用于提供温度相关公共电极电压的电路的制作方法

本发明涉及显示技术，更具体地，涉及一种用于提供温度相关公共电极电压的电路和具有该电路的显示设备。

背景技术：

由于高温条件下操作的tft液晶显示(tftlcd)面板中的薄膜晶体管(tft)特性(比如电荷迁移率)的温度相关(temperature-dependent)漂移，随着温度升高在液晶层中累积更多的离子杂质。这些离子杂质在tftlcd显示面板的公共背板节点处引起有效电压。该有效电压干扰了像素驱动信号。此外，离子杂质电压的dc分量直接导致离子杂质随着温度升高而定向漂移，导致高温下tftlcd的所谓图像粘连效应(imagestickingeffect)。期望利用改进电路和方法来最小化图像粘连效应的方案。

技术实现要素：

在一方面，本公开提供了一种用于提供温度相关公共电极电压的电路。所述电路包括在电源端和接地端之间耦接的感测子电路，其构造为产生第一电压。此外，所述电路包括开关子电路，其构造为在第一电压的控制下将电源端连接至第一节点。此外，所述电路包括在第一节点和接地端之间耦接的补偿子电路，其当第一电压随着温度增加到阈值温度之上而减小到阈值之下时使能，从而将第二电压输出至第二节点，第二电压与温度成比例。此外，所述电路包括输出子电路，其与接收第二电压的第二节点以及供应第一输入电压的第一输入电压端耦接并且还与供应第二输入电压的第二输入电压端耦接，以基于第二电压、第一输入电压和第二输入电压的加权混合来产生温度相关输出电压。

可选地，感测子电路至少包括电源端和接地端之间的经由连接节点串联连接的热敏电阻器和第二电阻器。

可选地，热敏电阻器的特征在于随着温度增加而电阻增加的正温度系数。在连接节点处利用来自电源端的电源电压的一部分提供第一电压。该一部分随着温度增加直到最大操作温度而减小。

可选地，开关子电路包括p沟道mos晶体管，其具有与连接节点耦接的栅极、与电源端耦接以接收正电压的漏极、以及与第一节点耦接的源极。

可选地，当第一电压与电源电压之间的差等于或小于p沟道mos晶体管的阈值电压时，p沟道mos晶体管切换至导通状态。

可选地，补偿子电路包括以线性状态构造的第一运算放大器，其具有分别与第三节点和第四节点耦接的一对输入电压端口和与第一节点耦接的输出端口，其中第三节点和第四节点处于虚短路状态。补偿子电路还包括第一mos晶体管，其具有与第一节点耦接的漏极、与第一偏置端耦接的栅极、以及与第三节点耦接的源极。此外，补偿子电路包括第二mos晶体管，其具有与第一节点耦接的漏极、与第二偏置端耦接的栅极、以及与第四节点耦接的源极。补偿子电路还包括与第四节点耦接的第三电阻器。此外，补偿子电路包括第三mos晶体管，其具有与第一节点耦接的漏极、与第二偏置端耦接以接收第二偏置电压的栅极、以及与第二节点耦接的源极。补偿子电路还包括与第二节点和接地端耦接的第四电阻器。补偿子电路还包括第一双极型晶体管，其具有共同地耦接至第三节点的集电极和基极以及耦接至接地端的发射极，其中，第一双极型晶体管的特征在于第一饱和电流。此外，补偿子电路包括第二双极型晶体管，其具有共同地耦接至第三电阻器的集电极和基极以及耦接至接地端的发射极。第二双极型晶体管的特征在于第二饱和电流，所述第二饱和电流等于第一饱和电流的1/n。这里，n为常数。

可选地，补偿子电路构造为产生流过第三电阻器和第二mos晶体管的第一电流。第一电流等于第四节点与第二双极型晶体管的集电极之间的电压降除以第三电阻器的电阻，并且所述电压降等于第一双极型晶体管的第一基极-发射极电压与第二双极型晶体管的第二基极-发射极电压由于第三节点和第四节点的虚短路状态而导致的电压差。至少在从阈值温度到最大操作温度的范围内，所述电压降与所述温度成比例。

可选地，补偿子电路构造为产生流过第三mos晶体管和第四电阻器的第二电流。由于第二mos晶体管和第三mos晶体管共享共同栅漏电压，第二电流等于第一电流。

可选地，补偿子电路构造为在第二节点处输出第二电压。第二电压等于所述电压降乘以第四电阻器的电阻与第三电阻器的电阻之比的乘积。

可选地，输出子电路包括构造为加法放大器的第二运算放大器，其具有经由第五电阻器与第一输入电压端耦接并经由第六电阻器与第二节点耦接的第一输入端口、经由第七电阻器与第二输入电压端耦接并且经由第八电阻器与接地端耦接的第二输入端口、以及经由第九电阻器回路至(loopedbackto)第一输入端口的输出端口。在所述输出端口处输出温度相关输出电压。

可选地，温度相关输出电压等于具有第一加权因子的第一输入电压加上具有第二加权因子的第二电压减去具有第三加权因子的第二输入电压。第一加权因子等于第九电阻器的电阻与第五电阻器的电阻的第一比。第二加权因子等于第九电阻器的电阻与第六电阻器的电阻的第二比。第三加权因子等于1、第一比和第二比之和与第三比的乘积，所述第三比为第八电阻器的电阻与第八电阻器的电阻和第七电阻器的电阻之和的比。

在另一方面，本公开提供了一种显示面板的驱动电路。所述驱动电路包括分别与子像素阵列的一行相关联的一行薄膜晶体管以及接收栅极驱动电压以控制该行薄膜晶体管的公共栅极。每个薄膜晶体管接收对应的源极电压信号。所述驱动电路还包括分别与所述一行薄膜晶体管的漏极耦接的一行有效电容器组。每个有效电容器组与每个子像素的液晶层相关联。此外，所述驱动电路包括用于向有效电容器组的公共电极提供公共电极电压的公共电压电路。所述公共电压电路是本文所述的。

可选地，感测子电路至少包括在供应电源电压的电源端和接地端之间的经由连接节点串联连接的具有正温度系数的热敏电阻器和第二电阻器，以在连接节点处利用电源电压的一部分提供第一电压。该一部分随着温度增加直到最大操作温度而减小。

可选地，开关子电路包括p沟道mos晶体管，其具有与连接节点耦接的栅极、与电源端耦接以接收正电压的漏极、以及与第一节点耦接的源极。当第一电压与电源电压之间的差等于或小于所述p沟道mos晶体管的阈值电压时，所述p沟道mos晶体管切换至导通状态。

可选地，补偿子电路包括以线性状态构造的第一运算放大器，其具有分别与第三节点和第四节点耦接的一对输入电压端口和与第一节点耦接的输出端口，其中第三节点和第四节点处于虚短路状态。补偿子电路还包括第一mos晶体管，其具有与第一节点耦接的漏极、与第一偏置端耦接的栅极、以及与第三节点耦接的源极。此外，补偿子电路包括第二mos晶体管，其具有与第一节点耦接的漏极、与第二偏置端耦接的栅极、以及与第四节点耦接的源极。补偿子电路还包括与第四节点耦接的第三电阻器。此外，补偿子电路包括第三mos晶体管，其具有与第一节点耦接的漏极、与第二偏置端耦接以接收第二偏置电压的栅极、以及与第二节点耦接的源极。补偿子电路还包括与第二节点和接地端耦接的第四电阻器。补偿子电路还包括第一双极型晶体管，其具有共同地耦接至第三节点的集电极和基极以及耦接至接地端的发射极，其中，第一双极型晶体管的特征在于第一饱和电流。此外，补偿子电路包括第二双极型晶体管，其具有共同地耦接至第三电阻器的集电极和基极以及耦接至接地端的发射极。第二双极型晶体管的特征在于第二饱和电流，所述第二饱和电流等于第一饱和电流的1/n，n为常数。

可选地，补偿子电路构造为产生流过第三电阻器和第二mos晶体管的第一电流。至少在从阈值温度到最大操作温度的范围内，所述第一电流与所述温度成比例。

可选地，补偿子电路还构造为产生流过第三mos晶体管和第四电阻器的第二电流，其中，由于第二mos晶体管和第三mos晶体管共享共同栅漏电压，第二电流等于第一电流。第二电流使得第二节点处的第二电压与直到最大操作温度的温度成比例。

可选地，输出子电路包括构造为加法放大器的第二运算放大器，其具有经由第五电阻器与第一输入电压端耦接并经由第六电阻器与第二节点耦接的第一输入端口、经由第七电阻器与第二输入电压端耦接并且经由第八电阻器与接地端耦接的第二输入端口、以及经由第九电阻器回路至(loopedbackto)第一输入端口的输出端口。在所述输出端口处输出温度相关输出电压。

可选地，温度相关输出电压等于具有第一加权因子的第一输入电压加上具有第二加权因子的第二电压减去具有第三加权因子的第二输入电压。第一加权因子等于第九电阻器的电阻与第五电阻器的电阻的第一比。第二加权因子等于第九电阻器的电阻与第六电阻器的电阻的第二比。第三加权因子等于1、第一比和第二比之和与第三比的乘积，所述第三比为第八电阻器的电阻与第八电阻器的电阻和第七电阻器的电阻之和的比。

可选地，驱动电路还包括缓冲器子电路，以将温度相关输出电压作为施加至公共电极的公共电极电压输出，从而随着温度增加到大于阈值温度直到最大操作温度，实质上最小化由离子杂质引起的有效电压。

在另一方面，本公开提供了一种显示面板，包括本文描述的驱动电路。

在又一方面，本公开提供了一种用于补偿显示面板的公共电极上的离子杂质引起的温度相关的有效电压的方法。所述方法包括：产生与显示面板中的温度逆相关的温度感测电压。所述方法还包括：在温度感测电压低于阈值时产生温度相关电压。温度相关电压随着温度增加而增加。此外，所述方法包括：在各对应加权因子下将温度相关电压与各固定输入电压相混合，以输出温度相关公共电极电压。此外，所述方法包括：将温度相关公共电极电压输出至显示面板的公共电极。

附图说明

以下附图仅为根据所公开的各种实施例的用于示意性目的的示例，而不旨在限制本发明的范围。

图1是高温下接收固定公共电极电压的常规tftlcd驱动电路。

图2是根据本公开的一些实施例的提供温度相关公共电极电压的电路。

图3是根据本公开的特定实施例的提供温度相关公共电极电压的电路。

图4是根据本公开的实施例的产生温度相关公共电极电压以补偿高温范围处离子杂质引起的有效电压的时序图。

图5是根据本公开的实施例的用于操作包括图3的电路的显示面板以提供温度相关公共电极电压的驱动电路。

具体实施方式

现在将参照以下实施例更具体地描述本公开。需注意，以下对一些实施例的描述仅针对示意和描述的目的而呈现于此。其不旨在是穷尽性的或者受限为所公开的确切形式。

为了驱动构造为子像素阵列的tftlcd显示器，常规驱动方法向与一行薄膜晶体管(tft)(其与子像素阵列的一行相关联)的栅极共同地连接的栅线提供栅极驱动电压信号以控制tft的导通或关断。此外，该驱动方法向与子像素阵列的一列相关联的一列tft的共源极线提供源极驱动电压信号，以限定相应子像素的图像强度。此外，该tftlcd显示器包括公共背板节点，以提供作为参考电压基础的公共电极电压，以确定由不同源极线电压在各子像素点处的液晶层上的不同电场强度。

图1示出了常规tftlcd驱动电路。参照图1，公共电压子电路将公共电极电压vcom_out提供给tftlcd显示器的一行像素晶体管(m1至mn)的公共背板节点，并且栅极驱动信号vgh已被共同地应用至与该行像素晶体管的全部栅极连接的栅线。每个像素晶体管分别耦接至源极线，以提供图像信号(根据源极线电压，比如vsl，或者漏极线电压vdl)。公共电压子电路包括构造为加法放大器的运算放大器a2。运算放大器a2包括：一对输入端口，其分别耦接至两个输入电压端，以接收两个输入电压vcom和vcomf；和输出端，用于输出输出电压vcom_out作为两个输入电压vcom和vcomf的加权混合。由于这两个输入电压实质上固定而不具有高温感测功能或自动校准功能来补偿温度的任何改变，因此公共电极电压vcom_out无法响应于由于温度和液晶层上相应的有效电压△v的增加(在有效电容clc方面)而增加的离子杂质(在有效电容cs方面)，从而无法处理高温范围下工作的tftlcd显示器的图像粘连问题。

因此，本公开特别提供了向与tftlcd显示面板相关联的公共电极提供温度相关电压的电路、tftlcd显示面板、tftlcd驱动电路和具有其的显示设备，其实质上避免了由于相关技术的局限和缺点而导致的问题中的一个或多个。在一方面，本公开提供了一种用于提供温度相关公共电极电压的电路。

图2示出根据本公开的一些实施例的提供温度相关公共电极电压的电路200。参照图2，电路200包括：感测子电路20，其耦接在电源端vcc(其供应电源电压vcc)和接地端d之间；开关子电路21，其与电源端耦接、经由连接节点g连接至感测子电路20、并且还连接至第一节点a。感测子电路20构造为感测温度变化，具体地，感测温度超过阈值温度达到最大温度的增加，以向连接节点g提供温度相关的第一电压vg。开关子电路21构造为由第一电压vg控制其导通或关断的开关。具体地，当温度增加到高于阈值温度时，第一电压vg降低至小于阈值，开关子电路21导通。

电路200还包括补偿电路22，其耦接至第一节点a、接地端d和第二节点c。补偿子电路22构造为当开关子电路21导通时使能，以在第二节点c处产生温度相关的第二电压vc。此外，电路200包括输出子电路23，其与第二节点c耦接以接收第二电压vc并且与第一输入电压端vcom和第二输入电压端vcomf耦接，以将温度相关输出电压输出至输出节点o。第一输入电压端vcom被供应有固定的第一输入电压vcom。第二输入电压端vcomf被供应有固定的第二输入电压vcomf。

可选地，电路200包括缓冲器子电路24，其构造为向公共电极输出公共电极电压vcom_out。可选地，公共电极是tftlcd显示面板的液晶盒的背板节点。公共电极电压与输出节点o处的温度相关输出电压实质上相同。

图3是根据本公开的特定实施例的提供温度相关公共电极电压的电路。参照图3，感测子电路20包括电源端vcc和接地端d之间的经由连接节点g串联地电耦接的热敏电阻器rt和第二电阻器r2。可选地，热敏电阻器rt的特征在于正温度系数，即，其电阻值随着温度增加而增加。假设电源电压被供应有正电压vcc并且接地端设为0电压电平，则连接节点g处的电压电平将给出为第一电压vg＝vcc×r2/(r2+rt)。由于rt随着温度t增加而增加，因此连接节点g处的第一电压vg减小。

参照图3，开关子电路21被提供为p沟道金属氧化物半导体(mos)晶体管。该pmos晶体管msp的栅极耦接至连接节点g以接收第一电压vg。第一电压vg用作控制电压以控制pmos晶体管msp的导通或关断。pmos晶体管msp还具有耦接至电源端的漏极和耦接至第一节点a的源极节点。随着温度增加至超过阈值温度，pmos晶体管msp的栅极处的第一电压vg降低至小于阈值电压vcc-vth，其中vth是pmos晶体管msp的基本晶体管阈值电压。在该条件下，pmos晶体管msp导通，使得其成为连接在漏极(其与电源端耦接)和源极之间的导体，使得第一节点a处的电压电平与电源端的电压电平相同，即，va＝vcc。

在实施例中，当pmos晶体管msp导通时，第一节点被提供有电压va＝vcc，这有效地使能电路200的补偿子电路22。参照图3，补偿子电路22包括：构造为开环放大器的运算放大器a1，其具有一对差分输入端口(第三节点b和第四节点e，其设置为实质上相同的电压电平)和与第一节点a耦接的输出端口。运算放大器a1由一个电极处的一个正电压add和另一个电极处的接地电平偏置。补偿子电路22还包括三个mos晶体管。第一mos晶体管msp1具有与供应第一偏置电压vbias1的第一偏置电压端耦接的栅极。msp1还具有与第一节点a耦接的漏极以及与第三节点b耦接的源极。第二mos晶体管msp2的栅极和第三mos晶体管msp3的栅极共同地耦接至供应第二偏置电压vbias2的第二偏置电压端。此外，msp2的漏极和msp3的漏极共同地耦接至第一节点a。msp2还具有耦接至第四节点e的源极。msp3的源极耦接至第二节点c。此外，补偿子电路22包括第一双极型晶体管q1，其具有共同地耦接至第三节点b的集电极和基极以及耦接至接地端d的发射极。补偿子电路22还包括与第四节点e耦接的第三电阻器r3。此外，补偿子电路22包括第二双极型晶体管q2，其具有共同地耦接至第三电阻器r3的集电极和基极以及耦接至接地端d的发射极。补偿子电路22还包括耦接在第二节点c和接地端d之间的第四电阻器r4。在实施例中，使能状态下的补偿子电路22构造为向第二节点c输出温度相关电压。

替代性地，如果pmos晶体管msp未导通，则第一节点a处不存在正电压，并且补偿子电路22失能，从而不在第二节点c处提供输出。

针对使能的补偿子电路22，再次参照图3，由于第一运算放大器a1在虚短路(virtualshort)状况下工作，从而两个不同输入端口的电压电平相对于接地端实质上相同，即，v3＝v4。同时由于第一双极型晶体管q1的基极和集电极彼此连接，v3基本上是q1的基极-发射极电压vbe1。类似地，第二双极型晶体管q2的基极和集电极连接在一起。于是，v4是q2的基极-发射极电压vbe2加上第三电阻器r3上的电压降，即，v4＝vbe2+ir3·r3。这导致流过第三电阻器r3的第一电流ir3表示为

ir3＝(vbe2–vbe1)/r3(1)

在实施例中,对于第一双极型晶体管q1和第二双极型晶体管q2中的每一个,在电流i从发射极流向集电极的条件下基极-发射极电压vbe可以表示为v·ln(i/is)，其中v＝k·t/q与温度t成比例，并且is是双极型晶体管的饱和电流。在实施例中，可将第二双极型晶体管q2选为设置其饱和电流is2为第一双极型晶体管q1的饱和电流is1的n倍，其中n为常数。因此，ir3表示为

ir3＝v·ln(n)/r3(2)

其也与温度t成比例。第一电流ir3也是在msp2的栅极处的适当vbias2的控制下流过第二mos晶体管msp2的电流。

再次参照图3，第二mos晶体管msp2和第三mos晶体管msp3具有由它们的栅极处的第二偏置电压vbias2和第一节点a处的电压电平控制的相同栅漏电压。因此，流过第三mos晶体管msp3的第二电流应当与流过第二mos晶体管msp2的第一电流ir3相同。基于图3所示的补偿子电路22的电路设置，第二电流还从第四电阻器r4流到接地端d。因此，第二电流可以表示为ir4＝ir3＝v·ln(n)/r3。于是，在第二节点c处建立了相对于接地端d的第二电压vc。并且，vc可以表示为ir4·r4，即，

vc＝r4·v·ln(n)/r3(3)

第二电压vc恰好是补偿子电路22的温度相关输出电压。具体而言，输出电压vc与温度t成比例。

参照图3，电路200还包括输出子电路23，其构造为将温度相关的第二电压vc与两个输入电压vcom和vcomf混合，所述两个输入电压分别被供应至两个输入电压端以输出要应用至公共电极的输出电压。在实施例中，输出子电路23包括构造为加法放大器的具有一对输入端口和一个输出端口的第二运算放大器a2。第一输入端口经由第五电阻器r5耦接至第一输入电压端口以接收第一输入电压vcom并且经由第六电阻器r6耦接至第二节点c以从补偿子电路22接收第二电压vc。第二输入端口经由第七电阻器r1耦接至第二输入电压端口以接收第二输入电压vcomf并且经由第八电阻器r0耦接至接地。a2的输出端口连接至输出节点o。第二运算放大器a2还包括反馈回路，其从输出端口经由第九电阻器rf连接至第一输入端口。a2还在一个电极处由正电源add供电并且在另一个电极处接地。作为第二运算放大器a2的功能结果，输出端口处的电压vo可以表示为第二电压vc(＝r4·v·ln(n)/r3)、第一输入电压vcom和第二输入电压vcomf的加权混合：

vo＝vcom·rf/r5+v·ln(n)·rf·r4/(r3·r6)-vcomf·(1+rf/r5+rf/r6)·r0/(r0+r1)(4)

这里，vcom和vcomf可为固定的，但是v＝k·t/q与温度成比例，使得vo为温度相关电压，从而提供了可调机制来补偿或至少最小化公共电极处的任何离子杂质引起的温度相关的有效电压。

可选地，电路200包括缓冲器子电路24，其构造为将温度相关输出电压实质上不变地传输至公共电极。在图3所示实施例中，缓冲器子电路24包括构造为单位增益电压跟随器的第三运算放大器a3。第三运算放大器a3的一个输入端口与第二运算放大器a2的输出端口耦接。a3的另一个输入端口与a3的输出端口连接。a3的输出端口与(tftlcd显示器的)公共电极连接，以输出公共电极电压vcom_out来支持tftlcd显示器上的图像显示。也就是说，

vcom_out＝vcom·rf/r5+v·ln(n)·rf·r4/(r3·r6)-vcomf·(1+rf/r5+rf/r6)·r0/(r0+r1)(5)

在式(5)中，当温度在正常温度范围(即，低于阈值温度tth)内时，v·ln(n)·rf·r4/(r3·r6)项为零，这是因为补偿子电路22未使能。而随着温度增加到超过阈值温度tth，补偿子电路22使能并且v·ln(n)·rf·r4/(r3·r6)项在式(5)中生效，使得公共电压为温度相关的电压。如果恰当选择至少包括rf、r3、r4和r6的这些电阻器的电阻值，则该温度相关的公共电极电压可以用来补偿或至最小化在液晶层中累积的离子杂质引起的有效电压。可选地，虽然未在图3中明确示出，但是公共电极连接至tftlcd显示面板的液晶盒的背板节点。此外，缓冲器子电路24能够过滤电流噪声而不影响温度相关的公共电极电压输出至tftlcd显示面板的背板节点。

图4是根据本公开的实施例的产生温度相关公共电极电压以补偿高温范围处离子杂质引起的有效电压的时序图。参照图4，(操作tftlcd显示器的)温度增加并且在特定点超过阈值温度tth。该阈值温度tth与减少至阈值vgth＝vcc-vth的控制电压vg相关联，这里，vth是p沟道mos晶体管的阈值电压。阈值温度tth是tftlcd显示器的操作进入高温范围的信号。相应地，控制电压阈值vgth触发p沟道mos晶体管导通，从而使能补偿子电路产生温度相关电压vc。也就是说，在温度t达到tth之前，vc是0，这是因为补偿子电路没有使能。在温度t超过tth之后直到最大温度tmax(操作tftlcd的设计温度限值)，vc产生且随着温度t增加直到tmax而增加。因此，部分地基于温度相关电压vc提供公共电极电压vcom_out，该公共电极电压vcom_out也作为直到tmax的温度相关电压，从而补偿tftlcd显示器的公共电极(即，公共背板节点)处的离子杂质引起的有效电压。通过恰当选择电路中不同电阻器的电阻值，该温度相关的公共电极电压vcom_out能够将在大于阈值温度直到操作tft_lcd显示器的最大温度限值的高温范围中液晶层内部离子杂质引起的有效电压补偿、消除、或者至少最小化。

在另一方面，本公开提供了一种用于补偿tftlcd显示器的像素的公共电极上的离子杂质引起的温度相关的有效电压的方法。所述方法包括：产生温度感测电压，其随着温度增加而减小。此外，所述方法包括：将开关晶体管设置为当温度感测电压小于阈值时导通以使能补偿子电路，从而产生温度相关电压vc，其随着温度增加而增加。此外，所述方法包括：利用加法运算放大器来在各对应加权因子下将温度相关电压vc与各固定输入电压相混合，以输出施加至像素的公共电极的温度相关公共电极电压。通过恰当选择补偿子电路和加法运算放大器中的各个电阻器的不同电阻值来调整各对应加权因子，使得可以自动地最小化甚至消除由液晶层中的离子杂质引起的有效电压。

在又一方面，本公开提供了一种操作lcd显示面板的驱动电路。图5是根据本公开的实施例的用于操作包括图3的电路的显示面板以提供温度相关公共电极电压的驱动电路。参照图5，该驱动电路包括与lcd显示面板的子像素阵列的一行分别相关联的一行薄膜晶体管(tft)。如所示，该行tft包括n个晶体管m1、m2、…、和mn，其分别与一行n个子像素相关联。通过在lcd显示面板中设置恰当彩膜，一个子像素可设计为产生选自红色、蓝色或绿色的一种颜色的光。此外，驱动电路包括接收用于控制该行薄膜晶体管m1、m2、…、和mn的栅极驱动电压vgh的公共栅极。这里，每个tft接收对应的源极电压信号以产生相应子像素的不同图像强度。此外，所述驱动电路包括分别与所述一行薄膜晶体管的漏极耦接的一行有效电容器组。每个有效电容器组与lcd显示面板中的每个子像素的液晶层相关联。在具体实施例中，每个有效电容器组包括有效液晶层电容器clc和有效离子杂质电容器cs，其并联耦接在相应tft的漏极和公共电极之间。有效电容器组的电容决定液晶层上的电场，进而决定每个子像素的每个液晶分子的倾斜角，从而决定通过lcd显示面板的子像素的光强度。

在实施例中，所述驱动电路还包括公共电压电路，其用于将公共电极电压供应至有效电容器组的公共电极，以设置施加至每个tft的源极线的源极电压的电压基础，从而决定液晶层上的电场。公共电压电路包括在电源端和接地端之间耦接的感测子电路，其构造为产生第一电压。此外，公共电压电路包括开关子电路，其构造为在第一电压的控制下将电源端连接至第一节点。公共电压电路还包括在第一节点和接地端之间耦接的补偿子电路，其当第一电压随着温度增加到阈值温度之上而减小到阈值之下时使能，从而将第二电压输出至第二节点，第二电压与温度成比例。此外，公共电压电路包括输出子电路，其与接收第二电压的第二节点以及供应第一输入电压的第一输入电压端耦接并且还与供应第二输入电压的第二输入电压端耦接。输出子电路基于第二电压、第一输入电压和第二输入电压的加权混合产生温度相关输出电压。

此外，驱动电路包括缓冲器子电路，以将温度相关输出电压作为施加至公共电极的公共电极电压输出，从而随着温度增加到大于阈值温度直到最大温度，实质上最小化由离子杂质引起的有效电压。可选地，离子杂质引起的有效电压是与每个子像素的有效离子杂质电容cs相关联的电压，其至少在直到最大操作温度的范围内随着温度增加而增加。可选地，图5所示的驱动电路中的公共电压电路实质上是图3所示的电路200。具体而言，驱动电路能够实质上补偿或至少最小化当温度增加到大于阈值温度直到lcd显示面板的最大操作温度时由离子杂质引起的有效电压。

在又一方面，本公开提供了一种液晶显示面板，包括本文描述的驱动电路。该驱动电路在图5中提供。具体而言，lcd面板能够在直到最大操作温度的高温范围内操作，在这期间驱动电路构造为实质上补偿或至少最小化离子杂质引起的有效电压。

出于示意和描述目的已示出对本发明实施例的上述描述。其并非旨在穷举或将本发明限制为所公开的确切形式或示例性实施例。因此，上述描述应当被认为是示意性的而非限制性的。显然，许多修改和变形对于本领域技术人员而言将是显而易见的。选择和描述这些实施例是为了解释本发明的原理和其最佳方式的实际应用，从而使得本领域技术人员能够理解本发明适用于特定用途或所构思的实施方式的各种实施例及各种变型。本发明的范围旨在由所附权利要求及其等同形式限定，其中除非另有说明，否则所有术语以其最宽的合理意义解释。因此，术语“发明”、“本发明”等不一定将权利范围限制为具体实施例，并且对本发明示例性实施例的参考不隐含对本发明的限制，并且不应推断出这种限制。本发明仅由随附权利要求的精神和范围限定。此外，这些权利要求可涉及使用跟随有名词或元素的“第一”、“第二”等术语。这种术语应当理解为一种命名方式而非意在对由这种命名方式修饰的元素的数量进行限制，除非给出具体数量。所描述的任何优点和益处不一定适用于本发明的全部实施例。应当认识到的是，本领域技术人员在不脱离随附权利要求所限定的本发明的范围的情况下可以对所描述的实施例进行变化。此外，本公开中没有元件和组件是意在贡献给公众的，无论该元件或组件是否明确地记载在随附权利要求中。