技术特征：
技术总结
本公开提供了一种移位寄存器单元、栅极驱动电路和显示装置。移位寄存器单元包括衬底，以及设置在衬底上的第一充电晶体管、第一放电晶体管和第一存储电容。第一放电晶体管的沟道宽长比小于第一充电晶体管的沟道宽长比。衬底包括第一矩形区域，所述第一矩形区域具有沿第一方向的长度和沿与第一方向垂直的第二方向的宽度。第一放电晶体管在所述衬底上的正投影与第一存储电容在所述衬底上的正投影沿第一方向排列在所述第一矩形区域中，并且第一放电晶体管和第一存储电容在所述衬底上的正投影与第一充电晶体管在所述衬底上的正投影沿第二方向排列在所述第一矩形区域中。
技术研发人员：冯雪欢;李永谦
受保护的技术使用者：合肥京东方卓印科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：2019.03.14
技术公布日：2019.07.12