滚动条式显示设备以及滚动条式显示设备的调变方法与流程

[0001]
本发明涉及一种滚动条式显示设备以及调变滚动条式显示设备的形态的方法，特是涉及一种具有可变形层的滚动条式显示设备，以及将滚动条式显示设备在卷曲形态与展开形态之间调变的方法。


背景技术：

[0002]
近年来，可挠式电子装置(例如滚动条式电子装置)已成为新世代电子科技的焦点之一，因此其需求也相应提高。不过在现今的滚动条式电子装置中，当在进行展开操作时，可能造成电子装置的操作区(例如显示区)产生皱折而导致画面失真，降低质量或使用寿命。据此，如何降低上述问题来提高质量已成为现今关注的重要项目。


技术实现要素：

[0003]
在一实施例中，本发明提供了一种滚动条式显示设备，滚动条式显示设备在一方向上展开，且滚动条式显示设备包括多个发光单元以及至少一可变形单元。多个发光单元定义出发光层，至少一可变形单元定义出可变形层，其中可变形层的一边缘在所述方向上至少对准发光层的一边缘。
[0004]
在另一实施例中，本发明提供了一种滚动条式电子装置的调变方法，其包括：提供滚动条式电子装置；拉伸处于卷曲形态的滚动条式电子装置，以使滚动条式电子装置具有展开部分；以及将展开部分的杨氏系数提升，使展开部分处于展开形态。
附图说明
[0005]
图1为本发明第一实施例的电子装置的示意图。
[0006]
图2为本发明第一实施例的电子装置的剖面示意图。
[0007]
图3为本发明一实施例的发光层与可变形层的俯视关系示意图。
[0008]
图4为本发明另一实施例的发光层与可变形层的俯视关系示意图。
[0009]
图5为本发明另一实施例的发光层与可变形层的俯视关系示意图。
[0010]
图6为本发明一实施例电子装置于展开状态的剖面示意图。
[0011]
图7为本发明另一实施例电子装置于展开状态的剖面示意图。
[0012]
图8为本发明另一实施例电子装置于展开状态的俯视示意图。
[0013]
图9为本发明第一实施例的电子装置的剖面示意图。
[0014]
图10为本发明一实施例的电子装置的控制电极俯视示意图。
[0015]
图11a、图11b与图12为本发明一实施例的电子装置的制造过程的示意图。
[0016]
图13为本发明一实施例的电子装置的调变形态的方法的流程图。
[0017]
图14为本发明一实施例的电子装置的两种形态的示意图。
[0018]
图15为本发明第二实施例的电子装置的控制电极、发光层与数据线的俯视示意图。
[0019]
图16为本发明第二实施例的电子装置的剖面示意图。
[0020]
图17为本发明第三实施例的电子装置的可变形层的剖面示意图。
[0021]
图18为本发明第四实施例的电子装置的剖面示意图。
[0022]
附图标记说明：100、200、300、400-电子装置；110-基板；120-电路元件层；122-开关元件；124-发光单元；130-封装层；140-覆盖层；150-可变形结构；152-可变形单元；154、420-底板；156、in1、in2-绝缘层；158-控制电极；158a-第一控制电极；158b-第二控制电极；159-连接电极；250-导电结构；410-框胶；1001、1002、1003、1004、1005-步骤；al-黏着层；cb1-第一载板；cb2-第二载板；da-数据线；dl-可变形层；dla、ela-拉伸边；dn-法线方向；dr-卷曲方向；ds-下基板结构；du-展开方向；e1、e2-电极；ea-发光区；el-发光层；h-孔洞；hs-横向侧；lg-发光层；ml1、ml2-导电层；ps-纵向侧；px-像素；rp-卷曲部分；s-距离；sm-半导体层；spx1-绿色子像素；spx2-红色子像素；spx3-蓝色子像素；tp1-卷曲状态；tp2-展开状态；up-展开部分；us-上基板结构。
具体实施方式
[0023]
通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本发明，须注意的是，为了使读者能容易了解及图式的简洁，本发明中的多张图式只绘出电子装置的一部分，且图式中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本发明的范围。
[0024]
本发明通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，「包括」、「含有」、「具有」等词为开放式词语，因此其应被解释为「含有但不限定为
…
」之意。因此，当本发明的描述中使用术语「包括」、「含有」及/或「具有」时，其指定了相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在，但不排除一个或多个相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在。
[0025]
当相应的构件例如膜层或区域被称为「在另一个构件(或其变体)上」时，它可以直接在另一个构件上，或者两者之间可存在有其他构件。另一方面，当构件被称为「直接在另一个构件(或其变体)上」时，则两者之间不存在任何构件。
[0026]
应当理解到，当构件或膜层被称为「连接到」另一个构件或膜层时，它可以直接连接到此另一构件或膜层，或者两者之间存在有插入的构件或膜层。当构件被称为「直接连接到」另一个构件或膜层时，两者之间不存在有插入的构件或膜层。另外，当构件被称为「耦接于另一个构件(或其变体)」时，它可以直接地连接到此另一构件，通过一或多个构件间接地连接(例如电性接)到此另一构件。
[0027]
术语「大约」、「实质上」或「大体上」一般解释为在所给定的值或范围的20％以内，或解释为在所给定的值或范围的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％以内。
[0028]
说明书与权利要求书中所使用的序数例如「第一」、「第二」等的用词用以修饰元件，其本身并不意含及代表该(或该些)元件有任何之前的序数，也不代表某一元件与另一元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚区分。权利要求书与说明书中可不使用相同用词，据此，说明书中的第一构件在权利要求中可能为第二构件。
[0029]
须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本发明的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。
[0030]
在本发明中，电子装置(滚动条式电子装置)可包括滚动条式显示设备、滚动条式触控显示设备、滚动条式发光装置、滚动条式天线装置、滚动条式感测装置、滚动条式拼接装置或任何适合类型的电子装置，但不限于此。电子装置可包括有机发光二极管(organic light-emitting diode,oled)、无机发光二极管(light-emitting diode,led)，例如微型发光二极管(micro-led,mini-led)、量子点(quantum dots,qds)材料、量子点发光二极管(qled,qdled)、荧光(fluorescence)材料、磷光(phosphor)材料、其他适合的材料或上述的组合，但不限于此。本发明的电子装置以滚动条式显示设备为例进行说明，但不限于此。此外，电子装置可为彩色显示设备或单色显示设备，且电子装置的形状可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状。在本发明中，滚动条式显示设备为举例为矩形，且为彩色显示设备，但不限于此。
[0031]
请参考图1与图2，图1为本发明第一实施例的电子装置的示意图，图2为本发明第一实施例的电子装置的剖面示意图，其中图2仅绘示一个子像素所对应的区域。如图1所示，本发明所示的电子装置100(例如滚动条式电子装置、滚动条式显示设备等)可卷曲而收合或卷曲成滚动条型态，而当要使用电子装置100时，可例如沿着一展开方向du来拉伸电子装置100，以使电子装置100进行对应的用途(例如显示用途)，其中展开方向du与卷曲方向dr例如互为相反方向。举例来说，如图1中，于电子装置100执行拉伸时，电子装置100可例如包括卷曲部分rp及展开部分up。换句话说，卷曲部分rp例如处于卷曲形态tp1，展开部分up例如处于展开形态tp2(可参考图14)。在一些实施例(如图1)，电子装置100例如呈矩形，电子装置100可例如具有两相对的纵向侧ps及两相对的横向侧hs，但不限于此，电子装置100的展开方向du及/或卷曲方向dr可例如大致平行于电子装置100的纵向侧ps，但不限于此。在一些实施例，电子装置100的纵向侧ps例如为长边侧，而横向侧hs例如为短边侧，但不以此为限。
[0032]
如图1与图2所示，电子装置100包括基板110、电路元件层120与可变形结构150，并可选择性地包括例如封装层130及/或覆盖层140。举例来说，电路元件层120、封装层130与覆盖层140可依序设置在基板110上，但不限于此。在一些实施例(如图1与图2所示)，可变形结构150例如设置于基板110的远离电路元件层120的一侧上，换句话说，电路元件层120与可变形结构150可设置在基板110的不同侧，但不限于此。可变形结构150的设置位置可依据需求而设计，以下将详细说明各膜层与结构。基板110与覆盖层140可包括可挠性基板或柔性基板，其材料可包括聚亚酰胺(polyimide,pi)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,pet)、其他适合材料或上述组合，但不限于此。在一些实施例，覆盖层140及/或封装层130可用以保护电路元件层120，以减少电路元件层120受到例如物理性、化学性及/或水氧的影响或破坏。
[0033]
电路元件层120可依据电子装置100的类型而形成对应的元件或结构。举例来说，电子装置100可为滚动条式显示设备，电路元件层120可例如形成多个像素(pixel)px，用以显示画面，但不限于此。在一些实施例中，像素px可包含彼此并排设置的多个子像素(sub-pixel)，例如绿色、红色、蓝色、黄色或其它颜色的子像素，但不以此为限。在一些实施例中
(如图1)，像素px可包括三个子像素，例如绿色子像素spx1、红色子像素spx2与蓝色子像素spx3，且此些子像素例如呈数组排列，但不以此为限。需注意的是，像素px、子像素、像素的排列方式可依据实际需求而设计。在一些实施例中(如图1至图2)，当电子装置为显示设备，于俯视电子装置100的方向上(即基板110的法线方向dn)，子像素的发光区ea的形状可包括矩形、平行四边形、「>」型或任何适合的形状，而图1所示的子像素以矩形为例。另外，电子装置100的形状可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状。须说明的是，基板110的法线方向dn系表示展开部分up的基板110的法线方向。
[0034]
在图2中，子像素可包括至少一开关元件122及至少一发光单元124，并可选择性地包括其他所需的元件(例如驱动晶体管、重置晶体管或电容，但不限于此)。开关元件122举例可为薄膜晶体管(thin film transistor)，发光单元124可包括有机发光二极管(oled)、无机发光二极管(led)，例如微型发光二极管(micro-led或mini-led)、量子点发光二极管(qled、qdled)、量子点材料、荧光材料、磷光材料、其他适合的材料或上述材料的组合，但不限于此。本实施例的发光单元124例如以有机发光二极管进行说明。电路元件层120还包括其他所需的元件，例如数据线(或读取线)、扫描线、其他电源线，但不限于此。
[0035]
在一些实施例中，开关元件122的信道结构可由半导体层sm所形成，闸极绝缘层可由绝缘层in1所形成，闸极可由导电层ml1(例如金属导电层)所形成，源极及/或汲极可由导电层ml2(例如金属导电层)所形成，且导电层ml1与导电层ml2通过绝缘层in2所分隔，但不以此为限。在一些实施例中，发光单元124可包括电极e1和电极e2，及位于电极e1和电极e2之间的发光层lg，通过电极e1和电极e2使发光层lg发光。需注意的是，发光层lg只会例如在重叠对应电极e1和电极e2的区域(例如在基板110的法线方向dn上重叠于电极e1和电极e2的区域)内才会产生光。
[0036]
电子装置100可选择性地包括其他所需的膜层或结构，藉此提升质量。举例来说，电子装置100可选择性地包括光阻挡层，光阻挡层可包括例如黑色油墨、黑色金属、黑色树脂及/或其他适合的遮光材料，或上述材料的组合，以在基板110的法线方向dn(如图2所示)上减少结构(或元件)反射外界光线，结构(或元件)可例如开关元件122、控制电路(未绘示)或走线(未绘示)，以提升电子装置100的质量。另外，光阻挡层可具有对应子像素的开口以定义出子像素的发光区ea，但不限于此。电子装置100可依据发光单元124所发出的光线种类而对应设置光色彩转换层，光色彩转换层可包括滤光材料(例如色阻)、量子点、荧光材料、磷光材料、其他适合材料或上述组合，用以对应将通过光色彩转换层的光线转换为其他色彩。
[0037]
需注意的是，在本发明中，电子装置可具有一发光层el，发光层el例如由所有子像素(例如spx1、spx2及spx3)的发光区ea所定义。换句话说，发光层el的边缘例如由电子装置100中位于最外侧的子像素(例如spx1、spx2及spx3)的发光区ea的边缘所定义(如图1所示)，且发光层el例如为包含所有子像素(例如spx1、spx2及spx3)的发光区ea的最小矩形。须说明的是，发光层el的范围可在电子装置100于展开状态tp2下进行界定，但不以此为限。
[0038]
在一些发明中，可变形结构150的杨氏系数可根据需求而调变。举例来说，当电子装置100要执行展开时，可例如使展开部分up的可变形结构150的杨氏系数提高，进而使展开部分up(即包含可变形结构150及其他结构)的杨氏系数提高，以降低电子装置100产生皱折，进而影响质量。另外，当电子装置100要执行卷曲时，可例如降低可变形结构150的杨氏
系数，进而使展开部分up(即包含可变形结构150及其他结构)的杨氏系数降低，使电子装置100更易卷曲而提高可挠特性，提高电子装置100的使用寿命。需注意的是，可变形结构150可设置在电子装置100中任何适合的位置，并可通过黏贴、接合或其他合适方式设置。或者，可变形结构150可内嵌于电子装置100的其中一些膜层中。在一些实施例中，如图2所示，可变形结构150举例设置在基板110远离于电路元件层120的另一侧上，即基板110位于电路元件层120与可变形结构150之间，但不以此为限。在一些实施例中(未绘示)，可变形结构150可设置在基板110邻近于电路元件层120的一侧上，即可变形结构150例如可设置在电路元件层120与基板110之间。或者，可变形结构150的至少部分设置在电路元件层120内，但不限于此。
[0039]
在一些实施例中(图3至图5)，可变形结构150可包括至少一可变形单元152，可变形单元152例如具有可变形材料。在一些实施例中，于基板110的法线方向dn上，可变形单元152的投影轮廓可为任何适合的形状，例如矩四边形、圆形、椭圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状，且可变形单元152的排列或配置可依据需求做调整。在一些实施例中，包含所有的可变形单元152可定义出一可变形层dl，其中可变形层dl的范围可定义为「基板110的法线方向dn上，包含所有可变形单元152的最小矩形」。举例来说，请参考图3至图5，其分别绘示不同实施例的发光层el与可变形层dl的俯视关系，图3至图5例如绘示完全展开(即摊平)的电子装置100，并绘示电子装置100的卷曲方向dr与展开方向du，但省略一些不必要的元件，以使图式清楚。在图3中，可变形结构150例如具有一个矩形的可变形单元152，而可变形层dl的范围系大致相同于可变形单元152的区域范围，但不限于此。在图4与图5中，可变形结构150可例如具有多个可变形单元152，而多个可变形单元152例如呈条状，但不限于此。如图4，多个可变形单元152可例如分别沿展开方向du延伸，且在垂直展开方向du的方向上依序排列，但不限于此。在一些实施例中，如图5，多个可变形单元152可例如彼此错位排列。需注意的是，图中示意为可变形单元152规律的排列，但在其他实施例中(无绘示)，可变形单元152亦可随机的排列。图4与图5的可变形层dl可为包含所有可变形单元152的最小矩形，如图4与图5中的粗虚线所示。在一些实施例中，可变形结构150可例如具有至少一可变形单元152，而变形层dl投影至基板110上的轮廓面积可大致相同于基板110。在一些实施例中(未绘示)，可变形单元152在俯视上的形状为x形或其他形状，而可变形层dl的范围例如定义为包含此可变形单元152的最小矩形。
[0040]
在一实施例中，可变形层dl的边缘在展开方向du上至少对准发光层el的边缘，用以支撑展开部分up。上述发光层el的边缘例如为最远离卷曲部分rp的边缘(以下称为发光层el的拉伸边ela)。相似的，上述可变形层dl的边缘为在最远离卷曲部分rp的边缘(以下称为可变形层dl的拉伸边dla)。须说明的是，本文所述的「第一边缘对准第二边缘」系表示第一边缘与第二边缘在基板110的法线方向dn上大致重叠，而第一边缘与第二边缘之间在对准上的误差在1毫米(mm)以内(例如10微米(um))可视为对准。须说明的是，本文所述的「第一边缘在展开方向du上至少对准第二边缘」系包含第一边缘可大致对准第二边缘的情况，或在展开方向du上第一边缘延伸出或超越过第二边缘的情况。
[0041]
在一些实施例中，可变形层dl与发光层el例如分别为不同膜层，故在卷曲或拉伸的过程中，可变形层dl与发光层el之间在展开方向du(或卷曲方向dr)上可能会产生错位。据此，为了使展开部分up中的可变形层dl的拉伸边dla可在展开方向du上至少对准发光层
el的拉伸边ela，故设计发光层el与可变形层dl的范围时可考虑卷曲或拉伸后产生错位的结果，但不限于此。举例来说，在图3至图5中，电子装置100例如处于展开的状态，可变形层dl的拉伸边dla在展开方向du上可例如延伸出或超越过发光层el的拉伸边ela，但不以此为限。
[0042]
另外，可变形层dl的其他边(除了上述拉伸边dla以外的边)与发光层el的其他边(除了上述拉伸边ela以外的边)之间的俯视关系并没有限制。举例来说，在电子装置100处于展开的状态下，在图3与图4中，于基板110的法线方向dn俯视电子装置100的方向dn上，发光层el的所有边例如位于可变形层dl的所有边内，即发光层el投影至基板110上的轮廓可例如位于可变形层dl投影至基板110上的轮廓内，但不限于此。在一些实施例(如图5)，在基板110的法线方向dn上，可变形层dl的上、下侧边(即连接拉伸边dla的两侧边)可例如延伸出或超越过发光层el的上、下侧边(即连接于拉伸边ela的两侧边)，而可变形层dl内的左侧边(即远离拉伸边dla的侧边)可例如未延伸出或超越过发光层el的左侧边(即远离拉伸边ela的侧边)，但不限于此。在一些实施例中(未绘示)，在基板110的法线方向dn上，发光层el的上侧、下侧及/或左侧边可延伸出或超越过可变形层dl的上侧、下侧及/或左侧边。在一些实施例中(未绘示)，在基板110的法线方向dn上，可变形层dl的上侧、下侧及/或左侧边可延伸出或超越过发光层el的上侧、下侧及/或左侧边。须注意的是，在将电子装置100卷曲或拉伸时，可变形层dl的其他边与发光层el的其他边之间的俯视关系可能会有所改变或不改变。另外，在电子装置100的展开比例不同的情况下，展开部分up的可变形层dl与发光层el之间的俯视关系亦可能会相同或不同。
[0043]
请参考图6至图8，图6为本发明一实施例电子装置于展开状态的剖面示意图，图7为本发明另一实施例电子装置于展开状态的剖面示意图，图8为本发明另一实施例电子装置于展开状态的俯视示意图，其中图6至图8仅绘示基板110、发光层el与可变形层dl的关系，其中图8的发光层el的范围例如以粗实线表示。在一些实施例，如图6所示，可变形层dl的拉伸边dla在展开方向du上例如延伸出或超越过发光层el的拉伸边ela，且在展开状态tp2下的卷曲部分rp也例如具有部分的可变形层dl，但不限于此。在一些实施例，如图7所示，可变形层dl的拉伸边dla例如大致对准(或重叠)发光层el的拉伸边ela，而在展开状态tp2下的卷曲部分rp可例如不具有可变形层dl，但不限于此。在一些实施例，如图8所示，可变形层dl的拉伸边dla在展开方向du上延伸出或超越过发光层el的拉伸边ela，而在展开状态tp2下的卷曲部分rp可例如不具有可变形层dl。
[0044]
为了降低制程误差及/或膜层位移产生的错位(例如卷曲、拉伸所造成)而影响到可变形结构150对于展开部分up的硬度不足，可变形层dl的拉伸边dla在展开方向du上可设计延伸出或超越过发光层el的拉伸边ela。在一些实施例，可变形层dl的拉伸边dla与发光层el的拉伸边ela之间的距离s(可参考图6与图8)可大于1毫米(mm)，但不以此为限。在一些实施例中，上述拉伸边dla与拉伸边ela之间的距离s大于1毫米(mm)，但不限于此。上述的距离s例如于电子装置100的展开状态tp2下测量拉伸边dla与拉伸边ela之间在展开方向du上的最大距离。
[0045]
在一些实施例中(如图6与图7)，展开部分up中的可变形层dl的厚度(及/或体积)可例如于不同区域中而有所不同。举例来说，邻近于卷曲部分rp的展开部分up中的可变形层dl的厚度(及/或体积)不同于远离于卷曲部分rp的展开部分up。在一些实施例中(如图6
与图7)，在展开状态tp2下，邻近于卷曲部分rp的展开部分up中的可变形层dl的厚度(及/或体积)可例如小于远离于卷曲部分rp的展开部分up。在一些实施例中(如图6与图7)，在展开状态tp2下，展开部分up中的可变形层dl的厚度(及/或体积)可随着越靠近卷曲部分rp而变少，但不限于此。
[0046]
在一些实施例中(如图6)，可变形层dl可例如具有多个孔洞h，而邻近于卷曲部分rp的展开部分up中的可变形层dl的孔洞h数量(及/或密度)可例如不同于远离于卷曲部分rp的展开部分up中的可变形层dl的孔洞h数量(及/或密度)。在一些实施例中(如图6)，邻近于卷曲部分rp的展开部分up中的可变形层dl的孔洞h数量(及/或密度)可例如大于远离于卷曲部分rp的展开部分up中的可变形层dl的孔洞h数量(及/或密度)。举例来说，在图6中，可变形层dl的孔洞h可随着越靠近卷曲部分rp而越密集，即展开部分up中的可变形层dl的密度随着越靠近卷曲部分rp而变少。
[0047]
须说明的是，多个孔洞h的深度、孔径、或形状可依据需求而设计，例如多个孔洞h可具有相同或不同的深度及/或孔径(如图6)。再举其它例子来说，在图7中，可变形层dl的厚度例如大致相同，而可变形层dl的孔洞h的孔径(例如为于展开方向du上的孔洞h的最大宽度)可例如随着越靠近卷曲部分rp而变大，但不限于此。须注意的是，上述的「随着越靠近卷曲部分rp而改变(包括变大、变少或变小)」并不限制为等比例的改变，其亦包括非等比例的改变。在上述设计下，可提高电子装置100所对应区域的功能性，例如卷曲部分rp可有较小的硬度或杨氏系数，使其具有较佳的卷曲效果，而展开部分up可有较大的硬度或杨氏系数，使其具有较佳的支撑效果，但不限于此。
[0048]
在一些实施例，于基板110的法线方向dn上，发光层el的面积对于可变形层dl的面积的比值范围可介于0.4至1.4之间(0.4≦比值≦1.4)、0.7至1.4之间(0.7≦比值≦1.4)、0.8至1.3之间(0.8≦比值≦1.3)或0.9至1.2之间(0.9≦比值≦1.2)，但并不以此为限。在一些实施例，发光层el在展开方向du上的最大长度对于可变形层dl在展开方向du上的最大长度的比值范围可介于0.4至1.3之间(0.4≦比值≦1.3)、0.7至1.4之间(0.7≦比值≦1.4)、0.8至1.3之间(0.8≦比值≦1.3)或0.9至1.2之间(0.9≦比值≦1.2)，但并不以此为限。
[0049]
在一些实施例，如图7所示，于基板110的法线方向dn上，位于卷曲部分rp的发光层el例如部份重叠于可变形层dl。在一些实施例，如图8所示，于基板110的法线方向dn上，位于卷曲部分rp的发光层el例如未重叠于可变形层dl。
[0050]
在一些实施例中，可变形层dl在展开部分up的面积可大于或等于发光层el在展开部分up的面积，用以使可变形结构150对展开部分up提供适当的支撑。
[0051]
在一些实施例中，可变形单元152可通过温度、电、磁力、压力或其组合来变形，通过上述方法将在展开部分up中的可变形层dl的杨氏系数调变大于卷曲部分rp中的可变形层dl的杨氏系数，用以对展开部分up提供适当的支撑力。另外，在使用者要卷曲(或收合)电子装置100的情况下，可变形层dl的杨氏系数可以被降低，使电子装置100更易呈卷曲状态tp1。下文将进行详细介绍其变形方式，但变形方式不以下文为限。
[0052]
须注意的是，在进行测量展开部分up的杨氏系数时，可测量展开部分up内的所有膜层的整体的杨氏系数。另外，在进行测量卷曲部分rp的杨氏系数时，可测量卷曲部分rp内的所有膜层的整体的杨氏系数，但不以此为限。
[0053]
请参考图9与图10，图9为本发明第一实施例的电子装置的剖面示意图，图10为本发明一实施例的电子装置的控制电极俯视示意图，其中图9绘示一部分的展开部分up。如图9所示，本实施例的可变形单元152例如通过电来变形，而可变形材料可包括压电材料，例如锆钛酸铅(pb(zrti)o3、石英、铌酸锂(linbo3)、钛酸钡(batio3)、聚偏二氟乙烯(pvdf)，但不以此为限。在一些实施例中，可通过电信号来控制压电材料的形变，以改变电子装置100对应区域(例如展开部分up或卷曲部分rp)的杨氏系数。
[0054]
在一些实施例中(如图9)，可变形结构150可包括控制电极158，控制电极158可包括至少一第一控制电极158a与至少一第二控制电极158b。如图9所示，控制电极158可包括多个第一控制电极158a与多个第二控制电极158b，可变形单元152例如设置于第一控制电极158a与多个第二控制电极158b之间。在一些实施例(如图9)，可变形单元152上侧(例如靠近基板110的一侧)可例如设置多个第一控制电极158a与多个第二控制电极158b，而可变形单元152下侧(例如远离基板110的一侧)可例如设置多个第一控制电极158a与多个第二控制电极158b，而此些第一控制电极158a与此些第二控制电极158b例如为条状电极，并在一方向(例如展开方向du)上交错排列。
[0055]
在一些实施例(如图10)，例如为图9的可变形结构150包括控制电极158的俯视示意图，其中图10例如仅显示出于设置于可变形单元152上侧或下侧的其中一侧的第一控制电极158a与此些第二控制电极158b。另外，于图10中，控制电极158可更包括连接电极159，多个第一控制电极158a例如通过连接电极159彼此电连接，多个第二控制电极158b例如通过另一连接电极159彼此电连接，但不以此为限。其中第一控制电极158a与第二控制电极158b例如用以接收不同的电压，以形成水平电场(即横向电场)来调整可变形层dl的杨氏系数。需注意的是，第一控制电极158a与第二控制电极158b的设置方式不限上述图示。在其他实施例(未绘示)，第一控制电极158a与第二控制电极158b例如用以接收不同的电压，以形成垂直电场或其他合适的方向的电场。
[0056]
在其他实施例中(未绘示)，控制电极158可包括多个第一控制电极158a与一个第二控制电极158b，多个第一控制电极158a与一个第二控制电极158b例如设置在可变形单元152的同一侧(例如上侧或下侧)上，第一控制电极158a可例如为条状电极，并在一方向(例如展开方向du)上依序排列，第二控制电极158b例如为平面电极，且第二控制电极158b与多个第一控制电极158a于基板110的法线方向dn上重叠，第一控制电极158a与第二控制电极158b例如用以接收不同的电压，以形成边界电场。
[0057]
举例来说，当第一控制电极158a与第二控制电极158b之间具有第一电压差时，所造成的电场可使对应区域的可变形单元152(或可变形层dl)的杨氏系数较高，当第一控制电极158a与第二控制电极158b之间具有第二电压差时，所造成的电场可使对应区域的可变形单元152(或可变形层dl)的杨氏系数较低。换句话说，电子装置100在卷曲状态tp1时，第一控制电极158a与第二控制电极158b之间例如具有第二电压差，使可变形单元152(或可变形层dl)的杨氏系数较低而维持较佳的卷曲效果。当对电子装置100执行拉伸而形成展开状态tp2时，可使展开部分up中的第一控制电极158a与第二控制电极158b之间具有第一电压差，使可变形单元152(或可变形层dl)的杨氏系数较高而可提供支撑力。
[0058]
在一些实施例中(未绘示)，第一控制电极158a与第二控制电极158b例如仅设置在可变形单元152的同一侧(例如上侧或下侧)上，而第一控制电极158a与第二控制电极158b
例如用以接收不同的电压，以形成水平电场，但不限于此。
[0059]
在一些实施例中(未绘示)，设置在可变形单元152的不同侧的第一控制电极158a与第二控制电极158b在基板110的法线方向dn上可例如彼此对准(请参考后续图16)或彼此错位。举例来说，在图9中，在可变形单元152的不同侧的第一控制电极158a与第二控制电极158b在基板110的法线方向dn可例如彼此错位。
[0060]
需注意的是，可变形层dl改变杨氏系数的方式并不以上述为限。举例来说，可变形层dl(可变形单元152)可通过温度或磁力来变形。在一些实施例中，可变形层dl(可变形单元152)可包括通过加热而改变其形态(例如加热而软))的材料，但不限于此。举例来说，当较大的电流通过控制电极158时，控制电极158的温度可能提升，使得可变形层dl(可变形单元152)的型态改变(例如软化)，藉以降低可变形层dl(可变形单元152)的杨氏系数而易于卷曲。而当较小的电流通过控制电极158时(或不施加电流时)，控制电极158的温度可能降低，使得可变形层dl(可变形单元152)硬化而提高杨氏系数。再举例而言，可变形单元152可通过磁力来变形，而可变形层dl(可变形单元152)可包括磁性材料。
[0061]
请参考图11a、图11b与图12，图11a、图11b与图12为本发明一实施例的电子装置的制造过程的示意图。以下将说明电子装置100的制造过程，但并不以下文为限，须注意下图的层别元件的大小、厚度比例仅为示意。如图11a与图11b所示，基板110、电路元件层120、封装层130与覆盖层140可例如依序设置在第一载板cb1上而形成上基板结构us，而底板154、绝缘层156、控制电极158、可变形单元152与控制电极158可例如依序设置在第二载板cb2而形成下基板结构ds，但不限于此。接着，在图11a与图11b中，进行离型步骤，以将上基板结构us中的基板110与第一载板cb1分离，并将下基板结构ds中的底板154与第二载板cb2分离。请参考图12，可变形结构150可例如通过黏着层al黏贴在基板110上。
[0062]
在一些实施例中(未绘示)，可变形结构150中的控制电极158可例如电连接至电路元件层120中的元件，且控制电极158可通过连接孔(via)来电连接电路元件层120中的元件，或者，控制电极158可通过外部的连接电路而电连接至电路元件层120中的元件。在另一种制造过程中(未绘示)，可变形结构150可不具有底板154。
[0063]
在另一种制造过程中(未绘示)，其中一层的控制电极158可先设置在基板110与第一载板cb1之间，即两层控制电极158可分别设置在第一载板cb1和第二载板cb2上。将可变形结构150例如通过黏着层al黏贴在基板110上，两层控制电极158可对可变形单元152进行调变。在另一种制造过程中(未绘示)，可先在第一载板cb1上堆栈基板110、电路元件层120、封装层130与覆盖层140，接着，进行离型步骤，以将基板110与第一载板cb1分离，最后，在基板110相反于电路元件层120的一侧直接形成控制电极158、可变形结构150及绝缘层156，但不限于此。
[0064]
请参考图13与图14，图13为本发明一实施例的电子装置的调变形态的方法的流程图，图14为本发明一实施例的电子装置的两种形态的示意图，其中图14以卷曲状态tp1与展开状态tp2为例。在调变方法中，首先，提供一滚动条式电子装置(步骤1001)。然后，拉伸处于一卷曲形态tp1的所述滚动条式显示设备100，以使所述滚动条式显示设备100具有一展开部分up(步骤1002)。然后，将所述展开部分up的杨氏系数提升，使所述展开部分up处于一展开形态tp2(步骤1003)。其中，在拉伸处于一卷曲形态tp1的所述滚动条式显示设备100的步骤中，举例可通过电信号进行拉伸、人为拉伸或其他合适方式来拉伸，但不以此为限。另
外，于上述将所述展开部分up的杨氏系数提升，使所述展开部分up处于一展开形态tp2的步骤中，可包括对展开部分up进行侦测操作，例如于侦测操作中侦测出展开部分up的曲率达到目标曲率时，例如将展开部分up的杨氏系数提升至第一目标数值，使展开部分up处于展开形态tp2。上述的侦测操作例如通过设置曲率感测单元(可参考图17)或是其它感测电路(未绘示)来感测展开部分up的电子装置100的曲率，详细曲率感测单元可参考下述说明。在一些实施例中，上述的其它感测电路例如包括走线或电容，此些走线或电容可例如设制于滚动条式电子装置的周边线路区，可通过感测走线的电阻变化或是电容的变化来推算得知曲率的变化，但不限于此。另外，提升杨氏系数的方式(例如温度、电、磁力、压力或其组合来改变杨氏系数)可参考上文，在此不重复赘述。须注意的是，在一些发明中，可一边拉伸电子装置100，一边提升展开部分up的杨氏系数，但不以此为限。在一些实施例中，由于滚动条式电子装置100为显示设备，因此当滚动条式电子装置100处于展开形态tp2时，还可使滚动条式电子装置100显示画面，但不以此为限。
[0065]
在展开电子装置100后，会确认是否对电子装置100进行卷曲而收合(步骤1004)。若展开部分up持续维持展开形态，则位于展开部分up的可变形层dl例如维持其杨氏系数大致于第一目标数值。若需将展开部分up执行卷曲而收合电子装置100时，则例如降低位于展开部分up的可变形层dl的杨氏系数，以便进行卷曲。
[0066]
详细而言，当确认须对电子装置100进行卷曲而收合后，例如执行将处于所述展开形态tp2的所述滚动条式显示设备100调变为所述卷曲形态tp1的步骤(步骤1005)，而步骤1005中包括，将展开部分up的杨氏系数降低，以及卷曲展开部分up，以将展开形态tp2调变为卷曲形态tp1。上述将展开部分up的杨氏系数降低例如将展开部分up的杨氏系数从第一目标数值调变为第二目标数值，其中第一目标数值大于第二目标数值。
[0067]
在一些实施例中，电子装置100可选择性地包括感测单元，用以感测对应区域(展开部分up或卷曲部分rp)的杨氏系数。需注意的是，在进行卷曲之前，可利用感测单元(未绘示)来确认展开部分up的杨氏系数是否已达到第二目标数值。当展开部分up的杨氏系数已达到第二目标数值，则例如步骤1005将处于展开形态tp2的滚动条式显示设备100调变为卷曲形态tp1。
[0068]
在图14中，在本实施例的方法中，可通过步骤1002至步骤1003，将卷曲形态tp1调变为展开形态tp2。并且，可通过步骤1005，将处于所述展开形态tp2的所述滚动条式显示设备100调变为所述卷曲形态tp1。
[0069]
须说明的是，上述的方法仅为范例，并不以此为限。可在上述的任何步骤之前、之后或之间执行其他步骤，或可以以不同的顺序执行，或可对上述的任何步骤做改变(例如选择性删除部分步骤)。
[0070]
请参考图15与图16，图15为本发明第二实施例的电子装置的控制电极、发光层与数据线的俯视示意图，图16为本发明第二实施例的电子装置的剖面示意图，其中为了更清楚可看出控制电极158、发光层(例如不同子像素)与数据线之间的关系(例如设置或数量关系)，图15的左侧例如仅绘示控制电极158与导电结构250，而省略子像素、数据线da及其他元件，图15的右侧例如仅绘示控制电极158、子像素spx1、子像素spx2、子像素spx3以及数据线da，而省略导电结构250及其他元件。如图15与图16所示，电子装置200可选择性地包括导电结构250，导电结构250例如与其中一层的控制电极158由同一层导电层所形成，但不限于
此。换句话说，导电结构250的材料与其中一层的控制电极158的材料相同。在一些实施例，导电结构250可作为金属线栅偏振片(wire-grid polarizer,wgp)、触控电极、天线或其他适合的元件，但不限于此。在一些实施例，导电结构250的数量可大于控制电极158的数量。
[0071]
在一些实施例中(图15的右侧)，数据线da的延伸方向与控制电极158的延伸方向例如不同或相同。在一些实施例中(图15的右侧)，数据线da与控制电极158之间例如夹有一夹角，即数据线da的延伸方向与控制电极158的延伸方向之间夹有一夹角，此夹角例如介于20至80度之间(20度≦夹角≦80度)或介于40至60度之间(40度≦夹角≦60度)，但不限于此。在一些实施例中(图15的右侧)，数据线da对于控制电极158的比值例如为正整数，即数据线da数量与控制电极158的数量的比值为n，且n为正整数，但不以此为限。举例来说，在图15中，数据线da的数量例如为控制电极158的数量的6倍，但不限于此，可根据须求做调整。
[0072]
在一些实施例中(图15的右侧)，数据线da的数量大于控制电极158的数量。在一些实施例中(图15的右侧)，数据线da对于控制电极158的比值例如为非正整数。
[0073]
在一些实施例中(如图16)，可变形结构150例如具有两层的控制电极158，且在基板110的法线方向dn上，此两层的控制电极158例如彼此对准(重叠)。举例来说，位于可变形单元152上侧的第一控制电极158a在基板110的法线方向dn上可大致对准可变形单元152下侧的第一控制电极158a，而位于可变形单元152上侧的第二控制电极158b在基板110的法线方向dn上可大致对准可变形单元152下侧的第二控制电极158b，但不以此为限。另外，在图16中，可变形层dl在展开方向du上可例如延伸出或超越过基板110，但不以此为限。
[0074]
请参考图17，图17为本发明第三实施例的电子装置的可变形层的剖面示意图。如图17所示，本实施例的电子装置300的控制电极158可具有曲率感测的功能，可通过控制电极158的设计感测对应区域的电子装置300是否达到一曲率。举例而言，在图17中，位于可变形层dl上侧的控制电极158的厚度可例如大于位于可变形层dl下侧的控制电极158的厚度。另外，位于可变形层dl上侧的控制电极158的剖面图案例如为梯形，但不以此为限。若电子装置300卷曲时(如图17的下图)，位于可变形层dl上侧的第一控制电极158a与第二控制电极158b可彼此接触，故可通过第一控制电极158a与第二控制电极158b来侦测目前电子装置300是否达到一曲率，但不限于此。
[0075]
在一些实施例中，电子装置还可选择性的包括曲率感测单元，曲率感测元件用以感测电子装置的对应区域(例如展开部分up或卷曲部分rp)的曲率。在一些实施例中，图17的第一控制电极158a与第二控制电极158b可例如作为曲率感测单元。在一些实施例中，如上述，当在对电子装置进行拉伸时，曲率感测单元会对电子装置的对应区域的曲率进行感测，而当此对应区域的曲率达到目标曲率(例如小于或等于目标曲率)，即表示此对应区域已展开，接着再对可变形层dl的对应区域提高杨氏系数，以支撑展开部分up，但不限于此。
[0076]
请参考图18，图18为本发明第四实施例的电子装置的剖面示意图。如图18所示，电子装置400的可变形层dl可包括液态的可变形材料，此时电子装置400可例如具有框胶410，用以将液态的可变形材料密封。另外，可变形材料的可变形层dl可设置在底板154和底板420之间。在一些实施例中，可通过例如电信号调变可变形层dl的硬度或黏稠度，以调变可变形层dl的杨氏系数。
[0077]
综上所述，在本发明的电子装置中，可变形层可在展开部分提供较高的杨氏系数，以对展开部分提供足够的支撑力。另外，可变形层可在卷曲部分提供较低的杨氏系数，以易
于电子装置卷曲，提高使用质量。
[0078]
虽然本发明的实施例及其优点已发明如上，但应该了解的是，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作更动、替代与润饰。此外，本发明的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何所属技术领域中具有通常知识者可从本发明揭示内容中理解现行或未来所发展出的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本发明使用。因此，本发明的保护范围包括上述制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，每一权利要求构成个别的实施例，且本发明的保护范围也包括各个权利要求及实施例的组合。本发明的保护范围当视随附的权利要求所界定者为准。