像素驱动电路、像素电路和显示装置及其驱动方法与流程

文档序号:18003602发布日期:2019-06-25 23:07阅读:177来源:国知局
像素驱动电路、像素电路和显示装置及其驱动方法与流程

本发明涉及显示技术领域,具体地,涉及一种有机发光二极管(organiclightemittingdiode,简称oled)像素驱动电路及其驱动方法、像素电路、显示基板、以及显示装置及其驱动方法。



背景技术:

在当前oled阵列基板中,通过改变直接驱动oled发光的驱动晶体管的栅极电压来控制驱动晶体管的源极与漏极之间电流的大小以实现发光亮度的变化。由于制作工艺的因素,非晶硅薄膜晶体管(薄膜晶体管的英文名称为thinfilmtransistor,简称tft)、低温多晶硅和氧化物半导体tft器件的阈值电压vth存在差异。也就是说两个像素电路中的驱动晶体管的阈值电压vth存在较大的差异,这就造成了对于相邻的两个像素电路,即使输入的亮度数据相同,但是显示亮度人眼能看出差异,即沙漏现象,也就是小范围内亮度不均匀现象。

oled由电流驱动发光。驱动电流越大,发光的亮度就越亮。如果由同一条电源线elvdd供电的像素电路中的发光二极管都被点亮的话,那么在电源线elvdd上电流在开始的时候是最大电流,然后每经过一个像素电路,电流都将减少。这样,在电源线elvdd上就产生了电压降,也就是说第一行像素电路的供电电压和最后一行像素电路的供电电压相差比较大,这样就造成即使输入相同的亮度数据,显示屏的亮度仍然会逐渐变亮或者变暗。这就是所谓的elvdd的电压下降(irdrop)。



技术实现要素:

本文中描述的实施例提供了一种像素驱动电路及其驱动方法、显示基板、以及显示装置及其驱动方法,其能够避免像素驱动电路中的驱动晶体管的阈值电压差异和电源线上的电压下降对发光二极管的亮度造成的影响。

根据本发明的第一方面,提供了一种像素驱动电路。该像素驱动电路包括复位电路、补偿和数据写入电路、驱动晶体管和发光控制电路。复位电路耦接到第一控制端和驱动晶体管的控制极和第二极,并被配置为根据来自第一控制端的第一信号和来自第三控制端的第三信号,对驱动晶体管的控制极的电压进行复位。补偿和数据写入电路耦接到数据线、第一控制端、第二控制端、驱动晶体管的控制极和第一电压端,并被配置为根据第一信号,接收来自数据线的参考信号,根据来自第二控制端的第二信号,接收来自数据线的数据信号,并根据参考信号、数据信号和第一电压端的电压,向驱动晶体管的控制极施加补偿电压。驱动晶体管的控制极耦接到补偿和数据写入电路,第一极耦接到第一电压端,第二极耦接到发光控制电路。发光控制电路耦接到发光器件和第三控制端,并被配置为根据第三信号,控制发光器件发光。

在本发明的实施例中,复位电路包括第一晶体管。第一晶体管的控制极耦接第一控制端,第一晶体管的第一极耦接驱动晶体管的第二极,第一晶体管的第二极耦接驱动晶体管的控制极。

在本发明的实施例中,补偿和数据写入电路包括第二晶体管、第三晶体管、第一电容器和第二电容器。第二晶体管的控制极耦接第一控制端,第二晶体管的第一极耦接数据线,第二晶体管的第二极耦接第一电容器的第一端和第二电容器的第一端。第三晶体管的控制极耦接第二控制端,第三晶体管的第一极耦接数据线,第三晶体管的第二极耦接第二电容器的第一端。第一电容器的第二端耦接驱动晶体管的控制极。第二电容器的第二端耦接第一电压端。

在本发明的实施例中,发光控制电路包括第四晶体管。第四晶体管的控制极耦接第三控制端,第四晶体管的第一极耦接发光器件,第四晶体管的第二极耦接驱动晶体管的第二极。

在本发明的实施例中,在场消隐阶段,通过数据线提供参考信号。

在本发明的实施例中,驱动晶体管的控制极的电压被复位至小于第一电压端的电压与驱动晶体管的阈值电压的绝对值的差值。

根据本发明的第二方面,提供了一种像素驱动电路。该像素驱动电路包括驱动晶体管、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一电容器和第二电容器。驱动晶体管的控制极耦接第一晶体管的第二极和第一电容器的第二端,驱动晶体管的第一极耦接第一电压端和第二电容器的第二端,驱动晶体管的第二极耦接第一晶体管的第一极和第四晶体管的第二极。第一晶体管的控制极耦接第一控制端。第二晶体管的控制极耦接第一控制端,第二晶体管的第一极耦接数据线,第二晶体管的第二极耦接第一电容器的第一端和第二电容器的第一端。第三晶体管的控制极耦接第二控制端,第三晶体管的第一极耦接数据线,第三晶体管的第二极耦接第二电容器的第一端。第四晶体管的控制极耦接第三控制端,第四晶体管的第一极耦接发光器件。

在本发明的实施例中,数据线被配置为在不同的时段接收参考信号和数据信号。

在本发明的实施例中,发光器件发光时流过驱动晶体管的电流被表示为:

其中,i表示流过驱动晶体管的电流,k表示与驱动晶体管有关的电流常数,c1表示第一电容器的电容值,c2表示第二电容器的电容值,c3表示驱动晶体管的寄生电容值,vdata表示来自数据线的数据信号,vref表示来自数据线的参考信号。

在本发明的实施例中,驱动晶体管、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管为p型晶体管。

根据本发明的第三方面,提供了一种像素电路,包括如上所述的根据本发明的第一方面或第二方面的像素驱动电路和发光器件。像素驱动电路与发光器件的一端连接,并被配置为驱动发光器件发光。发光器件的另一端连接到第二电压端。

在本发明的实施例中,发光器件包括有机发光二极管。

根据本发明的第四方面,提供了一种显示基板,其包括多条栅线和多条数据线,以及被排列成阵列状的多个如上所述的根据本发明的第三方面的像素电路。在该显示基板中,各条栅线连接到像素电路的第二控制端。

根据本发明的第五方面,提供了一种显示装置,其包括如上所述的根据本发明的第四方面的显示基板。

根据本发明的第六方面,提供了一种用于驱动如上所述的根据本发明的第二方面的像素驱动电路的驱动方法。在该驱动方法中,向数据线输入参考信号,在补偿和数据写入电路中产生与第一电压端的电压、驱动晶体管的阈值电压及参考信号相关的第一补偿电压。向数据线输入数据信号,向第二控制端输入第二电压并且向第一控制端输入第一电压,以在补偿和数据写入电路中产生与第一电压端的电压及数据信号相关的第三电压。向第三控制端输入第二电压并且向第二控制端输入第一电压,从而基于第一电压端的电压、第一补偿电压和第三电压来驱动发光器件发光。

在本发明的实施例中,在向数据线输入参考信号,在补偿和数据写入电路中产生第一补偿电压的步骤中,向数据线输入参考信号、向第一控制端和第三控制端输入第二电压,以对驱动晶体管的控制极的电压进行复位。接着,向第一控制端输入第二电压,向第三控制端输入第一电压,以在补偿和数据写入电路中产生第一补偿电压。

在本发明的实施例中,在场消隐阶段,向数据线输入参考信号,并在补偿和数据写入电路中产生第一补偿电压。

在本发明的实施例中,驱动晶体管的控制极的电压被复位至小于第一电压端的电压与驱动晶体管的阈值电压的绝对值的差值。

根据本发明的第七方面,提供了一种用于驱动如上所述的根据本发明的第五方面的显示装置的驱动方法。在该驱动方法中,同时向所有行的像素电路的数据线输入参考信号。然后,依次向每一行的像素电路的数据线输入相应的数据信号。接着,同时驱动所有行的像素电路的发光器件发光。其中,发光器件被驱动以发光的时间小于扫描一帧图像的时间的一半。

附图说明

为了更清楚地说明本发明的实施例的技术方案,下面将对实施例的附图进行简要说明,应当知道,以下描述的附图仅仅涉及本发明的一些实施例,而非对本发明的限制,其中:

图1是根据本公开的实施例的像素电路的示意性框图;

图2是根据本公开的实施例的像素电路的示例电路图;

图3是用于图2所示的像素电路的各信号的时序图;

图4是如图2所示的像素电路中的像素驱动电路在第二阶段的等效工作电路图;

图5是如图2所示的像素电路中的像素驱动电路在第三阶段的等效工作电路图;

图6是如图2所示的像素电路在第四阶段的等效工作电路图;

图7是根据本公开的实施例的驱动如图1或图2所示的像素电路中的像素驱动电路的驱动方法的示意性流程图;

图8是根据本公开的实施例的显示装置的示意性框图;

图9是根据本公开的实施例的驱动如图8所示的显示装置的驱动方法的示意性流程图。

具体实施方式

为了使本发明的实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图,对本发明的实施例的技术方案进行清楚、完整的描述。显然,所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例,本领域技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例,也都属于本发明保护的范围。

除非另外定义,否则在此使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明主题所属领域的技术人员所通常理解的相同含义。进一步将理解的是,诸如在通常使用的词典中定义的那些的术语应解释为具有与说明书上下文和相关技术中它们的含义一致的含义,并且将不以理想化或过于正式的形式来解释,除非在此另外明确定义。如在此所使用的,将两个或更多部分“连接”或“耦接”到一起的陈述应指这些部分直接结合到一起或通过一个或多个中间部件结合。

在本发明的所有实施例中,由于晶体管的源极和漏极(发射极和集电极)是对称的,并且n型晶体管和p型晶体管的源极和漏极(发射极和集电极)之间的导通电流方向相反,因此在本发明的实施例中,统一将晶体管的受控中间端称为控制极,信号输入端称为第一极,信号输出端称为第二极。本发明的实施例中所采用的晶体管主要是开关晶体管。另外,诸如“第一”和“第二”的术语仅用于将一个部件(或部件的一部分)与另一个部件(或部件的另一部分)区分开。

图1示出根据本公开的实施例的像素电路100的示意性框图。如图1所示,像素电路100可包括像素驱动电路110和发光器件120。像素驱动电路110可与发光器件120的一端连接,并可被配置为驱动发光器件120发光。发光器件120的另一端可连接到第二电压端elvss。

像素驱动电路110可包括复位电路111、补偿和数据写入电路112、驱动晶体管td和发光控制电路113。复位电路111可耦接到第一控制端wth和驱动晶体管td的控制极和第二极,并可被配置为根据来自第一控制端wth的第一信号和来自第三控制端em的第三信号,对驱动晶体管td的控制极的电压进行复位。

补偿和数据写入电路112可耦接到数据线v1、第一控制端wth、第二控制端g、驱动晶体管td的控制极和第一电压端elvdd,并可被配置为根据第一信号,接收来自数据线v1的参考信号vref,根据来自第二控制端g的第二信号,接收来自数据线v1的数据信号vdata,并根据参考信号vref、数据信号vdata和第一电压端elvdd的电压,向驱动晶体管td的控制极施加补偿电压。补偿电压可用于补偿驱动晶体管td的阈值电压差异和电源线(即,第一电压端elvdd)上的电压下降。

驱动晶体管td的控制极可耦接到补偿和数据写入电路112,第一极可耦接到第一电压端elvdd,第二极可耦接到发光控制电路113,并可被配置为提供与驱动晶体管td的第一极和控制极之间的电压对应的电流。

发光控制电路113可耦接到驱动晶体管td的第二极、发光器件120和第三控制端em,并可被配置为根据来自第三控制端em的第三信号,控制发光器件120根据由驱动晶体管td提供的电流发光。

根据本发明实施例的像素驱动电路中的补偿和数据写入电路112能够补偿像素驱动电路中的驱动晶体管td的阈值电压差异和电源线(即,第一电压端elvdd)上的电压下降,从而避免阵列基板上的发光二极管的亮度差异。此外,通过数据线可以分时输入数据信号和参考信号,因此不需要在数据线之外再额外设置参考信号线,从而节省了显示面板的布局空间。

图2示出根据本发明的实施例的像素电路100的示例电路图。如图2所示,复位电路111可包括第一晶体管t1。第一晶体管t1的控制极可耦接第一控制端wth,第一晶体管t1的第一极可耦接驱动晶体管td的第二极,第一晶体管t1的第二极可耦接驱动晶体管td的控制极。

补偿和数据写入电路112可包括第二晶体管t2、第三晶体管t3、第一电容器c1和第二电容器c2。第二晶体管t2的控制极可耦接第一控制端wth,第二晶体管t2的第一极可耦接数据线v1,第二晶体管t2的第二极可耦接第一电容器c1的第一端和第二电容器c2的第一端。第三晶体管t3的控制极可耦接第二控制端g,第三晶体管t3的第一极可耦接数据线v1,第三晶体管t3的第二极可耦接第二电容器c2的第一端。第一电容器c1的第二端可耦接驱动晶体管td的控制极。第二电容器c2的第二端可耦接第一电压端elvdd。

发光控制电路113可包括第四晶体管t4。第四晶体管t4的控制极可耦接第三控制端em,第四晶体管t4的第一极可耦接发光器件120,第四晶体管t4的第二极可耦接驱动晶体管td的第二极。

发光器件120可包括有机发光二极管。

图3示出可用于图2所示的像素电路100的各信号的时序图。其中,阶段ⅰ至ⅳ表示扫描一帧图像的时间。下面结合图3所示的时序图,对如图2所示的像素电路100的工作过程进行详细描述。在以下的描述中,假定所有晶体管都是p型晶体管,第一电压端elvdd输出高电平信号,第二电压端elvss输出低电平信号。上述高电平与低电平是指相对于彼此而言较高和较低的两个预设电压,本领域技术人员可以根据所选用的器件及所采用的电路结构进行设置,本发明对此不做限制。g1用于控制第一行的像素电路中的第三晶体管t3,以便向第一行的像素电路输入数据vdata1,g2用于控制第二行的像素电路中的第三晶体管t3,以便向第二行的像素电路输入数据vdata2,gn用于控制第n行的像素电路中的第三晶体管t3,以便向第n行的像素电路输入数据vdatan,g1080用于控制第1080行的像素电路中的第三晶体管t3,以便向第1080行的像素电路输入数据vdata1080。图2中的第二控制端g可对应于g1、g2、……、g1080中的一个。在这里,1080表示像素电路的总行数,其仅是一个示例,并不是限制性的。此外,图3中的de表示有效数据选通信号,其来自数据信号的发送端,用于将每一帧数据信号间隔开。de为低电平的期间表示场消隐阶段,在该阶段不可向像素电路提供数据信号。de为高电平的期间表示数据有效期间,在该阶段可向像素电路提供数据信号。de连接到产生数据信号vdata和第二信号g的屏驱动板tcon,用于为数据信号vdata和第二信号g的时序提供参考。例如de的上升沿指示能够开始输出第一行的数据信号vdata1和控制第一行的像素电路的第二信号g1。第一行的数据信号vdata1和控制第一行的像素电路的第二信号g1的开始可以从de的上升沿开始延迟最多一行扫描时间。

在第一阶段ⅰ,v1=vref,wth=“0”,em=“0”,de=“0”(de信号低电平)。

向第一控制端wth输入低电平,从而打开第一晶体管t1和第二晶体管t2。向数据线v1输入参考信号vref,从而开始向第一电容器c1的第一端(即a点)施加参考信号vref。向第三控制端em输入低电平,从而打开第四晶体管t4。这样,来自第二电压端elvss的电压将经由发光器件120、第四晶体管t4和第一晶体管t1被施加到驱动晶体管td的控制极(即b点)。通过设置第二电压端elvss的电压,可以使得驱动晶体管td的控制极的电压被设置为小于第一电压端elvdd的电压与驱动晶体管td的阈值电压的绝对值的差值。在本阶段,参考信号vref用于维持第一电容器c1的第一端的电压。这样,在第一电容器c1的第一端电压恒定的情况下,有助于设定第一电容器c1的第二端的电压,从而对驱动晶体管td的控制极的电压进行复位。

在第二阶段ⅱ(等效工作电路如图4所示),v1=vref,wth=“0”,em=“1”,de=“0”。

向第三控制端em输入高电平,从而关闭第四晶体管t4。由于第一控制端wth继续保持低电平,第一晶体管t1和第二晶体管t2继续打开。由于驱动晶体管td的控制极的电压被设置为小于第一电压端elvdd的电压与驱动晶体管td的阈值电压的绝对值的差值,驱动晶体管td打开。这样,如图4所示,驱动晶体管td和第一晶体管t1能够等效为相互并联的二极管d1和驱动晶体管td的寄生电容器(即,栅源电容器)c3。因此,第一电容器c1的第二端(即b点)的电压等于第一电压端elvdd的电压减去驱动晶体管td的阈值电压的绝对值。由于数据线v1输入参考信号vref,第一电容器c1的第一端(即a点)的电压等于参考信号vref。这样,在第一电容器c1上存储的电荷量为q1=c1×(elvdd-|vth|-vref),在第二电容器c2上存储的电荷量为q2=c2×(elvdd-vref),在寄生电容c3上存储的电荷量为q3=c3×|vth|。因此,b点的电荷总量为qb=q1-q3=c1×(elvdd-|vth|-vref)-c3×|vth|。

在本阶段,在补偿和数据写入电路112中产生与第一电压端elvdd的电压、驱动晶体管td的阈值电压及参考信号vref相关的第一补偿电压elvdd-|vth|-vref。

在第三阶段ⅲ(等效工作电路如图5所示),v1=vdata,wth=“1”,em=“1”,de=“1”。

本阶段包括向每一行的像素电路写入数据信号vdata(即,vdata1……vdata1080)的子阶段。

例如,对于第n行的像素电路(即,在第n子阶段),向数据线v1输入对应于该行像素电路的数据信号vdatan。同时向该行像素电路100的第二控制端g(对于第n行像素为gn)输入低电平以打开第三晶体管t3,从而向第二电容器c2的第一端施加数据信号vdata。向第一控制端wth输入高电平,从而关闭第一晶体管t1和第二晶体管t2。由于第一晶体管t1和第二晶体管t2关闭,第一电容器c1两端的电压保持不变。这样,在第一电容器c1上存储的电荷量保持为q1=c1×(elvdd-|vth|-vref),在第二电容器c2上存储的电荷量为q2=c2×(elvdd-vdata)。因此,b点的电荷总量仍然为qb=q1-q3=c1×(elvdd-|vth|-vref)-c3×|vth|,而a点的电荷总量为qa=-q1-q2=-c1×(elvdd-|vth|-vref)-c2×(elvdd-vdata)。

在本阶段,在补偿和数据写入电路112中产生与第一电压端elvdd的电压及数据信号vdata相关的第三电压elvdd-vdata。

在第四阶段ⅳ(等效工作电路如图6所示),wth=“1”,em=“0”,de=“1”。

向第二控制端g输入高电平,从而关闭第三晶体管t3。向第三控制端em输入低电平,从而打开第四晶体管t4。此时,假设a点的电压为va,b点的电压为vb。则a点的电荷总量为q’a=-c1×(vb-va)-c2×(elvdd-va),b点的电荷总量为q’b=c1×(vb-va)-c3×(elvdd-vb)。由于a点和b点的电荷量分别相对于上一阶段保持不变,即q’a=qa,q’b=qb,从而可以计算出b点的电压:

将式(1)代入下列计算驱动电流i的式(2)中,可以得到式(3)。

i=k(vgs-vth)2(2)

在式(2)和式(3)中,k为与驱动晶体管td的工艺参数和几何尺寸有关的电流常数。

在本阶段,基于第一电压端elvdd的电压、第一补偿电压和第三电压来驱动发光器件120发光。由式(3)可见,驱动电流i与vth和elvdd都没有关系,因此采用本发明实施例的像素驱动电路可以补偿驱动晶体管td的阈值电压vth和电源线(即,第一电压端elvdd)上的电压下降,从而避免它们对发光二极管的亮度造成的影响。

此外,在本发明的实施例中,在第三阶段,在大约半帧(扫描一帧图像的时间的一半)的时间内向每一行像素电路写入数据信号vdata,在第四阶段,在半帧或小于半帧的时间内驱动发光器件120发光。为了与在一帧时间内驱动发光器件发光的显示面板保持相同的亮度,需要增加流过驱动晶体管td的驱动电流。可以通过提高数据信号vdata的电压范围来增加流过驱动晶体管td的驱动电流。例如,对于在一帧时间内驱动发光器件发光的显示面板来说,通过提高数据信号vdata电压的驱动动态范围,可以降低驱动ic输出电压精度要求。此外,在替代实施例中,vdata驱动ic精度满足要求的情况下,还可以通过减少驱动晶体管td的沟通长度来增加流过驱动晶体管td的驱动电流。驱动晶体管td的沟通长度的减少能够减少像素电路的布线面积,以用于实现分辨率更高的显示面板。

由于第一信号和第三信号采用电压信号控制,并且同时控制所有像素,因此无需为第一信号和第三信号设计相应的扫描电路,减少了显示面板周边的扫描电路,这有利于显示面板的窄边框设计。

在一个示例中,可以在场消隐阶段,通过数据线v1提供参考信号vref。换句话说,上述第一阶段和第二阶段处于场消隐阶段。这样,有充足的时间可以将向第一电容器c1充电的时间设定为一个至几十个像素行扫描时间,可以提高第一电容器c1的充电率,以提高能够补偿驱动晶体管td的阈值电压vth的精度。

本领域的技术人员可知道,在一个实施例中,也可以都采用n型晶体管来实现像素电路。在该实施例中,可适当改变像素电路中的元件及其连接方式。第一电压端elvdd可以输出低电平信号,第二电压端elvss可以输出高电平信号。第一至第三控制信号的电平的高低状态与图3中的相应信号的电平相反。例如,在图3中的第一控制信号在第一阶段和第二阶段处于低电平,而在本实施例中第一控制信号在第一阶段和第二阶段处于高电平。

在本实施例的另一替代实施例中,如图2所示的像素电路100中的晶体管也可以部分是p型晶体管,部分是n型晶体管。用于该替代实施例中的像素电路的第一至第三控制信号的电压根据像素电路的具体结构来设置。

图7是根据本公开的实施例的驱动如图1或图2所示的像素电路100中的像素驱动电路的驱动方法的示意性流程图。

在该驱动方法中,在步骤s702,在第一阶段,向数据线v1输入参考信号vref、向第一控制端wth和第三控制端em输入第二电压,从而对驱动晶体管td的控制极的电压进行复位。

在步骤s704,在第二阶段,向第一控制端wth输入第二电压,向第三控制端em输入第一电压,从而在补偿和数据写入电路112中产生与第一电压端elvdd的电压、驱动晶体管td的阈值电压及参考信号vref相关的第一补偿电压。

在步骤s706,在第三阶段,向数据线v1输入数据信号vdata,向第二控制端g输入第二电压并且向第一控制端wth输入第一电压,从而在补偿和数据写入电路112中产生与第一电压端elvdd的电压及数据信号vdata相关的第三电压。

在步骤s708,在第四阶段,向第三控制端em输入第二电压并且向第二控制端g输入第一电压,从而基于第一电压端elvdd的电压、第一补偿电压和第三电压来驱动发光器件120发光。

图8示出根据本公开的实施例的显示装置800的结构示意图。显示装置800可包括显示基板810。显示基板810可包括交叉设置的多条栅线(其连接到相应的第二控制端g1、g2、g3、……)和多条数据线(v1、v2、v3、……),以及被排列成阵列状的多个如图1所示的像素电路100。位于同一行的像素电路100连接到同一个栅线,位于同一列的像素电路100连接到同一个数据线。本发明实施例提供的显示装置可以应用于任何具有显示功能的产品,例如,电子纸、移动电话、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、可穿戴设备或导航仪等。

图9是根据本公开的实施例的驱动如图8所示的显示装置800的驱动方法的示意性流程图。

在该驱动方法中,在步骤s902,针对所有像素电路100,同时向所有数据线(v1、v2、v3、……)输入参考信号vref,以针对所有像素电路100执行图7中的步骤s702和s704。

在步骤s904,依次针对每一行的像素电路100,向相应的数据线输入相应的数据信号vdata,以针对该行像素电路100执行图7中的步骤s706。

在步骤s906,针对所有像素电路100,执行图7中的步骤s708以同时驱动发光器件120发光。发光器件120被驱动以发光的时间小于扫描一帧图像的时间的一半。

除非上下文中另外明确地指出,否则在本文和所附权利要求中所使用的词语的单数形式包括复数,反之亦然。因而,当提及单数时,通常包括相应术语的复数。相似地,措辞“包含”和“包括”将解释为包含在内而不是独占性地。同样地,术语“包括”和“或”应当解释为包括在内的,除非本文中明确禁止这样的解释。在本文中使用术语“示例”之处,特别是当其位于一组术语之后时,所述“示例”仅仅是示例性的和阐述性的,且不应当被认为是独占性的或广泛性的。

适应性的进一步的方面和范围从本文中提供的描述变得明显。应当理解,本申请的各个方面可以单独或者与一个或多个其它方面组合实施。还应当理解,本文中的描述和特定实施例旨在仅说明的目的并不旨在限制本申请的范围。

以上对本发明的若干实施例进行了详细描述,但显然,本领域技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下对本发明的实施例进行各种修改和变型。本发明的保护范围由所附的权利要求限定。

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