg11、Vg23、Vg35、Vg51和Vg87。

在图7中示意性地示出了计算的电压值。即使在图7中仅示出与红色R相关的电压值，还可以使用相同的方法计算与绿色G和蓝色B相关的电压值。

当灰度电压产生器260响应于低伽马集数据GSD_L而操作时，基准电压值VT1可以与从基准电压多路复用器300输出的基准电压VT的值相同。

此外，当灰度电压产生器260响应于低伽马集数据GSD_L而操作时，固定电压值Vg0、Vg1、Vg11、Vg23、Vg35、Vg51、Vg87、Vg151、Vg203和Vg255可以分别与从第一多路复用器301至第十多路复用器310输出的灰度电压V0、V1、V11、V23、V35、V51、V87、V151、V203和V255相同。

第一常数VREG1可以具有与第一电源电压VHI相同的值。此外，第二常数N2和第三常数N3可以与第一电阻器串321中的电阻器的数量相同。第四常数N4可以与第二电阻器串322中的电阻器的数量相同。

校正单元550可以比较与特定灰度对应的高伽马集数据GSD_H的第一寄存器值与低伽马集数据GSD_L的第二寄存器值。比较之后，如果第二寄存器值大于第一寄存器值，则校正单元550可以将第二寄存器值改变为与第一寄存器值相同。

校正单元550可以按照从高灰度到低灰度的顺序来比较第一寄存器值与第二寄存器值。例如，可以以从最高灰度(例如，第255灰度G255)到最低灰度(例如，第0灰度G0)的顺序比较第一寄存器值与第二寄存器值。

可以按照从最高灰度(例如，除了第255灰度G255之外的次最高灰度(例如，第203灰度G203))到最低灰度(例如，第0灰度G0)的顺序来比较第一寄存器值与第二寄存器值。

例如，关于图6中的高伽马集数据GSD_H和低伽马集数据GSD_L中的与红色R相关的寄存器值，校正单元550可以基于第255灰度G255来比较第一寄存器值“266”与第二寄存器值“251”。

比较之后，由于第二寄存器值“251”小于第一寄存器值“266”，因此可以基于下一个低灰度比较第一寄存器值与第二寄存器值。如上所述，可以省略基于最高灰度的第一寄存器值与第二寄存器值的比较。

校正单元550可以从第203灰度(G203)检测到第二寄存器值“232”大于第一寄存器值“230”。因此，校正单元550可以将与第203灰度G203对应的第二寄存器值改变为与第一寄存器值相同的“230”。

如果第二寄存器值在与第203灰度G203对应的固定电压值Vg203和与最高灰度G255对应的固定电压值Vgh保持的状态下改变，则必须改变基准电压值VT1，以满足公式3。因此，基准电压值VT1可以被更新为满足以下公式的值。

Vg203＝VT1'–(VT1'-Vgh)*(RV203'/N4)

其中VT1'是更新的基准电压值，RV203'是与第203灰度G203对应的更新的第二寄存器值。

此后，基于更新的基准电压值VT1'和公式3，校正单元550可以更新与除了第203灰度G203和作为最高灰度的第255灰度G255之外的剩余灰度G0、G1、G11、G23、G35、G51、G87和G151对应的第二寄存器值。

例如，但不限于此，在与第151灰度G151对应的固定电压值Vg151和与第203灰度G203对应的固定电压值Vg203保持的状态下，与第151灰度G151对应的第二寄存器值RV151可以被更新为满足以下公式的值。

Vg151＝VT1'–(VT1'-Vg203)*(RV151'/N4)

其中RV151'是与第151灰度G151对应的更新的第二寄存器值。可以使用相同的方法更新与剩余灰度G0、G1、G11、G23、G35、G51和G87对应的第二寄存器值。

校正单元550可以基于更新的基准电压值VT1'将第二基准寄存器值RVr更新为满足公式1的值。例如，第二基准寄存器值RVr可以被更新为满足以下公式的值：

VT1'＝VREG1-VREG1*(RVr'/N2)

其中RVr'是更新的第二基准寄存器值。

通过如上所述的校正单元550的操作，可以整体上更新低伽马集数据GSD_L。

此后，对于高伽马集数据GSD_H和更新的低伽马集数据GSD_L，校正单元550可以再次执行第一寄存器值与第二寄存器值的比较。由于直到第203灰度G203为止执行了比较，因此可以基于下一灰度(第151灰度G151)执行第一寄存器值与第二寄存器值的比较。校正单元550的操作以与上述相同的方式重复。

如果对于所有灰度执行了校正单元550的寄存器比较操作，并且如果完成了低伽马集数据GSD_L的更新，则校正单元550可以确定低伽马集数据GSD_L的第二基准寄存器值是否超过预定义的比较值以及在低伽马集数据GSD_L的第二寄存器值之中是否存在“0”。

如果低伽马集数据GSD_L的第二基准寄存器值超过预定义的比较值，则校正单元550可以将第二基准寄存器值减小到比较值以下。为此，校正单元550可以在减小在公式1和公式2中使用的第一常数VREG1的值之后，再次对低伽马集数据GSD_L执行校正操作。

此外，如果在低伽马集数据GSD_L中存在具有“0”的第二寄存器值，则可以增加具有“0”的第二寄存器值。为此，校正单元550可以在减小在公式1和公式2中使用的第一常数VREG1的值之后，再次对低伽马集数据GSD_L执行校正操作。

在上述实施例中，描述了两个伽马集数据被存储在存储器510中。在另一实施例中，不同数量的伽马集数据可以被存储在存储器510中。例如，如参考图4描述的多个伽马集数据GSD13、GSD11至GSD1可以被存储在存储器510中。

可以对于作为相对高的伽马集数据的第13伽马集数据GSD13和作为相对低的伽马集数据的第11伽马集数据GSD11执行校正单元550的校正操作。

此后，可以对于作为相对高的伽马集数据的第十一伽马集数据GSD11和作为相对低的伽马集数据的第九伽马集数据GSD9执行校正单元550的校正操作。

通过重复上述操作，可以保持寄存器值从高伽马集数据到低伽马集数据变小的趋势。因此，不会发生亮度反转现象。

图8示出了伽马集数据校正方法的实施例。图9示出了用于计算基准电压值和固定电压值的操作。图10示出了用于校正第二寄存器值的操作的实施例。

参考图8，用于校正伽马集数据的方法包括计算基准电压值和固定电压值(S100)以及校正第二寄存器值(S200)。

在计算基准电压值和固定电压值(S100)中，可以使用被包括在低伽马集数据GSD_L中的第二基准寄存器值和每个灰度设置的第二寄存器值来计算低伽马集数据GSD_L的基准电压值和每个灰度的固定电压值。

在计算基准电压值和固定电压值(S100)中，可以使用第二基准寄存器值来计算基准电压值，并且可以使用第二寄存器值来计算每个灰度的固定电压值。

参考图9，计算基准电压值和固定电压值(S100)可以包括计算基准电压值(S110)、计算最高灰度的固定电压值(S120)和计算剩余灰度的固定电压值(S130)。

在计算基准电压值(S110)中，可以使用下面的公式1从第二基准寄存器值计算基准电压值：

VT1＝VREG1-VREG1*(RVr/N2)

其中VT1是基准电压值，VREG1是第一常数，RVr是第二寄存器值，N2是第二常数。

在计算最高灰度的固定电压值(S120)中，可以使用下面的公式2从与最高灰度(例如，第255灰度G255)对应的第二寄存器值计算与最高灰度对应的固定电压值：

Vgh＝VREG1-VREG1*(RVh/N3)

其中，Vgh是最高灰度的固定电压值，VREG1是第一常数，RVh是与最高灰度对应的第二寄存器值，N3是第三常数。

在计算剩余灰度的固定电压值(S130)中，可以使用下面的公式3从与除了最高灰度之外的剩余灰度对应的第二寄存器值计算与剩余灰度对应的固定电压值：

Vgc＝VT1-(VT1-Vgp)*(RVc/N4)

其中Vgc是当前灰度的固定电压值，VT1是基准电压值，Vgp是比当前灰度高一级的灰度的固定电压值，RVc是与当前灰度对应的第二寄存器值，N4是第四常数。

参考图10，校正第二寄存器值(S200)可以包括比较寄存器值(S210)、更新基准电压值(S220)、更新第二寄存器值(S230)和更新基准寄存器值(S240)。在比较寄存器值(S210)中，可以每个灰度比较高伽马集数据GSD_H中的第一寄存器值与低伽马集数据GSD_L中的第二寄存器值。例如，在比较寄存器值(S210)中，可以比较与特定灰度对应的高伽马集数据GSD_H的第一寄存器值与低伽马集数据GSD_L的第二寄存器值。基于该比较，如果第二寄存器值大于第一寄存器值，则可以将第二寄存器值改变为与第一寄存器值相同。

第一寄存器值与第二寄存器值的比较可以按照从高灰度到低灰度的顺序进行。

如果确定与特定灰度对应的第二寄存器值大于第一寄存器值并且第二寄存器值被改变为与第一寄存器值相同，则更新基准电压值(S220)可以包括使用与特定灰度对应的固定电压值和已经改变的第二寄存器值将基准电压值更新为满足公式3的值。

在更新第二寄存器值(S230)中，可使用更新的基准电压值和公式3来更新与除了特定灰度和最高灰度之外的剩余灰度对应的第二寄存器值。

在更新基准寄存器值(S240)中，可以使用更新的基准电压值将基准寄存器值更新为满足公式1的值。

参考图10，校正第二寄存器值(S200)可以进一步包括检测寄存器错误(S250)和减小VREG1(S260)。一旦完成了关于所有灰度的校正单元550的寄存器比较操作，如果低伽马集数据GSD_L的更新完成，则可以执行寄存器错误检测(S250)。

在检测寄存器错误(S250)中，可以确定低伽马集数据GSD_L的第二基准寄存器值是否超过预定义的比较值以及在低伽马集数据GSD_L的第二寄存器值之中是否存在“0”。例如，如果低伽马集数据GSD_L的第二基准寄存器值超过预定义的比较值并且/或者如果低伽马集数据GSD_L的寄存器值之中存在“0”，则可以执行VREG1的减小(S260)。

在VREG1的减小(S260)中，将在公式1和公式2中使用的第一常数VREG1的值减小到预定义的大小。此后，可以再次执行计算基准电压值和固定电压值(S100)。如果在检测寄存器错误(S250)的操作期间未检测到寄存器错误，则可以完成校正第二寄存器值(S200)。

本文所描述的方法、过程和/或操作可以通过将由计算机、处理器、控制器或其它信号处理设备执行的代码或指令来执行。计算机、处理器、控制器或其它信号处理设备可以是本文所描述的那些或除了本文所述的元件之外的元件。因为详细描述了形成方法(或计算机、处理器、控制器或其它信号处理设备的操作)的基础的算法，所以用于实现方法实施例的操作的代码或指令可以将计算机、处理器、控制器或其它信号处理设备转换成用于执行本文的方法的专用处理器。

本文中公开的实施例的校正设备、控制器、产生器、计算器、单元和其它处理特征可以在例如可以包括硬件、软件或两者的逻辑中实现。当至少部分地在硬件中实现时，校正设备、控制器、产生器、计算器、单元和其它处理特征可以是例如各种集成电路中的任何一种，包括但不限于专用集成电路、现场可编程门阵列、逻辑门的组合、片上系统、微处理器或另一类型的处理或控制电路。

当至少部分地在软件中实现时，校正设备、控制器、产生器、计算器、单元和其它处理特征可以包括例如存储器或其他贮存设备，用于贮存将例如由计算机、处理器、微处理器、控制器或其它信号处理设备执行的代码或指令。计算机、处理器、微处理器、控制器或其它信号处理设备可以是本文所描述的那些或除了本文所述的元件之外的元件。因为详细描述了形成方法(或计算机、处理器、微处理器、控制器或其它信号处理设备的操作)的基础的算法，所以用于实现方法实施例的操作的代码或指令可以将计算机、处理器、控制器或其它信号处理设备转换成用于执行本文的方法的专用处理器。

在本文中已经公开了示例实施例，尽管采用了特定的术语，但它们仅以一般和描述性的意思被使用和解释，而不是为了限制的目的。在某些情况下，如对递交本申请的领域内的普通技术人员来说将是显而易见的那样，结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用，也可以与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用，除非另有明确说明。因此，本领域技术人员将会理解，在不脱离权利要求中提出的实施例的精神和范围的情况下可以进行形式上和细节上的各种改变。