本发明涉及显示器显示优化技术，尤其涉及一种在内存变频窗口期显示的方法及系统
背景技术：
ddr变频期间不允许各个控制器访问ddr的port去进行数据访问，那么需要等待各个port进入idle时候再进行变频。显示模块需要与用户交互，如果数据刷新不及时，用户能够直观感觉到卡顿。而每个显示屏幕都会自己特定的消隐期，消隐期不会影响到画面显示，所以ddr变频需要在消隐期内完成。但是这样的实现方式不够灵活，因为ddr变频只能在消隐期来做。如果能在任意时刻进行变频，那么就可以节省更大的功耗；对于ddr有高频率的场景也能够及时的进行提高频率响应。
技术实现要素：
为此，需要提供一种新的变频方法，兼容消隐期变频或任意时刻进行内存变频。
为实现上述目的，发明人提供了一种内存变频窗口期显示方法，包括如下步骤，显示器的输出层产生的显示数据，输出到显示控制器中的缓存区，再传输到屏幕显示；
当判断缓存区中的显示数据超过阈值后，向内存控制器发出通知信号，当内存启动变频后，显示控制器调用缓冲区内数据传输到屏幕显示。
进一步地，还包括步骤，当内存启动变频后，将系统配置为优先响应vop的ddr读写模式。
具体地，所述屏幕为lcd屏幕，所述显示数据为lcd各层win输出的合成数据。
一种内存变频窗口期显示系统，包括显示缓存模块、显示控制器、内存控制器，所述显示控制器包括阈值判断子模块、调用子模块；
所述显示缓存模块用于将输出层产生的显示数据输出到显示控制器中的缓存区，再传输到屏幕显示；
所述阈值判断子模块用于判断缓存区中的显示数据超过阈值，还用于向内存控制器发出通知信号，所述调用子模块用于在内存启动变频后，调用缓冲区内数据传输到屏幕显示。
具体地，还包括读写配置模块，所述读写配置模块用于在内存启动变频后，将系统配置为优先响应vop的ddr读写模式。
可选地，所述屏幕为lcd屏幕，所述显示数据为lcd各层win输出的合成数据。
区别于现有技术，上述技术方案通过增加缓存量提供内存变频时候的数据输出，使得内存在进行变频的时候都不会显示卡顿，并且能够进一步达到任意时刻进行ddr变频而不影响显示的效果。
附图说明
图1为具体实施方式所述的内存变频窗口期显示方法流程图；
图2为具体实施方式所述的内存变频窗口期系统模块图。
附图标记说明：
200、显示缓存模块；
202、显示控制器；
2020、阈值判断子模块；
2022、调用子模块；
204、内存控制器；
206、读写配置模块；
具体实施方式
为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。
请参阅图1，为本实施例一种内存变频窗口期显示方法，包括如下步骤，s100显示器的输出层产生的显示数据，输出到显示控制器中的缓存区，再传输到屏幕显示；
s102当判断缓存区中的显示数据超过阈值后，向内存控制器发出通知信号，s104当内存启动变频后，显示控制器调用缓冲区内数据传输到屏幕显示。
对于特定的显示器来说，ddr变频时间都是固定已知的，假定时长为a时间，那么意味着我们需要在ddr变频的a时间段内有足够的显示数据输出到屏幕，保证在用户界面上感受不到变频带来的影响。因此我们的方法中，只需要设置显示器的输出成产生的数据输出到显示控制器中的缓存区域，不会直接输出到屏幕上，缓存区中的显示数据按照显示器帧率慢慢输出到屏幕显示，则缓冲区会有越来越多的显示数据累积。数据量的阈值可以设置为大于内存时间所需要的显示数据量的值。当数据量超过阈值之后，通知内存控制器，数据量的存储情况，通知可以进行在内存变频期间的屏幕显示。随后当内存需要进行变频时，ddr启动变频，在a时间段内完成变频，其间继续用缓冲区内的显示数据输出到屏幕，直到ddr变频完成。通过上述方法，ddr变频达到了能够在任意时间进行消隐操作的技术效果。现有消隐期变频做法，需要在申请ddr变频后等待消隐期到来，如果显示帧率为每秒60帧，需要等待1/60s,系统才能开始变频。
在进一步地具体的实施例中，所述屏幕为lcd屏幕，所述显示数据为lcd各层win输出的合成数据。lcd屏幕有win0和win1两层输出，可以将各层输出数据存放在缓存区中，能够减小运算量，ddr变频启动的时候，使用win0与win1合成后的缓冲数据进行显示，则能够起到更好地提升显示效率，在内存进行变频时能够正常显示的效果。当然在另一些实施例中，各层合成后也会有缓冲。本方法可以只使用各层的缓冲(节省成本)，也可以使用合成后的缓冲，均能够对提升显示效率有所裨益。
在进一步的实施例中，缓存的数据量阈值为：lbuffer＝ftime/ltime+1；其中lbuffer为变频需要缓冲数据的行数，ftime为内存变频需要的时间，ltime一行数据可以显示的时间，+1是考虑到部分运算是整数运算比如5/2＝2不是2.5，我们要+1,扩充小数。在这种情况下，当缓存的数据量超过阈值时，本方法就会允许内存进行变频。另一些实施例中，lcd是采用消隐行与缓存阈值并行的方式进行内存变频，在这种情况下，缓存数据量阈值可以为：lbuffer＝ftime/ltime+1-lp；其中lp为lcd显示器的消隐行数，这种情况下，由于帧消隐期不需要进行数据显示，通过缓存帧消隐期前面或后面的数据，可以满足ddr的变频需求。
在某些进一步的实施例中，还包括步骤，当内存启动变频后，将系统配置为优先响应vop的ddr读写模式。通过上述调整步骤，能够在某些实施例下限制其他模块对ddr的访问或提高ddr的优先级；使得系统会优先进行vop缓冲区数据填充。提高了缓存数据存储速度，避免内存启动变频后的缓存数据不足的问题。
在图2所示的实施例中，我们可以看到本发明的一种内存变频窗口期显示系统，包括显示缓存模块200、显示控制器202、内存控制器204，所述显示控制器包括阈值判断子模块2020、调用子模块2022；
所述显示缓存模块200用于将显示器的输出层产生的显示数据输出到显示控制器中的缓存区，再传输到屏幕显示；
所述阈值判断子模块2020用于判断缓存区中的显示数据超过阈值，还用于向内存控制器发出通知信号，所述调用子模块用于在内存启动变频后，调用缓冲区内数据传输到屏幕显示。
通过上述设计，本系统达到了能够在任意时间进行消隐操作的技术效果，不卡顿不掉帧。
在具体的实施例中，还包括读写配置模块206，所述读写配置模块用于在内存启动变频后，将系统配置为优先响应vop的ddr读写模式。通过上述设计，本系统更好地提高了缓存数据存储速度，避免内存启动变频后的缓存数据不足的问题。
其他一些可选的实施例中，所述屏幕为lcd屏幕，所述显示数据为lcd各层win输出的合成数据。
需要说明的是，尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述，但并非因此限制本发明的专利保护范围。因此，基于本发明的创新理念，对本文所述实施例进行的变更和修改，或利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，直接或间接地将以上技术方案运用在其他相关的技术领域，均包括在本发明的专利保护范围之内。